Transistor Informe (Conclusiones y Recomendaciones)

Universidad Nacional de Ingeniería
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 1
ML 837 A
Docente:
Ing. Huamaní Huamaní Edilberto
Integrantes:
ORELLANA SOLIS JOSÉ 20141204F
MARIN QUISPE EDER 20134514C
CHONG LUNA JOSÉ 20151011F
OCHOA RIVAS DIEGO 20142550E
GONZALES CHAVEZ HANS 20151018K
CUYA HUARAJO GERSON 20152119E
Tema:
TRANSISTOR COMO
AMPLIFICADOR
2018-I
Facultad de Ingeniería Mecánica
[TÍTULO DEL DOCUMENTO]
INDICE
EXPERIMENTO. TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR Pág.
OBJETIVOS 02
1. FUNDAMENTO TEÓRICO 03
2. MATERIALES 09
3. PROCEDIMIENTO 10
4. DATOS EXPERIMENTALES 12
5. SIMULACIONES 14
6. CUESTIONARIO 20
7. CONCLUSIONES 21
21
8. RECOMENDACIONES
9. BIBLIOGRAFÍA 22
OBJETIVOS
1 22 de mayo del 2018

 Construir y operar un circuito AMPLIFICADOR BÁSICO a transistor. Reconocer

en la práctica la configuración de EMISOR COMÚN.
 Fortalecer el conocimiento, utilidad y función del transistor, su trabajo en DC y
en AC.
 Operar el circuito amplificador básico para determinar el correspondiente punto
de operación del transistor, sus componentes: Corriente de base, corriente de
colector y voltaje entre colector y emisor. Reconocer la ganancia de corriente
del transistor a partir de valores medidos.
 Operar el circuito amplificador básico con pequeña señal, determinar la
ganancia de tensión a partir de valores medios. Reconocer la máxima extrusión
simétrica y las razones por las cuales hay distorsión en la tensión de salida.
1. FUNDAMENTO TEORICO:
El transistor como amplificador


Introducción
La necesidad de amplificar las señales es casi una necesidad constante en la
mayoría de los sistemas electrónicos. En este proceso, los transistores desarrollan
un papel fundamental, pues bajo ciertas condiciones, pueden entregar a una
determinada carga una potencia de señal mayor de la que absorben.
El análisis de un amplificador mediante su asimilación a un cuadrípolo (red de dos

puertas), resulta interesante ya que permite caracterizarlo mediante una serie de
parámetros relativamente simples que nos proporcionan información sobre su
comportamiento.
En los amplificadores, gracias a los transistores se consigue la intensidad de los

sonidos y de las señales en general. El amplificador posee una entrada por donde
se introduce la señal débil y otra por donde se alimenta con C.C. La señal de
salida se ve aumentada gracias a la aportación de esta alimentación, siguiendo las
mismas variaciones de onda que la de entrada.
La señal de entrada, de bajo nivel, del orden de unos pocos milivotios, la aportan
dispositivos como el micrófono (transforman ondas sonoras en señales eléctricas
que siguen las mismas variaciones que las primeras), sensores térmicos,
luminosos, etc.


Cuando un amplificador realiza la función de elevar la señal que ha sido aplicada a
su entrada, se dice que ha producido una determinada ganancia. Se puede decir
que la ganancia de un amplificador es la relación que existe entre el valor de la
señal obtenida a la salida y el de la entrada. Dependiendo de la magnitud eléctrica
que estemos tratando, se pueden observar tres tipos de ganancia: ganancia en
tensión, ganancia en corriente y ganancia en potencia.
De esta forma podemos definir los siguientes parámetros:
1. Ganancia de tensión (normalmente en decibelios): Av = Vo / Vi

2. Impedancia de entrada (ohmnios): Zi = Vi / Ii
3. Impedancia de salida (ohmnios): Zo = Vo / Io (para Vg = 0)
4. Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): Ai = Io / Ii
5. Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): Ap = Po / Pi
Un amplificador será tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y menor sea
su impedancia de entrada y salida.
En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma que lo

que es válido para un margen de frecuencias no tiene porqué serlo
necesariamente para otro. De todas formas, en todo amplificador existe un margen
de frecuencias en el que la ganancia permanece prácticamente constante (banda
de paso del amplificador). El margen dinámico de un amplificador es la mayor
variación simétrica de la señal que es capaz de presentar sin distorsión a la salida;
normalmente expresado en voltios de pico (Vp) o Voltios pico-pico (Vpp).
Ampliación


Para comprender el funcionamiento del transistor como amplificador, se partirá del
circuito de la figura, en el que el transistor se conecta en la configuración
denominada de emisor común.
El generador Veb asegura que la unión base-emisor esté polarizada en sentido

directo. Una batería Vc (Vc>> Vbe) proporciona la tensión de polarización inversa a
la unión del emisor.
El circuito de entrada, en el que se aplicará la señal que se desea amplificar, es el

que contiene a la base y el emisor. El circuito de salida está conectado a las
terminales del colector y del emisor. R c es la resistencia de carga del circuito de
salida.
A continuación, se calcularán cuáles son los incrementos que se producen en

dichas intensidades si se modifica ligeramente la tensión Web, aplicando una ddp
adicional a la entrada.
En este desarrollo, se admitirá que el incremento de tensión aplicado, es lo

suficientemente pequeño para que las variaciones de intensidad que provoca
estén relacionadas linealmente con él.
Asimismo, se despreciarán los efectos dinámicos producidos por la aplicación de

una diferencia de potencial, aplicada muy lentamente.
a. Variación de la intensidad de salida (-I0).


Como se muestra en la figura siguiente, la corriente de salida es -I 0. Dicha
intensidad tiene, tres componentes: I pb, Ibb e Inc. Ahora bien, en un transistor
polarizado en el modo activo, la corriente I pb es muy superior a las otras dos
(unas mil veces superior en el ejemplo anterior) por lo que, a efectos de
cálculo de las variaciones en la intensidad del colector, es admisible
suponer que:
Suponiendo que la variación de V eb, incremento de V, es pequeño, la

variación de la corriente de salida es:
... y llamando transconductancia, gm, al factor I0/VT, resulta que:
La transconductancia tiene las dimensiones de una conductancia y su valor

depende de la temperatura y del punto de funcionamiento. A la temperatura
ambiente, gm vale unos 0.04 mΩ por mA de intensidad en el colector.
b. Variación de la intensidad de entrada (-I b)
La corriente de base, tiene, según hemos expuesto, tres componentes: I ne,

Ibbe Inc. De ellas, tan sólo las dos primeras dependen directamente de la
tensión Veb. Nos limitaremos, por tanto a calcular sus variaciones.
De las ecuaciones anteriores se deduce que:
Por otra parte, el término exponencial puede expresarse en función de la

intensidad del colector:

El incremento de la corriente de base es:
Denominando a todo el término entre corchetes, tendremos que:
El parámetro o cuantifica el efecto que, sobre la corriente de base, produce

un incremento de la tensión Veb. Así al disminuir la barrera de potencial en la
unión emisor-base, se produce un aumento de huecos inyectados desde el
emisor, aumentando la concentración de portadores minoritarios en la base,
lo que conduce a un incremento de la tasa de recombinación. Debido a ello,
Ibb crece.
Por otra parte, la disminución de la barrera de potencial antes citada,

supone un incremento del número de electrones inyectados en el emisor
desde la base, con lo que se produce un aumento de la corriente I ne.
c. Variación de la tensión colector-emisor (Vce).
La tensión colector-emisor es:
Por tanto, si Veb se incrementa, Vce variará como:
La expresión anterior implica que el incremento de la tensión colector-

emisor puede aumentar sin límite, sin más que incrementar suficientemente
la resistencia de carga R0. Tal suposición no es cierta ya que hay que tener
presente que, en el modelo simplificado que se ha desarrollado, no se ha
tenido en cuenta el efecto de la tensión de polarización inversa V cb sobre la
anchura de la base, W. Valores muy elevados de g mRm suponen una


importante variación de Vcb, lo que modificaría notablemente la anchura W,
no siendo válidas entonces las premisas del modelo utilizado.
d. Ganancias de corriente y de tensión:
Supongamos que, a la entrada del circuito de la siguiente figura, se aplica

una señal alterna de pequeña amplitud, y frecuencia lo suficientemente
pequeña para que puedan ser despreciados los efectos dinámicos que no
han sido tenidos en cuenta en el modelo anterior.
En estas condiciones, por el circuito de entrada circulará una corriente

alterna -Ib-AIb. Es decir, sobre la corriente -Ib que existía para un incremento
de tensión 0, se superpone una corriente alterna de amplitud incremento de
la intensidad de base.
De forma análoga, en el circuito de salida aparecerá una corriente alterna

de amplitud igual al incremento de la intensidad de colector, superpuesta a
-Ic(corriente de colector para un incremento de tensión 0).
Se define ganancia en intensidad como:
Obsérvese que, al ser no mucho menor que 1, la ganancia de intensidad

puede tomar valores muy elevados.
De forma análoga, se defina la ganancia de tensión como:
En definitiva, la señal de entrada, se ve amplificada tanto en intensidad

como en tensión.
2. MATERIALES:


- 01 Fuente de Poder DC
- 01 Multímetro Digital
- 01 Osciloscopio
- 01 Generador de señales y/o Transformador de 220V : 12V
- 01 Transistor NPN 2N 3904
- 01 Juego de tres (3) Resistores de ½W cada uno:
- 1MΩ ; 10KΩ ; 1KΩ ; 3.3KΩ ; 2.2KΩ ; 330Ω
- 01 Juego de tres (2) Condensadores de 25V cada uno:
- 22µF ; 100µF
- 03 Protoboard
- 01 Juego de 4 cables con punta de cocodrilo
- 01 Juego de 16 cables de conexiones para protoboard
- 01 Alicate de punta plana

3. PROCEDIMIENTO
ANALISIS EN DC – PUNTO DE OPERACION
1. Arme el circuito que se muestra a continuación.
2. Ubique el transistor en zona activa. Para eso manipular el potenciómetro.
3. Use el multímetro como Ohmimetro y halle valores reales de resistores y

potenciómetros y luego hallar los voltajes:
R1=______ R2=_____ R3=_____


VR1=______ VR2=_____
4. Halle la corriente de Base (Ib) y la corriente de Colector (Ic):
5. Luego hallese el valor de hfe, por calculo (hfe=Ic/Ib) y directamente

(usando el multímetro).
Hfe (calculado)=_______ hfe (Medido)=_______
6. Con todo lo observado y hallado, dibuje la recta de carga correspondiente.
7. Construya ahora el siguiente circuito:
8. Variando el potenciómetro ubique Vce=1/2Vcc. Proceda a realizar las

siguientes mediciones y llene lo que se pide a continuación:
Vce (medido) hfe=Ic/Ib
Vbe (medido) Zona:
Ic (calculado): Vrc/Rc hfe (medido)
Ie (calculado): Vrr/Re hfe (guía)


Ib (calculado): Ie-Ic hie (guía)
ANALISIS EN AC – GANANCIA DE TENSION
1. Arme el circuito siguiente:
2. Trabaje con Vi=10mV (1KHz) aumentando su amplitud hasta obtener (en

la pantalla del osciloscopio) un Vo máximo sin distorsión.
3. Con los valores obtenidos de Vi y Vo proceda a calcular el valor de la

ganancia lineal y la ganancia en decibelios del amplificador.
4. Desconecte por un momento el generador de señales, luego ajuste el

potenciómetro hasta obtener un Vce=2.5V.
5. Trabaje con Vi =10mV (1KHz). Aumentando su amplitud hasta obtener

un Vo máximo sin distorsión.
4. DATOS EXPERIMENTALES
Circuito 1:
R1=999.89 KΩ R2=998 Ω P=1.17 KΩ


VR1=8.57 V VR2=2.18 V
Ib=8.57 uA Ic=2.19 mA
hfe (calculado)=262.15 hfe (Medido)=269.2
Circuito 2:
4.59 V
Vce (medido) Ib (calculado): Ie-Ic 6.79 uA
0.69 V
Vbe (medido) hfe=Ic/Ib 245.95
1.67 mA
Ic (calculado): hfe (medido) 258
Vrc/Rc
1.676 mA
Ie (calculado): hfe (guía) 250
Vrr/Re
Circuito 3:
4.59 V
Vce (medido) Ib (calculado): Ie-Ic 6.71 uA
0.68 V
Vbe (medido) hfe=Ic/Ib 245.902
1.65 mA
Ic (calculado): hfe (medido) 257
Vrc/Rc
1.656 mA
Ie (calculado): hfe (guía) 250
Vrr/Re
10mV
Vi Vo 512 mV

5. SIMULACIONES
CIRCUITO 1

Ib=0.00831 mA Ic=2.14 mA Ie=2.15 mA
Vbe=0.69V Vce=4.36 V
β=257.5
CIRCUITO 2

Ib=0.00661 mA Ic=1.72mA Ie=1.73 mA
β=261.7
CIRCUITO 3
Análisis DC

Ib=0.00661 mA Ic=1.72mA Ie=1.73 mA
β=261.7
Análisis AC

Vi=10mV Vo=492 mV
Vo 492
A= = =49.2
Vi 10
Osciloscopio


Línea Amarilla -> Vi
Línea Azul -> Vo
Vi=10mV Vo=492 mV
Vo 492
A= = =49.2
Vi 10
6. CUESTIONARIO


1. ¿Diga cuáles serían las causas para la distorsión en la salida?
Debido a la ubicación del punto de operación en la gráfica Ic vs Vce, si

la ganancia hace que la amplitud de la curva sobrepase los límites de
0.7 V o Vce entonces habrá una distorsión.
Pero para la experiencia se trabajó para que se pueda obtener la

máxima excrusion simétrica, siendo el punto de operación casi
Vce=Vcc/2.
2. Diferencia de resultados entre los cálculos teóricos (valores

nominales de las resistencia y los resultados obtenidos en la
ganancia de tensión)
Resultados del Circuito 1 (Analisis DC)

Experimental Nominal %Error
Vce 4.42 V 4.36 V 1.37
Ib 8.57 uA 8.31 uA 3.12
Ic 2.19 mA 2.14 mA 2.33
Ie 2.20 mA 2.15 mA 3.23
Resultados del Circuito 2 (Analisis DC)

Vce 4.59 V 4.48 V 2.45
Ib 6.79 uA 6.61 uA 2.72
Ic 1.67 mA 1.72 mA 2.90
Ie 1.676 mA 1.73 mA 2.82
Resultados del Circuito 3 (Analisis DC y AC)

Vce 4.59 V 4.48 V 2.45
Ib 6.71 uA 6.61 uA 1.52
Ic 1.65 mA 1.72 mA 3.89
Ie 1.656 mA 1.73 mA 3.94
A 51.2 49.2 3.66

3. Qué pasaría con A si se cambia RL por uno de mayor valor, por uno
de 3,3 Kohm
Sabemos por teoría en clase, que para el circuito 3, la fórmula para la

ganancia es :
Vo −hfe
A= = ( Rc|∨RL¿
Vi hie
Por lo que al modificar RL de 2,2 Kohm a 3,3 Kohm afectará directamente a

la ganancia del amplificador.
Vi=10mV Vo=492 mV


Vo 492
A= = =49.2
Vi 10
7. Conclusiones:
 Transistor no acumula carga eso quiere decir que casi toda la
corriente pasa del colector al emisor.
 Se cumple la teoría del diseño y operación de los circuitos con
transistores.
 La corriente de base es casi mínima hasta tal punto de ser
despreciable por ende quiere decir que está actuando en zona
activa
 La ganancia de tensión es de 51.2
 Los resultados experimentales con relación a los nominales solo
presenta un error menores de 4%.
8. Recomendaciones:
 Verificar que todos los conectores estén en buen estado.
 Tener en cuenta las especificaciones del transistor que se está
utilizando, para un buen desempeño en las experiencias, y además
tener en cuenta la correcta polarización.
 Tomar los valores reales de todos los dispositivos o elementos para
tener en cuenta las variaciones que se puedan presentar frente a
una posterior simulación con valores ideales.

9. Bibliografía:

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De esta forma podemos definir los siguientes parámetros:

1. Ganancia de tensión (normalmente en decibelios): Av = Vo / Vi

En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma que lo

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El generador Veb asegura que la unión base-emisor esté polarizada en sentido

El circuito de entrada, en el que se aplicará la señal que se desea amplificar, es el

A continuación, se calcularán cuáles son los incrementos que se producen en

En este desarrollo, se admitirá que el incremento de tensión aplicado, es lo

Asimismo, se despreciarán los efectos dinámicos producidos por la aplicación de

a. Variación de la intensidad de salida (-I0).

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Suponiendo que la variación de V eb, incremento de V, es pequeño, la

... y llamando transconductancia, gm, al factor I0/VT, resulta que:

La transconductancia tiene las dimensiones de una conductancia y su valor

b. Variación de la intensidad de entrada (-I b)

La corriente de base, tiene, según hemos expuesto, tres componentes: I ne,

De las ecuaciones anteriores se deduce que:

Por otra parte, el término exponencial puede expresarse en función de la

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El incremento de la corriente de base es:

Denominando a todo el término entre corchetes, tendremos que:

El parámetro o cuantifica el efecto que, sobre la corriente de base, produce

Por otra parte, la disminución de la barrera de potencial antes citada,

c. Variación de la tensión colector-emisor (Vce).

La tensión colector-emisor es:

Por tanto, si Veb se incrementa, Vce variará como:

La expresión anterior implica que el incremento de la tensión colector-

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Supongamos que, a la entrada del circuito de la siguiente figura, se aplica

En estas condiciones, por el circuito de entrada circulará una corriente

De forma análoga, en el circuito de salida aparecerá una corriente alterna

Se define ganancia en intensidad como:

Obsérvese que, al ser no mucho menor que 1, la ganancia de intensidad

De forma análoga, se defina la ganancia de tensión como:

En definitiva, la señal de entrada, se ve amplificada tanto en intensidad

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- 01 Transistor NPN 2N 3904

- 01 Juego de tres (3) Resistores de ½W cada uno:

- 1MΩ ; 10KΩ ; 1KΩ ; 3.3KΩ ; 2.2KΩ ; 330Ω

- 01 Juego de tres (2) Condensadores de 25V cada uno:

- 01 Juego de 4 cables con punta de cocodrilo

- 01 Juego de 16 cables de conexiones para protoboard

- 01 Alicate de punta plana

R1=____ R2=_ R3=___

Hfe (calculado)=_ hfe (Medido)=_