Informe previo N°2 Circuitos Electrónicos 2

INFORME PREVIO 6
RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA SOLA ETAPA

1.- Definir rbb´ , rba´,rb´c ,rce ,Cb’e, Cb’c ,gm , fB , fr.

rbb´: La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parámetro h, hie, que es la
resistencia con la salida en corto. En el momento hibrido π, esta se denomina a menudo
como rπ si se aplica un corto circuito entre el emisor y colector, se obtiene:

ℎ𝑖𝑒 = 𝑟𝜋 = 𝑟𝑏𝑏´ + 𝑟𝑏´𝑒//𝑟𝑏´𝑐

rb´e: La resistencia de entrada (rπ en el modelo hibrido) se aproxima por medio de la razón:
Vb´e
rπ = Ib

rb´c: Resistencia de retroalimentación, rce ; resistencia de salida del transistor.

cb´e y cb´c; son las capacitancias parasitas del transistor. cb´c es la capacitancia de la unión
colector-base a pesar de que es una capacitancia variable, suele considerarse constante en
una región de operación particular del transistor. La capacitancia cb ´e, la cual es capacitor
base- emisor. El valor de este capacitor aparece en las hojas de datos como Cib´. Esta
capacitancia es la suma de la capacitancia de difusión del emisor y la capacitancia de la
unión del emisor. Debido a que el primer capacitor es el más grande de los dos, cb´e es
aproximadamente iguala la capacitancia de difusión (conocida también como capacitancia
de carga de la base).

fβ y ft : son frecuencias características, f B es la frecuencia para cuando el factor de

ganancia del transistor empieza a variar. Ft es la frecuencia máxima de operación del
transistor se da cuando la ganancia es igual a cero.
Gm: factor de admitancia.

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2.-En el circuito del experimento de cuerdo al modelo pi del transistor en altas frecuencias ,
encontrar la expresión fβ / ft

56kΩ 1.5kΩ

C4

22µF
R4 C3
V1
1kΩ 12 V
22µF

XFG1 C1
100µF 10kΩ
12kΩ 0.68kΩ

Modelo Hibrido

rb´b Cb´c

gmVb´e
rce
rb´e Cb´e

Del circuito mostrado

𝐼𝑐 −ℎ𝑓𝑒𝐼𝑏´𝑒
𝐴𝑖 = =
𝐼𝑏 𝐼𝑏´𝑒(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)

−ℎ𝑓𝑒
𝐴𝑖(𝑗𝑤) =
(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐))

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1
→ Frecuencia de corte: 𝑊𝐵 = 𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒+𝐶𝑏´𝑐)

Calculo de ft: (frecuencia máxima de operación del transistor)

ℎ𝑓𝑒
|𝐴𝑖| =
(1 + 𝑤 2 (𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)2 )

ℎ𝑓𝑒
|𝐴𝑖| =
𝑤𝑇 2
√(1 + )
𝑤𝐵 2

Por tanto:

√ℎ𝑓𝑒 − 1
𝑤𝑇 =
(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )

√ℎ𝑓𝑒 − 1
𝑓𝑇 =
2𝜋(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )

Pero hfe2>>1

ℎ𝑓𝑒
𝑓𝑇 =
2𝜋(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )

De esta ecuación y también de:

1
𝑊𝐵 =
𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)

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Tenemos:

𝑓𝐵 1
=
𝑓𝑇 ℎ𝑓𝑒

3.- Considerando que cb´c <0.1-50p F>, cb´e<100-1000p F> rb´e=VThfe/IEQ, encontrar el punto
de corte superior aproximado en nuestro circuito.

Consideremos un B=100, RB=56kΩ//12kΩ, Ri=1kΩ, RL=10KΩ. La corriente de polarización del

transistor IQ=1.99m A.

26mB
rb´e = = 1306.53Ω
1.99m A

Rin = RB//rb´e = 1153.96Ω

Ri//Rin = 535.7

RL//RC 1304.34
Av = = = 99.87
rb´e/B 13.06

1
f=
2π(Ri//Rin)cb´c(1 + 99.87)

1
Operando los datos establecidos: 𝑓 = 2𝜋(535.7)50𝑝𝐹(1+99.87)

𝑓 = 232.45 𝐾ℎ𝑧

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4.- En altas frecuencias ¿Cuál de las configuraciones de transistor será más conveniente?
¿por qué?

La configuración hibrida π, es la más conveniente para altas frecuencias ya que cuenta con
los parámetros que salen a relucir para altas frecuencias como las capacitancias parasitas.

rb ´b Cb ´c

g mVb ´e
rce
rb ´e Cb ´e

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BIBLIOGRAFÍA:

 https://es.slideshare.net/Volta/tema-3amplificador-a-transistores-presentation
 http://www.ie.itcr.ac.cr/marin/lic/el3212/Libro/Tema3.pdf
 https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitos-electronicos-
analogicos/transparencias/tema-5
 https://electronicauaa.files.wordpress.com/2014/12/respuesta-en-baja-y-alta-frecuencia-
amplificadores-bjt.pdf

2017

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