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CURSO: TEMA:
NÚMERO:
19-05-2018 22-05-2018
GRUPO: PROFESOR:
Cbe simplemente aparece como una capacitancia a tierra de ca, como muestra la
figura 10-32, en paralelo con Cent(Miller). Viendo el colector, Cbc aparece en la
capacitancia de salida Miller del colector a tierra. Como muestra la figura 10-32, la
capacitancia de salida Miller aparece en paralelo con Rc.
Estas dos capacitancias Miller crean una circuito RC de entrada de alta frecuencia y
un circuito RC de salida en alta frecuencia. Estos dos circuitos, el de entrada y el de
salida difieren en baja frecuencia, los cuales actúan como filtros pasoaltas porque las
capacitancias están a tierra y por consiguiente actúan como filtros pasobajas. El
circuito equivalente en la figura 10-32 es un modelo ideal porque se desprecian las
capacitancias parásitas provocadas por las interconexiones del circuito.
Circuito RC de entrada
En altas frecuencias, el circuito de entrada es como se muestra en la figura 10-33(a),
donde es la resistencia de entrada en la base del transistor porque el capacitor de
puenteo pone en corto efectivamente al emisor con tierra. Combinando Cbe y
Cent(Miller) en paralelo y reposicionando, se obtiene el circuito simplificado mostrado
en la figura 10-33(b). A continuación, al aplicar el teorema de Thevenin al circuito a la
izquierda del capacitor, como se indica, el circuito RC de entrada se reduce a la forma
equivalente mostrada en la figura 10-33(c).
Conforme la frecuencia se incrementa, la reactancia capacitiva se vuelve más
pequeña. Esto hace que el voltaje de señal disminuya en la base, por lo que la
ganancia de voltaje del amplificador se reduce. La razón de esto es que la
capacitancia y resistencia actúan como divisor de voltaje y, a medida que la
frecuencia se incrementa, más voltaje decae a través de la resistencia y menos
a través de la capacitancia. A la frecuencia crítica, la ganancia es 3 dB menor que su
valor de frecuencias medias.
La frecuencia crítica superior en alta frecuencia del circuito de entrada, fcu(entrada),
es la frecuencia a la cual la reactancia capacitiva es igual a la resistencia total:
hie=rπ=rbb´+rb´e//rb´c
rb´e: La resistencia de entrada (rπ en el modelo hibrido) se aproxima por medio de la razón:
rπ=(Vb´e)/Ib
cb´e y cb´c: Son las capacitancias parasitas del transistor. cb´c es la capacitancia de la unión
colector-base a pesar de que es una capacitancia variable, suele considerarse constante en una
región de operación particular del transistor. La capacitancia cb´e, la cual es capacitor base-
emisor. El valor de este capacitor aparece en las hojas de datos como Cib´. Esta capacitancia es
la suma de la capacitancia de difusión del emisor y la capacitancia de la unión del emisor.
Debido a que el primer capacitor es el más grande de los dos, cb´e es aproximadamente iguala
la capacitancia de difusión (conocida también como capacitancia de carga de la base).
𝐼𝑐 −ℎ𝑓𝑒𝐼𝑏´𝑒
𝐴𝑖 = =
𝐼𝑏 𝐼𝑏´𝑒(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)
−ℎ𝑓𝑒
𝐴𝑖(𝑗𝑤) =
(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐))
1
- Frecuencia de corte: 𝑊𝐵 = 𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒+𝐶𝑏´𝑐)
VCE ICQ
VII. CONCLUSIONES
La más adecuada manera de realizar el análisis en frecuencia es usando el modelo del
parametro hibrido (∏), puesto que asi se obtienen los datos necesarios
Para determinar la frecuencia inferior, se calculan los inversos de cada contante de
tiempo con los capacitores en corto circuito, las que se suman para obtener la
freceuncia de corte inferior.
VIII. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
Principios de Electrónica – Roberto Malvino
http://ieee.udistrital.edu.co/concurso/electronica2/diferencial.html