Departamento de Eléctrica y Electrónica

Asignatura: Diseño VLSI

NRC 2096

Tutor: Dr. Pablo Ramos

Alumno: Mario Sigcha

Fecha: 9 de Noviembre del 2017

1. Tema: El dispositivo MOS y el inversor.

2. Objetivos

Objetivo General
 Aprender el comportamiento dinámico de los dispositivos MOS y el
funcionamiento del inversor.

Objetivos Específicos
 Aprender de qué manera trabaja un transistor PMOS en el programa
Microwind.
 Aprender las consideraciones de diseño es decir cuál es la forma más
segura para crear un dispositivo MOS.
 Aprender cual es la función de la puerta de transmisión en los dispositivos
NMOS y PMOS.

3. Materiales
 Software Microwind3.1
 Manual de Microwind
4. Desarrollo

2.6. Comportamiento dinámico de los dispositivos MOS

1) Se genera un dispositivo NMOS utilizando las capas de Polysilicon y

N+Diffusion como se muestra en la siguiente imagen.

Imagen No.1 Dispositivo NMOS

2) Se genera un reloj para gate dando click en la paleta del lado derecha de
nuestra pantalla en Add a clock y dando click sobre gate en el dispositivo
NMOS ya creado, ya que el manual nos propone un ejemplo con un periodo
de 0.5 ns se configura con los datos mostrados en la imagen y se cambia el
nombre del reloj a Vgate.
 Imagen No.2Generador de reloj para gate

3) Se genera un reloj para drain al igual que el paso anterior se genera el reloj
con Add a clock y dando click sobre drain en el dispositivo NMOS ya creado,
ya que el manual nos propone un ejemplo con un periodo de 1 ns se configura
como se muestra en la imagen y se cambia el nombre del reloj a Vdrain.

Imagen No.3 Generador de reloj para drain

4) Se genera un nodo visible en el botón Visible node y dando click sobre source
en el dipositivo NMOS ya creado.

Imagen No.4 Generador de un nodo visible para source

2.7. Simulación Analógica

1) Con el dispositivo NMOS ya creado con sus respectivos relojes en gate, drain
y source se procede a realizar la simulación analógica como se muestra en la
siguiente imagen.
Imagen No.5 Dispositivo NMOS con relojes en gate, drain y un nodo visible en source.

2) Se genera una gráfica de Voltaje vs Tiempo en la cual se puede observar de

qué manera se comporta el reloj de gate, drain y source.

Imagen No.6 Gráfica de Voltaje vs Tiempo del reloj de gate, drain y source.
2.8. Consideraciones de diseño

1) Se genera un dispositivo MOS de tipo canal n o canal p en el icono de

MOS generator, al dar click sobre dicho icono se despliega una venta
donde se puede configurar el ancho, largo, numero de puertas en paralelo
y el tipo de dispositivo.

Imagen No.7 Ventana de configuración de un dispositivo MOS

2) Al dar click en Generate device se genera el dispositivo que se configuró

anteriormente como se muestra a continuación.
Imagen No.8 Dispositivo MOS canal n

Imagen No.9 Dispositivo MOS canal p

 2.10. El transistor PMOS

1) Se genera un dispositivo PMOS con relojes en gate, drain un nodo visible

en source como nos propone el ejemplo de Microwind3.1.

Imagen No.10 Dispositivo PMOS con relojes en gate, drain y un nodo visible en source.

2) Para observar el comportamiento del dispositivo PMOS se genera la

gráfica Voltaje vs Tiempo como se muestra a continuación.
 Imagen No.11 Gráfica de Voltaje vs Tiempo de un dispositivo PMOS.

2.11. La puerta de transmisión

Los dispositivos NMOS y PMOS tiene bajos rendimientos cuando transmiten

información lógica ya que el NMOS degrada el nivel lógico 1 y el PMOS degrada
el nivel lógico 0, la puerta de transmisión o de paso es una combinación de
dispositivos NMOS y PMOS que funciona de forma complementaria y ayuda a una
mejor conmutación.
 Imagen No.12 Diseño de la puerta de transmisión

Imagen No.13 Gráfica de Voltaje vs Tiempo de la puerta de transmisión

3. El inversor

3.3. Diseño manual del inversor

1) Se genera un dispositivo NMOS y PMOS en el icono MOS generator.

Imagen No.14 Dispositivos PMOS y NMOS

3.4. Conexión entre dispositivos

2) Se genera una capa de Polysilicon la cual sea puente entre las capas de
Polysilicon del dispositivo NMOS y PMOS.
 Imagen No.15 Dispositivos PMOS y NMOS conectados por un puente

3.6. Metal to poly

3) Ya que el silicio no funciona de la mejor manera como un conductor puro

se coloca un metal en la entrada de los dispositivos NMOS y PMOS.

Imagen No.16 Dispositivos PMOS y NMOS con una misma entrada

4) Por último se asigna Vdd, Vss y se loco nodos visibles en la entrada y
salida para poder observar de qué manera trabaja el inversor.

Imagen No.17 Inversor diseñado en Microwind

Imagen No.18 Gráfica Voltaje vs Tiempo de un inversor

Como se puede observar la gráfica cumple con la tabla de verdad del inversor cuando en la
entrada se tiene 1 lógico la salida es 0 lógico y viceversa.

5. Conclusiones

 El transistor de canal p presenta las mismas funciones que el dispositivo

de canal n pero con un control de voltaje opuesto en gate.
 La puerta de transmisión es una combinación de los dispositivos nMOS y
pMOS que funcionan de forma complementaria lo que mejora la
conmutación de voltajes en un diseño.
 La forma más segura de crear un dispositivo MOS ya se canal n o p es a
través del icono MOS generator.

6. Recomendaciones

 Mantener el orden al realizar dispositivos MOS capa por capa.

 Antes de generar una gráfica a través de la simulación guardar el archivo
previamente.

7. Bibliografía

[1] Sicard, E. (2005, marzo). Microwind &Dsch version 3.0. INSA Toulouse.
Recuperado a partir de
https://fenix.tecnico.ulisboa.pt/downloadFile/3779571243591/manual_lite.pdf

[2] Sicard, E., & Dhia, S. B. (2005). Basics of CMOS Cell Design. Tata McGraw-
Hill Education.