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UNIVERSIDAD CENTRAL DE VENEZUELA

FACULTAD DE INGENIERÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I
SEM 01/2018

PRÁCTICA Nº6:
AMPLIFICADOR JFET

Integrantes:
27.098.313 Carlos Márquez
23.950.396 Roye Gerardo
RESUMEN
La práctica de laboratorio consistió en el estudio de un transistor JFET tipo n como
amplificador, para ello se utilizó el osciloscopio con el fin de observar la onda amplificada
en la salida del mismo y a su vez medir las tensiones que permitieran encontrar de manera
práctica las impedancias de entrada y de salida mediante el uso de una resistencia patrón
para ambos casos.
PRESENTACIÓN DE RESULTADOS
Se montó el circuito de la Figura 1 y se midió el punto estático, mediciones
mostradas en la Tabla 1.1. Las mediciones para la ganancia se pueden observar en la
Tabla 1.2 y las tensiones que permiten el cálculo de las impedancias de entrada y salida
se e encuentran en la Tabla 1.3.

Tabla 1.1 Mediciones del punto estático circuito de la Figura 1.


Tensiones
VDD (15±1)V
VD (6,8±0,2)V
VS (2,6±0,2)V
VG (0±0,2)V

Tabla 1.2 Mediciones de la tensión de entrada y salida del circuito de la Figura 1.


Período (0,5±0,1)ms
Tensión en la entrada (0,4±0,02)VPP
Tensión en la salida (4,2±0,2)VPP

Tabla 1.3 Mediciones de tensiones para las impedancias de entrada y salida


Tensiones
VRi (0,12±0,02)V
Vi (0,4±0,02)V
VRpo|FL (2,4±0,2)V
Vo (4,2±0,2)V

Para conseguir los valores a los que se encontraba el punto de operación se


utilizaron las siguientes fórmulas, dichos valores se observan en la Tabla 1.4:


Tabla 1.4 Punto de operación del circuito de la Figura 1.
VDS (4,2±0.2)V
VGS (-2,6±0,2)V
ID (1,323)mA

Para hallar la ganancia y las impedancias de entrada y salida se utilizaron las


siguientes ecuaciones:
|
, ,
|

Para los valores de las resistencias patrón se tomó en consideración lo obtenido


en el prelaboratorio por lo que 1 Ω 6,2 Ω, los valores obtenidos se
pueden observar en la Tabla 1.5.
Tabla 1.5 Ganancia e impedancias de entrada y salida del circuito de la Figura 1.,
Av -10,5
428571.42 Ω
4,65k Ω

Las ondas vistas desde el osciloscopio se pueden observar en las Figura 2.1,
Figura 2.2 y Figura 2.3.

Figura 2.1 Onda de entra Vi


Figura 2.2 Onda de entrada Vo

Figura 2.3 Superposición de la onda Vo y Vi.


Las escalas utilizadas según la figura se pueden observar en la Tabla 1.6
Figuras Horizontal Vertical
Figura 2.1 0,1ms 0,1V
Figura 2.2 0,1ms 1V
Figura 2.3 0,1ms ambos canales Canal 1:0,1V (Vi)
Canal 2: 1V (Vo)
ANÁLISIS DE RESULTADOS

En la Tabla 1.4 se puede apreciar el punto estático de operación medido de manera


práctica y debido a ellos podemos ver que el transistor está funcionando en la zona activa,
lo cual permite la amplificación de señales. Esto se puede verificar ubicando el punto
estático de operación sobre la gráfica Output Characteristic Vgs (off) = -4.0v en donde se
puede ver que el punto de operación está casi encima de la curva Vgs = -2.5v, lo cual
concuerda con las mediciones realizadas ya que Vgs = -Vs = -2,6v como se observa en la
Figura 3.

Figura 3. Punto de operación estático ubicado en la característica de salida.

Cabe destacar que el generador de señales se puso a una frecuencia cercana a los
2khz (T = (0,5 ± 0,1) ms), la cual se consideró como suficiente para que los condensadores
se comportaran como cortocircuitos en régimen dinámico. Además, al modificar la
amplitud de la señal de entrada se observó que el máximo valor que puede alcanzar la
señal a la salida era de 15v, lo cual corresponde al valor de la fuente Vdd que se utilizó
para energizar la parte estática del transistor. La ganancia medida experimentalmente en
el montaje se puede apreciar en la Tabla 1.5 como Av, al igual que las impedancias; es de
resaltar que el signo menos significa una inversión en la onda.

Al comparar lo obtenido teóricamente en el prelaboratorio con lo obtenido en la


práctica de laboratorio se puede observar que las impedancias difieren, para el caso de Zi
en más del 50% mientras que en la Zo solo un 25%. Dichos errores se le pueden atribuir
a la dispersión de parámetros y también a que teóricamente no se consideran las
impedancias que los condensadores puedan generar. Para el caso de la ganancia se aprecia
un valor cercano al teórico y cuya diferencia se le atribuye a los valores de gm utilizados
y al hecho de no tomar en cuenta las caídas de tensión que pudiesen haber en los
condensadores.

Con las características ya calculadas (Av, Zi y Zo) se puede modelar el


amplificador como se indica en la figura 3.1, el cual es un modelo simplificado de este y
en donde solo se aprecian sus características más importantes; Ri equivale a Zi y Ro a Zo.

Figura 3.1.- Modelo de amplificador de voltaje

Es de importancia resaltar que la presencia del condensador Cs desacopla la señal


y a su vez genera que en el régimen dinámico la resistencia sea vista como un corto
circuito para el transistor, lo cual (siguiendo el modelo de amplificador completamente
cargado) aumenta la ganancia al reducir el número de elementos en el denominador de la
siguiente expresión ya que Z3 se vuelve 0:

2
⇒ 2
1 3
CONCLUSIONES

De la práctica de laboratorio se resaltan varios puntos importantes, primero el uso


del condensador Cs, el cual nos permite tener una ganancia de mayor valor a la salida
reduciendo la impedancia que se ve hacia el terminal del surtidor. La dispersión de
parámetros hace que los cálculos teóricos no coincidan con los prácticos, pero aun así de
ellos podemos sacar una aproximación que nos sirva para visualizar como trabajará el
componente.

Otra cosa que se puede concluir de esta experiencia es que cualquier estructura
amplificadora se resume en 3 importantes características: La ganancia, la impedancia de
entrada y la impedancia de salida, y que conociendo estas 3 características se puede
modelar de manera simplificada cualquier amplificador. Por otro lado, se pudo constatar
que el máximo valor que podemos tener a la salida se corresponde con el valor de la
fuente de alimentación, denotada en este informe como Vdd.
ANEXOS
UNIVERSIDAD CENTRAL DE VENEZUELA
FACULTAD DE INGENIERÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I
SEM 01/2018

PRELABORATORIO Nº6:
POLARIZACIÓN DEL JFET

Integrantes:
27.098.313 Carlos Márquez
23.950.396 Roye Gerardo
Prelaboratorio #6

1.1) Para determinar el punto estático de operación del circuito con un


transistor JFET de la Figura 1, se necesitaron los valores de IDSS y VP. Dichos valores
se obtuvieron de la hoja del fabricante en la gráfica titulada “Transfer
Characteristics”, encontrada en la segunda hoja. En dicha gráfica se observa un
valor máximo y un valor mínimo para tres distintos valores de temperatura, la
temperatura asumida fue de 25º C. El valor utilizado para ambos parámetros fue
escogido hallando el promedio de los valores máximos y mínimos aproximados.
Cabe destacar que no podemos asegurar que el fabricante es el de la hoja utilizada
sin embargo se tomó en cuenta dicha hoja por incluir gráficas en la presentación de
sus parámetros.
13.6 5.6
á ≅ 13.6 , í ≅ 5.6 → 9.6
2
1.6 3.5
á ≅ 1.6 , í ≅ 3.5 → 2.55
2
Con los datos completos procedemos a hallar el punto estático de operación
con las ecuaciones circuitales de la Figura 1:
0→ 1
2

1 3

Sustituyendo (1) en (3) y operando algebraicamente tenemos:

1 →
2

2
→ 1 0 4

Al sustituir los valores en (4) tenemos como resultado una ecuación de


segundo grado, como se verá a continuación:
2000 9.6 10 2 9.6 10 2000
1 9.6 10 0
2.55 2.55

5905.421 16.0588 9.6 10 0


1.832 , 0.887
Tomamos el valor de ID que sea menor a IDSS y con el hallamos VGS y VDS:
→ 0.887 10 2000 1.774

15 0.887 10 2000 6200 7.7266
Con todos los valores calculados, corroboramos que se encuentre trabajando
en la zona de saturación:
| | → 16.2527 2.55 1.774

→ 7.7266 0.776 √
Dado que está trabajando en la zona de saturación, el punto estático de
operación es:
0.887
7.7266

1.2) Tenemos que 1 .

|Δ | |Δ | |Δ |

|Δ | 2 1 |Δ | 1 |Δ |
Sustituyendo los valores, para las diferencias de Vp e IDSS se tomó en
consideración los valores encontrados de VGS e ID en los cálculos y se aproximó en
la curva característica de transferencia, luego se restó con el valor utilizado
inicialmente.
|Δ | 0.1 |Δ | 0.6 10

1.774 1.774 1.774


|Δ | 2 9.6 10 1 |0.1| 1 |0.6x10 |
2.55 2.55 2.55

1.774 1.774 1.774


|Δ | 2 9.6 10 1 |0.1| 1 |0.6x10 |
2.55 2.55 2.55

1.774
|Δ | | 1.59 10 ||0.1| 1 |0.6x10 |
2.55
|Δ | 2.14 10
1.3) Para encontrar el valor de gm se podía haber utilizado la gráfica de
“Trasconductance Characteristics”, pero basándonos en la definición matemática de
gm pensamos que podría ser un valor mejor aproximado, entonces:

2 2 9.6 10 0.887 10
2.289 10
2.55

Para la ganancia:

2.289 10
2.289 10 6200 14.19
1 2.289 10 0
Las impedancias:
|| 1 Ω
|| 6.2 Ω

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