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JFETS
ELECTRONICA DE POTENCIA

NOMBRE:
YEORGETTE SANCHEZ TREJO
TSUA19
MATRICULA:
4881
PROFESOR:
RICARDO LANDIN MARTINEZ
FECHA:
02 DE JULIO DE 2018
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RESUMEN

Se llevarán a cabo las practicas mediante circuitos implementados con JFET para familiarizar el

funcionamiento y conocer algunas aplicaciones y señales que se obtienen del mismo con ayuda

de un osciloscopio. Esta práctica se llevó a cabo en un circuito en físico y en un programa

multisim. En los FETS, un pequeño voltaje de entrada controla la corriente de salida. La

corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable. La corriente que tiene el JFET

es muy baja y su trabajo es suplir a un amplificador operacional, incrementando la corriente de la

señal de entrada a la salida recibiendo una señal con mas amplitud.

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MARCO TEORICO

El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza para

aplicaciones diversas que se asemejan en una gran proporción a los del BJT.

La diferencia básica entre los 2 tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT es un

dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor FET es un dispositivo controlado

por voltaje. (Burgos J, 2015)

La corriente Ic está en función directa del nivel de IB. Para el FET la corriente ID está en función

del voltaje VGS aplicado a la entrada.

De la misma manera que existen transistores bipolares npn y pnp, hay transistores de efecto de

campo de canal-n y capal-p. sin embargo el transistor BJT es un dispositivo bipolar; el prefijo bi

indica que el nivel de conducción es una función de 2 portadores de carga, los electrones y los

huecos.(Continental, 1985)

El término “efecto de campo” se debe a que para el FET un campo eléctrico se establece

mediante las cargas presentes que controlaran la trayectoria de conducción del circuito de salida,

sin la necesidad de un contacto directo entre las cantidades controladoras (VGS) y controladas

(ID). (Burgos J, 2015)

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CARACTERÍSTICAS DE LOS JFET.

JFET canal-n. Es un dispositivo de 3 terminales, con una terminal capaz de controlar la corriente

(G) de las otras 3 terminales (D y S). La mayor parte de la estructura es de material tipo n que

forma el canal entre las capas interiores del material tipo p. (E.I ,1985)

La parte superior (Drenaje) e inferior (Source) del canal tipo n se encuentra conectada por medio

de un contacto tipo óhmico. Los 2 materiales de tipo p se encuentran conectados entre sí y

también a una terminal de compuerta (Gate). Por tanto, el drenaje y la fuente se hallan

conectadas a los extremos del canal tipo n y la entrada a las 2 capas de material tipo p.

Cuando no hay aplicación de voltaje en las terminales el JFET tiene 2 uniones p-n bajo

condiciones sin polarización. El resultado es una región de agotamiento en cada unión la cual se

asemeja a la región de un diodo sin polarización. (E.I ,1985)

El voltaje de la compuerta VGS es el voltaje que controla al JFET. Así como se establecieron

varias curvas para IC en función de VCE para diferentes niveles de IB para el transistor BJT, se

pueden desarrollar curvas de ID en función de VDS para varios niveles de VGS para el JFET.
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Para el dispositivo de canal-n el voltaje de control VGS se hace más y más negativo a partir de

su nivel VGS=0

El efecto VGS aplicado de polaridad negativa es el de establecer regiones de agotamiento

similares a las que se obtuvieron con VGS=0, pero a niveles menores de VDS.

Símbolo

Los símbolos gráficos para el JFET de canal-n y de canal-p:

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PRESENTACION DEL PROYECTO

Objetivo:

Que el estudiante se familiarice con el funcionamiento del JFET, así como conocer algunas de

las aplicaciones y las señales que se obtienen de este, con ayuda del osciloscopio.

Materiales:

 Una fuente de voltaje regulada con dos salidas

 Multímetro

 JFET K373

 Resistencias: 270, 4.7, 100K, 1.8K, 102 K, 1M ohms

 Capacitores 4.7mF, 47mf

 Protoboard

 Switch

 Fuente de CA

 Potenciómetro de 10K o mayor

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Desarrollo:

Conectar la puerta y el surtidor del JFET a masa (0V) y el drenador, en serie con un

amperímetro, a +20 VDC. Leer el amperímetro el valor de ldss.

Realizar el siguiente circuito

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Polarizar la puerta del JFET con una tensión negativa VGS usando el otro canal de la

fuente de alimentación, comenzando con 0V. Ir aumentando la tensión negativa en la

puerta hasta que la lectura del amperímetro en el drenador sea prácticamente nula. Leer

en a fuente de alimentación el valor de V Gsoff.

Elabore el siguiente circuito, considerando que el oscilador marcado es un generador de

funciones.

Con la fuente calibrada a 10 V medir las tensiones de VG,VS y VD. Aplicando la ley de

Ohm obtener ID del transistor.

Ajustar el generador de funciones a KHz con una amplitud de 0.1VPP, conectar el

generador de funciones a la entrada del amplificador y observar la señal de salida.

Conectar el potenciómetro con un valor entre 5k y 10k , variar el potenciómetro hasta

obtener un voltaje que reduzca a la mitad el voltaje de salida del paso anterior, y anotar el

valor de la resistencia aplicada, así como el voltaje obtenido.

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Realizar en el Protoboard el circuito que se muestra, asegurando que el Switch se

encuentre abierto y la fuente de alimentación en 10V.

Colocar el generador de señales en una onda sinusoidal a 1khz y 0.1VPP. Ya habiendo

calibrado el generador, colocarlo en el punto VO y anotar los resultados obtenidos del

osciloscopio.
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DESARROLLO EXPERIMENTAL
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AMPLIFICADOR CS FUENTE COMUN

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INTERRUPTOR ANALOGO
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JUSTIFICACION

La Electrónica es la ciencia que estudia el control del flujo de electrones en circuitos que van a

desempeñar muchas funciones por medio de componentes como diodos, transistores, resistores,

inductores, capacitores y otros dispositivos. A la llegada del transistor se realizaron grandes

cambios, principalmente en las necesidades de potencia y tamaño de los componentes y

circuitos. Los JFETS pueden ser empleados en los circuitos en una disposición similar a la de los

bipolares, es decir, en fuente común, aunque la primera y la última son las más utilizadas en la

práctica. En época reciente ha aparecido en el mercado una nueva tecnología de fabricación de

transistores MOS que reciben el nombre de VMOS a causa de la estructura geométrica de sus

diferentes regiones semiconductoras.

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RESULTADOS

AMPLIFICADOR CS FUENTE COMUN

INTERRUPTOR ANALOGO
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CONCLUSIONES

Los circuitos realizados con el JFET que es controlado por el voltaje y no por la corriente, donde

el IDS se efectúa por medio de la aplicación del voltaje inverso aplicado entre la compuerta y el

VGS, forma un campo eléctrico que limita el paso de la corriente a tras vez del drenador y sours.

Cuando aumenta el voltaje inverso, aumenta el campo eléctrico y la corriente del souse al

drenador disminuye. El jFET es un dispositivo activo que funciona como una fuente de corriente

controlada por voltaje. Básicamente el voltaje en la compuerta VGS, controla la corriente ID

entre el drenador y la fuente. La ecuación que da cuenta del comportamiento es la ley de

Schockley, en la cual al corriente IDSS, permite establecer el rango del voltaje VGS y delimita el

corte del transistor. Se pudo comprobar que la corriente de drain que depende del voltaje gate y

obedece casi exactamente a la ecuación de shockley.

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REFERENCIAS

Microelectrónica Circuitos Y Dispositivos. Horenstein Mark N. 2a. Ed. Prentice Hall, 1997.

Editorial Interamericana, 1985. Fundamentos De Electronica, Lurch, Compañia Editorial

Continental, 1985. Analog Mos Integrated Circuits, Gray, Hodges, Brodersen, Ieee Press,

1980. Analog Integrated Circuits For Signal Processing, Gregorian Y Temes, John Wiley &

Sons, 1991.

.. (2006). EL AMPLIFICADOR A JFET Y APLICACIONES DEL JFET. ., de Monografías

o Apuntes de Tecnología Electrónica Sitio web:

http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/jfet_aplicaciones.htm

joelburgosg. (2015). PRÁCTICA 11. IMPLEMENTACIÓN DE POLARIZACIÓN DEL

JFET. ., de PRACTICAS DE LAB. DE ELECTRONICA I Sitio web:

https://joelbg1114.wordpress.com/2015/05/22/practica-11-imple