ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y

ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE
CIRCUITOS ELECTRONICOS

Preparatorio

Práctica No: 2
Tema: Diseño de amplificador mono etapa con
Amplificador operacional y análisis de fets.

Grupo: 5

Realizado por: Cesar Miranda

Carlos Cortez

Fecha de Entrega: 08/05/2018

Semestre 2018ª
OBJETIVO

 Diseñar, implementar y comprobar el funcionamiento de los amplificadores mono etapa

con amplificadores operacionales.
 Analizar e implementar un amplificador usando JFET.

TRABAJO PREPARATORIO

1. Cuestionario:
1.1. Consultar las características técnicas del amplificador LM741, dibujar la distribución de pines y
explicar la función de cada uno de ellos.

1.- Compensación nula

2.- Entrada inversora
3.- Entrada no inversora
4.- Terminal de alimentación negativa (V-)
5.- Compensación nula
6.- Salida
7.- Terminal de alimentación positiva (V+)
8.- NC sin conexión
1.2. Esquematice las diferentes configuraciones utilizando el circuito LM741 (no inversor, inversor,
sumador, integrador y derivador).

1.3. Consultar las principales características de los transistores de efecto de campo y presentar un
cuadro con las semejanzas y diferencias entre este tipo de transistores y los de juntura bipolar.

BJT JFET

 Controlado por corriente de  Controlado por tensión entre puerta y fuente.

base.
 Dispositivo bipolar que trabaja
con las cargas libres de los
huecos y electrones.
 IC es una función de IB.
 ß (beta factor de amplificación)
 Altas ganancias de corriente y
voltaje.
 Relación lineal entre Ib e Ic.
 Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas
libres de los huecos (canal p) o electrones
(canal n).
 ID es una función de Vgs.
 gm (factor de transconductancia).
 Ganancias de corriente indefinidas y ganancias
de voltaje menores a las de los BJT.
 Relación cuadrática entre Vgs e Id.
Ventajas del FET con respecto al BJT
• Impedancia de entrada alta (107 a 1012)MΩ.
• El ruido de salida es bajo.
• Son más estables en temperatura.
• Se comportan como resistencias controladas por tensión para valores pequeños de
tensión drenaje-fuente.
• Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas de los FET

• Presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
• Presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
• Se pueden dañar debido a la electricidad estática.

1.4. Revisar las hojas de datos de los transistores de efecto de campo 2SK170, 2SK304 presentar un
cuadro con los valores de los parámetros más importantes (Se sugiere utilizar estos transistores
para la implementación del circuito del numeral 3.4 del trabajo preparatorio).

2SK170
2SK304
2. Diseñar un amplificador inversor y un amplificador no inversor utilizando el amplificador operacional
LM741 para que cumpla con las siguientes condiciones:

Guanacia inverso: 30
Ganancia no inversor: 25
F = 1k(Hz)
Vin = 250mV

INVERSOR 𝑉𝑜 = 7.5𝑉
𝑅𝑓 𝑉𝑐𝑐 ≥ 𝑉𝑜𝑝
|𝐴𝑣| =
𝑅1
𝑉𝑐𝑐 = 8
𝑅𝑓
30 =
𝑅1
𝑅𝑓 = 30 ∗ 𝑅1
𝑆𝑖 𝑅1 = 1.2𝐾Ω

𝐸𝑛𝑡𝑜𝑛𝑐𝑒𝑠
𝑅𝑓 = 30 ∗ 1.2𝑘
𝑅𝑓 = 36𝐾Ω NO INVERSOR
𝑅𝑓 𝑅𝑓
𝑉𝑜 = 𝑉𝑖 ∗ |𝐴𝑣| = 1 +
𝑅1 𝑅1
𝑅𝑓
25 = 1 +
𝑅1
36𝑘
𝑉𝑜 = 250𝑚𝑉 ∗ 𝑅𝑓 = 25 ∗ 𝑅1
1.2𝑘
𝑆𝑖 𝑅1 = 1.5𝐾Ω 36𝑘
𝑉𝑜 = 250𝑚𝑉 ∗
1.5𝑘
𝐸𝑛𝑡𝑜𝑛𝑐𝑒𝑠
𝑉𝑜 = 6𝑉
𝑅𝑓 = 25 ∗ 1.5𝑘
𝑉𝑐𝑐 ≥ 𝑉𝑜𝑝
𝑅𝑓 = 36𝑘𝐾Ω → 𝑅𝑓 = 36𝐾Ω 𝑉𝑐𝑐 = 7
𝑅𝑓
𝑉𝑜 = 𝑉𝑖 ∗
𝑅1

3. Se tiene un circuito sumador en el cual el Vin1 es una señal triangular de 4 KHz y amplitud 4 Voltios, y
el Vin2 es una señal cuadrada, de 5 Voltios con una frecuencia de 1 KHz (Para la práctica, esta señal
se la obtendrá por medio de la señal de prueba del osciloscopio), implemente este circuito utilizando
el LM741 y dibuje la señal resultante en una hoja de papel milimetrado.

R1 = R2 = R3 = R4

El dimensionamiento de los capacitores debe estar dado por la frecuencia.

R=10K

10 10
C1    160nF  180nF
2 .1000.R1 2 .1000.10000
10 10
C2    39nF  47 nF
2 .4000.R 2 2 .4000.10000
4. Resolver el siguiente circuito en DC y AC, dibujar los voltajes de salida:
Vin = 250mV
f = 1k(Hz)

Análisis DC −1.73𝑉
𝐼𝐷 =
100
𝐼𝐷 = 17.3𝑚𝐴
Análisis en AC

𝐼𝐷𝐷𝑆 = 20𝑚𝐴
𝐺𝑆𝑎𝑓𝑓 = −25𝑉
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝐷𝑆 ∗ (1 − ) 𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐶 = 1𝑀Ω
𝑉𝐺𝑆0
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐷 = 1𝐾Ω
𝐼𝐺 = 0 → 𝑉𝐺𝑆 = 0
𝐴𝑉 = −𝑔𝑚 ∗ 𝑅𝐷
𝑉𝑆 = 𝐼𝑆 ∗ 𝑅𝑆
2 ∗ 𝐼𝐷𝐷𝑆
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 ∗ ( )
|𝑉𝐺𝑆𝑎𝑓𝑓 |
𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝑆
2 ∗ (20𝑚𝐴)
−𝑉𝐺𝑆 𝑔𝑚𝑜 =
𝑉𝐺𝑆 = −10 ∗ (100) → 𝐼𝐷 = 25
100
𝑔𝑚𝑜 = 1.6𝑚𝐴
2
−𝑉𝐺𝑆 2 𝑉𝐺𝑆
= 20𝑚𝐴 ∗ (1 − ∗ 𝑉𝐺𝑆 + ) (−1.73)
100 −25 (−25)2 𝑔𝑚 = 1.6𝑚𝐴 ∗ (1 − )
−25
−𝑉𝐺𝑆
= 20𝑚𝐴 ∗ 1.6𝑚𝑉𝐺𝑆 + 0.032𝑚 ∗ 𝑉𝐺𝑆 2 𝑔𝑚 = 1.49𝑚
100
𝐴𝑣 = −1.49𝑚(1𝐾)
−20𝑚𝐴 = 0.0116𝑉𝐺𝑆 + 0.032𝑚𝑉𝐺𝑆 2
𝐴𝑣 = −1.49
𝑉𝐺𝑆1 = −1.73
𝑉𝐺𝑆2 = −370.76
VOLTAJES [V] CORRIENTES [A]

𝑉𝑅1𝐾 =4.2V ID=4.25m

VS=0.35V IS=4.26m

VG=0 IG=0

VGS=-0.35V

VD =13.8V

5. Realizar las simulaciones de los circuitos solicitados en los numerales 3.2, 3.3 y 3.4 en un software
computacional

Inversor

No Inversor
Literal 3.4

BIBIOGRAFÍA.

 Datasheet 2sk304
 Datasheet 2sk170
 Amplificador sumador online en: https://unicrom.com/amplificador-sumador-con-
amplificadores-operacionales/
 Amplificador operacional online en:
https://es.wikipedia.org/wiki/Amplificador_operacional