UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTIN DE AREQUIPA

ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRONICA

LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGA II

EXPERIENCIA Nº 1: EL AMPLIFICADOR CUASICOMPLEMENTARIO

I. OBJETIVO: Obtener la máxima amplificación con una fuente simple de 12 Vdc.

II. INFORME PREVIO:

1. Analizar y describir el principio de funcionamiento de los circuitos de las Fig.1

y 2.

En la figura vemos las conexiones y la disposición de los componentes para una

ganancia de 50 del preamplificador.
En la figura vemos el esquema del LM386; el LM386 es un amplificador de energía,
la ganancia interna del amplificador es de 20, para poder aumentar la ganancia se
debe adicionar resistor y condensadores externos entre los pines 1 y 8, mientras que
la salida se predispone automáticamente a una mitad del voltaje de fuente.
El circuito que se muestra en la figura 2. es un amplificador cuasi complementario tipo
AB. Se le llama cuasi complementario por los arreglos de transistores que se usan. En
lugar de usar transistores complementarios se usa un Arreglo Tipo Darlington (npn) y un
Par Retroalimentado (pnp).
La señal de entrada se le aplica a ambas entradas de la base. Puesto que los arreglos de
los transistores son de tipo opuesto, conducirán en medios ciclos opuestos de la entrada.
Es decir durante el medio ciclo positivo de la señal de entrada, el arreglo pnp será
polarizado inversamente por la señal del medio ciclo positivo y no conducirá. El arreglo
npn será polarizado para conducir, mediante la señal del medio ciclo positivo con un
medio ciclo de salida resultante en el resistor de (RL)
Durante el medio ciclo negativo de la señal de entrada, el transistor npn se polariza de
manera que no conduce y el ciclo de salida que se desarrolla a través de la carga se debe
a la operación del transistor pnp en ese momento. Durante un ciclo completo de la entrada,
se desarrolla un ciclo completo de la señal de salida a través de la carga.
La desventaja con el circuito complementario, es la distorsión de sobrecruce en la señal
de salida. La distorsión de sobrecruce se refiere al hecho de que durante el sobrecruce de
la señal de positivo a negativo (o viceversa) hay cierta no linealidad en la señal de salida,
como se indica en la figura. Esto resulta del hecho de que para el circuito sencillo que se
muestra en la figura, la operación del circuito no brinda una conmutación exacta de un
transistor en corte y el otro en saturación en la condición de voltaje cero. Ambos pueden
estar en corte o conduciendo de manera parcial, por lo que el voltaje de salida no es
exactamente a la entrada y ocurre la distorsión.
La polarización de transistores en la clase AB mejora la operación polarizándolos de
modo que cada uno permanezca activado más de la mitad del ciclo.
Para la compensación de las variaciones de temperatura se utiliza los diodos D1, D2, D3.

3V D  I D R 7  3V BE  2 I E R E 2
Si V D  V BE ,
se desprecia el efecto del aumento de temperatura V BE
I D R 7  2I E RE 2

2. Calcular los puntos de operación, ganancia de tensión y de corriente teóricamente

de los circuitos de las figuras.

 Análisis DC

Para el par Darlington:

Aproximando I c  I e
I1  I D I B1
I E2
I B1
1 2
I E2
I 1  I D
1 2

Para el par Retroalimentado:

I 2  I D I B 3
I E 2 I E 3 I C 4
I C 4 I E 4  I B 4 4  I C 3 4  I E 3 4
I E 2 I E 3 I E 3 4  I E 3  4  1
I E3 I E2
I B 3 
3  3  4  1
I E2
I 2  I D
 3  4  1
En la malla:
Vcc  I1R1  2I E 2RE  I 2R2  3VBE .....(1)
3VD  I D R7  3VBE  2I E RE 2 .......(2)
De (2):
Si:
3VD  3VBE
Entonces

2I E R E 2
ID 
R7

Ahora:

I E22 I E RE 2 I E 2  2 RE 2 1 
I 1  I D       I E2
1  2 R7 1  2  R 7 1  2 
 2R 1 
I1   E 2   I E2
 R7 1  2 

I E2 2 I E RE 2 I E2  2R 1 
I 2  I D     E 2  I
 3  4  1 R7  3  4  1  R 7  3  4  1  E 2
 2R 1 
I 2   E 2  I
 R7  3  4  1  E 2

En (1):

VCC  I 1 R1  2 I E 2R E  I 2R2  3VBE .....(1)

 2R 1   2R 1 
VCC  3V BE   E 2   I E 2R1  2 I E 2RE   E 2   I E 2 R2
 7R  
1 2   7R  3   4  1 
 2 R R  R2  R R2 
VCC  3V BE   E 2 1  1  2 I E 2R E   I E2
 R7 1  2  3  4  1 

VCC  3V BE
I E 2
 2 R E 2 R1  R2  R R2 
  1  2 RE  
 R 7  
1 2  3   4  1 

VCC  3VBEQ
I E 2Q 
 2 RE 2 R1  R2  R R2 
  1  2 RE  
 R7 1  2  3  4  1 

Reemplazando:
 RE  0.22 R1  R 2  5e03 R7  1.58
1  278  2  42  3  331  4  40

12  (3x0.7)
I E 2Q 
4 x0.22 x5e3 5e3 5e3
  (2 x0.22) 
1.58 278 x 42 331x40  1
I E 2Q  3.55mA

I E 2Q
I E1Q  I B 2Q   84.605A
2
I E1Q  84.605A

I E 2Q  I C 3Q  I C 4Q   4  1I E 3Q
I E 2Q 3.55mA
I E 3Q    86.67 A
 4  1 41
I E 4Q   4 I E 3Q  3.466mA

 Análisis AC

Par Darlington

 AV
Vo  io xRL
ib 2  ( 1  1)ib1
io  (  2  1)ib 2  ( 1  1)(  2  1)ib1
Ro  Re  RL

V  ib1 hie1  ( 1  1)hie2  ( 1  1)(  2  1)( Re  RL ) ib1

Z  hie1  ( 1  1)hie2  ( 1  1)(  2  1)( Re  RL ) 
 Vi
ri // R1
ib1  ri
ri // R1  hie1  hie 2  Ro (  2  1) ( 1  1)
Vo  io xRL
Vo  ( 1  1)(  2  1)ib1 * RL

ri // R1
Vo ri
 * ( 1  1)(  2  1) RL
Vi ri // R1  hie1  hie 2  Ro (  2  1) ( 1  1)

 AI
ii
ib1  Ri
R1  Z
io  (  2  1)ib 2  ( 1  1)(  2  1)ib1
io ib1
Ai  *
ib1 ii
Ri
Ai  ( 1  1)(  2  1)
R1  Z

Ri
Ai  ( 1  1)(  2  1)
R1  hie1  ( 1  1)hie2  ( 1  1)(  2  1)( Re  RL ) 

Par retroalimentado

 AV
 ie3  (  3  1)ib 3
io  ie3   4ib 4
io  (  3  1)ib 3   4ib 4 ib 4   3ib 3
io  (  3  1)ib 3   3  4ib 3
V  ib3 hie3  io ( Re  RL )
V  ib3 hie3  (  3  1)ib 3   3  4 ib 3 ( Re  RL )
V  hie3  (  3  1)   3  4 ( Re  RL ) ib 3
Z  hie3  (  3  1)   3  4 ( Re  RL ) 

Vi
ri // R2 
ib 3  ri
ri // R2   Z
Vi
ri // R2 
ib 3  ri
ri // R2   hie3  ( 3  1)   3  4 ( Re  RL )
Vo  io * RL
io  (  3  1)   3  4 ib 3

Vo  (  3  1)   3  4 ib 3 * RL
Vi
ri // R2 
 
Vo  (  3  1)   3  4 * ri *R
ri // R2   hie3  ( 3  1)   3  4 ( Re  RL ) L
ri // R2  (
3  1)   3  4 RL
Av  ri
ri // R2   hie3  ( 3  1)   3  4 ( Re  RL )

 AI
Ai  io / ii
ii R2
ib 3 
R2  Z
io  (  3  1)   3  4 ib 3

* (  3  1)   3  4 
R2
Ai 
R2  Z

* (  3  1)   3  4 
R2
Ai 
R2  hie3  (  3  1)   3  4 ( Re  RL ) 
 3. Simular los circuitos independientemente y en conjunto.

Preamplificador:
Etapa de amplificación de corriente:
La simulación en conjunto de ambas etapas:
La simulación en Proteus es:

4. Explicar brevemente que tipo de cambios deberían hacerse para que el

circuito completo sea más eficiente.

 Para poder mejorar la ganancia del amplificador se tendría que cambiar los
transistores de tal manera que las ganancia de los dos transistores sea
aproximado
 Para obtener una mayor ganancia en la resistencia de salida se tendría que
cambiar por una resistencia menor
 Si la compensación de los diodos no fuese adecuada esto podría corregirse
colocando un transistor en paralelo con dos diodos de acuerdo al siguiente arreglo: