LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I EXPERIENCIA N° 5

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

EXPERIENCIA N° 5
ELTRANSITOR BIPOLAR NPN.CARACTERISTICAS BASICAS

I. OBJETIVOS

 Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.

 Comprobar las características de Funcionamiento de un transistor
bipolar NPN

II. EQUIPOS Y MATERIALES

 Osciloscopio
 Fuente de poder DC
 Multímetro
 Microamperímetro
 Miliamperímetro
 Cables de conexión diversos
 01 transistor 2N4646 ó 2N3904
 Resistores: Re=220 Ω, Rc=1K Ω,R1=56K Ω, R2=22K Ω
 Condensadores: Ci=0.1µF, Co=0.1µ, Ce=3.3µF.
 Potenciómetro de 1MΩ (p1)
 01 computadora con Multisim

III. INFORME PREVIO

1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un

transistor bipolar.
2. De los manuales, obtener los datos de los transistores bipolares: 2N3904,
AC127, 25C784Y, TR59 y 2N2222.
3. Realizar el análisis teórico de los circuitos mostrados Determinar el punto de
operación del circuito del experimento.

IV. PROCEDIMIENTO

1. Considerando los valores nominales de los componentes utilizados, realizar

la simulación del circuito mostrado en la figura 5.1. Considere todos los
casos indicados en el paso 3. Llenar los valores correspondientes en las
tablas 5.2, 5.3, 5.4 y 5.5

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2. Verificar el estado operativo del transistor, usando la función ohmímetro del
multímetro. Llene la tabla 5.1
Tabla 5.1
Resistencia Directa Inversa
Base – Emisor
Base – Colector
Colector – Emisor

3. Implementar el circuito de la figura 5.1

Figura 5.1

a. Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic), el emisor (Ie) y la base
(Ib) cuando el potenciómetro P1 está ajustado para tener una resistencia de
0Ω.
b. Medir las tensiones entre el colector–emisor (Vce), entre base–emisor (Vbe)
y entre emisor–tierra (Ve).
c. Colocar los datos obtenidos en la tabla 5.2
d. Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b), y anotar los datos en la
tabla 5.3
e. Aumentar las resistencias de P1 a 100KΩ, 250KΩ, 500KΩ, 1MΩ. Observar
lo que sucede con las corrientes Ib y con la tensión Vc (usar Re=0) llenar la
tabla 5.4.
f. Ajustar el generador de señales a 50mVpp, 1KHz, onda sinusoidal. Observar
la salida Vo con el osciloscopio. Anotar en la tabla 5.5.

Tabla 5.2
Valores (R1=56KΩ) Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve
Teóricos
Simulados
Medidos

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Tabla 5.3
Valores (R1=68KΩ) Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve
Teóricos
Simulados
Medidos

Tabla 5.4
Valores Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve
Teóricos
P1 = 100KΩ Simulados
Medidos

P1 = 250KΩ

P1 = 500KΩ

P1 = 1MΩ

Tabla 5.5
Vi Vo Av Vo Av(sin Ce)
Teóricos
R1=56KΩ Simulados
Medidos
Teóricos
R1=68KΩ Simulados
Medidos

V. CUESTIONARIO

1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación operativa con

el multímetro en función ohmímetro.
2. Representar la recta de carga en un grafico Ic vs Vce del circuito del
experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 5.2, 5.3 y 5.4.
3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de la tabla 5.2 y 5.3?
4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a 150KΩ? Explicar
los valores e indicar el valor teórico.
5. Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este experimento
(transistor NPN) con respecto al anterior (transistor PNP).

VI. OBSERVACIONES

 Anote sus observaciones o recomendaciones (si las tuviera)

VII. BIBLIOGRAFÍA

 Listar la bibliografía considerada para el desarrollo de la experiencia