Universidad Politécnica Salesiana.

Práctica de laboratorio 1

Transistores Bipolares (BJT)

Carlos Andrés Jaramillo Villota
cjaramillovillota@est.ups.edu.ec
Myke Richard Rosero Sangucho
mroseros@est.ups.edu.ec
Quito-Ecuador

Resumen— Mediante la realización de esta práctica se podrá

obtener un mejor conocimiento sobre los transistores bipolares
por medio de un desarrollo práctico, El modelo de BJT basado en
parámetros h permite tratar el dispositivo como una red lineal, en
la cual la corriente de colector es proporcional a la corriente de
base desde el punto de vista de señal. El modelo simple sólo consta
de dos parámetros, hie y hfe. Para los análisis se reemplaza el
modelo en el circuito y se determinan ,VB, VE, VC, IB, IE, IC.
Abstract— By carrying out this practice, a better knowledge of
bipolar transistors can be obtained through a practical
development. The model of BJT based on parameters allows to
treat the device as a linear network, in which the collector current
is proportional to the base current from the signal point of view.
The simple model only consists of two par meters, hie and hfe. For
the analysis it is replaced the model in the circuit and the gain is
determined, VB, VE, VC, IB, IE, IC
II.TIPOS DE TRANSISTORES
Hay dos tipos básicos de transistor:
a) Transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor).
b) Transistor de efecto de campo, FET (Field Effect Transistor)
o unipolar.
TRANSISTOR BIPOLAR
Consta de tres cristales semiconductores usualmente de silicio
unidos entre sí. Según como se coloquen los cristales hay dos
tipos básicos de transistores bipolares.
Transistor NPN: en este caso un cristal P está situado entre dos
cristales N. Son los más comunes.

I. INTRODUCCIÓN
El transistor, inventado en 1951, es el componente electrónico
estrella, pues inició una auténtica revolución en la electrónica
que ha superado cualquier previsión inicial. Con el transistor
vino la miniaturización de los componentes y se llegó al
descubrimiento de los circuitos integrados, en los que se Figura 1. Símbolo Transistor NPN
colocan, en pocos milímetros cuadrados, miles de transistores.
Estos circuitos constituyen el origen de los microprocesadores Transistor PNP: en este caso un cristal N está situado entre dos
y, por lo tanto, de los ordenadores actuales. Por otra parte, la cristales P.
sustitución en los montajes electrónicos de las clásicas y
antiguas válvulas de vacío por los transistores, reduce al
máximo las pérdidas de calor de los equipos.
Un transistor es un componente que tiene, básicamente, dos
funciones:
- Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una pequeña
señal de mando.
- Funciona como un elemento amplificador de señales.

OBJETIVOS GENERALES
1. Familiarizar al estudiante con los tipos de transistores NPN y Figura 2. Símbolo Transistor PNP
PNP.
2. Aplicar la polarización de emisor común y divisor de tensión La capa de en medio es mucho más estrecha que las otras dos.
en el transistor BJT. En cada uno de estos cristales se realiza un contacto metálico,
lo que da origen a tres terminales:
OBJETIVOS ESPECÍFICOS • Emisor (E): Se encarga de proporcionar portadores de carga.
a. Medir los siguientes parámetros: VB, VE, VC, IB, IE, IC. • Colector (C): Se encarga de recoger portadores de carga. •
b. Verificar los valores medidos en la práctica con los valores Base (B): Controla el paso de corriente a través del transistor.
simulados. Es el cristal de en medio. El conjunto se protege con una funda
de plástico o metal.

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CARACTERÍSTICAS DE LOS TRANSISTORES

Una vez que se haya comprobado los valores llevarlo a la
Transistores Bipolares (BJT) práctica.
 Tenemos movimiento de electrones y huecos. - Realizar las variaciones correspondientes de las resistencias
 La magnitud que controlamos es la corriente indicadas según las sensibilidades que indique el docente. -
 Existen dos tipos NPN y PNP Realizar una campaña de medida para cada sensibilidad, y
comprobar la región de trabajo en la que se encuentra el punto
DESARROLLO DE LA PRÁCTICA: de operación Q del transistor.
Ejercicios: - Verificar los valores obtenidos en un simulador (Proteus, NI
1.- Realizar un circuito para polarización en DC el transistor MultiSim, o Matalb).
BJT.
Elementos: 𝐸𝑇𝐻 = 𝑅1𝐼𝐼𝑅
1. Transistor Tip 122. 𝐸𝑇𝐻 = (39 ∗ 3.9)𝐾Ω2 /(39 + 3,9)𝐾Ω
2. Transistor 2N2222A o 2N3903-D. 𝐸𝑇𝐻 = 3.52𝐾Ω
3. Potenciómetros de precisión de: 500 KΩ. 𝑅2 ∗ 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝑇𝐻 =
4. Potenciómetros de precisión de: 500 KΩ. 𝑅1 + 𝑅2
5. Potenciómetro de precisión de: 2 KΩ. 𝐸𝑇𝐻 = (3.9𝐾Ω ∗ 19.8𝑉)/(39 + 3.9)𝐾Ω
6. Potenciómetro de precisión de: 10 KΩ. 𝐸𝑇𝐻 = 1.799𝑉
7. Gafas de protección. 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 𝐸𝑇𝐻 −
𝑅𝑇𝐻 + (β + 1)RE
𝐼𝐵 = 4.77𝑢𝐴
𝐼𝐶 = β ∗ IB
𝐼𝐶 = 4.77𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 = 4.77𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 19.8𝑉 − 𝐼𝐶(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸)
𝑉𝐶𝐸 = 15.835𝑉
𝑉𝐸 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸
𝑉𝐸 = 1.5𝐾Ω ∗ 4.77𝑚𝐴
𝑉𝐸 = 7.15𝑉
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸
𝑉𝐶 = 16.9𝑉

2.- Realizar un circuito de la figura 2

- Colocar un generador de señales en la base del circuito de 500

mV, medir la tensión de salida Vout. Determinado la ganancia
del circuito.

Figura3. Circuito con divisor de tensión

PROCEDIMIENTO

- Descargar las hojas características de los transistores

utilizados en la práctica, en caso de conseguir los transistores
solicitados se puede remplazar por otros de la misma
característica.
- Verificar los valores de beta β, realizar los cálculos para VB,
VE, VC, IB, IE, IC para la figura 3.

BJT
β 1000
VB 2.3V
BE 7.73V
BC 1.5V
IB 3.1mA
IC 1.1mA Figura 4. Circuito con generador de señal
IE 0.2mA
.

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IMÁGENES CAPTURADAS DE LOS CIRCUITOS IV. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

ARMADOS
[1] WAKERLY JHON F, «electronica analogica principios de la practica,»
http://es.slideshare.net/guest1e528d/circuitos-logicos-combinacionales,
mexico, 2000.

[2] floyd thomas, «fundamentos de sistemas analogicas,»

http://www.uhu.es/raul.jimenez/ANALOGA_I/dig1_iv.pdf, cuba, 2010.

Imagen 1

Imagen 2

Imagen 3

III.CONCLUSIONES
 Se puede concluir que los transistores BJT nos permiten
obtener una ganancia alta de amplificación.
 Podemos concluir que al remplazar el modelo del
dispositivo (en este caso el transistor), nuestro circuito
electrónico implementado se transforma en una red lineal,
pudiendo utilizar todos los instrumentos de medición para
el respectivo análisis tanto de corrientes como de voltajes.
 Se concluye que la corriente de colector va ser
proporcional a la corriente de emisor.

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