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GRUPO : 10 A
CICLO : 2015 - 1
ALUMNOS :
PROFESOR :
JORGE COSCO GRIMANEY
LIMA – PERÚ
2015
INDICE
1. Objetivos…………………………………………………………...…….1
2. Conceptos generales…………………………………………………..1
3. Sensores de posición……………………………………………...…..7
3.1. Potenciómetro Angular……………………………………….…7
3.2. Sincros y Resolvers……………………………………………..7
3.3. Inductosyn…………………………………………………………9
3.4. Sensores ultrasónicos…………………………………….…….9
3.5. Sensores magnetoestrictivos…………………………..…….10
4. Sensores de temperatura……………………………………………12
4.1. Aplicaciones generales………………………………………..12
4.2. Diodo semiconductor…………………………………….……12
4.2.1. Diodos de “Unión semiconductor-
semiconductor”………………………………………….…..13
4.2.2. Diodos de “Barrera Schotty Metal-
Semiconductor…………………………………………...…..13
4.2.3. Funcionamiento del diodo semiconductor
real…………………………………………………………..….16
4.2.4. Corriente inversa de saturación……………………..……18
4.2.5. Voltaje umbral………………………………….…………….19
4.2.6. Curva característica corriente vs voltaje del diodo
semiconductor……………………………………………….20
4.2.7. Medición de EG usando diodos
semiconductores…………………………………………….22
4.3. Transistor de temperatura…………………………….………22
4.3.1. Tipos de transistor……………………………………..……23
4.3.2. Tipo NPN…………………………………………………...….23
4.3.3. Tipo PNP……………………………………………..………..24
5. Sensores de luz…………………………………………………….….25
5.1. Fotorresistencias…………………………………...…………..25
5.1.1. Principales características…………………………………26
5.1.2. Ventajas………………………………………………………..27
5.1.3. Aplicaciones…………………………………………...……..27
5.2. Fotodiodo……………………………………………………..….27
5.2.1. Principio de funcionamiento…………………..…………..28
5.2.2. Composición…………………………………………..……..28
5.2.3. Usos y aplicaciones…………………………………………29
5.3. Fototransistor…………………………………………..……….29
5.3.1. Principio de funcionamiento………………...…………….30
5.3.2. Características……………………………………….………30
5.3.3. Usos y aplicaciones…………………………………..……..31
5.4. Fotovoltaicos…………………………………………………….31
5.5. Incidencia de fotones…………………………………………..31
5.5.1. Usos y aplicaciones……………………..…………………..32
5.6. Sensor ccd…………………………………………...…………..32
5.6.1. Fabricación……………………………………….…………..33
5.6.2. Usos y aplicaciones…………………………………………33
5.7. Sensor cmos…………………………………………………….33
5.7.1. Diferencia con el sensor ccd…………………………..…..34
5.7.2. Ventajas………………………………………………….…….34
5.7.3. Desventajas………………………………………….………..34
5.7.4. Usos y aplicaciones…………………………………………34
6. Conclusiones generales……………………………………………..35
SENSORES BASADOS EN SEMICONDUCTORES
Objetivos:
Introducción
Un sensor es un aparato capaz de transformar magnitudes físicas o químicas, llamadas
variables de instrumentación, en magnitudes eléctricas. Las variables de instrumentación
dependen del tipo de sensor y pueden ser por ejemplo: temperatura, intensidad lumínica,
distancia, aceleración, inclinación, desplazamiento, presión, fuerza, torsión, humedad, pH, etc.
Una magnitud eléctrica obtenida puede ser una resistencia eléctrica (como en una RTD), una
capacidad eléctrica (como en un sensor de humedad), una tensión eléctrica (como en un
termopar), una corriente eléctrica (como un fototransistor), etc.
Puede decirse también que es un dispositivo que aprovecha una de sus propiedades con el
fin de adaptar la señal que mide para que la pueda interpretar otro dispositivo. Como por
ejemplo el termómetro de mercurio que aprovecha la propiedad que posee el mercurio de
dilatarse o contraerse por la acción de la temperatura. Un sensor también puede decirse que
es un dispositivo que convierte una forma de energía en otra. Áreas de aplicación de los
sensores: Industria automotriz, Industria aeroespacial, Medicina, Industria de manufactura,
Robótica, etc. Los sensores pueden estar conectados a un computador para obtener ventajas
como son el acceso a una base de datos, la toma de valores desde el sensor, etc.
Los sensores, por supuesto, no están limitados a la medición de cantidades físicas. También
son utilizados para medir propiedades químicas y biológicas. Similarmente, el rango de
respuestas útiles no tiene que estar restringidas a cantidades eléctricas. Se han clasificado
los sensores en grupos donde la excitación (señal de entrada) y la respuesta del sensor
(salida) puede ser una de las siguientes:
Mecánica: longitud, área, volumen, flujo de masa, fuerza, torque, presión, velocidad,
aceleración, posición, longitud de onda acústica, intensidad acústica.
Térmica: temperatura, calor, entropía, flujo de calor.
Eléctrica :tensión, corriente, carga, resistencia, inductancia, capacitancia, constante
dieléctrica, polarización, campo eléctrico, frecuencia, momento dipolar.
Magnética: intensidad de campo, densidad de flujo, momento magnético,
permeabilidad.
Radiante: intensidad, longitud de onda, polarización, fase, reflectancia, transmitancia,
índice de refracción.
Química: composición, concentración, oxidación/reducción, tasa de reacción, pH.
Semiconductores intrínsecos
Un material semiconductor hecho sólo de un único tipo de
átomo, se denomina semiconductor intrínseco.
Sin embargo, al aumentar la temperatura, los electrones ganan energía, por lo que algunos
pueden separarse del enlace e intervenir en la conducción eléctrica. De esta manera, la
resistividad de un semiconductor disminuye con la temperatura (su conductividad aumenta). A
temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energía calorífica
para librarse del enlace covalente y moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en
electrones libres. Si a estos electrones, se les somete al potencial eléctrico, como por ejemplo
de una pila, se dirigen al polo positivo. Cuando un electrón libre abandona el átomo de un
cristal de silicio, deja en la red cristalina un hueco, cuyo efecto es similar al que provocaría
una carga positiva.
Unión PN
Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un lado e
impurezas tipo N por otro, se forma una unión PN.
Los electrones libres de la región N más próximos a la región P se difunden en ésta,
produciéndose la recombinación con los huecos más próximos de dicha región. En la región N
se crean iones positivos y en la región P se crean iones negativos. Por el hecho de formar
parte de una red cristalina, los iones mencionados están interaccionados entre sí y, por tanto,
no son libres para recombinarse.
Por todo lo anterior, resulta una carga espacial positiva en la región N y otra negativa en la
región P, ambas junto a la unión. Esta distribución de cargas en la unión establece una
«barrera de potencial» que repele los huecos de la región P y los electrones de la región N
alejándolos de la mencionada unión. Una unión PN no conectada a un circuito exterior queda
bloqueada y en equilibrio electrónico a temperatura constante.
Los semiconductores tipo-n y tipo-p sirven para construir una infinidad de dispositivos
electrónicos (limitados casi únicamente por la imaginación), aprovechando propiedades que
tienen las diferentes formas de unión, tipos de gradiente y de concentración de impurezas, y
de proximidad entre capas tipo-n y tipo-p. Según la función específica, los dispositivos
semiconductores pueden clasificarse como sigue:
Potenciómetro Angular
Encoders
Sensores Inductosyn
Sensores Láser
Sensores ultrasónicos
Sensores magnetoestrictivos
De todos estos solo algunos se basan en materiales semiconductores.
1. Potenciómetro angular:
En caso de existir una sola fase en el estator existiría una indeterminación en el signo del
ángulo, que desaparece para un estator trifásico.
Una configuración particular del Sincro es la del Resolver, cuyo principio de funcionamiento es
análogo, con las siguientes particularidades constructivas:
En la Figura se representa de forma esquemática una configuración típica. Los devanados del
estator se alimentan en serie, dando un campo estacionario sobre el eje y los devanados del
rotor recogen distintas tensiones en función de 1.
Fig. 9 Representación de la configuración de un sincro
3. Inductosyn:
La señal es similar a los sincros y resolvers pero su relación voltaje/distancia es mucho más
precisa Es un transductor electromagnético utilizado para la medida de desplazamientos
lineales, con precisión del orden de micras. Se emplea en máquinas medidoras de
coordenada y máquinas herramientas de control numérico. El transductor consta de dos
partes acopladas magnéticamente, una denominada escala fija y situada paralela al eje de
desplazamiento y otra solapada a la anterior deslizante y solidaria a la parte móvil. Existe una
versión rotacional que alcanza precisiones de hasta 5 milésimas de grado.
Fig. 10 Inductosyn
4. Sensores ultrasónicos:
Los sensores de ultrasonidos son detectores de proximidad que trabajan libres de roces
mecánicos y que detectan objetos a distancias que van desde pocos centímetros hasta varios
metros. El sensor emite un sonido y mide el tiempo que la señal tarda en regresar. Estos
reflejan en un objeto, el sensor recibe el eco producido y lo convierte en señales eléctricas,
las cuales son elaboradas en el aparato de valoración. Estos sensores trabajan solamente en
el aire, y pueden detectar objetos con diferentes formas, colores, superficies y de diferentes
materiales. Los materiales pueden ser sólidos, líquidos o polvorientos, sin embargo han de
ser deflectores de sonido. Los sensores trabajan según el tiempo de transcurso del eco, es
decir, se valora la distancia temporal entre el impulso de emisión y el impulso del eco.
Inconvenientes:
Este sensor, al no necesitar el contacto físico con el objeto, ofrece la posibilidad de detectar
objetos frágiles, como pintura fresca, además detecta cualquier material, independientemente
del color, al mismo alcance, sin ajuste ni factor de corrección. Los sensores ultrasónicos
tienen una función de aprendizaje para definir el campo de detección, con un alcance mínimo
y máximo de precisión de 6 mm. El problema que presentan estos dispositivos son las zonas
ciegas y el problema de las falsas alarmas. La zona ciega es la zona comprendida entre el
lado sensible del detector y el alcance mínimo en el que ningún objeto puede detectarse de
forma fiable.
5. Sensores magnetoestrictivos
Características:
APLICACIONES:
Diodo semiconductor:
El diodo semiconductor no solo es de gran importancia en las aplicaciones electrónicas
modernas, sino que además la teoría de la unión n-p sirve como fundamento en la
comprensión de los dispositivos semiconductores.
1. ¿QUÉ ES?
Fig. 13: Muestra de los dos tipos de diodos semiconductores más comunes y simples: un diodo rectificador
1N4007, de unión n-p de silicio (con encapsulado plástico) y dos diodos de señal 1N60, Schottky de germanio (con
encapsulado de vidrio). En el símbolo de este último, el K se indica con una "S" de "Schottky".
Diodos de temperatura a voltaje: Los diodos semiconductores rectificadores son muy fáciles
de usar en termometría industrial y en laboratorios, como termómetros pequeños, rápidos,
confiables, de gran exactitud y repetitividad, incluyendo muy bajas temperaturas.
La termometría usando diodos semiconductores está basada en la dependencia del voltaje
directo VF(T, IF) con la temperatura T y la corriente directa IF en una unión n-p. Para que solo
dependa de T, se usa una pequeña corriente eléctrica constante, típicamente IF ≡ 10 μA
(±0.1%), lo suficientemente baja como para no sobrecalentar ni el dispositivo ni el sistema
donde se mide T, y lo suficientemente alta como para que la magnitud de VF sea
relativamente grande (del orden de 100 mV o superior). La "curva de respuesta con la
temperatura" VF(T) de una unión n-p con Ge o con Si, es relativamente lineal solamente en
rangos pequeños de temperatura. Pero con la Electrónica moderna, la alinealidad no es un
problema. Muchos controladores de temperatura tienen un algoritmo PID y un termómetro
formado por el diodo sensor de temperatura, con los puntos (VF, T) obtenidos en una
calibración previa, guardados en la memoria.
Fig. 14: Diagrama esquemático de curvas características Corriente vs. Voltaje de un diodo a una misma corriente
IF pero a diferentes temperaturas (T1 < T2 < T3 <T4), y representación de su respuesta Voltaje directo vs.
Temperatura. En la parte inferior se muestra el esquema básico usado en termometría.
Por ejemplo el sensor de temperatura DT-670 Lake Shore es un diodo de “Si” especificado
para funcionar entre 1.4 y 500 K (0 K ≡ -273.15 oC), se puede usar bajo campo magnético por
sobre los 60 K, y posee una respuesta media con la temperatura aproximadamente lineal en
dos tramos:
Los diodos semiconductores más simples son dispositivos básicos de estado sólido donde el
A está compuesto por un material semiconductor tipo-p (generalmente Si, Ge o GaAs). En un
diodo rectificador el K es del mismo material semiconductor que el A pero tipo-n.
Fig. 15: Esquemas, símbolos y curvas características de diodos reales: diodo de unión n-p de Si y diodo Schottky
metal-semiconductor de Ge.
Ejemplos:
4. ¿CÓMO FUNCIONA?
El mecanismo de rectificación de un diodo semiconductor es muy distinto al de una válvula,
debido a que los mecanismos de conducción en sí mismos son muy diferentes. Sin embargo,
algunos conceptos son generales.
Por ejemplo, para ver cómo un rectificador eléctrico bloquea la corriente en un sentido pero la
deja circular en el otro, hay que observar que el dispositivo no es simétrico; está formado por
dos electrodos diferentes: ánodo (A) y cátodo (K), y el voltaje ΔVAK ≡ VA - VK sobre el
rectificador (la caída de voltaje sobre el A respecto del K) puede tener dos signos diferentes.
2. Existe otra barrera (en sentido directo), que es menor que la barrera para la conducción
inversa (como en los diodos reales o "prácticos").
Por eso es que sobre el rectificador, para que haya corriente directa IF > 0A, en general no
solo es necesario aplicar un voltaje directo VF, sino que además ese voltaje debe ser
suficiente para que los portadores de carga alcancen o superen una brecha de energía; el
voltaje directo debe alcanzar cierto "voltaje umbral" (threshold) Vγ relacionado con la barrera
en directo: 0V ≤ Vγ ≤ VF
Esta expresión toma en cuenta ambos casos, con barrera en polarización directa (Vγ > 0V) o
sin ella (Vγ = 0V).
El diodo semiconductor de unión funciona de un modo muy diferente, pero también hay que
aplicar un voltaje umbral para vencer una barrera (mucho menor que en las válvulas).
Tres parámetros importantes en el funcionamiento del diodo rectificador de unión n-p son:
Fig. 16: Representación esquemática de la estructura de un diodo semiconductor de unión n-p. Debido a la
recombinación de electrones libres del tipo-n con los agujeros del tipo-p, alrededor de la unión quedan iones que
generan un campo eléctrico intrínseco (de contacto) Enp desde el tipo-n hacia el tipo-p.
Por lo tanto, la zona de material (originalmente neutro) tipo-n que rodea la unión queda
positiva, y la zona cercana a la unión dentro del material tipo-p queda negativa, dando lugar a
la aparición de un campo eléctrico inverso, intrínseco o de contacto, Enp, que "apunta" desde
el tipo-n (positivo) hacia el tipo-p(negativo).
Este campo Enp de n hacia p produce una fuerza eléctrica Fnp = qEnp sobre las cargas q. Esta
fuerza está en contra de los agujeros que están difundiendo hacia n, y análogamente, el
mismo Enp produce una fuerza eléctrica contra los electrones que están difundiendo hacia p.
Por lo tanto, la difusión persiste hasta que el Enp llegue a ser lo suficientemente intenso en la
unión, como para compensar la difusión y establecer el equilibrio.
La región de recombinación que rodea la unión donde existe el campo eléctrico Enp, se
denomina región de deplexión, o región de carga de espacio, o región de transición (depletion
region; depletion layer) y tiene un espesor del orden de 1 μm.
La existencia de Enp (que apunta de n hacia p), hace que en la región de recombinación exista
una variación o salto de potencial eléctrico V0 (de unas cuantas décimas de volt, mayor
en n respecto de p), y por lo tanto hay una barrera de energía potencial
electrostática eV0 para los agujeros y una barrera -eV0 para los electrones.
Por lo tanto, alrededor de la unión a T > 0 K los agujeros en el tipo-n y electrones en el tipo-
p generados térmicamente, bajo la fuerza del campo eléctrico inverso atraviesan la unión
hasta recombinarse (flecha verde).
Esto constituye una pequeña corriente inversa IR cuya intensidad con muy poco voltaje
inverso alcanza el valor límite Io, que es el parámetro denominado corriente inversa de
saturación del diodo.
Fig. 17: Representación esquemática del origen de la corriente inversa de saturación Io en un diodo semiconductor
de unión n-p. En la zona de transición a T > 0 K, se rompen enlaces generando pares agujero-electrón. De este
modo quedan agujeros entre los iones positivos del tipo-n y electrones entre los iones negativos del tipo-p, que se
recombinan movidos por el campo eléctrico inverso.
En un diodo perfecto Io ≡ 0 A, pero en un diodo ideal la teoría de Shockley predice y explica la
existencia de Io, observada en los diodos reales (o prácticos).
Esta corriente inversa se desprecia en muchas aplicaciones, ya que es del orden de 100 μA y
0.1 μA en diodos de Ge y de Si respectivamente. Pero por otro lado, existen otros dispositivos
donde se utiliza la sensibilidad de Io con la temperatura o bien con la iluminación (dado que
también la luz visible puede romper enlaces covalentes y generar pares electrón-agujero).
En un diodo perfecto y en un diodo ideal tampoco hay voltaje umbral, es decir, Vγ ≡ 0 V. Pero
en un diodo real Vγ también es un parámetro muy importante, de valor finito, como se verifica
experimentalmente en las imágenes del cuadrante I de la curva I vs. V vistas en el trazador de
curvas. En efecto, se observa en las curvas que la conducción en directo de un diodo de
unión de Si y de un diodo Schottky de Ge es nula o casi despreciable hasta que el voltaje
directo alcanza un valor umbral.
Fig. 18: Representación esquemática del cambio en el ancho de la región de transición con las polarizaciones
inversa y directa.
I = Io (e eV/ (kT) – 1)
Fig. 19: Representación esquemática de las curvas características de un rectificador perfecto, un diodo ideal
(Ecuación de Shockley) y de un diodo semiconductor de unión real.
La Ecuación de Shockley describe bastante bien el comportamiento para pequeñas corrientes
de un diodo ideal de unión n-p de germanio (con EG0Ge = 0.785 eV), donde dominan las
corrientes de difusión. Pero en el caso de un diodo de Si o de GaAs, es necesario hacerle
correcciones. Esto se debe a efectos de superficie, a efectos de "tunelaje" en la unión, y otros
fenómenos no considerados en la deducción de Shockley.
La curva I vs. V del diodo ideal de unión n-p de silicio crece más suavemente que la
característica del diodo de Ge. Con las primeras décimas de voltio de V, el crecimiento de la
corriente directa IF comienza variando como e eV/(2kT) (en vez de e eV/(kT) como es para el Ge).
Haciendo las correspondientes correcciones, la característica para el Si resulta:
I = Io (e eV/ (nkT) – 1)
Donde n = 2 cuando domina la recombinación (corrientes pequeñas), n = 1 cuando domina la
difusión (corrientes grandes), 1< n < 2 cuando ambos fenómenos contribuyen
apreciablemente, y:
Io = constante x T 3/2 e-EG0/ (2kT) y donde EG0Si = 1.21 eV.
Por lo tanto las expresiones para un diodo ideal de unión n-p de germanio y de silicio se
pueden sintetizar en una sola ecuación con 5 parámetros dependientes del material:
I = Io (e eV/ (nkT) – 1) = constante x T m e-EG0/(ηkT) (e eV/(nkT) – 1)
A partir del voltaje umbral Vγ, el diodo conduce en directo, y la caída de voltaje
directo VF (forward voltage-drop) es del orden de 0.3 V hasta aproximadamente 3 V,
dependiendo del dispositivo y de la intensidad de la corriente forward IF.
Para los diodos rectificadores usados en aplicaciones de potencia (generalmente de silicio
con VγSi ≈ 0.6 V), VF está en el rango 0.7-1.7 V. Por ejemplo, en el diodo 1N4007 de silicio
típicamente es VF ≈ 1.1 V para IF ≈ 1 A.
Medición de EG usando diodos semiconductores:
Transistor de temperatura:
El transistor es también un buen sensor de temperatura. El voltaje base-emisor de un
transistor varía directamente con la temperatura a corriente constante de la misma manera en
que lo hace la caída en directa de un diodo.
El transistor de unión bipolar: (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre
sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación
de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores
de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como
la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
Fig.20: Regiones de un transistor semiconductor
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base")
entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en
configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.
Tipo PNP:
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector
a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una
carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
Fotorresistencias (ldr)
La fotorresistencia, como su nombre lo indica, es un resistencia cuyo valor dependen de la
energía luminosa incidente en ella, específicamente son resistencias cuyo valor de
resistividad disminuye a medida que aumenta la energía luminosa incidente sobre ella y
viceversa. Una fotorresistencia se compone de un material semiconductor cuya resistencia
varía en función de la iluminación. La fotorresistencia reduce su valor resistivo en presencia
de rayos luminosos. Es por ello por lo que también se le llama resistencias dependientes de
luz (light dependent resistors), fotoconductores o células fotoconductoras.
Las células son también capaces de reaccionar a una amplia gama de frecuencias,
incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV). Los materiales que intervienen en su
construcción son Sulfuro de Cadmio, utilizado como elemento sensible a las radiaciones
visibles y sulfuro de plomo se emplean en las LDR que trabajan en el margen de las
radiaciones infrarrojas. Estos materiales se colocan en encapsulados de vidrio o resina.
Fig. 25 Fotogeneración de portadores
Si dejamos de iluminar, los portadores fotogenerados se recombinarán hasta volver hasta sus
valores iniciales. Por lo tanto el número de portadores disminuirá y el valor de la resistencia
será mayor. Por supuesto, el material de la fotorresistencia responderá a unas longitudes de
onda determinadas
Es decir, la variación de resistencia será máxima para una longitud de onda determinada.
Esta longitud de onda depende del material y el dopado, y deberá ser suministrada por el
proveedor. En general, la variación de resistencia en función de la longitud de onda presenta
curvas como las de la figura siguiente:
El valor de resistencia eléctrica de un LDR es bajo cuando hay luz incidiendo en él (puede
descender hasta 50 ohm) y muy alto cuando está a oscuras (varios megaohmios).
APLICACIONES:
En la mayor parte de las aplicaciones de los resistores LDR se basan en el
accionamiento de un relé o una lámpara. Esta puede estar afectando directa o
indirectamente.
Fotodiodo
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la
luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con
lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido
a su construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir,
iluminados en ausencia una fuente exterior de energía generan una corriente muy pequeña
con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo.
El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor común, pero tiene una característica
que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente eléctrica
proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina).
Sentido de la corriente
generada
Fig.28 figura 7
Fig. 29
Principio de funcionamiento:
Un fotodiodo es una unión p-n o estructura PIN. Cuando un fotón de energía suficiente golpea
el diodo, se excita un electrón, creando de ese modo un electrón libre. Este mecanismo
también se conoce como el efecto fotoeléctrico interno. Si la absorción se produce en la
región de agotamiento de la unión, o una longitud de difusión de distancia de ella, estos
portadores son barridas de la unión por la incorporada en el campo eléctrico de la región de
agotamiento. Por lo tanto agujeros se mueven hacia el ánodo, y los electrones hacia el
cátodo, y se produce una fotocorriente. La corriente total a través del fotodiodo es la suma de
la corriente oscura y la fotocorriente, por lo que la oscuridad corriente debe reducirse al
mínimo para maximimze la sensibilidad del dispositivo.
La mayoría de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de luz
que lo incide, de manera que su reacción a la luz sea más evidente.
Composicion:
Silicio 190–1100
Germanio 800–1900
Indio galio arsénico (InGaAs) 800–2600
Usos y Aplicaciones:
A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de
oscuridad a iluminación y viceversa con mucha más velocidad, y puede
utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta más pequeño.
Fotodiodos se utilizan a menudo para una medición precisa de la intensidad de
la luz de la ciencia y la industria. En general, tienen una respuesta más lineal
que fotoconductores.
Fotodiodos PN se utilizan en aplicaciones similares a otros fotodetectores,
como fotoconductores,dispositivos de acoplamiento de carga,y tubos
fotomultiplicadores. Ellos se pueden utilizar para generar una salida que
depende de la iluminación, o para cambiar el estado de los circuitos.
Se usa en los lectores de CD, recuperando la información grabada en el surco
del Cd transformando la luz del haz láser reflejada en el mismo en impulsos
eléctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los
datos grabados.
Usados en fibra óptica
También son ampliamente utilizados en diversas aplicaciones médicas, tales
como detectores para la tomografía computarizada, instrumentos para analizar
las muestras, y oxímetros de pulso.
Fototransistores
Los fototransistores no son muy diferentes de un transistor normal, es decir, están
compuestos por el mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres
conexiones externas: colector, base y emisor. Por supuesto, siendo un elemento sensible a la
luz, la primera diferencia evidente es en su cápsula, que posee una ventana o es totalmente
transparente, para dejar que la luz ingrese hasta las junturas de la pastilla semiconductora y
produzca el efecto fotoeléctrico.
Fig. 30 Fototransistor
2.-Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. Ip (modo de iluminación).
Principio de funcionamiento:
Los fototransistores combinan en un mismo dispositivo la detección de luz y la ganancia. Los
fotones incidentes generan pares electrón-hueco en la proximidad de la gran unión CB. Las
tensiones de polarización inversa de la unión CB, llevan los huecos a la superficie de la base
y los electrones al colector. La unión BE polarizada directamente, hace que los huecos
circulen de base a emisor mientras que los electrones fluyen del emisor a la base.En este
punto la acción convencional del transistor se lleva a cabo con los electrones inyectados del
emisor cruzando la pequeña región de la base y alcanzando el colector que es más positivo.
Este flujo de electrones constituye una corriente de colector inducida por la luz. Los pares
electrón-hueco fotoinducidos contribuyen a la corriente de base y si el fototransistor se
conecta en configuración de emisor común, la corriente de base inducida por la luz, aparece
como corriente de colector multiplicada por β ó hfe.
Caracteristicas:
Usos y Aplicaciones:
El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones donde la detección de
iluminación es muy importante.
Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando
interruptores ópticos (opto-switch), que detectan la interrupción del haz de luz
por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisión y de reflexión.
Su aplicación es a dispositivos como: El mouse, lectores de cinta, lapices
opticos, control remoto,etc.
Fotovoltaicos
Una célula fotoeléctrica, también llamada celda, fotocélula o célula fotovoltaica, es un
dispositivo electrónico que permite transformar la energía lumínica (fotones) en energía
eléctrica (flujo de electrones libres) mediante el efecto fotoeléctrico, generando energía solar
fotovoltaica. Compuesto de un material que presenta efecto fotoeléctrico, absorben fotones de
luz y emiten electrones. Cuando estos electrones libres son capturados, el resultado es una
corriente eléctrica que puede ser utilizada como electricidad.
Incidencia de fotones:
Si una vez alcanzado el equilibrio un fotón entra en la zona de agotamiento. Si este tiene una
energía superior a la Energía de la banda de GAP, será absorbido creando un par electrón-
hueco. Este nuevo par generara un nuevo campo eléctrico opuesto al creado por el
mecanismo de difusión. Al incidir luz sobre una unión PN se genera una tensión eléctrica que
es función de la intensidad de la radiación (principio de las células solares)
Cuantos más fotones llegan a la unión, los campos tenderán a anularse. Esta condición en el
momento en el que se anulan es la que determina la tensión a Circuito Abierto. Finalmente
colocando unos contactos metálicos sobre la superficie de la célula se puede utilizar el
potencial creado. Ver Figura 32-33
Fig. 32 Fig. 33
Usos y Aplicaciones
Las células fotovoltaicas se utilizan a veces solas (iluminación de jardín,
calculadoras,...) o agrupadas en paneles solares fotovoltaicos.
Se utilizan para reemplazar a las baterías (cuya energía es con mucho la más
cara para el usuario), las células han invadido las calculadoras, relojes,
aparatos, etc.
Se utilizan para producir electricidad para muchas aplicaciones (satélites,robots
que se mueven en marte,sondas espaciales,parquímetros,etc.) y para la
alimentación de los hogares o en una red pública en el caso de una central
solar fotovoltaica.
Sensores ccd
Un dispositivo de carga acoplada (en inglés charge-coupled device, conocido también como
CCD), es un circuito integrado que contiene un número determinado de condensadores
enlazados o acoplados. Bajo el control de un circuito interno, cada condensador puede
transferir su carga eléctrica a uno o a varios de los condensadores que estén a su lado en el
circuito impreso.
El funcionamiento de los CCD se basa en el fenómeno físico del efecto fotoeléctrico. Ciertas
sustancias tienen la propiedad de absorber cuantos de luz, o fotones, y liberar un electrón.
Fig. 34 sensor CCD
Fabricación:
Para la fabricación de los detectores CCD se utiliza el silicio, el cual es un material
semiconductor. Una de las caras de una placa de silicio se recubre con una red de electrodos
microscópicos cargados positivamente. En virtud del efecto fotoeléctrico, la luz incidente
genera electrones, de carga negativa, que son atraídos por los electrodos y se acumulan a su
alrededor. La imagen final captada por el detector CCD es un mosaico formado por tantos
elementos, o teselas, como electrodos hay en la placa de silicio. Se suele llamar píxeles a las
teselas de los mosaicos digitales.
Usos y Aplicaciones:
Es usado en camaras digitales de alta resolucion, tambien en el diseño de
lentes de camaras de video,microscopios y telescopios,etc.
Sensor cmos
Un sensor de píxeles activos ((en inglés) active pixel sensor cuyo acrónimo es APS), es un
sensor que detecta la luz basado en tecnología CMOS y por ello más conocido como Sensor
CMOS.
Gracias a la tecnología CMOS es posible integrar más funciones en un chip sensor, como por
ejemplo control de luminosidad, corrector de contraste, o un conversor analógico-digital.
Otra gran diferencia, es que el xip CMOS puede integrar muchas funciones y procesos, tales
como comprimir fotografías, cambio de datos analógicos a digitales, mientras que el CCD,
estos procesos se realizan fuera del xip. A su vez también consume mucha menos energía
evitando que alcance una temperatura excesiva del mismo, alargando su duración.
Ventajas:
Desventajas:
Usos y Aplicaciones:
Debido a su bajo coste, el APS (CMOS) comenzó a emplearse masivamente en webcams y
en las cámaras de los teléfonos móviles. Sin embargo, hoy día también se utiliza en cámaras
DSLR de Canon, Nikon, Pentax Sony y Sigma, pues no sólo superan en luminosidad a los
sensores CCD, sino que también producen menos ruido.
CONCLUSIONES GENERALES: