DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

CARRERA DE ING. EN ELECTRÓNICA E INSTRUMENTACIÓN

DISENO VLSI

Estudiante: Alex Tipantuña Unidad I

TEMA: CONSULTA Fecha : 18 de Abril del 2018

RTL: LÓGICA DE RESISTENCIA - TRANSISTOR.

 REQUISITOS DE ENERGIA: 12 mw y la mos 0,1 mw

 RETARDO DE PROPAGACION: 50ns
 ALIMENTACION: 3v
 FAN OUT: De 4 a 5 máximo
 MARGEN DE RUIDO: tensión lógica 1 la tensión del umbral es de 0.2v a tensión lógica 0 la tensión
del umbral es de 0.5 v.

DTL: LÓGICA DIODO – TRANSISTOR

 ALIMENTACION: Se alimenta con 5V

VOH = 4.8V,
VOL = 0.2V
VIH = 1.5V
VIL = 1.2V
 RETARDO DE PROPAGACION: 30ns
 FAN OUT: Esta limitada por el fabricante a 8
 REQUISITOS DE ENERGIA: 8mw a 12 mw
 MARGEN DE RUIDO: Alrededor de 1V

TTL: LÓGICA TRANSISTOR - TRANSISTOR.

 ALIMENTACION:
 RETARDO DE PROPAGACION: 1 a 4ns
 FAN-OUT: Serie común y de alta potencia 10 y 20 para la serie de baja potencia
 REQUISITOS DE ENERGIA: 2mw a 10 mw
 MARGEN DE RUIDO: En estado 0 y en 1 de 400 mV
HTL: LÓGICA DE ALTO UMBRAL.

 ALTA INMUNIDAD AL RUIDO: Al ser circuitos con retardo de propagación grande, y tiempos de
subida y bajada elevados. Esto se logra conectando condensadores exteriores.
Altos márgenes de ruido > para una alimentación de 15 v
 ALIMENTACIÓN: Entre 11 y 17 v, (Muy superior a las demás familias bipolares).
 REQUISITOS DE ENERGÍA: típica por puertas de: 200 – 300 mW
 FAN OUT: 10
 TIEMPO DE PROPAGACIÓN: 150 ns

ECL: LÓGICA DE ACOPLAMIENTO DE EMISOR

 RETARDO DE PROPAGACION: Inferiores a 0,5ns por puerta

 FAN-OUT: 20
 REQUISITOS DE ENERGIA: Alta disipación (40 mw)
 MARGEN DE RUIDO: Pequeños valores de los márgenes de ruidos.
 Son las más rápidas del mercado

IIL: LÓGICA DE INYECCIÓN INTEGRADA.

• Los circuitos están directamente acoplados, de manera que no hay la necesidad de contar con
resistencias en el diseño de las compuertas, se ahorra en estado real y energía.
• NIVELES DE VOLTAJE: 0,2v bajo a 0,7v alto
• REQUISITOS DE ENERGÍA: Tecnología bipolar con más potencia.
• INMUNIDAD AL RUIDO: Alta inmunidad al ruido debido a que opera por corriente en vez de voltaje.
• Es una familia de circuitos digitales con BJT.

MOS (Metal Oxido Semiconductor)

PMOS (MOS canal P)

• Utiliza solo MOSFET tipo P.

• Los huecos son portadores de la corriente.

• Resistencia controlada por voltaje: disminución en Vgs disminución en Rds. Normalmente Vgs≤0.
NMOS (MOS canal N)

• Utiliza solo MOSFET tipo N.

• Tiene cerca de dos veces la densidad de integración de PMOS.
• Es dos veces más rápido que el PMOS al hecho de que los electrones libres son los transportadores
de la corriente.

• Resistencia controlada por voltaje: incremento en Vgs disminución en Rds. Normalmente Vgs≥0.
• CARACTERÍSTICA: Los circuitos integrados digitales PMOS y NMOS tienen una mayor densidad de
integración por tanto son más económicos que los CMOS

CMOS (MOS Complementaria)

• Los NMOS y PMOS, se complementan para formar la lógica CMOS.

• El voltaje de alimentación. Vdd por lo general este en el rango de 2 a 6V y con mucha frecuencia se
establece en 5.0 V para tener compatibilidad con los circuitos TTL.

• la tecnología CMOS tiene la mayor complejidad y menor densidad de integración de las familias
MOS, pero posee ventajas como velocidad y menor disipación de potencia.

BIBLIOGRAFÍA.

 http://es.slideshare.net/juanfranciscogasparchiquito/familias-lgicas-37345826
 http://www.academia.edu/6697685/FAMILIAS_L%C3%93GICAS._TTL_Transistor-Transistor_Logic