ESCOLA POLITÉCNICA DA UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO

Departamento de Engenharia Mecatrônica e de Sistemas Mecânicos

PMR 2433 Eletrônica Analógica e Digital

2o Semestre 2015

Experiência 7
TRANSISTORES BIPOLARES (REV. A)

PARTE I TEORIA
Nesta experiência, vamos estudar alguns aspectos do funcionamento de transistores bipolares. Para isso, você
deve fazer uma revisão do capítulo 5 do livro texto (Sedras & Smith, “Microeletrônica”).
7.1 Transistor como chave – circuito emissor comum
A aplicação mais simples para um transistor é a utilização como chave eletrônica: ora desligada, ora ligada. Para
esta aplicação, a configuração mais utilizada é a emissor comum, mostrada na Figura 7.1. O resistor RC faz o
papel de carga e a corrente IC que o atravessa é controlada pelo transistor Q.
VCC
IC 
RC
C
RB B
VBB Q VCE

IB
VBE E

Figura 7.1 Circuito emissor comum

7.1.1 Circuito de base

O chamado circuito de base é composto pela fonte VBB, o resistor RB e a junção base-emissor (BE) do transistor.
Essa junção opera como um diodo diretamente polarizado. Dessa forma, VBE é equivalente a tensão de limiar
de condução VD0 dos diodos, e costuma ser indicada nos datasheets como VBEsat (VBE de saturação). Nos
transistores de silício em geral, tem-se tipicamente VBEsat igual a 0,6 ou 0,7 V.
No circuito da Figura 7.1, desde que VBB > VBEsat, a corrente de base IB é dada por
VBB  VBEsat
IB  , (7.1)
RB
caso contrário (se VBB < VBEsat), o diodo base-emissor não conduz e tem-se IB = 0.

7.1.2 Circuito de coletor

O circuito de coletor compreende a fonte VCC, o resistor RC e os terminais coletor-emissor (CE) do transistor.
Repare que o emissor faz parte dos dois circuitos – daí o nome dessa configuração.
O transistor controla a corrente de coletor IC por meio da tensão coletor-emissor VCE. Como veremos
logo mais, a corrente IB aumenta proporcionalmente a condutividade entre o coletor e o emissor, fazendo a
tensão VCE cair e a corrente IC aumentar. Pelas leis de Kirchhoff, a relação entre VCE e IC é regida pela equação
VCE  VCC  RC IC , (7.2)
conhecida como reta de carga. É importante entender os limites dessa reta no caso do circuito da Figura 7.1.
O transistor é um elemento passivo e não pode fornecer energia ao sistema. De imediato, sabemos que
VCE não pode ser maior que a tensão de alimentação VCC, e portanto a corrente IC no mínimo será nula mas não
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negativa. Isso determina o chamado ponto de corte da reta de carga, em que o transistor funciona como uma
chave aberta e se tem IC = 0 e VCE = VCC.
Por outro lado, VCE não pode se tornar negativo pois passaria a operar como gerador. Idealmente, o
limite inferior de VCE seria 0 V, no entanto VCE não consegue cair abaixo de uma tensão mínima conhecida
como VCEsat (VCE de saturação). Tem-se assim o outro extremo da reta de carga, chamado de ponto de saturação,
no qual o transistor melhor se aproxima de uma chave fechada, tal que VCE = VCEsat e a corrente de coletor
atinge a máxima ICsat (IC de saturação) dada por
VCC  VCEsat
I Csat  . (7.3)
RC
O VCE de saturação é fornecido nos datasheets e varia de 0,2 V (nos transistores de sinal) a alguns Volts
(nos transistores de potência).

7.1.3 Ganho de corrente

Entre os limites de corte e saturação, o transistor pode ser aproximado por um dispositivo linear tal que
IC   I B , (7.4)

onde  é um adimensional conhecido como ganho de corrente. Nos datasheets, esse parâmetro é representado
pelo símbolo hFE, (usaremos o símbolo  nas próximas páginas em prol de uma notação mais concisa) e
tipicamente varia de 100 a 400 (A/A) nos transistores de sinal e ficando em torno de 50 nos transistores de
potência.
Teoricamente então seria possível colocar o transistor em operação no meio da reta de carga (definida
pela expressão 7.2) com tensão VCE = VCEQ e corrente IC = ICQ arbitrários. Assim, para uma dada tensão de
entrada VBB no circuito de base, no circuito de coletor tem-se
VBB  VBEsat
I CQ   , e (7.5)
RB

VBB  VBEsat
VCEQ  VCC   RC , (7.6)
RB
lembrando que VBEsat é tensão no diodo base-emissor, que é praticamente constante. O ponto (VCEQ, ICQ) é
chamado de ponto quiescente e deve se situar entre os pontos de corte e saturação, ou seja (VCC > VCEQ > VCEsat) e
(0 < ICQ < ICsat).
Dissemos “teoricamente” porque na prática o ganho  não pode ser usado como parâmetro de projeto
confiável. Como veremos no laboratório, o valor de  varia muito de um transistor a outro de mesmo modelo e
também com a temperatura, com a corrente IC e com a tensão VCE. Por isso, a configuração emissor comum
não deve ser usada quando se precisa fazer o transistor operar na região linear – mais adiante veremos uma
configuração mais apropriada para isso, denominada polarização de emissor.

7.1.4 Modos de operação: corte, linear e saturação.

Para deixar o transistor cortado e ter IC igual a 0, basta zerar a corrente de base IB fazendo VBB < VBEsat. Já a
saturação do transistor requer uma análise mais detalhada.
Com o ganho de corrente, podemos determinar a tensão VBB (do circuito de base) que leva a tensão
VCE (do circuito de coletor) ao limiar de saturação. Sendo VBBlim e IBlim a tensão e corrente de limiar, temos
I Csat VCC  VCEsat
I B lim   , e (7.7)
  RC

VBB lim  RB I B lim  VBEsat , (7.8)

Como IC satura em ICsat, uma corrente de base maior que IBlim (ou equivalentemente VBB > VBBlim) a
princípio não contribui para aumentar a corrente IC (na verdade, IC chega a aumentar um pouco devido a
diminuição de VCEsat por conta do aumento da corrente de base).
Entre o corte e a saturação, temos o transistor operando na região linear com tensão VCE e corrente IC
impostas pela reta de carga da equação 7.2.
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A Tabela 7.1 resume os limites de operação do transistor no circuito da Figura 7.1.

Tabela 7.1 Modos de operação do transistor no circuito emissor comum
Operação IB (A) IC (A) VCE (V)
Corte (Q aberto) 0 0 VCC
Região linear 0 < IB < ICsat/  IB VCC – RC IC
Saturação (Q fechado) IB > ICsat/ ICsat VCEsat

7.1.5 Saturação fraca e forte

Suponha que se queira garantir que o transistor Q do circuito da Figura 7.1 esteja saturado com uma certa tensão
de entrada VBB = VBBH. Com a equação 7.6, pode-se especificar o resistor de base RB tal que
VBBH  VBEsat V  VBEsat
RB lim    BBH , (7.9)
I B lim I Csat
Repare que RBlim é o valor de resistência que levaria o transistor ao limiar de saturação se o ganho de
corrente  fosse estável e conhecido com precisão. Como isso não acontece, é necessário usar um resistor RB
menor para impor uma corrente de base IB maior que o limiar IBlim e garantir a saturação do transistor.
Por exemplo, pode-se adotar uma corrente de base 5 vezes maior e assim tem-se RB = RBlim/5, o que é
equivalente a projetar o circuito de base adotando um ganho  5 menor que o esperado. Esse critério de
projeto é conhecido como saturação fraca.
Outro critério também usado é a chamada saturação forte, em que se usa uma corrente de base 10 vezes
maior e por conseguinte RB = RBlim/10 (ou equivalentemente, adota-se um ganho  /10).

7.2 Amplificador de pequenos sinais

Uma das principais aplicações de transistores é a implementação de amplificadores de sinais. A Figura 7.2
mostra um amplificador de pequenos sinais, isto é, para sinais oscilatórios de pequena amplitude e média nula.
VCC

RC
R1
VOUT
C1
VIN Q
R3
R2 +
RE C2

Figura 7.2 Amplificador classe A de pequenos sinais
O circuito da Figura 7.2 é conhecido como amplificador classe A. Esse amplificador apresenta a
vantagem de ter boa linearidade e baixa distorção na saída. No entanto, possui baixo rendimento pois o
transistor dissipa continuamente, mesmo quando nenhum sinal é injetado na base, uma potência dada por
aproximadamente VCEQ x ICQ. A tensão coletor-emissor VCEQ e a corrente de coletor ICQ definem o chamado de
ponto quiescente, isto é, a tensão e a corrente impostas pelo circuito de polarização a que o transistor está
sujeito quando a entrada VIN se encontra desconectada.

7.2.1 Polarização do Transistor

Para determinar o ponto quiescente (ICQ, VCEQ) do transistor, vamos simplificar a Figura 7.2. Sem a fonte VIN
para fornecer um sinal alternado, todas as correntes e tensões do circuito tendem a valores constantes e os
capacitores se comportam como circuitos abertos.
A impedância elétrica de um capacitor C, em regime senoidal, é dada por
1
XC     , (7.10)
jC
onde  é a frequência (em rad/s). Portanto, o capacitor se comporta como um circuito aberto para correntes
CC (i.e, o módulo de XC tende a infinito quando  tende a 0), e como um curto-circuito para sinais de alta
frequência (XC tende a zero quando  tende a infinito).

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Sem os capacitores, resulta o circuito mostrado na Figura 7.3. Repare que o resistor R3 foi eliminado
juntamente com o capacitor C2, uma vez que estavam em série. Além disso, separamos a alimentação VCC para
deixar claro que as tensões aplicadas a R1 e RC são fixas (e poderiam até ser diferentes).
VCC VCC
I1  IC 
R1 RC
IB
VB  Q VCE
VBE
I2   IE
R2 RE

Figura 7.3 Polarização de emissor por divisor resistivo

Podemos determinar IC e VCE de forma aproximada, assumindo que o ganho de corrente  (ou hFE) do
transistor é elevado. A polarização procura manter o transistor na região linear (ou seja, fora da saturação), e
portanto temos que IC = IB. Se  é elevado e IC não, podemos supor que a corrente de base IB é muito
pequena e desprezível em relação às correntes I1 e I2 que fluem pelos resistores do divisor resistivo. Assim,
VCC
IB I1  I1  I 2  . (7.11)
R1  R2
Com isso, a tensão VB praticamente não varia com a corrente IB e pode ser aproximada por
VCC
VB  I 2 R2  R2 . (7.12)
R1  R2
A tensão de base impõe a corrente de emissor IE. Isso porque, como já vimos, a tensão VBE permanece
praticamente constante se a junção base-emissor estiver conduzindo. Tem-se então
VB  VBE
IE   IC , (7.13)
RE
já aproximando IC por IE dado que IE = IC + IB e IB é muito menor que IC, uma vez que assumimos um ganho
de corrente elevado (IB << IC). Dessa forma, a tensão entre o coletor e o emissor pode ser calculada por
VCE  VCC  RC IC  RE I E  VCE  VCC  IC  RC  RE  . (7.14)

Com as expressões 7.13 e 7.14 podemos estimar o ponto de operação quiescente (ICQ, VCEQ) do
circuito. Para projetar um amplificador como o da Figura 7.2, estipulamos uma corrente ICQ baixa, da ordem de
alguns mili-Ampères, para minimizar a potência quiescente desperdiçada.
Escolhemos RC e RE de modo a deixar a tensão do coletor (VCQ) próximo à VCC/2 (metade da tensão
de alimentação), e o emissor (VEQ) próximo à zero (na prática, de 5 a 10% de VCC). Quando o amplificador
estiver em operação, a tensão VCE poderá excursionar por uma faixa mais ampla, tanto para cima como para
baixo. Por exemplo, podemos adotar
VC  VCC  RC IC  0,5VCC e VE  IC RE  0,1VCC . (7.15)
Os resistores R1 e R2 devem ser escolhidos seguindo a expressão 7.12 para estabelecer na base do
transistor a tensão VB = VE + VBE, com VBE = 0,7 V (para transistores de silício). Ao final convém verificar se
nossa suposição inicial, dada pela expressão 7.11, é satisfeita. Ou seja, verifique se
I CQ VCC
IB  . (7.16)
 R1  R2
Se não for o caso, basta utilizar resistores R1 e R2 menores para aumentar a corrente no divisor resistivo.

7.2.2 Análise do Amplificador

Veja novamente a Figura 7.2. Note que um aumento na tensão de entrada VIN causa um aumento na
corrente de base IB, que leva a um aumento na corrente de coletor IC. Com isto, a tensão VCE do transistor

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diminuir, uma vez que a queda de tensão nos resistores RC e RE aumenta. Portanto, injetando-se um sinal em
VIN, a saída VOUT vai apresentar um sinal invertido com relação à entrada, e oscilando em torno da tensão
quiescente no coletor do transistor (VCQ), como mostra a Figura 7.4.
Nela, destacamos também o fenômeno de saturação da saída VOUT: se a excursão do sinal de entrada for
muito ampla, a tensão de saída satura em valores próximos a VCC ou a 0 V, que são os limites físicos de tensão
que a fonte de alimentação do circuito pode fornecer.
VOUT
VCC
VIN
VCQ
t

VEQ
t
Figura 7.4 Sinais de entrada e saída de um amplificador classe A
A análise completa do amplificador classe A é um pouco complexa, mas podemos tentar entender
qualitativamente como o sinal é amplificado pelo transistor. A base do circuito é um transistor NPN em
configuração polarização de emissor. O sinal VIN é injetado na base do transistor através de um capacitor de
desacoplamento. O capacitor elimina o nível CC imposto na base pela polarização, pois sua impedância tende a
zero em altas frequências, conforme a expressão 7.10, e apenas as componentes alternadas do sinal são injetadas
na base.
As componentes CA do sinal causam variações na tensão de base, que são amplificadas e modulam a
tensão VCE do transistor. Neste caso, o fator de amplificação não é o ganho de corrente , mas a relação
exponencial entre a corrente IE de emissor e a tensão VBE sobre a junção base-emissor, dada por
VBE

I E (VBE )  I S e VT
 IS , (7.17)
onde IS (corrente de saturação reversa) é a pequena corrente de fuga que circula entre o emissor e a base quando
essa junção está reversamente polarizada, da ordem de nano-Ampères (nA). A tensão VT varia com a
temperatura e deriva do princípio quântico de funcionamento do transistor. Seu valor é dado por
kT
VT  , (7.18)
q
onde k é a constante de Boltzmann (1,38 x 10-23J/K), q é a carga elementar do elétron (1,60 x 10-19C), e T é a
temperatura da junção base-emissor, em Kelvin. Em temperatura ambiente (25 oC, ou 298 K), VT vale
aproximadamente 26 mV.
Assim, pequenos sinais injetados em VBE causam grandes variações na corrente de coletor do transistor.
No entanto, como esta relação é não linear, as flutuações em VBE devem ser de pequena amplitude para que o
sinal de saída não seja distorcido significativamente.
Considerando-se apenas sinais CA de pequena amplitude, o circuito de saída da Figura 7.2 pode ser
aproximado pelo circuito da Figura 7.5, onde o transistor foi substituído por uma fonte de corrente controlada
por VBE (variações em VBE). Note que, na análise CA, a fonte de alimentação se comporta como um ponto de
terra, uma vez que a tensão sobre ela não varia (VCC = 0). Além disso, o resistor R3 foi aterrado, uma vez que
o capacitor C2 funciona como um curto-circuito para altas frequências.

RC

C VOUT
VBE IE(VBE)
VIN
B E rE
RE R3

Figura 7.5 Modelo CA do amplificador classe A

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Conforme mostra a figura, a resistência vista pelo emissor cai para um valor denominado rE, que é
resultado da associação em paralelo entre RE e R3,
RE R3
rE . (7.19)
RE  R3
Supondo que o ganho de corrente  do transistor seja alto, podemos admitir que os circuitos de base e
de coletor sejam independentes, ou seja, variações de corrente de coletor IC não afetam significativamente a
tensão de base VB. Desta forma, o sinal de entrada VIN pode ser escrito como
 VIN   VBE  rE . I E (7.20)

Admitimos também que IC é aproximadamente igual a IE, o que também é válido se  é alto. Tem-se
dessa forma que o sinal CA resultante na saída será dado por
VOUT   RC .I E . (7.21)
Linearizando a expressão 7.17 em torno do ponto de operação quiescente de IE, temos

I E
VOUT   RC VBE . (7.22)
VBE I E  I EQ

A derivada parcial acima representa o inverso da chamada transresistência rTR. Desprezando o termo –IS
na expressão 7.17 e lembrando que as correntes IE e IC são próximas se  é alto, temos que

1 I E VT V
 rTR   T . (7.23)
rTR VBE I E  I EQ
I EQ I CQ

A expressão do ganho G do amplificador é dado pela razão entre os sinais de saída e de entrada.
Usando as igualdades 7.22 e 7.23, temos
 VOUT R V 1
G   C BE . (7.24)
 VIN r TR  VIN
A relação VBE/VIN pode ser calculada derivando-se a expressão 7.20, ou seja,

VIN I VBE r
 1  rE E   TR , (7.25)
VBE VBE I E  I EQ
VIN rTR  rE

de tal forma que o ganho final pode ser aproximado simplesmente por
VOUT RC
G  , (7.26)
VIN r TR  rE
com rE dado pela expressão 7.19 e rTR definido pela expressão 7.23.
Note que o ganho é negativo. Isso significa que, aplicando-se um sinal senoidal de pequena amplitude
na entrada, o sinal senoidal de saída estará defasado de 180o em relação ao sinal de entrada.
7.3 Resposta em Frequência
O amplificador classe A que acabamos de estudar não apresenta ganho de tensão constante em todas as
frequências. Os capacitores do circuito da Figura 7.2, em associação com os resistores e outras resistências,
funcionam como filtros, que acabam por atenuar os sinais para certas frequências.
O capacitor C1 funciona como principal filtro do circuito. Como está em série com a fonte de sinal
VIN, apenas sinais de alta frequência passam por ele para atingir a base do transistor. Uma análise completa do
comportamento em frequência do amplificador está um pouco além do escopo deste curso, mas podemos
descrever o efeito do capacitor C1 da seguinte forma.
Como mostra a Figura 7.6, para a fonte VIN de pequenos sinais senoidais, todo o circuito do
amplificador equivale a uma única resistência, representada na figura por rIN. Comparando este circuito com o
da Figura 7.2, vemos que o ponto B desse circuito corresponde à base do transistor.
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C1
B
VB
VIN rIN

Figura 7.6 Circuito equivalente visto pela fonte de pequenos sinais

Repare que quando a frequência do sinal de entrada tende a infinito, o módulo da impedância do
capacitor (dada pela equação 7.10) tende a zero e o capacitor se comporta como um curto-circuito. Assim, o
sinal VB no ponto B tende a se igualar ao sinal de entrada. Esse circuito se comporta como um filtro passa-altas
de um pólo, e no ponto B os sinais são fortemente atenuados para frequências abaixo da frequência de corte f0
(em Hz), dada por
1
f0  , (7.27)
2 rIN C1
e na frequência f0 o sinal no ponto B cai a

 VB 1
  0, 707 , (7.28)
 VIN f  f0
2
ou, equivalentemente em decibéis,

 V 
20 log  B   3dB . (7.29)
  VIN  f  f0
Pode-se mostrar que, para pequenos sinais, a resistência equivalente rIN é dada por
1 1 1 1
   , (7.30)
rIN R1 R2  (rTR  rE )
ou seja, é a associação em paralelo de todas as resistências ligadas à base do transistor. Repare que o último
termo da equação 7.30 representa a resistência presente no emissor do transistor no modelo de pequenos sinais,
multiplicada pelo ganho de corrente . Ou seja, podemos “transportar” a resistência de emissor para o circuito
de base, multiplicando-a por  . Isso faz sentido, já que a corrente de emissor é aproximadamente  vezes
maior que a corrente de base.
Por fim, para dimensionar o capacitor C2 , devemos lembrar que aproximamos a resistência rE pela
expressão 7.19 assumindo que a impedância de C2 tende a zero em altas frequências. Portanto, para que toda
essa análise funcione, é necessário escolher um capacitor C2 suficientemente grande para que, na frequência de
corte, a sua impedância seja desprezível com relação ao resistor R3 que está em série com o ele. Isto é,
1 1
R3  C2 . (7.31)
2 f 0C2 2 f 0 R3
A princípio, o amplificador deveria funcionar como um filtro passa-altas, com um ganho de tensão G
praticamente constante em frequências acima da frequência de corte f0. No entanto, quando a frequência das
tensões e correntes do circuito aumenta muito, a impedância de outras capacitâncias parasitas do circuito
começam a se tornar significativas, aumentando as perdas do circuito, e o ganho de tensão volta a cair. Dessa
forma, o amplificador na verdade se comporta como um filtro passa-faixa, apresentado uma frequência de corte
inferior (f0L) e outra superior (f0H).

7.4 Materiais

7.4.1 LED
Usaremos um LED (Light Emission Diode) de 5 mm, cujo desenho se encontra na Figura 7.7. São leds de baixo
custo, com baixa eficiência luminosa, mais usados em sinalização de painéis.

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Anodo

Catodo
Figura 7.7 Dimensões do led – mm [pol.], e seu símbolo
São feitos materiais semicondutores como fosfeto de gálio (GaP) ou fosfeto-arsenieto de gálio (GaAsP),
e apresentam tensão de limiar de condução direta (VD0) consideravelmente superior aos 0,6 ou 0,7 V de um
diodo retificador de silício. A Tabela 7.2 mostra as características dos leds mais comuns.
Para que acendam com razoável brilho, devem conduzir entre 10 a 20 mA de corrente direta.
Tabela 7.2 Características de alguns leds de 5 mm
Comprimento Tensão direta Intensidade luminosa
Cor
de onda (nm) (VD0) (mcd) @ 20 mA
Azul 460 a 465 3,2 a 3,4 5000 a 6000
Verde 515 a 520 3,2 a 3,4 12000 a 14000
Amarelo 587 a 595 1,8 a 2,0 4000 a 5000
Vermelho 615 a 625 1,8 a 2,0 4000 a 5000
Infravermelho 900 1,4 (típico) -

7.4.2 Transistor 2N2222

Nesta experiência utilizaremos o transistor NPN 2N2222, mostrado na Figura 7.8. Para montá-lo nos circuitos,
guie-se pela aba metálica existente na parte de baixo do encapsulamento para identificar corretamente os pinos.
C C
3 3
2 B 2 2N2222
B

aba 1 1
E E
Vista lateral Vista superior Esquemático
Figura 7.8 Transistor 2N2222: vistas e pinagem.

7.5 Pré-Relatório
ATENÇÃO: leia as atividades por completo para fazer os exercícios corretamente!
Total de exercícios: 9

O pré-relatório é composto pelos EXERCÍCIOS contidos nesta apostila. Você deverá entregar o pré-
relatório até o começo da aula de sua turma, caso contrário não poderá fazer a experiência. Os exercícios
podem ser resolvidos a lápis, mas as respostas finais devem ser escritas à caneta. Faça-os com antecedência,
para ter tempo para tirar dúvidas e fazer todos os exercícios.
A nota do pré-relatório depende também de uma ARGUIÇÃO ORAL que poderá ser feita em a aula.
Portanto, revise o pré-relatório e a apostila antes da aula. A argüição oral também poderá ser feita para
esclarecer partes confusas ou mal feitas no pré-relatório, por isso é importante que você o faça com esmero.
Leia com atenção todas as atividades da Parte II antes da aula, e não apenas os exercícios. Isso
é necessário para fazer os exercícios corretamente pois muitos detalhes estão descritos nas atividades em que se
inserem. Além disso, você já terá uma noção das atividades e perderá menos tempo durante a aula.
Traga para a aula a apostila IMPRESSA. Os pontos importantes das atividades devem estar
destacados ou grifados. As anotações serão avaliadas e contarão na nota final da experiência.

IMPORTANTE: faça com cuidado os diagramas elétricos dos circuitos e as formas de onda pedidos no pré-
relatório. Caso contrário, você terá que REFAZÊ-LOS no laboratório.

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PARTE II PRÁTICA
Atividade 1 Ganho de corrente
Anotação 1a Anote no cabeçalho do relatório: nome dos integrantes da equipe, número da bancada e a hora de
início das atividades.
Vamos usar o circuito emissor comum mostrado na para medir o ganho de corrente do transistor em
condições de tensões e correntes da mesma ordem de grandeza dos experimentos que faremos. E para poder
comparar com o previsto no datasheet do transistor, usaremos aproximadamente uma das condições de teste
prevista nele: IC = 10 mA e VCE = 10 V.
VCC =12 V
RC 470R
C
RB B
VBB Q1
56K 2N2222
E

Figura 7.9 Circuito para medida do ganho de corrente

Exercício 1 Neste exercício, assuma que o transistor Q1 tenha hFE = 150, VCEsat = 0,5 V e VBEsat = 0,7 V.
Determine: a) o código de cores dos resistores; b) a corrente IC e tensão VBB que faz o transistor operar na
região linear no ponto quiescente em que VCE = 8 V.

Exercício 2 Encontre no datasheet do transistor 2N2222 os parâmetros a seguir na condição de teste mais
próxima aos valores nominais de IC e VCE adotados nesta atividade: VCE de saturação (VCEsat), VBE de saturação
(VBEsat), ganho de corrente (hFE). Transcreva o valor mínimo (Min.), típico (Typ.) e máximo (Max.) deles, bem
como as condições em que são válidos – e não esqueça as unidades. Nos casos em que forem fornecidos apenas
o mínimo e o máximo, calcule o valor médio. NOTA: o valor máximo de hFE que é dado no datasheet é válido
em todas as condições de teste.

Anotação 1b Separe os componentes. Meça os resistores com o multímetro e anote os valores medidos.
Monte o circuito no protoboard. Sugestão: deixe os bornes da placa à direita e use as trilhas de
alimentação como mostra a Figura 7.10. Monte o transistor na metade inferior: insira o emissor na trilha de
terra e o coletor e a base em trilhas abaixo da fenda. Atente para a aba do transistor: deve estar entre 6 e 9 h
para que o pino B esteja a 3 h.

VBB

RC
VCC
C RB
Q1 VBB Bornes
B

E 0V
Figura 7.10 Circuito emissor comum no protoboard.
Nesta experiência, precisaremos de duas fontes positivas: uma para VBB e outra para VCC. Para isso,
interligue os bornes negativos das duas saídas ajustáveis da fonte de alimentação conforme mostra a Figura 7.11
(a saída fixa de +5 V não será usada). O negativo comum também será a referência de tensão (terra) do circuito.
VN VP +5 V VN VBB VP VCC
– + – +

ligação externa ligação externa

0V 0V
Figura 7.11 Configuração da fonte para dupla alimentação positiva

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Inicialmente, faça o circuito operar em condição próxima da nominal desejada:

 Ajuste as saídas da fonte ANTES de conectá-las ao circuito: VBB = 0 V e VCC = 12 V. Desligue a fonte.
 Conecte a fonte aos bornes da placa com cabos banana-banana: preto para 0 V, vermelho para VCC uma
outra cor para VBB. Ligue a fonte.
 Observe a tensão VCE do transistor com o multímetro. Deve começar próximo a 12 V.
 Aumente VBB aos poucos até que VCE caia para o primeiro valor da Tabela 7.3.
 Nesse ponto, meça a tensão VBE do transistor e as tensões VRC e VRB sobre os resistores RC e RB.
 Calcule as correntes e o ganho para preencher a linha da tabela ANTES de passar para a próxima.
 Repita para os demais valores da tabela. CUIDADO: não deixe VBB ultrapassar 12 V!
Anotação 1c Copie a Tabela 7.3 no relatório e anote as tensões medidas. Com VRC e o valor medido RC ,
calcule a corrente IC . Repita com VRB e RB para calcular a corrente IB. Calcule o ganho de corrente  =IC/IB.
Compare os valores medidos de VBE e  com os previstos (se seu ganho deu muito abaixo do previsto, verifique
se o transistor não está invertido). ATENÇÃO: faça os cálculos e preencha cada linha antes fazer as medidas da
linha seguinte – se estiver cometendo algum erro de procedimento, vai ficar sabendo mais cedo!

Tabela 7.3
VCE (V) VBB (V) VBE (V) VRC (V) VRB (V) IC (mA) IB (mA) (A/A)
2,0
8,0
11,0
Anotação 1d Determine o menor e o maior ganho encontrados. Comunique esses valores ao professor para
serem tabulados na lousa.

Anotação 1e Compare o ponto quiescente (ICQ, VCEQ) e o ganho hFE medidos para VCE = 8 V com os
previstos no Exercício 1 do pré-relatório. Por que não é possível polarizar o transistor na região linear com
precisão neste circuito (emissor comum)?

Anotação 1f Anote a hora. Discuta suas conclusões com o professor.

Atividade 2 Corte e saturação

Vamos modificar o circuito emissor comum da Figura 7.9 para acionar um led. Para isso, insira um led em série
com o resistor do coletor, como mostra a figura abaixo. Usaremos um led vermelho e RL = 470 . Troque
também o resistor de base: use RB = 4,7 k.

RL
RC

O circuito deve ser alimentado com VCC = 12 V e acender o led com IC = 20 mA. O transistor Q será
o 2N2222, que deverá operar em saturação quando VBB = 5 V.
Exercício 3 Faça o diagrama do circuito de acionamento do led. Siga o exemplo da Figura 7.9: indique os
componente e seus valores nominais ou códigos comerciais (p.ex. “RL 470R”, “Q1 2N2222”, etc.) e os valores
das tensões de alimentação. Faça a lista de materiais (inclua o código de cores dos resistores).

Exercício 4 Considere que o led tenha VD0 = 2,0 V, e que o transistor Q1 tenha hFE = 150, VCEsat = 0,5 V e
VBEsat = 0,7 V. Determine: a) a tensão VCE e as correntes IB e IC para VBB = 0 V; b) a tensão VCE e as
correntes IB e IC e se o transistor opera em saturação fraca ou forte com VBB = 5 V; c) a tensão VBBlim que leva
o transistor ao limiar de saturação. Nota: este circuito poderia ser usado para acionar o led com a saída de uma
porta lógica TTL, uma vez que 5 V é nível H nesse padrão.

Anotação 2a Caso seu diagrama elétrico NÃO tenha sido aceito pelo professor refaça-o corretamente.
Anotação 2b Meça o novo resistor RB e anote.
Modifique o circuito para acionar o led. DESLIQUE a fonte antes de mexer no circuito! Teste:
 Ligue a fonte e ajuste VBB = 5 V (o led deve acender).
 Meça com o multímetro a tensão VD0 sobre o led e a tensão VBE do transistor

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Anotação 2c Anote os valores de VD0 e VBE . Compare com o previsto no pré-relatório.

 Ainda com VBB = 5 V, meça VCE, VRC e VRB com o multímetro.
 Calcule as correntes e o ganho para preencher a linha da Tabela 7.4 ANTES de passar para a próxima.
 Repita para VBB = 0 V.
Tabela 7.4
VBB (V) VCE (V) VRL (V) VRB (V) IC (mA) IB (mA) (A/A)
Saturação: 5,0 VCEsat:___ ICsat: ___
Corte: 0,0 XXX
Anotação 2d Copie a Tabela 7.4 no relatório. Com VRL e o valor medido RL, calcule a corrente IC . Repita
com VRB e RB para calcular a corrente IB. Calcule o ganho de corrente  =IC/IB na saturação (no corte, o ganho
não tem sentido).
Repare que no corte a corrente IC é praticamente nula mas a tensão VCE no coletor NÃO é igual a VCC
como você deve ter previsto no pré-relatório. Mesmo sendo muito pequena, a corrente de corte do transistor é
suficiente para fazer o led polarizar-se com VD0, apesar deste não ficar visivelmente aceso.
Anotação 2e Na saturação, verifique se o transistor se encontra em saturação fraca e compare os valores de
VCEsat, ICsat com os previstos no pré-relatório.
Anotação 2f Anote a hora. Mostre o circuito funcionando e suas e conclusões para o professor.

Atividade 3 Ajuste do osciloscópio e do gerador de funções

Verifique a calibração das pontas de prova do osciloscópio. Mas mesmo que as formas de onda estejam muito
distorcidas, NÃO mexa no parafuso de ajuste: chame o professor. Faça os demais ajustes a seguir.
 Ativação e seleção de canais: botão “1” e botão “2”.
 Atenuação 10x para as duas pontas: selecione o canal; o menu “Probe” deve mostrar “10X Voltage” –
caso contrário, selecione o menu “Probe” e em seguida o menu “Attenuation” até ajustar em “10X”.
 Acoplamento DC nos dois canais: selecione o canal e ajuste o menu “Coupling” para “DC”.
 Limite de banda nos dois canais: selecione o canal e ajuste o menu “BW Limit” para “On 20MHz”.
 Configurações de Trigger : aperte o botão “Trig Menu” e faça os seguintes ajustes
 Source: CH1 – compara o sinal no canal 1 com o nível ajustado de trigger para gerar os disparos
 Type: Edge – faz com que o instante de trigger seja uma das bordas do sinal Source
 Slope: Rising – gera os disparos nas bordas de subida do sinal Source
 Mode: Auto – gera disparos automaticamente caso o sinal Source não atinja o nível de trigger.
 Coupling: DC – mantém o nível DC do sinal Source ao compará-lo com o nível ajustado de trigger.

Ajuste no gerador de funções uma onda triangular de 0 a 5 V de amplitude e 5 Hz de frequência.

 Com o gerador ainda desligado, conecte o cabo BNC/garrinhas à saída “50 ” do gerador de sinais.
 Conecte a garra positiva (vermelha) do cabo à ponta do canal 1 e as garras de terra.
 Selecione a onda triangular no painel do gerador (pressione o botão “Function” correspondente).
 Ajuste a frequência para 5 Hz (selecione a escala correspondente e ajuste girando o botão “Frequency”).
 O botão “–20 dB” de estar desapertado para não atenuar a saída (a amplitude será maior que 1 V)
 Botões “WIDTH” e “SYM.”: apertados (para ficarem desativados).

Ligue o gerador. Verifique o sinal no canal 1 do osciloscópio. Como não usaremos a ponta do canal 2
por hora, prenda-o no terminal de terra do painel do osciloscópio e desative-o.
 Como a frequência f é de 5 Hz, o período T é de... 0,2 s (certo?). Comece com horizontal = 200 ms/div
 Como a tensão varia entre 0 a 5 V, comece com vertical = 5 V/div.
 Centralize o sinal e ajuste aproximadamente a amplitude pico a pico para 5 V (botão “AMP.” do gerador).
 Se este sinal não aparecer estático na tela, ajuste o nível de trigger (o botão “Set to 50%” ajuda).
 Aumente os ganhos horizontal e vertical para que o sinal ocupe umas 4 divisões nos dois eixos, e ajuste com
mais precisão a amplitude para 5 V pico a pico.
 Puxe o botão “DC OFFSET” para poder ajustar o valor médio (offset) da onda.
 Ajuste o offset (botão “DC OFFSET” do gerador) para que o nível inferior seja nulo: alinhado com o nível
de referência do canal 1 (indicação “1→” na lateral esquerda da tela).

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Average Caso um sinal esteja muito ruidoso durante a experiência, use o modo “Average” com média de 4 ou
mais varreduras: botão “Acquire”, menu “Average” (sem s), e selecione o número de varreduras no menu
“Averages” (com s...). Isso melhora a relação sinal/ruído, mas torna a resposta do osciloscópio mais lenta.
Anotação 3a Anote o horário. Em caso de dúvida, peça para o professor conferir a forma de onda.

Atividade 4 Acionamento pisca-pisca

Anotação 4a Calcule a tensão VBB que leva o transistor ao limiar de saturação (VBBlim). Use as tensões VD0 (do
led aceso), VBE e VCEsat medidas na atividade anterior, e o menor ganho de corrente medido na Atividade 1
Vamos usar o gerador de sinais para aplicar em VBB uma onda de baixa frequência e ver o led piscar.
 Desconecte a fonte ajustável VN do borne do protoboard ligado a VBB.
 Remova o cabo que interliga os negativos das duas saídas ajustáveis.
 Ligue a garra positiva (vermelha) do cabo do gerador à entrada VBB do circuito e a garra negativa (preta) à
malha de 0 V.
 Conecte o canal 1 no sinal de entrada (VBB) e garra de terra da ponta à malha de 0 V.
 Conecte o canal 2 no coletor do transistor (VCE)

Ligue a fonte e o gerador de sinais. O led deve estar piscando. Observe os sinais no osciloscópio. Para
medi-los com precisão, os níveis de referência (“1” e “2”) dos canais devem estar na base da tela e os
ganhos verticais ajustados para que os sinais ocupem o máximo da altura da tela.
Anotação 4b Esboce (à mão livre!) um período dos sinais alinhados verticalmente (não os desenhe
sobrepostos). Indique nos sinais os valores máximos e mínimos. Identifique no sinal VCE os pontos de corte
(VCE = VCC – VD0) e saturação (VCE = VCEsat) do transistor e meça no sinal VBB as tensões limítrofes que
colocam o transistor em corte (VBB < VBEsat) e saturação (VBB > VBBlim). Compare com o valor de VBBlim
calculado na anotação anterior.
EXPERIMENTE: reduza a amplitude de VBB até que o led não acenda mais (VCE continuamente alto)
– se necessário, ajuste “DC OFFSET” para manter o mínimo em 0. Aumente “DC OFFSET” do gerador de
sinais até o led fique sempre aceso (VCE continuamente baixo).
Anotação 4c Anote a hora. Mostre o circuito funcionando e suas e conclusões para o professor.

Atividade 5 Polarização de emissor

Vamos testar inicialmente o circuito de polarização de emissor da Figura 7.3 (depois poderemos aproveitá-lo
para montar o amplificador classe A). O circuito será alimentado com VCC = 12 V e deverá operar em torno do
seguinte ponto quiescente: ICQ = 1 mA, VCEQ = VCC/2 e VEQ baixo, entre 5 a 10% de VCC. Além do transistor
2N2222, vamos usar R1 = 8,2 k R2 = 1,5 k, RC = 4,7 k e RE = 1,0 k.
Desmonte o circuito anterior (mantenha apenas as conexões de alimentação). Separe os componentes
que faltam para montar o circuito de polarização de emissor.
Anotação 5a Caso seu diagrama elétrico NÃO tenha sido aceito pelo professor refaça-o corretamente.

Anotação 5b Meça os novos resistores (R1, R2 e RE) com o multímetro e anote os valores medidos.
Sugestão: desta vez, monte o transistor Q em cima da fenda como mostra a Figura 7.12.
VIN
RC
C
R1
Q1 B
VCC
E
RE R2 Bornes

0V
Figura 7.12 Circuito de polarização de emissor no protoboard.
Por hora, não usaremos um sinal de entrada VIN – deixe esse borne do protoboard em aberto. Alimente
VCC com uma fonte ajustável - a outra não será usada e deve ficar desconectada.
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Ligue a fonte e meça com o multímetro as tensões VB, VC e VE no transistor (com relação a 0 V!).
Anotação 5c Anote os valores das tensões medidas. Compare com as tensões previstas no pré-relatório.
Meça a tensão coletor-emissor VCE do transistor e a tensão VRC sobre o resistor RC. Após terminar,
NÃO DESMONTE o circuito. Vamos usá-lo na próxima atividade.
Anotação 5d Anote as tensões medidas. Usando os valores medidos de RC e RE, calcule as correntes IC e IE.
Determine o ponto quiescente (ICQ,,VCEQ,).

Anotação 5e Compare o ponto quiescente medido com o previsto no pré-relatório. Por que a incerteza sobre
valor exato do ganho de corrente não prejudica a polarização do transistor neste circuito?
Anotação 5f Anote a hora. Mostre o circuito funcionando e suas e conclusões para o professor.

Exercício 5 Faça o diagrama do circuito de polarização de emissor (Figura 7.3) a ser montado nesta atividade.
Indique os componente e seus valores nominais ou códigos comerciais (p.ex. “RC 4k7”, “Q 2N2222”, etc) e as
tensões de alimentação. Faça a lista de materiais (inclua o código de cores dos resistores).

Exercício 6 Considere que o ganho de corrente do transistor seja infinito e que VBEsat = 0,7 V. Determine de
forma aproximada o ponto quiescente de operação do transistor, isto é:
a) As tensões VB e VE
b) As correntes IE e IC;
c) A tensão coletor-emissor VCE
d) A corrente IB (e verifique se esta pode mesmo ser desprezada para se estimar VB).

Atividade 6 Amplificador classe A

Para completar amplificador classe A da Figura 7.2, vamos especificar numa primeira tentativa um ganho
G = 23 dB (ou 10 2 V/V, não é?) e uma frequência de corte em torno de f0 = 1 kHz. Para tanto, usaremos os
seguintes componentes adicionais: C1 = 100 nF C2 = 22 F e R3 = 470 .
Complete a montagem do amplificador, acrescentado esses componentes no circuito da atividade
anterior. CUIDADO PARA NÃO INVERTER A POLARIDADE DO CAPACITOR ELETROLÍTICO C2!
Conecte o gerador de sinais à entrada VIN do amplificador. Inicialmente, mantenha o sinal de entrada
em frequência de 10 kHz (período de ... 100 s, claro), amplitude AIN = 0,4 Vpp (Volts pico a pico), offset zero
(deixe o botão “DC OFFSET” do gerador apertado) .
Observe a entrada VIN no canal 1 do osciloscópio, e a saída VOUT no canal 2. Deixe o canal 1 em
acoplamento AC. Já o canal 2 deve ser deixado em acoplamento DC para que você possa ver o sinal
excursionando em torno da tensão VCQ do ponto quiescente. Note que os sinais estão defasados de
aproximadamente 180o (ou seja, o sinal de saída está invertido com relação ao sinal de entrada).
Anotação 6a Meça com o osciloscópio a amplitude AOUT (pico a pico) do sinal de saída em diferentes
frequências, preenchendo as duas primeiras linhas da Tabela 7.5. Em cada frequência, reajuste a amplitude de
entrada AIN em 0,4 Vpp . Complete a tabela com os valores calculados de ganho de tensão G e compare com o
que foi previsto no pré-relatório.
Tabela 7.5
f (kHz) AIN (Vpp) AOUT (Vpp) G (V/V)
10,0
100,0
f0L: ____

EXPERIMENTE: aumente a amplitude de VIN até causar a saturação de VOUT . Verifique que a saída
satura em VCC (em cima) e em VEQ (em baixo).
Para encontrar a frequência de corte inferior (f0L), calcule a amplitude AOUT média das duas medições
feitas – isto está relacionado ao ganho máximo do amplificador. Divida a amplitude média por 2 para ter a
amplitude atenuada em –3 dB e procure a frequência (em torno de f0 previsto no pré-relatório) em que AOUT cai
a esse valor – comece por exemplo em 2f0 e vá diminuindo a frequência. Mantenha AIN em 0,4 Vpp,
reajustando a amplitude de VIN se necessário.
Anotação 6b Calcule AOUT médio e a amplitude de –3 dB. Encontre a frequência f0L e preencha a terceira linha
da tabela. Compare a frequência encontrada com a prevista no pré-relatório.

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Anotação 6c Anote a hora. Mostre o circuito funcionando e suas e conclusões para o professor.

Exercício 7 Faça o diagrama do circuito do amplificador classe A completo (Figura 7.3). Indique os
componente e seus valores nominais ou códigos comerciais (p.ex. “RC 4k7”, “Q 2N2222”, etc), os valores das
tensões de alimentação e os pontos do circuito ligados aos canais 1 e 2 do osciloscópio. Liste os componentes
não incluídos no circuito de polarização de emissor (inclua o código de cores dos resistores).

Exercício 8 Calcule o ganho de tensão G. Adote VT = 0,026 V (temperatura ambiente).

Exercício 9 Calcule a frequência de corte f0 (inferior) do amplificador. Verifique se o capacitor C2 pode mesmo
ser desprezado já nessa frequência.

Atividade 7 Finalização
Deixe a bancada em ordem e limpa. Falhas nesse procedimento serão penalizadas.
Anotação 7a Check list – Verifique e anote no relatório cada um dos itens abaixo. ESCREVA os nome dos
itens e não apenas uma seqüência de meros “sim” e “não”.
 Equipamentos Liste todos os equipamentos usados. Todos estão desligados?
 Multímetro Os cabos das pontas de prova do multímetro estão arrumados? Deixe o multímetro sobre o
tampo baixo da bancada, para que possamos conferir facilmente se está desligado.
 Osciloscópio Os cabos das pontas de prova do osciloscópio estão arrumados?
 Cabos Liste todos os cabos de conexão (exceto os cabinhos) usados. Os cabos foram recolocados nos
lugares de origem?
 Componentes Foram guardados nas devidas gavetas? Há componentes ou cabinhos sobre a mesa ou
caidos no chão?
 Empréstimos Usou alguma coisa de outra bancada? O quê? Foi devolvido?
 Defeitos Encontrou algum defeito? Preencheu a Comunicação de Defeito?
 Limpeza A bancada está limpa?
Entregue o relatório feito em sala e o seu pré-relatório.

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 2N2219A
 2N2222A

HIGH SPEED SWITCHES

DESCRIPTION
The 2N2219A and 2N2222A are silicon planar
epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for
2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A)
metal case. They are designed for high speed
switching application at collector current up to
500mA, and feature useful current gain over a
wide range of collector current, low leakage
currents and low saturation voltage.

2N2219A approved to CECC 50002-100,

2N2222A approved to CECC 50002-101 TO-18 TO-39
available on request.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symb ol Parameter Value Un it
V CBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 75 V
V CEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 40 V
V EBO Emitter-Base Voltage (I C = 0) 6 V
IC Collector Current 0.8 A
P tot T otal Dissipation at Tamb ≤ 25 C o

for 2N2219A 0.8 W

for 2N2222A 0.5 W
at T ca se ≤ 25 oC
for 2N2219A 3 W
for 2N2222A 1.8 W
o
T s tg Storage T emperature -65 to 200 C
o
Tj Max. Operating Junction Temperature 175 C

June 1999 1/8

2N2219A/2N2222A

THERMAL DATA
TO-39 T O-18
o
R thj -case Thermal Resistance Junction-Case Max 50 83.3 C/W
o
R thj -amb Thermal Resistance Junction-Ambient Max 187.5 300 C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)

Symbo l Parameter Test Con ditions Min. Typ. Max. Unit
I CBO Collector Cut-off V CB = 60 V 10 nA
Current (IE = 0) V CB = 60 V T case = 150 o C 10 µA
I CEX Collector Cut-off V CE = 60 V 10 nA
Current (VBE = -3V)
I BEX Base Cut-off Current V CE = 60 V 20 nA
(V BE = -3V)
IEBO Emitter Cut-off Current V EB = 3 V 10 nA
(I C = 0)
V (BR) CBO ∗ Collector-Base I C = 10 µA 75 V
Breakdown Voltage
(I E = 0)
V (BR) CEO ∗ Collector-Emitt er I C = 10 mA 40 V
Breakdown Voltage
(I B = 0)
V (BR) EBO ∗ Emitter-Base I E = 10 µA 6 V
Breakdown Voltage
(I C = 0)
V CE(sat) ∗ Collector-Emitt er I C = 150 mA I B = 15 mA 0.3 V
Saturation Voltage I C = 500 mA I B = 50 mA 1 V
V BE(sat) ∗ Base-Emitter I C = 150 mA I B = 15 mA 0.6 1.2 V
Saturation Voltage I C = 500 mA I B = 50 mA 2 V
h FE∗ DC Current G ain I C = 0.1 mA V CE = 10 V 35
I C = 1 mA V CE = 10 V 50
I C = 10 mA V CE = 10 V 75
I C = 150 mA V CE = 10 V 100 300
I C = 500 mA V CE = 10 V 40
I C = 150 mA V CE =1V 50
I C = 10 mA V CE = 10 V
T amb = -55 oC 35
h fe ∗ Small Signal Current I C = 1 mA V CE = 10 V f = 1KHz 50 300
Gain I C = 10 mA V CE = 10 V f = 1KHz 75 375
fT Transition Frequency I C = 20 mA V CE = 20 V 300 MHz
f = 100 MHz
C EBO Emitter Base IC = 0 V EB = 0.5 V f = 100KHz 25 pF
Capacitance
C CBO Collector Base IE = 0 VCB = 10 V f = 100 KHz 8 pF
Capacitance
R e (hie) Real Part of Input I C = 20 mA V CE = 20 V 60 Ω
Impedance f = 300MHz
∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 1 %

2/8
 2N2219A/2N2222A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)

Symbo l Parameter Test Con ditions Min. Typ. Max. Unit
NF Noise Figure I C = 0.1 mA V CE = 10 V 4 dB
f = 1KHz R g = 1KΩ
hie Input Impedance I C = 1 mA V CE = 10 V 2 8 kΩ
I C = 10 mA VCE = 10 V 0.25 1.25 kΩ
h re Reverse Voltage Ratio I C = 1 mA V CE = 10 V 8 10 -4
I C = 10 mA VCE = 10 V 4 10 -4
h oe Output Admittance I C = 1 mA V CE = 10 V 5 35 µS
I C = 10 mA VCE = 10 V 25 200 µS
t d ∗∗ Delay Time V CC = 30 V IC = 150 mA 10 ns
I B1 = 15 mA VBB = -0.5 V
t r∗∗ Rise Time V CC = 30 V IC = 150 mA 25 ns
I B1 = 15 mA VBB = -0.5 V
t s ∗∗ Storage T ime V CC = 30 V I C = 150 mA 225 ns
I B1 = -IB2 = 15 mA
t f ∗∗ Fall T ime V CC = 30 V I C = 150 mA 60 ns
I B1 = -IB2 = 15 mA
r bb ’ C b’ c Feedback Time I C = 20 mA VCE = 20 V 150 ps
Constant f = 31.8MHz
∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 1 %
∗∗ See test circuit

3/8
2N2219A/2N2222A

Normalized DC Current Gain. Collector-emitter Saturation Voltage.

Contours of Constant Narrow Band Noise Figure. Switching Time vs. Collector Current.

4/8