INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR

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CIENCIA, TECNOLOGÍA E INNOVACIÓN AL SERVICIO DE LA SOCIEDAD
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Carrera: ELECTRONICA Periodo lectivo: Mayo 2018 – Octubre 2018

Materia: ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Curso/Paralelo: “A” vespertina Período académico: Tercero
Nombres: Juan Llumiquinga, Alexis Simbaña
Fecha: 01/07/2018
Tema: LABORATORIO (TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA TBJ)

1. OBJETIVO
Armar un circuito de control para un transistor bipolar de potencia y conocer las características
de conmutación del transistor de potencia.
2. OBJETIVOS ESPECÍFICO:
Conocer el funcionamiento del transistor bipolar de potencia, el voltaje al que funciona y la
corriente de saturación del transistor.
3. INTRODUCCIÓN:
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores
normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienen
que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuación
sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para
regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicación
de una tensión entre puerta y fuente. Estas diferencias vienen determinadas por la estructura
interna de ambos dispositivos, que son substancialmente distintas.

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4. Desarrollo:
Materiales:
a. Multímetro
b. Un Transistor de potencia
c. Una fuente de alimentación
d. Circuito modulador de ancho de pulsos con un time 555
e. Un osciloscopio de 2 canales
f. Transformador de 30 voltios
5. PROCEDIMIENTO:
 Armar el circuito como esta en la figura siguiente:

 Tomar medida de los tiempos de conmutación para una frecuencia y relación de trabajo solicitado
por el instructor. Utilice el canal 1 del osciloscopio para observar el voltaje en la base; y el canal
2 para observar las formas de onda de corriente a través del TBJ, y luego el voltaje VCE.
Determine los tiempos de conmutación y los valores de voltaje y corriente necesarios para el
cálculo de las pérdidas.
6. CONCLUSIONES
 El transistor TBJ tienes tres zonas y puede trabajar como conmutador o como switch, en nuestro
caso de practica el transistor trabajo en la zona de corte-saturación y lo pudimos controlar por la
corriente de base que ingresa por lo cual pudimos conmutar el circuito.
 Mediante el control PWM (modulación por ancho de pulsos) pudimos regular la intensidad de

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energía que se envió a la carga (motor)

 Es muy importante Siempre analizar el datasheet del transistor para analizar sus ganancias y
parámetros con los que trabaja.
7. RECOMENDACIONES
 Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de los circuitos
electrónicos.
 Se puede comentar que con el invento de estos dispositivos han dado un giro enorme a nuestras
vidas, y a que en casi todos los aparatos electrónicos se encuentran presentes.
 Hay que tomar en cuenta las pérdidas de potencia en los elementos de electrónica de potencia,
para analizar el consumo de potencia de la aplicación, en caso de que estas pérdidas sean
considerables comparadas con las de la aplicación.
8. ANEXOS:

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9. BIBLIOGRAFÍA
 Electrónica De Potencia. Muhammad H Rashid. Pearson (Año: 2005, 3ª edición) ISBN:
9702605326
 Ramírez (2018). Reporte de practica transistores bjt diego ramirez. [online] Es.slideshare.net.
Available at: https://es.slideshare.net/DiegoRamrez20/reporte-de-practica-transistores-bjt-diego-
ramirez [Accessed 1 Jul. 2018].

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