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Janeiro - 2009
Laura Martinez de Novoa
Iniciação Científica – Universidade Federal do ABC. Centro de Engenharia,
Modelagem e Ciências Sociais Aplicadas.
iii
Dedico este trabalho à Universidade Federal do ABC, pela oportunidade de
estudar em uma Instituição que garante o que todo jovem brasileiro tem o
direito: ensino de alta qualidade.
iv
AGRADECIMENTOS
Aos meus pais, que sempre me deram incentivo para o estudo e esperança para
o futuro.
v
RESUMO
vi
ABSTRACT
vii
ÍNDICE DE TABELAS
Tabela 1- Comparação de eficiência luminosas ...................................................................... 21
Tabela 2 - Cores e seus respectivos comprimentos de onda, voltagem e materiais. ............... 43
ÍNDICE DE FIGURAS
Figura 1 - A vela de Paul Jablochkoff ..................................................................................... 13
Figura 2 - Lâmpada incandescente de Tomas Alva Edison .................................................... 13
Figura 3 - Limelight de Thomas Drumond .............................................................................. 14
Figura 4 - Evolução da tecnologia das lâmpadas utilizadas em iluminação .......................... 15
Figura 5 - Lâmpada incandescente ......................................................................................... 15
Figura 6 - Lâmpada Halógena ............................................................................................... 16
Figura 7 - Lâmpadas fluorescentes ......................................................................................... 17
Figura 8 - Lâmpada de sódio................................................................................................... 18
Figura 9 - Lâmpada de alta pressão de mercúrio ................................................................... 19
Figura 10 - Lâmpada de alta pressão de sódio ....................................................................... 19
Figura 11 - Lâmpada de vapor metálico de alta pressão ........................................................ 20
Figura 12 - Lâmpadas sem eletrodos ...................................................................................... 21
Figura 13 - Dopagem em um semicondutor de silício ............................................................. 37
Figura 14 - A formação da zona vazia em um diodo [7] ........................................................ 38
Figura 15 - Desaparecimento da zona vazia em um diodo [7] ............................................... 39
Figura 16 - Aumento da zona vazia em um diodo [7] ............................................................. 39
Figura 17 - Formação de um fóton pela combinação de um elétron e uma lacuna................ 40
Figura 18 - Transições de recombinação básicas em um semicondutor. Ed, Ea, Et são
armadilhas do tipo doadora, aceptora e nível-profundo, respectivamente. ............................ 41
Figura 19 - Componentes de um LED ..................................................................................... 43
Figura 20 - Vários exemplos de LEDs ..................................................................................... 43
Figura 21 - Sistema de coordenadas uv (CIE 1964), mostrando as coordenadas de LEDs
InGaN e AlInGaP[5] ............................................................................................................... 46
Figura 22 - Variação nas coordenadas de cor como função da temperatura [5] .................. 47
Figura 23 - Variação nas coordenadas cromáticas de um LED RGB a uma temperatura
constante [5] ............................................................................................................................ 48
Figura 24 - Degradação da luz branca (lm/W) com aumento da temperatura [5] ................. 48
Figura 25- Diversas aplicações para LEDs ............................................................................ 51
viii
LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS
ix
SUMÁRIO
1.
INTRODUÇÃO
HISTÓRICA
.....................................................................................................................
12
x
6.
GERAÇÃO
DE
LUZ
BRANCA
BASEADA
NA
MISTURA
DE
LEDS
AZUL,
VERMELHO
E
VERDE
.......................
45
7. GERAÇÃO DE LUZ BRANCA POR LEDS À BASE DE FÓSFORO ................................................................... 49
xi
1. INTRODUÇÃO HISTÓRICA
Até o início do século XI, a única alternativa para a iluminação era a produzida por
combustão (tochas na pré-história mais tarde aperfeiçoadas para lamparinas a base de
substâncias inflamáveis tais como cera de abelha e óleo) o que tornou a luz mais portátil. Um
elemento chave para a produção das lamparinas foi a descoberta do pavio, que alimenta a
chama com combustível. Este é também o princípio de funcionamento das velas (a cera
derrete com o calor da chama e serve de combustível). As lamparinas foram sendo então
aperfeiçoadas.
Um marco para este tipo de iluminação foi alcançado por Ami Agrand, que
desenvolveu a primeira lamparina que resultou de pesquisa verdadeira (feita, inclusive, por
A. L. Lavoisier que descobriu que a combustão deve-se ao oxigênio do ar). A lamparina de
Agrand significou o começo de numerosos melhoramentos feitos nas lamparinas a óleo que
proporcionaram um ganho enorme em iluminação.
Mais tarde foi descoberta pelo escocês William Murdoch a iluminação a gás, utilizada
tanto domesticamente quanto em indústrias e iluminação pública.
Os princípios da iluminação elétrica foram só descobertos no início do século XIX,
quando Sir Humphry Davey demonstrou o brilho de um fio causado pela incandescência
(calor produzido pela passagem da corrente elétrica). Porém a substituição dos dispositivos
de iluminação por combustão pelos dispositivos de iluminação por eletricidade só ocorreu por
volta de 1870, isto porque muito desenvolvimento foi preciso para que se tornasse viável. A
vela de Paul Jablochkoff partia do princípio da incandescência, apesar das poucas horas de
durabilidade foi utilizada em iluminação pública e pode ser considerada a “ancestral” da
lâmpada incandescente atual, pois ainda não era um dispositivo de iluminação eficiente.
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Figura 1 - A vela de Paul Jablochkoff
Foi em 1879 que Tomas Alva Edison demonstrou sua lâmpada de filamento
incandescente e obteve sua patente. Para o filamento foram usados materiais como papel
carbonizado e fibra de bambu em um bulbo de vidro. Com isso, até o fim do século XIX, a
lâmpada de filamento carbônico era vastamente usada em ambiente doméstico, mas ainda
precisava de aperfeiçoamentos quanto a redução de deposição de carbono no bulbo, por
exemplo, pois o escurecia e aperfeiçoamentos quanto a durabilidade sob altas temperaturas.
Então, filamentos metálicos foram desenvolvidos até a descoberta do tungstênio, presente nas
lâmpadas atuais.
13
Em 1900, Peter Cooper patenteou a lâmpada de mercúrio, que apresentava eficiência
superior à das lâmpadas incandescentes. Em 1938 surgiram as lâmpadas fluorescentes ainda
mais eficientes, que têm sua luminescência devido às excitações produzidas pelos raios
ultravioletas no mercúrio.
O primeiro dispositivo de luz no estado sólido foi o Limelight, descoberto por
Thomas Drummond em 1826 era baseado no efeito da candoluminescência (luz produzida
pela excitação térmica dos íons).
14
Figura 4 - Evolução da tecnologia das lâmpadas utilizadas em iluminação
2. BULBOS E TUBOS
15
Os elétrons associados aos átomos que vibram podem ser impulsionados
temporariamente para um nível mais alto de energia. Ao voltarem ao seu nível normal, os
elétrons liberam sua energia na forma de fótons. Geralmente, os átomos de metais liberam
fótons de luz infravermelha, que é invisível ao olho humano, porém, se os átomos forem
aquecidos a aproximadamente 2.200º C como por exemplo no caso da lâmpada
incandescente, emitirão uma quantidade considerável de luz visível.
Para reduzir a evaporação do tungstênio, o bulbo é preenchido com gases inertes de
alto peso atômico (argônio e raramente criptônio). Para reduzir o escurecimento do bulbo,
lâmpadas abaixo de 40W são evacuadas para retirada do oxigênio.
Nas lâmpadas incandescentes a maior parte da radiação emitida está na faixa do
infravermelho a eficiência luminosa geral de uma lâmpada 120V varia de 8 lm/W , ou seja ,
em uma lâmpada incandescente 120V/100W somente 7% da energia consumida é convertida
em radiação visível. A sua durabilidade típica é de 750 até 1000 horas (220V).
Atualmente lâmpadas incandescentes são usadas em ambiente residencial, em sinais e
painéis luminosos. Lâmpadas incandescentes utilizadas nos semáforos antigos já estão sendo
substituídas por LEDs e em alguns países da Europa ela foi totalmente banida e em outros
países vem gradualmente sendo substituída por lâmpadas fluorescentes.
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As lâmpadas halógenas possuem o dobro da durabilidade de uma lâmpada comum
(2000 a 4000 horas) ou então uma eficiência maior em uma mesma durabilidade e também
requerem uma menor watagem para a mesma eficiência.
Uma desvantagem é seu grande aquecimento e seu preço elevado. São utilizados em
estúdios de filmagem e fotografia, projetores de filmes e também em residências (spots).
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As lâmpadas fluorescentes param de funcionar pela deterioração dos cátodos e do
fósforo. Sua durabilidade varia de 5000 a 24000 horas. As lâmpadas fluorescentes dominam
em geral iluminação industrial e comercial.
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Figura 9 - Lâmpada de alta pressão de mercúrio
A lâmpada consiste em um tubo em forma de arco, feito de sílica fundida, contendo
vapor de mercúrio a alta pressão (2 a 10 atm), pois emite radiação visível com maior
eficiência sob altas pressões. Os eletrodos são feitos de tungstênio e impregnados de
materiais eletro emissivos. O bulbo externo é preenchido com nitrogênio puro ou misturado
com argônio para prevenir a oxidação da estrutura interna.
Por causa da sua deficiência de cor vermelha, a lâmpada de mercúrio possui uma
renderização ruim. Para contornar o problema, as paredes internas do bulbo externo são
cobertas por fósforo, que converte o restante do UV em luz vermelha, melhorando também a
eficiência da lâmpada.
Mais da metade da potência consumida é dissipada em forma de calor e também em
raios UV e IR. A sua eficiência luminosa varia de 20 a 50 lm/W e sua durabilidade atinge
24000 horas. Esse tipo de lâmpada tem maior uso em iluminação pública (complementar às
lâmpadas de sódio) e em alguns estabelecimentos comerciais.
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bulbo é feito de alumínio policristalino translúcido. Um bulbo exterior cobre o tubo em arco e
é evacuado. Sua eficiência luminosa é de 60 a 130 lm/W e durabilidade de 24.000 horas. A
sua renderização supera a das lâmpadas de baixa pressão, mas ainda continua pobre. Sua
utilização consiste em iluminação pública.
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Figura 12 - Lâmpadas sem eletrodos
A maior razão para a falha de todos os tipos de lâmpada deve-se pela deterioração de
seus eletrodos. Eletrodos foram inventados mais de 100 anos, porém, somente recentemente
lâmpadas sem eletrodos se tornaram disponíveis. Na prática, a descarga luminosa é excitada
ou por indução ou por radiação microondas. O bulbo é preenchido com um gás inerte. A
parede externa do bulbo é preenchida com fósforo que absorve a radiação UV e a converte
em radiação visível. A sua eficiência luminosa é de 40 a 70 lm/W. Sua renderização também
é boa. O seu diferencial é a durabilidade 100.000 horas.
3. FUNDAMENTOS EM ELETRÔNICA
Se um átomo foi levado de seu estado normal para um estado excitado, por um elétron
incidente após um intervalo de tempo este retorna ao seu estado normal. Nessa transição, o
átomo deve perder uma quantidade de energia igual à diferença de energia entre os dois
estados que ocupou sucessivamente, esta energia é emitida na forma de um fóton de luz. O
termo fóton define a quantidade de energia radiante dada pelo produto da constante h pela
21
freqüência. Classicamente, acreditou-se que os átomos emitissem radiação continuamente em
todas as direções; entretanto isto não é verdade; a emissão de luz por um átomo é um
processo descontínuo, ou seja, só irradia durante a transição de um nível de energia para um
de energia mais baixa.
O comprimento de onda da radiação emitida depende da distância das transições entre
os estados estacionários.
Fotoexcitação:
O fóton não será absorvido ao menos que sua energia corresponda exatamente à
diferença de energia entre dois níveis estacionários do átomo com qual ele colide.
Fotoionização:
Dois elétrons em um mesmo átomo não podem ter o mesmo conjunto de quatro
números quânticos: n, l, ml e ms. Ou seja, não podem ocupar o mesmo estado quântico.
Camadas Eletrônicas:
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níveis de energia dos elétrons das camadas mais internas de cada átomo não são afetados pela
presença dos átomos vizinhos; entretanto, os níveis de energia dos elétrons da camada mais
externa são afetados consideravelmente, visto que estes elétrons são compartilhados por mais
de um átomo no cristal. Sabe-se que o acoplamento entre os elétrons da camada mais externa
dos átomos resulta em uma banda de energia. Se o espaçamento decresce para um valor
abaixo daquele para o qual as bandas se superpõem, então a interação entre os átomos será
muito grande.
23
A corrente em um metal é devida ao movimento de elétrons enquanto que em um
semicondutor, ao movimento de elétrons e cargas positivas (lacunas).
Densidade de Corrente:
Condutividade:
Sabe-se que em temperaturas muito baixas, o cristal comporta-se como isolante, pois
não possui portadores livres de eletricidade, contudo à temperatura ambiente, algumas das
ligações covalentes são quebradas podendo então ocorrer condução. A ausência de elétron na
ligação covalente a torna incompleta, formando uma lacuna. A sua importância está em poder
ser usada efetivamente como um portador de eletricidade comparável ao elétron livre.
Quando uma ligação é incompleta, tal que existe uma lacuna, ela é facilmente
preenchida por um elétron de valência que deixa uma ligação covalente de um átomo vizinho;
Este elétron ao sair da ligação covalente deixa outra lacuna. Assim, diz-se que a lacuna se
move na direção oposta a dos elétrons.
24
Doadores:
Aceitadores
Se o dopante possuir três elétrons de valência, somente três das ligações covalentes
podem ser preenchidas e a ausência de um elétron na quarta ligação representa uma lacuna
que será utilizada como um portador positivo disponível, pois cria lacunas para aceitar
elétrons.
Concluímos que a dopagem de um semicondutor intrínseco não somente aumenta a
condutividade, mas é empregada também para produzir um condutor em que os portadores
elétricos são predominantemente lacunas (tipo p) ou elétrons (tipo n).
A Banda proibida em um semicondutor depende da sua temperatura.
A Mobilidade é uma função da temperatura e também do campo elétrico
25
Como a condutividade de um semicondutor é proporcional à concentração de
portadores livres, ela pode ser aumentada com o acréscimo de n ou p. Os dois mais
importantes métodos para variar n e p são a variação de temperatura ou de iluminamento
sobre o semicondutor, gerando com um ou outro processo, novos pares elétron-lacuna.
Termistores:
Fotocondutores:
Resposta Espectral:
26
Centros de recombinação:
3.2.6 DIFUSÃO
Além da corrente de condução, o transporte de cargas elétricas em um semicondutor
pode ocorrer pelo mecanismo de difusão.
Imaginando que em um semicondutor exista uma concentração não uniforme de
lacunas, e fosse tracejada uma linha dividindo-o. As lacunas se encontram em um movimento
randômico como resultado de sua energia térmica, de acordo com essa idéia as lacunas
movimentam-se de um lado para outro da linha imaginária então em um determinado
intervalo de tempo mais lacunas se movimentam do lado mais concentrado para o menos
concentrado. A componente resultante das lacunas através da superfície constitui uma
corrente.
Se uma barra semicondutora longa for dopada uniformemente com átomos doadores a
fim de que a concentração de n seja independente da posição e uma radiação incide em um
dos extremos da barra, alguns dos fótons incidentes são capturados pelos elétrons das
ligações covalentes quebrando-as e assim haverá geração de pares elétron-lacuna.
Supondo que a concentração de minoritários é muito menor do que a concentração de
majoritários (condição de baixo nível de injeção) a concentração de lacunas diminui
exponencialmente com a distância.
Correntes de difusão:
27
A corrente de difusão de minoritários diminui exponencialmente com a distância, da
mesma maneira como diminui a concentração de portadores minoritários, esse resultado é
usado para determinar a corrente em um diodo semicondutor.
Correntes de deriva:
Se uma barra semicondutora está em circuito aberto, a corrente resultante (soma das
correntes de lacuna e de elétron) deve ser zero em qualquer ponto da barra. Portanto uma
corrente de deriva de majoritários deve existir e também diminui com a distância, para isso,
deve existir um campo elétrico na barra que é criado internamente pelos portadores injetados.
A corrente de deriva do portador minoritário é desprezível quando comparada com a corrente
de difusão deste mesmo portador, justificando assim a hipótese de que a corrente do portador
minoritário injetada em baixo nível de injeção é predominantemente uma corrente de difusão.
A dopagem pode ser dita não uniforme ou gradual quando a concentração dos
portadores varia com a posição x. Se não houver nenhuma excitação externa (nenhum
portador é injetado por fonte externa) a corrente de lacuna e também de elétrons deve ser
zero. Supondo que a concentração de p não é constante, espera-se uma corrente de difusão de
lacunas não nula. Para que a corrente total de lacunas se anule deve existir uma corrente de
deriva de lacuna igual e de sentido oposto à corrente de difusão, contudo uma corrente de
difusão requer um campo elétrico, então concluímos que o resultado da dopagem não
uniforme é um campo elétrico gerado dentro do próprio semicondutor.
28
Dois tipos de portadores de cargas móveis (lacunas positivas e elétrons negativos) são
disponíveis. Esta natureza bipolar difere da propriedade unipolar de um metal que possui
somente elétrons livres.
29
A diferença no gradiente de concentração de portadores causa uma corrente de
difusão, assim, lacunas desaparecem como resultado da combinação com elétrons que se
difundiram através da junção. O mesmo ocorre com elétrons que se combinam com lacunas
que se difundiram do material tipo p para o tipo n através da junção;
A região próxima à junção é depletada de cargas móveis (não possui portadores
móveis), por isso é conhecida como região de depleção, região de carga espacial ou região
de transição.
Polarização reversa:
A polarização reversa consiste em ligar nos terminais de uma junção p-n uma bateria
de modo que o terminal negativo é ligado ao lado p e o terminal positivo, ao lado n. Dessa
forma, os elétrons são espalhados para a esquerda e as lacunas, para a direita da junção As
lacunas formadas no silício tipo n serão afastadas da junção e de maneira análoga, os elétrons
gerados termicamente no silício tipo p, serão também afastados. Esta pequena corrente
chama-se corrente reversa de saturação (Io).
Polarização direta:
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Contatos Ôhmicos:
São contatos que ligam o semicondutor a circuito que foram fabricados de tal maneira
que não tenham características retificantes, isto é, o potencial de contato na junção é
constante e independente do sentido e magnitude da corrente.
Se a tensão no circuito for zero, o dispositivo p-n estará em curto-circuito. Sob essas
condições, a soma das tensões da malha formada pela barra e pelo fio metálico deve ser zero.
Lei da Junção:
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Componentes da corrente de portadores majoritários:
Longe da junção, no lado p, a corrente do diodo é a corrente Ipp de lacunas de deriva
(condução), mantida pelo pequeno campo elétrico no semicondutor. Assim que as lacunas se
aproximam da junção, algumas delas se recombinam com os elétrons que são injetados no
lado p vindos do lado n.A corrente Ipp decresce, assim, na direção da junção (seguindo a
variação do gradiente para manter a corrente total constante independente da distância).
O restante da corrente Ipp atravessa a junção, penetra no lado n e torna-se a corrente
de difusão de lacunas Ipn. Enfatiza-se que a corrente de um diodo p-n possui caráter bipolar,
visto que é composta por portadores de eletricidade positivos e negativos. A corrente total é
constante através do dispositivo, mas a proporção de lacunas e elétrons varia com a distância.
Indica valores de tensão para qual a corrente ainda é muito pequena (digamos 1% do
valor máximo nominal).Além do valor de tensão Vγ a tensão aumenta rapidamente.
Experimentalmente tem-se que é 0,2V para o germânio e 0,6V para o silício.
A razão para esta diferença é devida ao fato de que a corrente de saturação reversa do
germânio é cerca de mil vezes maior que a corrente de saturação reversa no silício. Assim, Io
está na faixa dos microampéres para o germânio e na faixa dos nanoampéres para o silício.
Característica Logarítmica:
32
incrementos cada vez menores na corrente “achatando” a curva. A razão para este
comportamento está na resistência ôhmica do diodo.
Assim, para altas correntes, um diodo comporta-se mais como um resistor que como
um diodo, e a corrente aumenta linearmente em vez de exponencialmente com a tensão
aplicada.
Uma aproximação para grandes sinais que sempre leva a uma solução suficientemente
precisa na engenharia é a representação linear por trechos. Nesta aproximação, o diodo
comporta-se como circuito aberto se V < Vγ e r possui um valor constante (dV/dI) se V >
Vγ. Para modelos de grandes sinais, é empregada a resistência direta (Rf), sendo que Rf =
V/I
33
Um fotodiodo semicondutor é uma junção reversamente polarizada iluminada. Sua
corrente varia quase que linearmente com o fluxo luminoso.
Potencial Fotovoltaico:
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Se um feixe de luz incide sobre a superfície, portadores minoritários são injetados e,
como a barreira permite sua passagem, a corrente de portadores minoritários aumenta.
Visto que em circuito aberto a corrente total deve ser zero, a corrente de majoritários
deve aumentar tanto quanto a corrente de minoritários. O que só ocorre se houver diminuição
no campo elétrico e na barreira no caso, com a radiação.
Para obtermos a resistência ótima de carga, que nos forneça a máxima potência na
saída, devemos assumir diversos valores de RL e ler os respectivos valores de V e I,
calculando P = VI e plotando os pontos em função de RL.
Para uma tensão aplicada nula, obtemos uma corrente não nula. Assim, a fotocélula
pode ser usada para condições de curto-circuito. Essa corrente, IS é proporcional à
intensidade de luz.
35
4.1 ILUMINAÇÃO – NECESSIDADE E INVENÇÃO
A iluminação sempre teve um papel de grande importância e utilidade em toda a
história e cotidiano humano. Os poucos recursos de antigamente garantiam a sua obtenção a
partir da queima de combustíveis fósseis tais como o carvão, gás e óleos animais.
O desenvolvimento de novas tecnologias para sua obtenção garantiu fontes menos
poluidoras e mais eficientes. A obtenção de iluminação a partir da lâmpada incandescente por
Thomas Edison em 1789 deu fim à queima de combustíveis para iluminação.
As mesmas lâmpadas incandescentes foram aprimoradas e são utilizadas até hoje,
porém apresentam baixa eficiência, já que convertem somente uma pequena parte da energia
elétrica fornecida em energia luminosa além de desperdiçarem grande parte dessa energia
elétrica em energia térmica.
4.3 PERSPECTIVAS
Considerando tais inviabilidades iniciais, seu uso ficou restrito no setor eletrônico
usado como sinalização em equipamentos, mas uma vez que essas barreiras sejam
transpostas, existe uma infinidade de possíveis aplicações para os LEDs; Quando os
dispositivos atingirem uma eficácia de 150-200 lm/W e custarem $0.01/lm, substituirão a
iluminação à base das lâmpadas fluorescentes convencionais.
Os LEDs permitirão uma redução no consumo de energia elétrica, devido seu baixo
consumo e alta eficiência, uma redução no custo dos materiais para instalação (fios mais
finos), a possibilidade do funcionamento sem fio (transmissão de energia elétrica via ondas) e
a redução da emissão de poluentes e conseqüentemente dos danos ambientais.
36
5. LEDS INORGÂNICOS
37
Um diodo é então composto por uma junção do semicondutor tipo-N com um do tipo-
P sendo que esse arranjo só conduz corrente elétrica em um único sentido. Quando não se
aplica voltagem ao diodo, elétrons do semicondutor N preenchem todos os buracos do
semicondutor tipo P, formando uma “zona vazia” (zona de depleção) que separa as duas
camadas. Nesta zona vazia não há como ocorrer condução de corrente, pois não existem nem
lacunas livres nem elétrons livres.
Para se livrar dessa “zona vazia” deve-se conectar ao tipo-N o pólo negativo e ao
tipo-P o pólo positivo (polarização direta), com isso os elétrons livres do tipo-N são repelidos
pelos elétrons emitidos pelo pólo negativo da tensão, e são levados para a região P o diodo,
da mesma forma, os buracos movem-se em direção contrária. Quando a tensão aplicada é
forte o suficiente, os elétrons livres que estavam nos buracos na “zona vazia” são forçados
para fora, a zona desaparece e a corrente flui pelo diodo.
38
Figura 15 - Desaparecimento da zona vazia em um diodo [7]
Por outro lado, se conectarmos a região-N do diodo ao pólo positivo da fonte de
tensão e a região-P ao pólo negativo (polarização reversa), a corrente não será conduzida, isso
porque os elétrons livres da região P serão atraídos pelo pólo positivo da tensão e o mesmo
acontecerá com os buracos e o pólo negativo. Assim, elétrons e buracos ficarão concentrados
em lados extremos do diodo, o que aumenta a zona de redução e não permitirá a condução de
corrente.
39
A eletroluminescência é a conversão da eletricidade diretamente em luz, ou seja, um
fenômeno óptico e elétrico durante o qual um material emite luz em resposta a uma corrente
elétrica que o atravessa. É o resultado da recombinação radioativa entre elétrons e lacunas.
Esse fenômeno pode ocorrer em uma variedade de sistemas em diferentes condições, mas o
tipo de eletroluminescência mais eficiente é o causado pela injeção de portadores em
semicondutores. [3]
Em um átomo, os elétrons estão dispostos em orbitais, sendo que os elétrons que
possuem mais energia se localizam em orbitais mais distantes do núcleo. Para que um elétron
mude de um orbital para outro de maior energia é preciso fornecer energia a ele, da mesma
forma, quando um elétron muda de um orbital para um de menor energia ele libera energia.
Esta energia é liberada na forma de um fóton. Quanto maior for a diferença de energia entre
os orbitais, mais energético é o fóton liberado,que também possui uma maior freqüência.
Os elétrons livres do diodo , quando combinados com as lacunas, sofrem justamente
essa queda para um orbital mais baixo na banda de condução, então esses elétrons liberam
energia na forma de fótons (Figura 17). Os fótons tornam-se visíveis dependendo do tipo de
material usado no diodo, por exemplo, em um diodo de silício os átomos estão organizados
de uma forma que o elétron sofre uma queda de orbital relativamente baixa,
conseqüentemente a freqüência do fóton é tão baixa que este não é visível ao olho humano,
pois está na faixa do infravermelho do espectro da luz. O que não é necessariamente ruim,
esses LEDS são ideais para controles remotos entre outros.
LEDS emissores de luz visível possuem uma maior distância entre a banda de
condução e os orbitais de baixa energia
40
5.2.1 TRANSIÇÕES RADIOATIVAS:
Portadores de carga em excesso recombinam-se de forma radioativa e não-radioativa.
As frações destas recombinações determinam a eficiência quântica interna de um LED. Um
mecanismo intrínseco de recombinação radioativa é a transição banda-a-banda, em que um
par elétron-lacuna recombina-se emitindo um fóton.[2]
A Figura 6, abaixo, demonstra esquematicamente as transições de recombinação
básica dos portadores em excesso em um semicondutor. Essas transições podem ser
classificadas como:
(1) Transição inter-bandas
(a) Emissão intrínseca correspondendo similarmente à energia do bandgap
(b) Emissão de alta-energia envolvendo portadores energéticos, às vezes relacionados
por emissão de avalancha.
(2) Transições envolvendo impurezas químicas e defeitos físicos.
(a) Banda de condução para defeito do tipo aceptor
(b) Defeito tipo doador para banda de valência.
(c) Defeito doador para defeito aceptor
(d) Banda-a-banda
(3) Transições intra-banda (Auger Process)
41
ocupados pelo elétron e a lacuna, respectivamente.A conservação do momento impõe
requerimentos estritos na estrutura da banda de energia do semicondutor usados nas regiões
ativas dos LEDs.[2]
Um material luminescente eficiente é o qual transições radioativas predominam sobre
as não-radioativas. A recombinação banda-a-banda é o processo onde a recombinação
radioativa é mais provável.
A Eficiência quântica externa é o número de fótons emitidos pelo número de elétrons que
atravessaram o LED. É dada pelo produto da eficiência quântica interna (ŋrad) pela eficiência
de injeção (ŋinj) e eficiência óptica (ŋop t)
A Eficiência de injeção é a fração dos elétrons que atravessao o LED que são injetados na
região ativa, onde ocorre a recombinação radioativa
42
5.3 ASPECTOS FÍSICOS
CORES E MATERIAIS
43
Comprimento
Material
Cor
Voltagem
[V]
de
onda
[nm]
Semicondutor
5.4 VANTAGENS
Todos os diodos produzem luz, porém a maioria não o faz de forma muito eficiente,
pois em um diodo simples o próprio material com que é feito absorve muita energia da luz. Já
os LEDS são construídos para maximizar essa eficiência, emitindo o máximo de fótons, e
também, concentrando essa emissão em uma direção através do bulbo que envolve o
dispositivo, a luz emitida é então refletida por suas paredes até a direção desejada.
Por não possuírem um filamento incandescente, duram mais que as lâmpadas comuns,
chegando a funcionar por 20 mil horas, além de se adaptarem mais facilmente aos circuitos
modernos. Tanto sua tensão como corrente de operação são baixas.
Sua maior vantagem é a eficiência, pois não existe energia térmica liberada, sendo
assim uma maior porcentagem da energia elétrica fornecida é usada para a produção de luz,
economizando a demanda por energia elétrica.
Apesar de serem mais caros que as lâmpadas convencionais, em um longo prazo a
economia de energia compensa o investimento.
LEDs são mais resistentes a vibrações e choques mecânicos o que aumenta ainda mais
sua gama de aplicações.
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5.5 DESVANTAGENS
As desvantagens no uso de LEDs são seu alto custo de produção em comparação com
outras lâmpadas, sua forte dependência com a temperatura de funcionamento, sua
sensibilidade a alterações de voltagem (o que implica na necessidade de um resistor), a baixa
qualidade da iluminação, que ainda não se compara a das lâmpadas convencionais, podendo
alterar a cor dos objetos por ele iluminados e sua maior complexidade tecnológica para
desenvolvimento, ainda não plenamente conhecida e não muito explorada no Brasil.
Lâmpadas baseadas em LEDs de alto brilho RGB (vermelho, verde e azul) podem
produzir quase qualquer cor, inclusive luz branca. A eficiência luminosa da luz branca
emitida por lâmpadas de LED já ultrapassa a eficiência das lâmpadas incandescentes.
Existem dois tipos de geração de luz branca a partir de LEDs: utilizando fósforo ou
então LEDs multicoloridos (incluindo LEDs RGB). A combinação de LEDs RGB
proporciona uma eficiência maior comparada à dos LEDs de fósforo.
Existem vários tipos de LEDs brancos multicoloridos: di , tri e tetracromáticos.
Geralmente uma maior eficiência implica em uma renderização de cor mais baixa. Por
exemplo, LEDs brancos dicromáticos têm uma melhor eficiência luminosa (120 lm/W), mas
a menor capacidade de renderização cromática. Em contraponto, LEDs brancos
tetracromáticos têm uma excelente capacidade de renderização de cor, e conseqüentemente a
eficiência luminosa mais baixa. LEDs brancos tricromáticos estão intermediários, tendo
ambas boa eficiência luminosa (>70lm/W) e capacidade de renderização.
A obtenção de luz branca através de LEDs RGB apresenta alguns desafios. Deve ser
levado em consideração que para poder ser utilizada comercialmente em diversas aplicações
a uniformidade da cor na distribuição espacial da luz da lâmpada de LEDs deve estar em
níveis aceitáveis. Esta uniformidade é dificilmente alcançada, pois misturando um ou mais
LEDs vermelho, verde e azul, qualquer variação em uma das cores ou um LED sequer pode
causar uma variação significante na cor resultante.
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Efeito da idade: A emissão de luz dos LEDs brancos multicoloridos muda conforme
o tempo. Em geral, a emissão de luz decresce com o tempo e atinge 50% da emissão inicial
após 50 mil horas de operação. O que resulta em mudanças em um LED RGD que não podem
ser previstas.
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7. GERAÇÃO DE LUZ BRANCA POR LEDS À BASE DE
FÓSFORO
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lâmpadas é o menor consumo de energia elétrica e a maior durabilidade, que implica na
diminuição dos custos para manutenção.
Atualmente, LEDs são utilizados em semáforos e demais sinalizações de trânsito, em
displays alfanuméricos e de vídeo e sinalização em automóveis, pois seu poder de iluminação
é alto o suficiente para ser visível mesmo quando expostos à luz solar direta. Na área médica
os LEDs podem ser encontrados em fototerapia, terapia fotodinâmica (utilizada no combate
ao câncer) e polimerização de compostos dentários. Na área botânica LEDs são usados para
interferir no processo de fotossíntese das plantas, aumentando seu crescimento. Dentre os
instrumentos para medições óticas podemos encontrar LEDs em sensores de fluorescência e
espectroscopia.
É na iluminação que os LEDs, principalmente os emissores de luz branca, encontram
sua aplicação mais promissora. A proposta de uma iluminação geral feita por LEDs é garantir
um nível de iluminação uniforme em uma área. Incluindo iluminação residencial, de
escritório, industrial, de estabelecimentos como escolas e hospitais e também sinalizações em
estradas. A iluminação baseada em LEDs é uma aplicação em constante evolução,
apresentando muitas vantagens. O seu pequeno tamanho, e a possibilidade de direção da luz
oferecem uma facilidade de integração com elementos arquitetônicos e versatilidade em
design. Além disso, esta iluminação vai ao encontro dos padrões ambientais, pois LEDs não
contêm mercúrio e também possuem um baixo consumo elétrico com uma alta eficiência
luminosa. LEDs brancos de fósforo já superaram as lâmpadas incandescentes convencionais
em termos de eficiência luminosa e dispositivos com séries desses LEDs já alcançaram as
lâmpadas fluorescentes.
O maior impedimento desta aplicação é o alto custo em comparação com as outras
lâmpadas, porém, este empecilho está diminuindo por um fator de 10 a cada 10 anos.
Considerando a longa durabilidade dos LEDs, é esperado que a partir da segunda década do
século XXI não existam mais empecilhos para esta tecnologia.
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Figura 25- Diversas aplicações para LEDs
No Brasil, estima-se que 30% de toda a energia elétrica consumida é utilizada para
iluminação[4]. Isto significa que dos 444,6 TWh gerados em 2007[6], 133TWh foram
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necessários para tal fim. Se compararmos a energia elétrica gerada anualmente em Itaipu,
estimada em média de 90 TWh, concluímos que todo seu funcionamento em 2007 foi
destinado à iluminação [4]. Outra analogia pode ser feita considerando que se as lâmpadas
convencionais possuem uma eficiência em torno de 20% [1], 106,7 TWh foram gastos em
resíduo térmico dissipado. Considerando a atual estimativa da Eletronuclear [10] de que a
usina Angra III, ainda em construção, irá gerar anualmente 10,6 TWh , percebemos que
seriam necessárias dez usinas equivalentes para gerar somente o resíduo térmico dissipado.
De acordo com as expectativas de crescimento econômico no Brasil, nos
próximos anos serão necessários maiores investimentos em geração, transmissão e
distribuição de energia elétrica.A construção de novas usinas além do grande investimento
financeiro implica em alterações ambientais ( inundação e desapropriação de grandes áreas
para usinas hidrelétricas, aumento na emissão de CO2 para usinas termoelétricas). A simples
mudança na tecnologia em iluminação já quebra vários paradigmas na forma de consumo de
energia elétrica. Desta forma é possível investir menos na construção de novas usinas e
priorizar os recursos financeiros em outras áreas carentes da sociedade basileira.[4]
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11. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
[1] ZUKAUSKAS, A., SHUR, M. S., CASKA,R. “INTRODUCTION TO SOLID STATE LIGHTING”. NEW YORK.
WILEY, 2002.
[2] MILLMAN, J., HALKIAS, C. C. “ELETRÔNICA: DISPOSITIVOS E CIRCUITOS”.TÓQUIO.MCGRAW-HILL
KOGAKUSHA, 1981.
[3] Sze, S.M., Kwowk, K.Ng. “Physics of Semiconductor Devices”, 3 ed. Canada .Wiley,2007
[4] Tomioka,J., Mammana, A.P., Souza,G.P., Muller,S.L.R., Robert,R. “Novos Materiais de Estado
Sólido para Iluminação”. In: SEMINÁRIO NACIONAL DE PROUDUÇÃO E TRANSMISSÃO
DE ENERGIA ELÉTRICA, Curitiba – Paraná,2005.
[5] Muthu,S.;Schuurmans,F.J., Pashley,M.D."Red, Green, Blue LED based white light generation:
Issues and control".IEEE, 2002.
[6] EMPRESA DE PESQUISA ENERGÉTICA (BRASIL). “Balanço Energético Nacional2008: Ano
base 2007”. Empresa de Pesquisa Energética. Rio de Janeiro: EPE, 2008. 244p.
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