LA LEY DE OHM

Como la resistencia eléctrica en un circuito es muy importante para determinar la intensidad

del flujo de electrones, es claro que también es muy importante para los aspectos cuantitativos

de la electricidad. Se había descubierto hace tiempo que, a igualdad de otras circunstancias, un

incremento en la resistencia de un circuito se acompaña por una disminución de la corriente. Un

enunciado preciso de esta relación tuvo que aguardar a que se desarrollaran instrumentos de

medida razonablemente seguros. En (Ohm, 1820), un maestro de escuela alemán, encontró que

la corriente en un circuito era directamente proporcional a la diferencia de potencial que

produce la corriente, e inversamente proporcional a la resistencia que limita la corriente.

Expresado matemáticamente:

ilustración 1
Fuente:
www.asifunciona.com

La Ley de Ohm, postulada por el físico y matemático alemán Georg Simon Ohm, es una de las

leyes fundamentales de la electrodinámica, estrechamente vinculada a los valores de las

unidades básicas presentes en cualquier circuito eléctrico como son:

Tensión o voltaje "E", en volt (V).

Intensidad de la corriente " I ", en ampere (A).

Resistencia "R" en ohm ( ) de la carga o consumidor conectado al circuito.

 Circuito eléctrico cerrado compuesto por una pila de 1,5 volt,

una resistencia o carga eléctrica "R" y la circulación de una

intensidad o flujo de corriente eléctrica " I " suministrado

por la propia pila.

ilustración 2
Fuente:
www.asifunciona.com

Debido a la existencia de materiales que dificultan más que otros el paso de la corriente

eléctrica a través de los mismos, cuando el valor de su resistencia varía, el valor de la intensidad

de corriente en ampere también varía de forma inversamente proporcional. Es decir, a medida

que la resistencia aumenta la corriente disminuye y, viceversa, cuando la resistencia al paso de

la corriente disminuye la corriente aumenta, siempre que para ambos casos el valor de la

tensión o voltaje se mantenga constante.

Por otro lado y de acuerdo con la propia Ley, el valor de la tensión o voltaje es directamente

proporcional a la intensidad de la corriente; por tanto, si el voltaje aumenta o disminuye, el

amperaje de la corriente que circula por el circuito aumentará o disminuirá en la misma

proporción, siempre y cuando el valor de la resistencia conectada al circuito se mantenga

constante.
Fórmula matemática general de representación de la ley de ohm.

Variante práctica:

Aquellas personas menos relacionadas con el despeje de fórmulas matemáticas pueden

realizar también los cálculos de tensión, corriente y resistencia correspondientes a la Ley de

Ohm, de una forma más fácil utilizando el siguiente recurso práctico:

ilustración 3
Fuente:
www.asifunciona.com

Con esta variante sólo será necesario tapar con un dedo la letra que representa el valor de la

incógnita que queremos conocer y de inmediato quedará indicada con las otras dos letras cuál

es la operación matemática que será necesario realizar.

Calculo de resistencia.

Para calcular, por ejemplo, el valor de la resistencia "R" en ohm de una carga conectada a un

circuito eléctrico cerrado que tiene aplicada una tensión o voltaje "V" de 1,5 volt y por el cual

circula el flujo de una corriente eléctrica de 500 miliampere (mA) de intensidad, procedemos de

la siguiente forma:

ilustración 4
Fuente:
www.asifunciona.com
Tapamos la letra “R” (que representa el valor de la incógnita que queremos despejar, en este

caso la resistencia "R" en ohm) y nos queda representada la operación matemática que

debemos realizar:

ilustración 5
Fuente:
www.asifunciona.com

Como se puede observar, la operación matemática que queda indicada será: dividir el valor de

la tensión o voltaje "V", por el valor de la intensidad de la corriente " I ", en ampere (A). Una

vez realizada la operación, el resultado será el valor en ohm de la resistencia "R”.

En este ejemplo específico tenemos que el valor de la tensión que proporciona la fuente de

fuerza electromotriz (FEM) (el de una batería en este caso), es de 1,5 volt, mientras que la

intensidad de la corriente que fluye por el circuito eléctrico cerrado es de 500 miliampere (mA).

Como ya conocemos, para trabajar con la fórmula es necesario que el valor de la intensidad esté

dado en ampere, sin embargo, en este caso la intensidad de la corriente que circula por ese

circuito no llega a 1 ampere. Por tanto, para realizar correctamente esta simple operación

matemática de división, será necesario convertir primero los 500 miliampere en ampere, pues

de lo contrario el resultado sería erróneo. Para efectuar dicha conversión dividimos 500 mA

entre 1000:
 ilustración 6
Fuente:
www.asifunciona.com

ilustración 7
Fuente:
www.asifunciona.com

Calculo de intensidad de la corriente.

Veamos ahora qué ocurre con la intensidad de la corriente eléctrica en el caso que la

resistencia "R", en lugar de tener 3 ohm, como en el ejemplo anterior, tiene ahora 6 ohm. En

esta oportunidad la incógnita a despejar sería el valor de la corriente " I ", por tanto tapamos

esa letra:

A continuación sustituimos “V” por el valor de la tensión de la batería (1,5 V) y la “R” por el

valor de la resistencia, o sea, 6 . A continuación efectuamos la operación matemática

dividiendo valor de la tensión el o voltaje entre el valor de la resistencia:

ilustración 8
Fuente:
www.asifunciona.com
 ilustración 9
Fuente:
www.asifunciona.com

En este resultado podemos comprobar que la resistencia es inversamente proporcional al valor

de la corriente, porque cuando el valor de "R" aumenta de 3 a 6 ohm, la intensidad " I " de la

corriente también, varía, pero disminuyendo su valor de 0, 5 a 0,25 ampere.

Calculo de la tensión o voltaje.

Ahora, para hallar el valor de la tensión o voltaje "V" aplicado a un circuito, siempre que se

conozca el valor de la intensidad de la corriente " I " en ampere que lo recorre y el valor en

ohm de la resistencia "R" del consumidor o carga que tiene conectada, podemos seguir el

mismo procedimiento tapando en esta ocasión la "V”, que es la incógnita que queremos

despejar.

ilustración 10
Fuente:
www.asifunciona.com
A continuación sustituyendo los valores de la intensidad de corriente " I " y de la

resistencia "R" del ejemplo anterior y tendremos:

ilustración 11
Fuente:
www.asifunciona.com

El resultado que obtenemos de esta operación de multiplicar será 1,5 V, correspondiente a la

diferencia de potencial o fuerza electromotriz (FEM), que proporciona la batería conectada al

circuito.

Los más entendidos en matemáticas pueden utilizar directamente la Fórmula General de la Ley

de Ohm realizando los correspondientes despejes para hallar las incógnitas. Para hallar el valor

de la intensidad "I" se emplea la representación matemática de la fórmula general de esta Ley:

ilustración 12
Fuente:
www.asifunciona.com

De donde:

I – Intensidad de la corriente que recorre el circuito en ampere (A)

E – Valor de la tensión, voltaje o fuerza electromotriz en volt (V)

R – Valor de la resistencia del consumidor o carga conectado al circuito en ohm ( ).

Si, por el contrario, lo que deseamos es hallar el valor de la resistencia conectada al circuito,

despejamos la “R” en la fórmula de la forma siguiente:

ilustración 13
Fuente:
www.asifunciona.com

Y por último, para hallar la tensión despejamos la fórmula así y como en los casos anteriores,

sustituimos las letras por los correspondientes valores conocidos:1

ilustración 14
Fuente:
www.asifunciona.com

Cálculo de la potencia.

Para calcular la potencia que consume un dispositivo conectado a un circuito eléctrico se

multiplica el valor de la tensión, en volt (V) , aplicada por el valor de la intensidad (I) de la

corriente que lo recorre (expresada en ampere ).

Para realizar ese cálculo matemático se utiliza la siguiente fórmula:

P=V•I

Expresado en palabras: Potencia (P) es igual a la tensión (V) multiplicada por la Intensidad

(I).

1
www.asifunciona.com
Como la potencia se expresa en watt (W), sustituimos la “P” que identifica la potencia por su

equivalente, es decir, la “W” de watt, tenemos también que: P = W, por tanto.2

W=V•I

Expresado en palabras: Watt (W) es igual a la tensión (V) multiplicada por la Intensidad (I).

TIPOS DE CONEXIÓN.

Conexión serie.

Dos o más resistencias se encuentran conectadas en serie cuando al aplicar al conjunto una

diferencia de potencial, todas ellas son recorridas por la misma corriente, la forma de operarla

es haciendo una suma de los valores de las resistencias. Ejemplo:

R=r1+R2+R3=RT

El esquema de conexión de resistencias en serie se muestra así:

ilustración 15
Fuente:
www.areatecnologica.com

Conexión paralelo.

Dos o más resistencias se encuentran en paralelo cuando tienen dos terminales comunes de

modo que al aplicar al conjunto una diferencia de potencial, UAB, todas la resistencias tienen

la misma caída de tensión, UAB, para operarla debemos hacer una suma inversa. Ejemplo:

R=1/R1+1/R2+1/R3=RT

Una conexión en paralelo se muestra de la siguiente manera:

2
www.electronicaparatodos.com
ilustración 16
Fuente:
www.areatecnologica.com

Conexión serie paralelo.

En una conexión serie paralelo se pueden encontrar conjuntos de resistencias en serie con

conjuntos de resistencias en paralelo, como se muestra a continuación: 3

ilustración 17
Fuente:
www.areatecnologica.com

3
www.profesormolina.com
COMPONENTES PASIVOS

Componentes electrónicos pasivos. Son aquellos que no producen amplificación y que

sirven para controlarla electricidad colaborando al mejor funcionamiento de los elementos

activos (los cuales son llamados genéricamente semiconductores). Los componentes pasivos

están formados por elementos de diversas clases, ya que son diferentes sus objetivos,

construcción y resultados.

• Resistencias.

• Condensadores.

• Bobinados e inductancias.

Entre los componentes electrónicos pasivos relacionados con la electrónica, se encuentran las

resistencias, condensadores e inductancias.

Todos ellos tienen una utilidad fundamental en todo circuito de cualquier época.

Resistencias.

La resistencia es un componente, que en su formato más común tiene forma de bastón

alargado, y es uno de los más utilizados en electrónica. Su función principal es resistirse al

paso de voltaje a través de su cuerpo, también una determinada cantidad de corriente fluirá a

través de ella; esta corriente depende del voltaje, del tamaño del material y de la

conductividad propia de el. Por lo tanto, se puede decir que las resistencias se emplean para

controlar voltaje y corriente en los circuitos electrónicos. Las más comunes se elaboran

depositando una película de carbón en forma de espiral sobre un cilindro de cerámica aislante,

También hay otros tipos en los que se utilizan láminas metálicas o hilo metálico, obviamente

con cierto grado de resistencia. En todos los casos siempre se dispone de dos terminales de

conexión para soldarlas, inclusive las de montaje superficial.

Las resistencias variables, mejor conocidas como potenciómetros, constan de un contacto

deslizante o rotatorio que topa una superficie aislante en la que se ha depositado una fina capa

o película de carbón, siendo esto lo que causa la variación del valor de la resistencia. Se

suelen utilizar para controlar el volumen de aparatos de radio y televisión. La unidad en que

se mide la resistencia es el Ohm u Ohmio en honor a George Ohm y su símbolo es la letra

griega Omega (Ω); comúnmente se abrevia simplemente como 'R'. A simple vista, las

resistencias tienen impresas unas bandas de colores, las cuales indican su valor, otras tienen el

valor impreso directamente. Para saber el valor, en el caso de las que tienen bandas de

colores, existe el "código de colores ", el cual permite saber su valor:

• La primera banda indica el primer valor.

• La segunda banda indica el segundo valor.

• La tercera banda indica el factor multiplicador x (cantidad de ceros)

• La cuarta banda (mas separada que las otras 3) indica la tolerancia del componente (+/-

%) Dorado 5% (buena calidad) o plateado 10% de tolerancia (calidad más baja).

Clases de Resistencias

Las resistencias aglomeradas: Se componen de una masa homogénea de grafito mezclado

con un elemento aglutinante, fuertemente prensado en forma cilíndrica y encapsulada en un

manguito de material aislante como el plástico.

En las resistencias de capa o película: El elemento resistivo es una finísima capa de carbón

sobre un cuerpo aislante, de forma también cilíndrica. El cuerpo central es, en algunos casos,

un minúsculo tubo de cristal con los terminales de conexión conectados a cada extremo.
Las resistencias bobinadas: Se emplea un hilo conductor que pose una resistencia específica

especialmente alta. El hilo conductor se arrolla encima de un cuerpo, generalmente un tubo de

cerámica.

Condensadores.

Componente muy importante en electrónica es el condensador, siendo los más comunes los

llamados electrolíticos. Están formados por dos láminas de aluminio, recubiertas por una capa

de óxido de aluminio, el que actúa como aislante (dieléctrico) y entre estas va una lámina de

papel impregnado en un líquido conductor llamado electrolito, de ahí su nombre. Estas 3

láminas o tiras (muy finas por lo demás) se enrollan e introducen en un cilindro que se cierra

herméticamente. Coloquialmente en la jerga electrónica se le llama "tarro".

Una característica del condensador electrolítico es que al conectarle un voltaje en sus placas,

durante un breve tiempo, fluirá una corriente eléctrica que se acumulará en cada una de ellas.

Si se desconecta el voltaje el condensador este conserva la carga y la tensión asociada por un

lapso de tiempo, siempre ligado a su valor. Debe destacarse que este tipo de condensador

tiene polaridad y no debe conectarse al revés ya que tienden a explotar violentamente,

echando gran cantidad de humo, blanco por lo general, y derramando el electrolito en el

circuito.

Bobinados e inductancias.

Las bobinas, también llamadas inductancias, son los elementos que varían en su diseño

probablemente más que cualquier otro componente de los mencionados en este sitio. En su
concepción más elemental, una bobina consiste simplemente con un hilo conductor arrollado

sobre un material aislante. Este tipo de diseños da origen a los trasformadores, las bobinas de

los relés electromagnéticos, etcétera, y en general a todos aquellos dispositivos en los que se

crea una autoinducción por variación de la corriente en un bobinado que produce líneas

magnéticas y afecta a otro bobinado creándose una fuerza electromotriz (f.e.m.) a través de un

campo magnético. La autoinducción se suele también llamar inductancia y eso explica el

nombre genérico que reciben también los bobinados.

Por lo general se parecen mucho a las resistencias, pero es inevitable al mirarlas que se nota

un alambre enrollado en su interior en forma de bobina (carrete de hilo). Al pasar una

corriente a través de la bobina, alrededor de la misma se crea un campo magnético que tiende

a oponerse a los cambios bruscos de la intensidad de la corriente. Al igual que un

condensador, un inductor se puede usar para diferenciar entre señales alternas. Al utilizar un

inductor conjuntamente con un condensador, la tensión del inductor alcanza un valor máximo

a una frecuencia específica que depende de la capacitancia y de la inductancia. 4

4
https://www.ecured.cu/Componentes_electrónicos_pasivos
SEMICONDUCTORES.

Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a

la de un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor más

utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la naturaleza, después del oxígeno.

Otros semiconductores son el germanio y el selenio. Los átomos de silicio tienen su orbital

externo incompleto con sólo cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos

átomos forman una red cristalina, en la que cada átomo comparte sus cuatro electrones de

valencia con los cuatro átomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura

ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energía calorífica para librarse

del enlace covalente y moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en electrones

libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les somete al potencial

eléctrico de una pila, se dirigen al polo positivo. 5

Ilustración 18; Electrones libres dirigiéndose al polo positivo

Fuente:

http://www.etitudela.com

5
http://www.etitudela.com/Electrotecnia/downloads/introduccion.pdf
Elementos semiconductores

Cadmio: Metal.

Boro: Metaloide

Aluminio: Metal

Galio: Metal

Indio: Metal

Germanio: Metaloide

Silicio: Metaloide

Fósforo: No metal

Arsénico: Metaloide

Antimonio: Metaloide

Azufre: No metal

Selenio: No metal

Telurio: Metaloide6

Tipos de Semiconductores y materiales

• Semiconductor Intrínseco: Es un semiconductor puro de silicio o germanio, se

comporta como aislante porque tiene pocos electrones libres y huecos debido a la energía

térmica.

• Semiconductor Extrínseco: Son los semiconductores que están dopados, es decir que

tiene impurezas. Hay dos tipos, tipo N y tipo P.

6
http://www.ejemplos.com/15-ejemplos-de-materiales-semiconductores/
 Tipo N: Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras". Como los electrones

superan los huecos en un semiconductor tipo N, reciben el nombre de "portadores

minoritarios".

Tipo P: Es el que está impurificado con impurezas "Aceptadoras”. Como el número de

huecos supera el número de electrones libres, los huecos serán los portadores mayoritarios y

los electrones libres serán los minoritarios.

Semiconductores P y N En la práctica, para mejorar la conductividad eléctrica de los

semiconductores, se utilizan impurezas añadidas voluntariamente. Esta operación se

denomina dopado, utilizándose dos tipos: • Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos

átomos tienen cinco electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el

fósforo, el antimonio y el arsénico. • Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos

tienen tres electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el

galio y el indio.

Materiales semiconductores:

Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por

ejemplo, constituyen elementos que poseen características intermedias entre los cuerpos

conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo,

bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulación de la corriente

eléctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar

corriente alterna, detectar señales de radio, amplificar señales de corriente eléctrica, funcionar

como interruptores o compuertas utilizadas en electrónica digital, etc.

Los átomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco

electrones en su última órbita, de acuerdo con el elemento específico al que pertenecen. No

obstante, los elementos más utilizados por la industria electrónica, como el silicio (Si) y el

germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su última órbita. En este caso, el

equilibrio eléctrico que proporciona la estructura molecular cristalina característica de esos

átomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los átomos de

los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la

corriente eléctrica fluya a través de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de

potencial o corriente eléctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad eléctrica

alguna, se comportan de forma similar a un material aislante.

Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor:

La mayor o menor conductividad eléctrica que pueden presentar los materiales

semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los

metales, a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente también

aumenta, disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos

semiconductores, pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad también

aumenta. En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar

aplicando uno de los siguientes métodos:

▪ Elevación de su temperatura

▪ Introducción de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina

▪ Incrementando la iluminación.7

7
https://www.ecured.cu/Semiconductores
DIODOS.

En la construcción del diodo semiconductor. Se colocan dos materiales semiconductores

con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Un material es semiconductor como

silicio o germanio excesivamente cargado de partículas negativas (electrones). El otro

material es del mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de

cargas negativas. Cuando se aplica un voltaje de paralización directa (voltaje de corriente

directa) la región iónica en la unión se reduce y los portadores negativos en el material tipo n

pueden superar la barrera negativa restante iones positivos y continuar su camino hasta el

potencial aplicado.

Los diodos prácticos se construyen como una sola pieza de material semiconductor, en la que

un lado se contamina con material de tipo de y el otro con material de tipo n.

Los materiales más comunes utilizados en la construcción de diodos son tres; germanio,

silicio y arseniuro de galio. En general, en silicio ha reemplazado al germanio en los diodos

debido a su mayor barrera de energía que permiten la operación a temperaturas más altas, y

los costos de material son mucho menores. El arseniuro de galio es particularmente útil en

aplicaciones de alta frecuencia y microondas. La distancia precisa en el que se produce el

cambio de material de tipo p a tipo n en el cristal varía con la técnica de fabricación. La

característica esencial de la unión PN es que el cambio en la concentración de impurezas se

debe producir en una distancia relativamente corta. De otra manera, la unión no se comporta

como un diodo.
ilustración 19

Fuente:

www.areatecnologica.com

Ilustración 20

Fuente:

www.sidleshare.com

Uso básico del Diodo.

Diodos de señal (pequeña corriente): Los diodos de señal son usados en los circuitos para

procesar información (señales eléctricas), por lo que solo son requeridos para pasar pequeñas

corrientes de hasta 100 mA. Un diodo de señal de uso general tal como el 1N4148 está hecho

de silicio y tiene una caída de tensión directa de 0,7 V.

Un diodo de germanio tal como el OA90 tiene una caída de tensión directa más baja, de 0,2

V, y esto lo hace conveniente para usar en circuitos de radio como detectores los cuales

extraen la señal de audio desde la débil señal de radio.

Para uso general, donde la medida de la caída de tensión directa es menos importante, los

diodos de silicio son mejores porque son menos fácilmente dañados cuando se sueldan, tienen

una más baja resistencia cuando conducen, y tienen muy baja corriente de pérdida cuando se

les aplica un voltaje en inversa.

Protección para relés: Los diodos de señal son también usados para proteger transistores y

circuitos integrados del breve alto voltaje producido cuando la bobina de un relé es

desconectada. El diagrama muestra cómo un diodo de protección es conectado “al revés”

sobre la bobina del relé. La corriente que fluye a través de la bobina de un relé crea un campo

magnético el cual cae de repente cuando la corriente deja de circular por ella. Esta caída

repentina del campo magnético induce sobre la bobina un breve pero alto voltaje, el cual es

muy probable que dañe transistores y circuitos integrados.

El diodo de protección permite al voltaje inducido conducir una breve corriente a través de la

bobina (y el diodo) así el campo magnético se desvanece rápidamente. Esto previene que el

voltaje inducido se haga suficientemente alto como para causar algún daño a los dispositivos.

Puentes rectificadores: Hay varias maneras de conectar los diodos para construir un

rectificador y convertir la AC en DC. El puente rectificador es una de ellas y está disponible

en encapsulados especiales que contienen los cuatro diodos requeridos. Los puentes

rectificadores se clasifican por su máxima corriente y máxima tensión inversa. Tienen cuatro

pines o terminales: los dos de salida de DC son rotulados con + y -, los de entrada de AC

están rotulados con el símbolo ~.

LED.

Los diodos son componentes electrónicos que permiten el paso de la corriente en un solo

sentido, en sentido contrario no dejan pasar la corriente. En el sentido en que su conexión

permite pasar la corriente se comporta como un interruptor cerrado y en el sentido contrario

de conexión como un interruptor abierto.

Un diodo Led es un diodo que además de permitir el paso de la corriente solo un un sentido,

en el sentido en el que la corriente pasa por el diodo, este emite luz.

Cuando se conecta un diodo en el sentido que permite el paso de la corriente se dice que está

polarizado directamente.

La definición correcta será: Un diodo Led es un diodo que cuando está polarizado

directamente emite luz.

Además la palabra LED viene del inglés Light Emitting Diode que traducido al español

es Diodo Emisor de Luz.

Diodos Led Características:

Los Diodos Leds tienen dos pines de conexión un largo y otro corto. Para que pase la

corriente y emita luz se debe conectar el pin largo al polo positivo y el corto al negativo. En

caso contrario la corriente no pasará y no emitirá luz.

Ilustración 21

Fuente:

www.areatecnologica.com

Este es el símbolo que se usa para los diodos led en los esquemas eléctricos, donde el ánodo

será el pin mas largo.

Ilustración 22

Fuente:

www.areatecnologica.com

Los led trabajan a tensiones más o menos de 2V (dos voltios). Si queremos conectarlos a otra

tensión diferente deberemos conectar una resistencia en serie con él para que parte de la

tensión se quede en la resistencia y al led solo le queden los 2V.

¿Cómo funciona?

El funcionamiento es muy sencillo. Cuando conectamos con polarización directa el diodo

led el semiconductor de la parte de arriba permite el paso de la corriente que circulará por los

pines (cátodo y ánodo) y al pasar por el semiconductor, este semiconductor emite luz.

Dependiendo del material que este hecho el semiconductor, este emitirá una luz de un color

diferente. Así podemos obtener diodos led que emitan luces de colores diferentes (aluminio,

galio, indio, fosforo, etc.).

Led RGB: Los led RGB son diodos que tienen 3 semiconductores cada uno con un color

diferente. Los colores son los colores primarios el rojo, el verde y el azul. Si controlamos esta

mezcla de colores, podemos obtener una gama inmensa de colores en los leds. Para controlar

los colores solo hace falta hacer pasar más o menos corriente por uno u otro semiconductor.

Por ejemplo si solo pasa corriente por el rojo y por el verde el color que obtenemos será el

amarillo.

¿Cuál es la Ventaja de los Diodos Led?

Dos son las grandes ventajas de los led.

La primera es que consumen menos energía que las lámparas convencionales. ¿Por qué?

Las bombillas normales emiten luz pero también calor. El calor es energía que perdemos (lo

que queremos es luz no calor). Bien pues los leds también pierden en forma de calor energía
pero en cantidades mucho menores. Esto hace que casi toda la energía que consuman se

utilice en dar luz y no calor, con el consiguiente ahorro.

El 80% de la energía que consume un led se transforma en luz, sin embargo, las bombillas

convencionales solo transforman el 20% de lo que consumen en luz, todo lo demás se vuelve

calor.

Otra ventaja es que el tiempo de duración es mucho mayor. Mientras que una bombilla

normal cuenta con una vida útil de unas 5.000 horas, la vida útil de un LED es superior a las

100.000 horas de luz, estamos hablando de 11 años de continua emisión lumínica.

Puentes rectificadores.

Rectificador de onda completa: Un rectificador de onda completa es un circuito empleado

para convertir una señal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida

(Vo) pulsante. A diferencia del rectificador de media onda, en este caso, la parte negativa de

la señal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la señal se convertirá en negativa,

según se necesite una señal positiva o negativa de corriente continua.

A continuación se muestra el circuito empleado para hacer un rectificador de onda

completa usando cuatro diodos (puente de Graetz).

Ilustración 23

Fuente:

www.blogsport.com

En este caso se emplean cuatro diodos con la disposición de la figura. Al igual que antes, sólo

son posibles dos estados de conducción, o bien los diodos 1 y 3 están en directa y conducen

(tensión positiva) o por el contrario son los diodos 2 y 4 los que se encuentran en directa y

conducen (tensión negativa).

Esta es la configuración usualmente empleada para la obtención de onda continua.

Rectificador de media onda: es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o

positiva de una señal de corriente alterna de lleno conducen cuando se polarizan

inversamente. Además su voltaje es positivo.

Ilustración 24

Fuente:

www.blogsport.com

Polarización directa (Vi > 0)

En este caso, el diodo permite el paso de la corriente sin restricción. Los voltajes de salida y

de entrada son iguales, la intensidad de la corriente puede calcularse mediante la ley de ohm.

Por una medida hermana. 8

TRANSISTORES.

El Transistor de Unión Bipolar o BJT:

EL TRANSISTOR BIPOLAR BJT Formado por dos uniones PN con tres zonas cada una

conectada a los terminales: C: "Colector", la zona central es la B:"Base" y E: "Emisor". El

Emisor está muy impurificado, la Base tiene una impurificación muy baja, mientras que el

Colector posee una impurificación intermedia. Un transistor es similar a dos diodos, el

transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector.

El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el

otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y

"Diodo de colector" (el de la derecha en este caso).

Permite que circule una corriente grande(entre el colector y el emisor) en función de una

pequeña corriente que circula por la base. Otra forma de verlo es pensar que cuando circula

corriente por la base la resistividad entre colector y emisor se reduce, con el consecuente

aumento de la corriente (si supones que el voltaje es constante).

8
www.profesormolina.com
En función de la corriente que esté circulando por la base el transistor se comportará de

alguna de las siguientes formas:

• Corte: circuito abierto (interruptor abierto) entre colector y emisor, si la corriente que

circula por la base es nula.

• Saturación: como circuito cerrando entre colector y emisor y con un aumento grande de

corriente.

• Activa: En un determinado rango de corrientes de base, la amplificación, el aumento de

corriente, que se aprecia entre colector y emisor se puede regular.

se gestiona mediante corriente y puede otorgar una gran amplificación, por lo que suelen ser

preferibles estos tipos de transistor a la hora de utilizarlos como amplificadores (aunque

también se pueden utilizar como interruptores, sobre todo cuando los cambios de estado corte-

saturación no tienen que ser excesivamente rápidos, es decir, no se está trabajando a una

frecuencia muy elevada).

Ilustración 25; Transistor BJT

Fuente: http://www.educachip.com
Curvas características y regiones de funcionamiento:

Curvas B-E IB (VBE) se corresponden con las de un diodo de unión.

Curvas Ic (VCE): para diferentes valores de IB:

Ilustración 26

Fuente:

http://www.ele-mariamoliner.dyndns.org

El Transistor NPN

El transistor NPN es un dispositivo electrónico que esta compuesto por tres regiones semi-

conductoras inter-conectadas N-P-N. Este elemento tiene por lo tanto tres pines de conexión.

El transistor es bipolar. Las uniones PN o NP están compuestas por materiales semi-

conductor.

Un material semi-conductor puede funcionar como conductor y como aislante de acuerdo a la

polarización eléctrica que se conecte.El transistor NPN tiene dos funciones básicas, ser un

interruptor electrónico o un amplificador. Este tipo de transistor también se puede clasificar

como BJT.c
El transistor NPN está compuesto por tres capas de materiales semi-conductores, este arreglo

es como un pastel de tres capas, Capa N-P-N. Estos materiales son cristales de silicio que se

encuentran dopados de forma distinta.

Cuando un cristal de material semi-conductor, (Silicio ó Germanio), se ” dopa ” con Boro,

produce un cristal semiconductor con sólo 3 electrones disponibles de 4, por lo tanto se

genera un ” hueco ” eléctrico. En cambio, cuando el cristal es dopado con impurezas

como arsénico, ( el arsénico tiene 5 electrones en su última capa ), el cristal se queda con un

electrón de más.

• El material o capa N – tiene un electrón de más.

• El material o capa P – le falta un electrón ( hueco ).

Estructura interna.

El transistor NPN tiene tres pines de conexión llamados, Colector (C), Base (B) y Emisor

(E). Estas tres conexiones están directamente sobre cada una de las capas semiconductoras N,

P y N respectivamente. La figura-1, muestra la estructura interna del transistor. Una unión NP

se le conoce también como diodo.

Ilustración 27

Fuente:

https://hetpro-store.com
Material N.

Las capas N están formadas por cristales de un material semiconductor. Por ejemplo el

Silicio, la capa N está formada por cristales de silicio con impurezas. Estas impurezas pueden

ser:

• Arsénico

• Fósforo

• Antimonio

Material P.

El material P está formado por cristales de Silicio o cualquier otro material semi-conductor

como el Germanio e impurezas como el boro. El boro al tener sólo tres electrones en su última

capa provoca un hueco al unirse a un cristal de silicio.

Símbolo de un transistor NPN.

Ilustración 28

Fuente:

https://hetpro-store.com

Transistor PNP.

Un transistor PNP típico tiene una caja de metal o de plástico de aproximadamente el

tamaño de una arveja. Los transistores de alta potencia son más grandes, casi tan grandes
como una tapa de botella. El dispositivo tiene tres cables denominados conectores que se

conectan a otras partes de un circuito. Los conectores se llaman base, colector y emisor, y

cada uno tiene una función específica. El cuerpo del transistor puede tener un número de

pieza y el logotipo del fabricante impreso o estampado en ella, junto con las letras "E", "B" y

"C" que identifican los terminales de emisor, base y colector.

Acción.

Una pequeña corriente eléctrica que fluye a los conectores emisores y a la base del

transistor controla una corriente más grande desde el emisor al colector. Un transistor PNP

gira sobre la conexión de su emisor-colector si la tensión en la base es menor que en el

emisor. Esta acción de tipo válvula permite que el transistor controle corrientes grandes y

pequeñas, un efecto amplificador en las corrientes más pequeñas.

Usos.

Un transistor PNP en un radio aumenta la señal relativamente pequeña de una antena, lo

que te permite sintonizar emisoras a muchos kilómetros de distancia. Los transistores de los

amplificadores de potencia transmiten a los altavoces que requieren grandes cantidades de

corriente. En los circuitos de computación, rápidamente intercambian corrientes de encendido

y apagado de manera completa. Los transistores también generan señales estables de alta

frecuencia utilizadas en radio y televisión.

Transistor FET:

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así

porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades

(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de

aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de

entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular

y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de

cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

Explicación de sus elementos o terminales.

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n,

llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que

forma con el canal una unión p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones

óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión

llamada puerta (g-gate) en el collar.

Ilustración 29: La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Fuente: http://dsa-research.org
 Ilustración 30: Símbolos gráficos para un FET
Ilustración 31: Símbolos gráficos para un
de canal P
FET de canal N
Fuente:
Fuente:
http://dsa-research.org
http://dsa-research.org

Fundamento de transistores de efecto de campo:

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con

purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representación se muestran en

la tabla.

Ilustración 32

Fuente:

https://unicrom.com
Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

• ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia

variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia

que presenta el dispositivo para VDS=0 (rdson), y distintos valores de VGS.

• ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta

como una fuente de corriente gobernada por VGS 3.

• ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).9

Transistores MOSFET10

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de

efecto de campo que utilizan un campo eléctricopara crear una canal de conducción. Son

dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados

digitales se construyen con la tecnología MOS.

Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal

P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulación (enhancement) o

depleción (deflexión); en la actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí

únicamente serán descritos los MOS de acumulación también conocidos como de

enriquecimiento. La figura 11 indica los diferentes símbolos utilizados para describir los

transistores MOS.

9
http://dsa-research.org/teresa/Electronica/lecturas/a%C3%B1o%20pasado/TRANSISTOR%20FET.pdf
10
https://unicrom.com
 Ilustración 33

Fuente:

https://unicrom.com

En la figura 12 se describe la estructura física de un MOSFET de canal N con sus cuatro

terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra

conectado a la fuente.

Ilustración 34

Fuente:

https://unicrom.com
La puerta, cuya dimensión es W·L, está separado del substrato por un dieléctrico (Si02)

formando una estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar una tensión

positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversión) en la superficie del

substrato y se crea un camino de conducción entre los terminales drenador y fuente.

La tensión mínima para crear ese capa de inversión se denomina tensión umbral o tensión de

threshold (VT) y es un parámetro característico del transistor. Si la VGS < VT, la corriente de

drenador-fuente es nula; valores típicos de esta tensión son 0.5 V a 3 V.

Regiones operativas del transistor.

Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes regiones operativas, definidas

principalmente por la forma en que son polarizados:

Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de

corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de

colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de ȕ (ganancia de corriente,

es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y

emisor. Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un

amplificador de señal.

Región inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo,

el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del

colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de los TBJ son diseñados para

maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parámetro beta en modo inverso es

drásticamente menor al presente en modo activo. ·

Región de corte: Un transistor esta en corte cuando: 9 9 corriente de colector = corriente de

emisor = 0, (Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el

voltaje de alimentación del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay caída de

voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0

(Ib =0)

Región de saturación: Un transistor está saturado cuando: corriente de colector = corriente

de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = Imaxima) En este caso la magnitud de la corriente

depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector

o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la

corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector ȕ

veces más grande. (Recordar que Ic = ȕ * Ib)11

Polarización de un transistor.12

Polarizar un transistor es dotarlo de los valores necesarios para que trabaje en el punto de

funcionamiento (le VCE) que nos interese. Se describen cuatro sistemas diferentes de

polarización: 1. Polarización Fija 2. Polarización Fija con resistencia de emisor. 3.

Polarización por realimentación de colector. 4. Polarización por divisor de tensión ó

Polarización Universal. Con el sistema de polarización elegido, también se pretende que el

punto de funcionamiento sea estable con la temperatura, es decir no varíe la le Y la VeE , pero

esto es difícil, ya que con los aumentos de temperatura lo hace le ya su vez, un aumento de le

produce aumentos de temperatura. El punto Qes muy inestable con los sistemas de

polarización 1 y 2, y no lo es tanto con los sistemas 3 y 4.

11
https://unicrom.com
12
https://apuntesdeelectronica.files.wordpress.com
Polarización fija.

Ilustración 35

fuente:

https://apuntesdeelectronica.files.wordpress.com

a) Recta de Carga: Aplicando la 2 8 Ley de Kirchhoff al circuito de entrada, tendremos: Vee

= Re. le + VeE Esta es la ecuación de una recta, por lo que puede representarse en un plano en

el que el eje de abscisas representa la variable VeE Y el eje de ordenadas la le Como en toda

recta, hemos de saber dos puntos cualesquiera de la misma para poder representarla. Esos

puntos haremos que sean los de corte con ambos ejes. Así: Cuando le = O, observamos en la

ecuación de la recta de carga que VeE = Vcc luego ya tenemos un punto que tiene por

coordenadas: (le = ° Y VeE = Ved a este punto le llamaremos PUNTO DE CORTE (el

transistor se dice que está en corte porque su intensidad de colector es nula).

b) Punto de Funcionamiento Q: Ahora hemos de saber cual es la VeE y la le del circuito, es

decir su punto de funcionamiento Q. Para ello aplicaremos la 2 8 Ley de Kirchoff al circuito

de entrada, y tendremos: Vee = RB . la + VBE (Como la unión Base Emisor está polarizada

directamente, la caída de tensión será la misma que se mide entre Anodo y Cátodo cuando

éste esta polarizado directamente, es decir VBE = O,7V. Despejando lB = (Vcc - VBE)1 RB

'" Obtenida la lB y teniendo en cuenta que hemos de tener el dato de la J3del transistor
utilizado, y que J3= le IIB tendremos que le = J3. le Esta será la le Q del punto de

funcionamiento, ahora hemos de obtener la VeE que le corresponde a esta intensidad.

2. polarización fija con resistencia de emisor.

ilustración 36
fuente:
https://apuntesdeelectronica.files.wordpress.com/

a) Recta de Carga: Aplicando la 2 8 Ley de Kirchhoff al circuito de entrada, tendremos: Vee

= Re. le + VeE+ RE. LE Podemos hacer la aproximación de lE: le Y no cometemos error

apreciable, por lo que quedará: Vee = Re. le + VCE+ RE. Le sacando factor común le,

tendremos: Vee = le (Re + RE ) + VCE Esta es la ecuación de una recta, por lo que puede

representarse en un plano en el que el eje de abscisas representa la variable VCE y el eje de

ordenadas la Ic '-<" Como en toda recta, hemos de saber dos puntos cualesquiera de la misma

para poder representarla.

3. Punto de Funcionamiento Q: Ahora hemos de saber cuál es la VeE y la le del circuito, es

decir su punto de funcionamiento Q. Para ello aplicaremos la 2 a Ley de Kirchhoff al circuito

de entrada, y tendremos: Vee = RB . La + VBE+ RE . lE Podemos hacer la aproximación de:

lE: l:e Y no cometemos error apreciable. Además hemos de tener en cuenta que: la = le I ~ en

la ecuación, quedará: Vee = RB . lB+ VBE+ RE. le Vee = RB . lB+ VBE+ RE . ( ls . ~) Vee =

lB( RB+ RE1 ~) + VBE (Como la unión Base Emisor está polarizada directamente, la caída

de tensión será la misma que se mide entre Ánodo y Cátodo cuando éste está polarizado

directamente, es decir VBE = O,7V.

3. polarización por realimentación de colector.

a) Recta de Carga: Aplicando la 2 8 Ley de Kirchoff al circuito de entrada, tendremos: • Vee

= Re. (le + IB)+ VeE+ RE. lE Observamos que la intensidad que circula por Re es la suma de

la de base y de la de colector, o sea la lE. Además podemos seguir haciendo la aproximación

de lE :::::le Y no cometemos error apreciable, por lo que quedará: Vee = Re .Ie + VeE+ RE. le

sacando factor común le, tendremos: Vcc =Ic ( Rc + Re ) + VCE Esta es la ecuación de una

recta, por lo que puede representarse en un plano en el que el eje de abscisas representa la

variable VCE y el eje de ordenadas la le 4 Como en toda recta, hemos de saber dos puntos

cualesquiera de la misma para poder representarla.

4. Punto de Funcionamiento Q: Ahora hemos de saber cuál es la VeE Y la le del circuito, es

decir su punto de funcionamiento Q. Para ello aplicaremos la 2 8 Ley de Kirchoff al circuito

de entrada, y tendremos: Vee = Re. lE+ RB. la + VBE+ RE. lE Podemos hacer la

aproximación de: > lE :::::le Y no cometemos error apreciable. Además hemos de tener en

cuenta que: le = le. ~ Por lo que sustituyendo en la ecuación, quedará: Vee = Re. lB. ~ + RB.

lB+ VBE+ RE. lB. ~ sacando factor común le Vee = le (Re. ~ + RB + RE . ~) + VBE Vee =

lB{~ (Re + RE) + RB} + VBE.

Polarización por divisor de tensión.

a) Recta de Carga: Aplicando la 2 a Ley de Kirchoff al circuito de entrada, tendremos: Vee

= Re. le + VeE+ RE . lE Podemos seguir haciendo la aproximación de lE >'>:: le Y no

cometemos error apreciable, por lo que quedará: Vee = Re. le + VeE+ RE. le sacando factor

común le, tendremos: Vee = le ( Re + Re l+ VeE Esta es la ecuación de una recta, por lo que

puede representarse en un plano en el que el eje de abcisas representa la variable VeE y el eje

de ordenadas la le Como en toda recta, hemos de saber dos puntos cualesquiera de la misma

para poder representarla. Esos puntos haremos que sean tos de corte con ambos ejes. Así:

Cuando le = O, observamos en la ecuación de la recta de carga que VeE = Vee luego ya

tenemos un punto que tiene por coordenadas: (le = ° y VeE= Vcc) a este punto le llamaremos

PUNTO DE CORTE (el transistor se dice que está en corte porque su intensidad de colector

es nula). Cuando VCE = O, en la ecuación de la recta de carga sustituimos y despejamos o le

= Vee / (Re + RE) O sea el otro punto tiene por coordenadas: (le = Vee I Re + Re) YVee= O)

a este punto se le llama PUNTO DE SATURACION (es la máxima intensidad que puede

circular por el colector en cualquier circunstancia) Una vez que tenemos ambos puntos

procedemos a trazar la recta de carga.

e) Punto de Funcionamiento Q: Ahora hemos de saber cual es la VeE y la le del circujto, es

decir su punto de funcionamiento Q. Vcc Haremos primero una consideración: Si nos fijamos

en el circuito h = 11 + lB pero en cualquier circuito con esta polarización 11 se hace entre 10

y 20 veces mayor que lB siempre y cuando el circuito esté bien diseñado. Por lo que podemos

considerar lB despreciable frente a 11 Lo dicho anteriormente justifica que consideremos 11 =

12 =1 Y no se comete error apreciable. Calculamos VB = R1 . I donde I = Vec / (R1 + R2)

Ahora aplicaremos la 2a Ley de Kirchoff a la malta R, - Base-Emisor y RE Y masa. Y

tendremos: VB = VBE + RE . lE como lE::= le, le = ~ . lB Y VBE= O~7 Sustituyendo y

despejando de la ecuación anterior. Tendremos: lB= (VB - 0,7) / (~ . RE) Obtenida la ls y

teniendo en cuenta que hemos de tener el dato de la ~ del transistor utilizado, y que 13= le / ls
tendremos que le = 13. lB Esta será la le Q del punto de funcionamiento, ahora hemos de

obtener la VeE que le corresponde a esta intensidad. Para ello hacemos uso de la ecuación de

la recta de carga, donde sustituiremos le Q Y despejaremos el valor de VeEQ VeEQ = Vee -

le Q (Re – Rd).13

APLICACIÓN BASICA DE LOS TRANSISTORES.

Circuitos Osciladores. Un oscilador es un dispositivo capaz de convertir la energía de

corriente continua en corriente alterna a una determinada frecuencia. Tienen numerosas

aplicaciones: generadores de frecuencias de radio y de televisión, osciladores locales en los

receptores, generadores de barrido en los tubos de rayos catódicos, etc.

Ilustración 37
Fuente:

www.unicrom.com

A) onda sinusoidal. B) onda cuadrada. C) onda tipo diente de sierra.

La mayoría de los equipos electrónicos utiliza para su funcionamiento señales eléctricas de

uno de estos tres tipos: ondas sinusoidales, ondas cuadradas y ondas tipo diente de sierra. Los

13
https://apuntesdeelectronica.files.wordpress.com
osciladores son circuitos electrónicos generalmente alimentados con corriente continua

capaces de producir ondas sinusoidales con una determinada frecuencia. Existe una gran

variedad de tipos de osciladores que, por lo general, se conocen por el nombre de su creador.

Igualmente, los multivibradores son circuitos electrónicos que producen ondas cuadradas.

Este tipo de dispositivos, es utilizado ampliamente en conmutación.

Osciladores: Los osciladores son generadores que suministran ondas sinusoidales y existen

multitud de ellos. Generalmente, un circuito oscilador está compuesto por: un "circuito

oscilante", "un amplificador" y una "red de realimentación".

Ilustración 38
Fuente:

www.unicrom.com

El oscilador Meissner: Como hemos visto hay muchos tipos de osciladores y cada uno suele

llevar el nombre de quien lo diseñó. Comenzaremos con el oscilador Meissner que está

compuesto por un circuito oscilante LC, una etapa amplificadora y una realimentación

positiva. Una de las características de este oscilador es que la realimentación se produce por

medio de un acoplo inductivo, es decir, entre una bobina auxiliar y la bobina que compone el

circuito tanque. En estos osciladores la oscilación desacoplada y amplificada debe ser

introducida de nuevo en el circuito oscilante, y para conseguir que la oscilación que entró en

un principio al circuito sea reforzada, la oscilación de la realimentación debe estar en fase con

ella. Para conseguir este efecto tenemos que cuidar que los arrollamientos del transformador
estén correctamente conectados porque, de lo contrario, no conseguiríamos ningún tipo de

oscilación. Para que se produzca una frecuencia de oscilación estable hay que tener en cuenta

todos los datos del transistor, es decir, cómo actúa frente a las diferentes tensiones,

intensidades y con los cambios de temperatura. La etapa amplificadora del oscilador está

formada por el transistor que, en esta clase de montajes, se coloca en base común. El circuito

oscilante se conecta al colector. Existe otro tipo de oscilador muy parecido al de Meissner que

se denomina oscilador de Armstrong.

Ilustración 39

Fuente:

www.unicrom.com

El oscilador Hartley: La principal característica de estos circuitos osciladores es que no

utilizan una bobina auxiliar para la realimentación, sino que aprovechan parte de la bobina del

circuito tanque, dividiéndose ésta en dos mitades, L1 y L2. Colocamos dos resistencias para

polarizar adecuadamente el transistor. Hay dos formas de alimentar al transistor: en serie y en

paralelo. La alimentación serie se produce a través de la bobina, L2, circulando por ella una

corriente continua. La alimentación en paralelo se efectúa a través de la resistencia del

colector, quedando en este caso perfectamente aislados el componente de continua y el

componente de alterna de señal. La reacción del circuito se obtiene a través de la fuerza

electromotriz que se induce en la bobina, L1, y que se aplica a la base del transistor a través

de un condensador. En estos circuitos la frecuencia de oscilación depende de la capacidad C y

de las dos partes de la bobina, L1 y L2, del circuito oscilante. Según donde se coloque la toma
intermedia de la bobina se va a producir una amplitud de tensión u otra; pudiendo llegar a

conectarse o desconectarse el circuito.

Ilustración 40

Fuente:

www.unicrom.com

El oscilador Colpitts: Este oscilador es bastante parecido al oscilador de Harley. La principal

diferencia se produce en la forma de compensar las pérdidas que aparecen en el circuito

tanque y la realimentación, para lo cual se realiza una derivación de la capacidad total que

forma el circuito resonante. Una parte de la corriente del circuito oscilante se aplica a la base

del transistor a través de un condensador, aunque también se puede aplicar directamente. La

tensión amplificada por el transistor es realimentada hasta el circuito oscilante a través del

colector. Como en todos los circuitos que tengan transistores necesitamos conectar

resistencias para polarizarlos. La tensión de reacción se obtiene de los extremos de uno de los

condensadores conectados a la bobina en paralelo.

Ilustración 41

Fuente:

www.unicrom.com
El oscilador en puente de Wien: Hasta ahora hemos visto los osciladores tipo LC, vamos a

ver ahora un oscilador tipo RC, el denominado oscilador en puente de Wien. Cuando

trabajemos en bajas frecuencias no vamos a poder usar los osciladores tipo LC, debido a que

el tamaño de la bobina y de la resistencia tendrían que ser demasiado grandes y caros. Para

sustituirlos vamos a usar una red desfasadora formada por RC, es decir, resistencias y

condensadores, como es el caso del ya mencionado oscilador en puente de Wien. Está

constituido por una etapa oscilante, dos etapas amplificadoras, formadas por dos transistores.

El circuito está conectado en emisor común y al tener dos etapas en cascada la señal es

desfasada 360º y después vuelve a ser realimentada al circuito puente. La señal de salida del

segundo transistor se aplica al circuito puente constituido por dos resistencias y también es

aplicada a la entrada del puente de Wien, que es el circuito oscilante formado por una

resistencia y un condensador. La frecuencia de oscilación viene determinada por los valores

de la resistencia y del condensador que forman el puente de Wien. Este tipo de circuitos

presenta una gran estabilidad a la frecuencia de resonancia. A parte de ésta tiene como

ventajas su fácil construcción, un gran margen de frecuencias en las que trabaja perfectamente

y la posibilidad de obtención de una onda sinusoidal pura cuando tienen la suficiente ganancia

como para mantener las oscilaciones. Dentro de sus inconvenientes podemos mencionar que

se pueden producir pérdidas en las resistencias y una salida variable con la frecuencia de

resonancia.

Ilustración 42

Fuente: www.unicrom.com
Oscilador de cristal: Con lo visto sobre el efecto piezoeléctrico parece lógico poder aplicar

las propiedades de este material, el cuarzo, para producir oscilaciones. En efecto, si a un

cristal de cuarzo le aplicamos sobre sus caras opuestas una diferencia de potencial, y el

dispositivo está montado adecuadamente, comenzarían a producirse fuerzas en las cargas del

interior del cristal. Estas fuerzas entre sus cargas provocarían deformaciones en el cristal y

darían lugar a un sistema electromecánico que comenzaría a oscilar. Sin embargo, vuelve a

ocurrir lo mismo que en los circuitos formados por un condensador y por una inductancia.

Esto es, las oscilaciones del cristal no duran indefinidamente, ya que se producen rozamientos

en la estructura interna que hacen que se vayan amortiguando hasta llegar a desaparecer. Por

tanto, necesita de un circuito externo que mantenga las oscilaciones, compensando las

pérdidas producidas por el rozamiento.14

Ilustración 43

Fuente:

www.unicrom.com

AMPLIFICADORES.

Clases de amplificadores de potencia: Los amplificadores de potencia se clasifican en

función del tipo de elemento modulador que llevan en la etapa de potencia o de salida. Este

14
www.unicrom.com
elemento es el encargado de dejar pasar la corriente eléctrica procedente de la fuente de

alimentación, en función de la tensión que recibe de la etapa anterior (driver). Es una especie

de grifo que se abre y cierra al ritmo de la señal de entrada, dejando pasar más o menos

corriente a la carga.

A su vez, el dispositivo modulador, puede ser de varios tipos en función de su configuración.

Los dispositivos moduladores son el corazón del amplificador de potencia y están basados en

uno o varios transistores. Estos transistores pueden estar asociados de distintos modos: normal

(un único transistor), paralelo (se consigue mayor corriente máxima de salida), serie (se

consigue mayor tensión máxima de salida) y Darlington (se consigue mayor ganancia).

Independientemente de cómo esté configurado el dispositivo modulador, las etapas se

clasifican según el número y disposición de dispositivos moduladores.

Dichos amplificadores se pueden clasificar de la siguiente forma:

Clase A: Un solo dispositivo modulador. Sólo produce distorsión por la alinealidad del

dispositivo. Esta clase es más teórica que práctica porque no se implementa en etapas reales

pues dan poca potencia y bajo rendimiento. Son los que mejor suenan, los más cuestan y los

menos prácticos. Despilfarran corriente y devuelven señales muy limpias. La clase A se

refiere a una etapa de salida con una corriente de polarización mayor que la máxima corriente

de salida que dan, de tal forma que los transistores de salida siempre están consumiendo

corriente. La gran ventaja de la clase A es que es casi lineal, y en consecuencia la distorsión

es menor.

La gran desventaja de la clase A es que es poco eficiente, es decir, que requiere un

amplificador de clase A muy grande para dar 50 watts, y ese amplificador usa mucha

corriente y se pone a muy alta temperatura.

Algunos amplificadores de high-end son clase A, pero la verdadera clase A sólo está en

quizás un 10% del pequeño mercado de high-end y en ninguno del mercado de gama media.

Los amplificadores de clase A a menudo consisten en un transistor de salida conectado al

positivo de la fuente de alimentación y un transistor de corriente constante conectado de la

salida al negativo de la fuente de alimentación.

La señal del transistor de salida modula tanto el voltaje como la corriente de salida. Cuando

no hay señal de entrada, la corriente de polarización constante fluye directamente del positivo

de la fuente de alimentación al negativo, resultando que no hay corriente de salida, se gasta

mucha corriente. Algunos amp de clase A más sofisticados tienen dos transistores de salida en

configuración push-pull.

Ilustración 44

Fuente:

www.geocities.ws

Clase B: Dos dispositivos moduladores en modo push-pull, uno conduce los ciclos positivos

y otro los ciclos negativos. Produce la distorsión anterior más distorsión de cruce, cuando se

pasa de un ciclo positivo a uno negativo. Mejora la potencia pero empeora el rendimiento.

Esta clase tampoco se implementa. Los amplificadores de clase B tienen etapas de salida con

corriente de polarización cero.

Generalmente, un amplificador de audio clase B tiene corriente de polarización cero en una

pequeña parte del circuito de potencia, para evitar no linealidades. Tienen una importante
ventaja sobre los de clase A en eficiencia debido a que casi no usan electricidad con señales

pequeñas.

Los amplificadores de clase B tienen una gran desventaja, una distorsión audible con señales

pequeñas. Esta distorsión puede ser tan mala que lleva a notarse con señales más grandes.

Esta distorsión se llama distorsión de filtro, porque sucede en un punto que la etapa de salida

se cruza entre la fuente y la corriente de amortiguación. No hay casi amplificadores de clase B

hoy en día a la venta.

Los amplificadores clase B consisten en un transistor de salida conectado de la salida al

positivo de la fuente de alimentación y a otro transistor de salida conectado de la salida a la

terminal negativa de la fuente de alimentación. La señal fuerza a un transistor a conducir

mientras que al otro lo corta, así en clase B, no se gasta energía de la terminal positiva a la

terminal negativa.

Ilustración 45

Fuente:

www.geocities.ws

Clase AB: Es una clase B pero mejora la polarización de los moduladores para disminuir la

distorsión de cruce, a costa de aumentar el consumo energético. Consumen aproximadamente

el doble de lo que suministra. La clase AB domina el mercado y rivaliza con los mejores de

clase A en calidad de sonido. Usa menos corriente que los de clase A y pueden ser más

baratos, pequeños, frescos, y ligeros.

Los amplificadores de clase AB son casi iguales a los de clase B en que tienen dos

transistores de salida. Sin embargo, los amplificadores de clase AB difieren de los de clase B

en que tienen una pequeña corriente de libre fluyendo de la terminal positiva a la negativa

incluso si no hay señal de entrada. Esta corriente de libre incrementa ligeramente el consumo

de corriente, pero no se incrementa tanto como para parecerse a los de clase A. Esta corriente

de libre incluso corrige casi todas las no-linealidades asociadas con la distorsión del filtro.

Estos amplificadores se llaman de clase AB en vez de A porque con señales grandes, se

comportan como amplificadores clase B, pero con señales pequeñas, se comportan como

amplificadores de clase A. La mayoría de los amplificadores disponibles en el mercado son de

clase AB.

Ilustración 46

Fuente:

www.unicrom.com

Clase C: Uno, dos o cuatro dispositivos moduladores, cada uno conduciendo en una parte del

ciclo. Si tiene n dispositivos moduladores, cada uno conduce 1/n de ciclo. Elevada distorsión

pero gran rendimiento. Se usa para señales de banda estrecha. Era típico en radiofrecuencia,

pero ahora usan del tipo AB.

Los amplificadores de clase C son similares a los de clase B en que la etapa de salida tienen

corriente de polarización cero. Sin embargo, los amplificadores de clase C tienen una región
de corriente libre cero que es más del 50% del suministro total de voltaje. Las desventajas de

los amplificadores de clase B son más evidentes en los amplificadores de clase C, por tanto

los de clase C tampoco son prácticos para audio. 15

Ilustración 47

Fuente:

www.ftunicap.br

Clase D: Dos o cuatro dispositivos moduladores que amplifican señal PWM (señal cuadrada).

Después se filtra paso bajo la señal amplificada. Destacan por la mejora del rendimiento y la

nueva filosofía de trabajo. Su forma de trabajo consiste en modular el ancho de los pulsos

(ciclo de trabajo) de una onda cuadrada (portadora), con la señal de entrada (hace de

moduladora); a continuación se amplifica la señal modulada resultante y finalmente se filtra

paso bajo para volver a obtener una señal banda base. También se la conoce como

amplificación digital.

Los amplificadores de clase D usan técnicas de modulación de pulsos para obtener incluso

mayor eficiencia que los de clase B. Mientras que los amplificadores de clase B emplean los

transistores en régimen lineal para modular la corriente y el voltaje de salida, no podrían ser

más eficientes de un 71%. Los amplificadores de clase D usan transistores que están o

encendidos o apagados, y casi nunca entre-medias y asi gastan la menor cantidad de corriente.

15
www.unicrom.com
Es obvio que los amplificadores de clase D son más eficientes que los de clase A, clase AB, o

clase B. Algunos amplificadores de clase D tienen una eficiencia del 80% a plena potencia.

Pueden incluso tener baja distorsión, a pesar de no ser tan buena como los de clase AB o A.

Los amplificadores clase D son buenos por su eficiencia. Sin embargo son terribles por otras

razones. Es esencial que un amplificador clase D sea seguido por un filtro paso-bajo para

eliminar el ruido de conmutación. Este filtro añade distorsión y desplazamiento de fase.

Incluso limita las características del amplificador en alta frecuencia, y es raro que los

amplificadores de clase D tengan buenos agudos. El mejor uso hoy para estos amplificadores

es en los subwoofers.

Para hacer un muy buen amplificador de clase D para toda la banda de frecuencias, la

frecuencia de conmutación tiene que estar sobre los 40kHz. Incluso, el amplificador debe ir

seguido por un muy buen filtro paso bajo que va a quitar todo el ruido de conmutación sin

causar pérdida de potencia, desplazamiento de fase, o distorsión.

Desafortunadamente, la alta frecuencia de conmutación incluso significa disipar potencia de

conmutación. También significa que la posibilidad de radiar ruido (podría entrar en el

sintonizador o la capsula del tocadiscos) es muy alta.

Clases E: Es una clase AB pero con dos tensiones de alimentación y un dispositivo de

interconexión automático que usa una tensión de alimentación para señales bajas y otra para

señales altas. Con esto se mejora el rendimiento que tenía la clase AB, ya que con señales

débiles, se consume mucha menos potencia.

El amplificador en clase E es un amplificador de pulsos (cuyo rendimiento puede ser muy

elevado) cuya salida se encuentra sintonizada a una determinada frecuencia.

Suele ser empleado en aplicaciones de radio cuando se trabaja a una única frecuencia o bien

en un margen muy estrecho de frecuencias. No es de aplicación en audio.

La clase G se refiere a amplificadores conmutados que tienen dos diferentes fuentes de

alimentación. La fuente para el amplificador se conecta al voltaje menor para señales débiles

y al voltaje mayor para señales fuertes. Esto da más eficiencia sin requerir conmutar etapas de

salida, de tal modo que pueden sonar mejor que los amplificadores clase D. 16

Algunos hablan también de las clases E, G y H. Estas no están tan estandarizadas como las

clases A y B. 17

ASPECTOS BÁSICOS DE LAS FUENTES DE PODER.

Una fuente de alimentación es un dispositivo que convierte voltaje de corriente alterna

(vca) a voltaje de corriente directa (vcd).

Las fuentes de alimentación, para dispositivos electrónicos, pueden clasificarse como.

-Fuentes de alimentación lineales

-Fuentes de alimentación conmutadas.

Cada una con sus características, sus ventajas y desventajas. Se utiliza una de ellas de acuerdo

al uso final que van a tener, es decir, según los requerimientos de estabilidad y rendimiento

que tenga la carga a alimentar.18

Fuente de alimentación lineal.

Circuito compuesto por componentes electrónicos que convierten el voltaje alterno en

directo, una pila seca, batería o acumulador y dinamo giratorio con una magnitudes

apropiadas para alimentar Circuitos Electrónicos a los cuales se conecta.

16
www.geocities.ws
17
www.unicrom.com
18
www.ingmecafenix.com
Ilustración 48

Fuente:

www.mcbtec.com

Partes Componentes: Una fuente de alimentación lineal consta de varias partes; Transformador,

rectificador y filtro, aunque en muchos casos se utiliza además un [[regulador de voltaje.

Transformador: El transformador se encarga de reducir el voltaje de entrada a un voltaje de

salida diferente, puede ser mayor o menor depende según sea el caso y la necesidad. Los

transformadores solo pueden trabajar con voltaje alterno debido a esto la entrada y la salida

es en voltaje alterno.

Ilustración 49

Fuente:

www.mcbtec.com
Rectificador: El rectificador es el que se encarga de convertir la tensión alterna que sale del

transformador en tensión continua. Para esto se necesita un puente rectificador o también

conocido como puente de diodos.

Ilustración 50

Fuente:

www.mcbtec.com

Filtro: El filtro se encarga de disminuir la variación de voltaje de corriente directa, a través

de capacitores. Generando así un efecto conocido como efecto rizo.

Ilustración 51

Fuente:

www.mcbtec.com

Regulación: El regulador se encarga de recibir la señal proveniente del filtro para que en la

salida se obtenga un voltaje continuo sin importar las variaciones de voltaje dependiendo el

regulador es el voltaje de salida.

Ilustración 52

Fuente:

www.mcbtec.com

Tipos de fuentes de poder lineales.

• Rectificador de media onda.

• Rectificador de onda completa.19

Fuentes de poder conmutadas.

También llamadas fuentes switching, cuyo principio de funcionamiento se basa en la

conmutación de un transistor más que en un circuito lineal.

Las fuentes conmutadas fueron desarrolladas como consecuencia de los problemas de

disipación térmica, peso y volumen de los reguladores lineales.

Las fuentes conmutadas tienen circuitos complejos y variados por lo cual es demasiado difícil

explicar su funcionamiento en esta coacción tomaremos en cuenta algunos de los bloques

esenciales de una fuente conmutada: Rectificación y filtrado, conmutación, rectificación y

filtrado secundario, controlador.

19
www.mcbtec.com
Rectificación y filtrado: En el primer bloque rectificamos y filtramos la tensión alterna de

entrada convirtiéndola en una continua pulsante.

Ilustración 53

Fuente:

www.mcbtec.com

Conmutación: El segundo bloque se encarga de convertir la señal continua pulsante en una

onda cuadrada de alta frecuencia (10 a 200 kHz.), La cual es aplicada a una bobina o al

primario de un transformador.

Este bloque es el bloque principal de este tipo de fuentes, existen algunas configuraciones

básicas para este bloque.Buck, Boost, Buck-Boost.

Ilustración 54

Fuente:

www.ingmecafenix.com

Rectificación y filtrado: El tercer bloque rectifica y filtra la salida de alta frecuencia del

bloque anterior, entregando así una continua pura.

Ilustración 55

Fuente:

www.ingmecafenix.com

Controlador: El cuarto bloque se encarga de controlar la oscilación del segundo bloque. Este

bloque consiste de un oscilador de frecuencia fija, una tensión de referencia, un comparador

de tensión y un modulador de ancho de pulso (PWM). El modulador recibe el pulso del

oscilador y modifica su ciclo de trabajo según la señal del comparador, el cual compara la

tensión continúa de salida del tercer bloque con la tensión de referencia. 20

Ilustrado 56

Fuente:

www.mcbtec.com

20
www.mcbtec.com