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Dispositivos Semiconductores

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1er Cuatrimestre 2012
Transistor Bipolar de Juntura
Efectos de la tensión de colector-emisor en modo activo directo1

Tensión de Early
Autor: Gabriel Andrés Sanca

En los análisis de descripción de funcionamiento del transistor BJT NPN, la jun-


tura base-colector se supone una juntura PN en inversa, para el modo activo directo,
la cual no tiene efectos sobre la corriente de colector. Esta es una aproximación de
primer orden útil para hacer cálculos, pero no es totalmente cierto en la práctica.
Existen ciertas ocasiones en las cuales la influencia de la tensiń de colector, sobre la
corriente de colector, importa.
La tensión de colector tiene un efecto dramático sobre la corriente que circula por
él en dos regiones de operación. Estas son la zona de saturación (VCE se aproxima a
cero) y breakdown (VCE tiene un valor alto). Para valores de tensión entre el colector
y el emisor, entre estos extremos, la corriente IC aumenta lentamente mientras VCE
aumenta. La razón de esto puede ser vista en la Figura 1, en donde se grafica la
concentración de portadores minoritarios (electrones) en la base de un transistor NPN.
Considere los efectos que producen los cambios en la tensión VCE en la concentración
de portadores a VBE constante. Si la tensión base-emisor es constante, el cambio en
VCB es igual al cambio en VCE y esto provoca un aumento en la zona de agotamiento
de la juntura colector-base, como se muestra en la figura. La modulación del ancho de
la base del transistor, ∆WB , es igual al cambio en el ancho de la zona de agotamiento,
y provoca un incremento delta IC en el colector de corriente, dado por el aumento del
gradiente de concentración.
La tensión base-emisor es constante una vez fijada por la polarización del transis-
tor. Planteando las ecuaciones para las junturas del transistor:

qADn n2i
 
VBE
IC = exp (1)
QB VT
Derivando

qADn n2i
 
∂IC VBE dQB
= exp (2)
∂VCE Q2B VT dVCE
Y sustituyento (1) en (2) resulta
∂IC IC dQB
=− (3)
∂VCE QB dVCE
Para un transistor NPN dopado uniformemente en la base se cumple que QB =
WB NA , entonces (3) se reescribe
∂IC IC dWB
=− (4)
∂VCE WB dVCE
dWB
Nótese que, mientras el ancho de la base decree, a la vez que VCE aumenta, dV CE
dIC dWB
en (4) es negativa y de este modo dVCE es positivo. La magnitud de dVCE puede ser
calculada con la ecuación (c) del anexo, para un transistor uniformemente dopado en
dWB
la base. Esta ecuación predice que dV CE
es función del valor de polarización de VCE ,
pero la variación estípicamente pequeÃśa para una unión polarizada inversamente,
dWB
y dV CE
, a menudo se supone constante. Las prediciones están de acuerdo con los
resultados experimentales.
dIC
La ecuaciacón (4) muestra que dV CE
es proporcional a la corriente de polariza-
cón del colector e inversamente proporcional al ancho de la base. De esta forma los
1 Extraído de “Analysis and design of analog integrated circuits”, quinta edición. Paul Gray, Paul

Hurst, Stephen Lewis, Robert Meyer. Cualquier error debe adjudicarse a la traducción.

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Figura 1: Efecto del incremento de VCE en la región de agotamiento de la juntura


base-colector en un transistor BJT NPN.

transistores de base angosta muestran una mayor dependencia de IC con VCE en la


dIC
región activa directa. La dependencia de dV CE
sobre IC resulta, en transistores típicos,
cuervas características de salida como las mostradas en la Figura 2.
Extrapolando en las curvas de salida del transistor BJT, como se ve en la Figura
2, hacia el eje de las abscisas, , se llega a un punto de intercepción Va de todas las
curvas, llamado tensión de Early, donde
IC
VA = dIC
(5)
dVCE

Sustituyendo (4) en (5) da por resultado


dVCE
VA = −WB (6)
dWB
la cual resulta ser una constante, independiente de IC . Dicha constante es igual a

Figura 2: Curva de salida de un transistor BJT NPN, mostrando la tensión de Early,


VA .

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la extrapolación de las curvas hacia el eje VCE .
La variación de con VCE es llamada efecto Early, y la tensión VA es un parámetro
característico para el análisis de circuitos mediante computadoras. Los valores típicos
de estÃą tensión varían entre 15 y 100V. Generalmente, para simplificar los cálcu-
los manuales, se ignora este efecto en el análisis de polarización. De todas formas,
la influencia del efecto Early, es muchas veces dominante en el análisis de pequeña
señal. Este efecto es análogo a la modulación del ancho de canal en los transistores
MOSFET. Finalmente, la influencia del efecto Early en un transistor BJT polarizado
en la región activa directa puede ser representado con gran exactitud introduciendo
una modificación a la ecuación (e) del anexo de la siguiente manera
 
VCE VBE
IC = IS 1 + exp (7)
VA VT
A continuación se muestra una figura extraída de la hoja de datos de un transistor
BJT BC548, del fabricante Secos, en donde se observa tenuemente el efecto Early:

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Anexo
Si recordamos lo que ocurre en una juntura PN, en donde podemos calcular la
penetración de la zona de agotamiento de la siguiente manera: para el lado P
  12
2(φ0 + VR ) 
Wp =    (a)
NA
qNA 1 + N D

y similarmente, para el lado N


  12
2(φ + V R )
Wn =  0  (b)
ND
qND 1 + NA

donde VR es una tensión de polarización en inversa. Si derivamos la ecuación (a)


obtenemos:
  12
dWp 
=    (c)
dVR NA
2qNA 1 + N (φ + V )
D
0 R

Si recordamos como se relacionan la corriente de colector IC y la tensión base


emisor de en un transistor npn:
qADn np0 VBE
IC = exp (d)
WB VT
entonces
VBE
IC = IS exp (e)
VT
con
qADn np0
IS = (f)
WB

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