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1er Cuatrimestre 2012
Transistor Bipolar de Juntura
Efectos de la tensión de colector-emisor en modo activo directo1
Tensión de Early
Autor: Gabriel Andrés Sanca
qADn n2i
VBE
IC = exp (1)
QB VT
Derivando
qADn n2i
∂IC VBE dQB
= exp (2)
∂VCE Q2B VT dVCE
Y sustituyento (1) en (2) resulta
∂IC IC dQB
=− (3)
∂VCE QB dVCE
Para un transistor NPN dopado uniformemente en la base se cumple que QB =
WB NA , entonces (3) se reescribe
∂IC IC dWB
=− (4)
∂VCE WB dVCE
dWB
Nótese que, mientras el ancho de la base decree, a la vez que VCE aumenta, dV CE
dIC dWB
en (4) es negativa y de este modo dVCE es positivo. La magnitud de dVCE puede ser
calculada con la ecuación (c) del anexo, para un transistor uniformemente dopado en
dWB
la base. Esta ecuación predice que dV CE
es función del valor de polarización de VCE ,
pero la variación estípicamente pequeÃśa para una unión polarizada inversamente,
dWB
y dV CE
, a menudo se supone constante. Las prediciones están de acuerdo con los
resultados experimentales.
dIC
La ecuaciacón (4) muestra que dV CE
es proporcional a la corriente de polariza-
cón del colector e inversamente proporcional al ancho de la base. De esta forma los
1 Extraído de “Analysis and design of analog integrated circuits”, quinta edición. Paul Gray, Paul
Hurst, Stephen Lewis, Robert Meyer. Cualquier error debe adjudicarse a la traducción.
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la extrapolación de las curvas hacia el eje VCE .
La variación de con VCE es llamada efecto Early, y la tensión VA es un parámetro
característico para el análisis de circuitos mediante computadoras. Los valores típicos
de estÃą tensión varían entre 15 y 100V. Generalmente, para simplificar los cálcu-
los manuales, se ignora este efecto en el análisis de polarización. De todas formas,
la influencia del efecto Early, es muchas veces dominante en el análisis de pequeña
señal. Este efecto es análogo a la modulación del ancho de canal en los transistores
MOSFET. Finalmente, la influencia del efecto Early en un transistor BJT polarizado
en la región activa directa puede ser representado con gran exactitud introduciendo
una modificación a la ecuación (e) del anexo de la siguiente manera
VCE VBE
IC = IS 1 + exp (7)
VA VT
A continuación se muestra una figura extraída de la hoja de datos de un transistor
BJT BC548, del fabricante Secos, en donde se observa tenuemente el efecto Early:
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Anexo
Si recordamos lo que ocurre en una juntura PN, en donde podemos calcular la
penetración de la zona de agotamiento de la siguiente manera: para el lado P
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2(φ0 + VR )
Wp = (a)
NA
qNA 1 + N D