Dispositivos Semiconductores

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1er Cuatrimestre de 2012

Transistor Bipolar de Juntura

Modelo de Pequeña Señal
Autor: Sebastián Carbonetto
Revisión: Ariel Lutenberg, Mariano Garcia Inza

El transistor bipolar de juntura es un dispositivo alineal. Esto es ası́ porque las ecuaciones que
describen su funcionamiento son alineales. Es decir, el efecto de la superposición de dos excitaciones
independientes no es igual a la superposición de los efectos por separado. Analı́ticamente:
 
vBE
iC = IS exp
VT H
   
vBE1 vBE2
Si iC1 = IS exp y iC2 = IS exp
VT H VT H
 
vBE1 + vBE2
⇒ iC = IS exp 6= iC1 + iC2
VT H
donde VT H = kT
q . Particularmente, si tenemos el siguiente circuito, que representa a una señal alterna
montada sobre una señal de continua (señal de polarización), obtenemos expresiones analı́ticas muy
engorrosas de manejar.

Con esta configuración, obtenemos la siguiente expresión para la corriente de colector:

 
VBE + vbe sin (ωt + φ)
iC = IS exp
VT H
Uno puede ya imaginarse que si el transistor se encuentra en un contexto circuital real, éste serı́a
irresoluble. Por lo tanto, es necesario realizar alguna simplificación.
Esta simplificación es conocida como linealización. La linealización de cualquier señal es posible
gracias al teorema de Taylor. Según Taylor, toda función que sea n-derivable en un punto, puede
aproximarse a un polinomio de grado n alrededor de este punto. Mientras mayor sea el grado del
polinomio, menor será el error cometido en la aproximación.

(n) (n)
X 1 ∂ n f (x)  n ∂f (x) X 1 ∂ n f (x) 
f (E{x0 }) ' (x − x ) = f (x ) + | (x − x ) + (x − x0 )n
 
n 0 0 x 0 0 n
n! ∂x ∂x n! ∂x
 
x=x0 x=x0
i=0 i=2

donde E{x0 } significa un entorno de x0 .

De esta forma, se puede encontrar una nueva expresión para las ecuaciones alineales, convirtiendo
un problema de difı́cil solución, como son los sistemas de ecuaciones alineales, en un problema mucho
más simple y que estamos acostumbrados a resolver, sistemas de ecuaciones lineales. Además, como
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veremos más adelante, esta simplificación nos permite modelar al TBJ con componentes lineales, in-
variantes en el tiempo y de parámetros concentrados en donde es válido el principio de superposición.
Una pregunta que surge inmediatamente es ¿hasta donde es válido mi modelo? Para responder
esta pregunta, debemos analizar las expresiones y luego tomar un criterio. Empecemos por el final;
definamos a dónde queremos llegar. En nuestro caso, la función que deseamos modelar es la corri-
ente de colector en función de la tensión base emisor. A esta última podemos modelarla como una
tensión continua a la cual se le superpone una componente alterna de pequeño valor (recordar que
terminaremos deduciendo a que nos referimos por “pequeño”).

vBE = VBE + vbe

donde vBE es el valor total, VBE es el valor de contı́nua (también llamado de polarización o gran
señal) y vbe es el valor pico de la señal de alterna (o pequeña señal). Es importante prestar atención
a los detalles de notación.
Queremos encontrar un modelo tal que podamos llegar a las siguientes relaciones. Sabiendo que

iC = f (vBE ) = f (VBE + vbe )

luego de la linealización deberı́amos poder aproximar la corriente total de colector como

iC = f (VBE ) + αvbe = IC + ic
Ahora vamos a usar el polinomio de Taylor para llegar a nuestro objetivo. Recordemos que:
vBE
iC = IS exp
VT H
Como se pretende una expresión lineal, aplicando Taylor a orden 1:

∂iC (vBE ) 
iC ' iC (vBE = VBE ) + (vBE − VBE )

∂vBE

vBE =VBE

Reemplazando:

VBE
iC (vBE = VBE ) = IS exp = ICQ
VT H
∂iC (vBE )  1 VBE ICQ
= IS exp =

∂vBE VT H VT H VT H

vBE =VBE

vBE − VBE = vbe

Nos queda finalmente:

ICQ
iC ' ICQ + vbe
VT H
Llamemos al valor aproximado îC . El error relativo cometido por la linealización queda definido
por:

|iC − îC |
iC =
iC
Como criterio para nuestra simplificación diremos que el error es despreciable si es menor al 10 %,
por lo tanto debe cumplirse:

iC < 10 % ≡ 0,1

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iC (vBE )

iC

îC

ICQ

vBE

Figura 1: Linealización de la corriente de colector.

Sin embargo, encontrar el valor de vbe que cumple con ese criterio implica despejar una ecuación que
es irresoluble analı́ticamente, por lo que realizaremos una nueva aproximación, y nos conformaremos
con que el error respecto al polinomio de Taylor de orden 2 sea menor al 10 %.
   
I 1 ICQ 2 ICQ
ICQ + VCQ
TH
v be + v
2 VT2H be − ICQ + v
VT H be
ICQ I
< 0,1
ICQ + VT H vbe + 21 VCQ 2
2 vbe
TH

Para simplificar la notación, se realizará el siguiente cambio de variable:

vbe
x=
VT H
Resolviendo

0,5 x2
< 0,1
1 + x + 0,5 x2
0,5 x2 < 0,1 + 0,1 x + 0,05 x2 ⇒ 0,45 x2 − 0,1 x − 0,1 < 0
⇒ −0,37 < x < 0,59
Tomando VT H ' 26 mV

⇒ −9,62 mV < vbe < 15,34 mV

Como vbe representa al valor pico de la señal, sin importar su signo obtenemos

vbe |máx = 9,62 mV ≡ 19,24 mVpap ' 20 mVpap

Resumiendo, la expresión linealizada de la corriente de colector resulta ser

ICQ
iC = ICQ + vbe = ICQ + gm vbe
VT H
⇒ ic = gm vbe
El parámetro gm representa pequeños cambios en la corriente de colector a causa de pequeñas
variaciones de la tensión base–emisor respecto de los valores de polarización.

∂iC (vBE )  ICQ

gm = =

∂vBE VT H

vBE =VBE
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B C

vbe
gmvbe

E E

Figura 2: Circutio esquemático que representa la transconductancia de salida del modelo de pequeña
señal del TBJ.

En la figura 1 se muestra gráficamente el resultado de la linealización (en rojo) y cómo actúa

sobre el valor de polarización. En el gráfico se observa también cómo hay una región en donde
la curva real y la linealizada parecen superponerse perfectamente. Este rango de valores es el que
anteriormente notamos como el rango de validez del modelo. Más allá de ese rango, las curvas se
separan mucho, por lo que no puede aceptarse que nuestro modelo se comporta como el dispositivo
real. Es necesario advertir que como este efecto (y todos los que estudiaremos en este apunte) al
actuar alrededor un valor de polarización determinado, la cuantificación del mismo dependerá de
este valor de polarización. Esto puede apreciarse en las fórmulas que definen a todos los parámetros
donde explı́citamente aparece su dependencia con ICQ .
Volviendo al parámetro gm , éste representa la acción de una transconductancia de salida, sim-
bolizada por una fuente de corriente controlada por tensión.
Este primer modelo del TBJ es un tanto incompleto ya que la corriente de colector no es lo único
que se ve afectado respecto de las variaciones de vBE . De la misma manera, la corriente de base se
modifica frente a estas variaciones en torno al valor de reposo (polarización). Para hallar la relación
existente entre los cambios en iB frente a aquellos de vBE se podrı́a realizar el mismo desarrollo
analı́tico que en el caso anterior, pero, en forma más sencilla, y luego de haber entendido el análisis
anteriormente planteado, podemos definir el siguiente parámetro:

1 ∂iB (vBE ) 
gπ = =

rπ ∂vBE

vBE =VBE

También, se podrı́a tomar la expresión de iB , derivarla, y obtener el valor, pero recordando la

relación entre iB e iC el cálculo es inmediato.

∂iB (vBE )  1 ∂iC (vBE )  gm

gπ = = =
 
∂vBE β ∂vBE β
 
vBE =VBE vBE =VBE

β
⇒ rπ = = β rd
gm
rπ representa la resistencia de entrada de nuestro dispositivo, que es finita, a diferencia del
MOSFET el cual presenta una resistencia de entrada infinita en su modelo de bajas frecuencias.
Ahora nuestro modelo presenta un nuevo elemento en su red circuital, un resistor de entrada rπ ,
como puede observarse en la figura 3.
Como la tensión vBE produce simultáneamente cambios en las corrientes iC e iB , los cambios
en estas corrientes también se relacionan entre sı́. De hecho el efecto sobre la corriente de colector
puede modelarse como una amplificación de la corriente de base. De hecho éste es el verdadero efecto
transistor en el TBJ, el de una corriente controlada por otra corriente (en el MOSFET ocurre distinto,
la corriente es controlada por tensión).
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B C

vbe
rπ gmvbe

E E

Figura 3: Circutio esquemático que representa la resistencia de entrada del modelo de pequeña señal
del TBJ.

B C

vbe
rπ β iβ

E E

Figura 4: Circutio esquemático que representa la ganancia de corriente del modelo de pequeña señal
del TBJ.

∂iC (iB ) 
β0 = ' βF

∂iB

iB =IBQ

Ahora el modelo cambia, y en lugar de existir una fuente de corriente controlada por tensión,
existe una fuente de corriente controlada por corriente, como se ve en la figura 4. Como βF no es en
verdad constante, sino que varı́a con la corriente iC , para distintas corrientes de polarización suele
haber distintos β0 , sin embargo, y para un análisis de primer orden, suele tomarse βF constante y
por lo tanto β0 = βF . De ahora en adelante simplemente hablaremos de β a secas.
Para terminar un primer modelo básico para pequeña señal del transistor bipolar de juntura, se
debe incorporar un nuevo efecto. Idealmente, cuando el transistor está polarizado en Modo Activo
Directo (MAD) la corriente de colector se mantiene constante para cualquier valor de vCE y solamente
varı́a al variar iB , o, equivalentemente, vBE . Sin embargo, ası́ como en el transistor MOSFET existe
un efecto de modulación del largo del canal, en el TBJ existe el Efecto Early, también llamado
Efecto de Modulación del Ancho de la Base. Este efecto se produce porque cambios en vCE , a vBE
constante, generan cambios en vBC . Variaciones de esta tensión producen cambios en el ancho de la
zona desierta en la juntura Base Colector, acortando o alargando el ancho de la zona cuasi neutral
(QNR, por Quasi Neutral Region) de la base. Como la corriente de colector depende del ancho de la
QNR de la base, por el gradiente de portadores minoritarios de carga, variaciones en vCE producen
cambios en iC . Ası́ también se le agrega un factor de corrección a la expresión de iC ,
   
vBE vCE − vCEsat vCE − vCEsat
iC = IS exp 1+ = IC0 1 +
VT H VA VA
donde VA es un parámetro que nos da el fabricante. VA simboliza la tensión a la cual se anuları́a
la corriente si el dispositivo presentara una respuesta enteramente lineal, para cualquier valor de
vCE . Esto en verdad no es ası́ ya que cuando vBC pasa a ser mayor a cero, el dispositivo deja de
estar en MAD para estar en saturación y la respuesta de la corriente de colector pasa a depender
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iC (vCE )
iC
ICQ

vCE
VA VCEQ

Figura 5: Efecto de modulación del ancho de la base.

B C

vbe
rπ gmvbe ro

E Ee

Figura 6: Circutio esquemático que representa la resistencia de salida del modelo de pequeña señal
del TBJ.

exponencialmente con vCE . El comportamiento de la corriente iC en función de la tensión vCE se

muestra en el gráfico de la figura 5.
Con esta nueva expresión, podemos encontrar como se relacionan los pequeños cambios antes
mencionados.
n  o
vCE −vCEsat
∂iC (vBE , vCE )  ∂ IC0 1 + VA
 IC0 ICQ
go = = = '

∂vCE ∂vCE VA VA
 
VBE ,VCE VBE ,VCE

1 VA
⇒ ro = =
go ICQ
Ahora nuestro modelo presenta una resistencia de salida ro finita que hace que el dispositivo no
se comporte como una fuente de corriente ideal. Teniendo este nuevo componente en cuenta, se puede
presentar el modelo más básico para un análisis de pequeña señal en bajas frecuencias (figura 6).
Hasta ahora estudiamos los principales parámetros para el modelo de pequeña señal que son
suficientes para un análisis en frecuencias medias, pero existen efectos de segundo orden que nos
permiten mejorar (y complicar) el modelo antes propuesto. Éstos pueden ser efectos resistivos de
segundo orden, pero también encontraremos efectos capacitivos.
Antes se vió que al variar vBC existe un efecto de modulación del ancho de la QNR de la base que
repercute en cambios en iC . Lo que no se mencionó es que estos cambios también producen cambios
en iB . Para entenderlo, hay que recordar que iB es en verdad la suma de dos corrientes

iB = iB1 + iB2
donde iB1 representa la corriente debida a la inyección de huecos de la base al emisor, predominante
en el cálculo de la corriente de polarización IBQ , e iB2 representa la corriente debida a la extracción
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−∆Q +∆Q
Zona desierta
p-QNR − − − + −
+ + + n-QNR
− − − + −
+ + +
− − − + −
+ + +
− − − + −
+ + +
− − − + −
+ + +
− − − + −
+ + +
− − − + −
+ + +

∆xp xp xn ∆xn

Figura 7: Capacidad de juntura.

de huecos del colector, despreciable en el cálculo de IBQ .

A pesar de que en los valores de polarización iB2 es prácticamente despreciable, las variaciones
en vBC tienen efecto sobre esta componente de iB , ya que al variar la tensión base-colector, varı́a el
ancho de la zona desierta de la juntura modificando la extracción de huecos del colector. Sin embargo,
esta variación no tiene efecto sobre iB1 , entonces

∂iB  ∂(iB1 + iB2 )  ∂iB1  ∂iB2  ∂iB2 

= = + =
    
∂vBC VBC ∂vBC ∂vBC VBC ∂vBC VBC ∂vBC VBC
    
VBC

Recordando que

∂iC = β ∂iB
∂iC  ∂iC  1
= =
 
∂vCE ∂vBC vBE =cte ro
 
vBE =cte
entonces

∂iB2  ∂iB  1 ∂iC  1 ∂iC  1

= = = =
   
∂vBC VBC ∂vBC VBC β ∂vBC VBC β ∂vCE VCE β ro
   

Y finalmente se define
 −1
∂iB VA
rµ = = β ro = β
∂vBC ICQ
Teniendo en cuenta que ro puede tener un valor muy elevado (∼ 10 kΩ), entonces tiene un valor
más elevado aún (> M Ω) y por lo tanto puede despreciarse en la mayorı́a de los casos. El elevado
valor de rµ puede explicarse ya que la juntura base colector es una juntura PN en inversa cuando el
TBJ se encuentra polarizado en MAD, y este tipo de polarización presenta una resistencia dinámica
muy elevada. En cuanto a efectos capacitivos, los que son predominantes son representados en el
modelo de pequeña señal del TBJ por dos capacitores. Antes de analizarlos, recordemos los efectos
capacitivos existentes en una juntura PN (diodo).
Por un lado, como la región de vaciamiento tiene un comportamiento parecido a un capacitor
de placas paralelas, existe un primer efecto llamado capacidad de juntura. La figura 7 muestra un
diagrama de una juntura PN donde se manifiesta la varaición de carga por este efecto capacitivo.
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Al variar la tensión de la juntura, debe variar el ancho de la zona desierta de forma tal de variar la
carga almacenada y acompañar el cambio de tensión. Por lo tanto existe una capacidad
   
 ∆QZD   ∂QZD 
Cj =   =  
∆Vj   ∂Vj 
Recordando que la carga en la zona desierta

QZD = q Na A xp = q Nd A xn
donde q es la carga del electrón, Na y Nd son las concentraciones de impurezas en el lado P o N
respectivamente, A es el área de la juntura, y xp y xn son las extensiones de la zona desierta en el
lado P o N respectivamente, entonces

∂QZD ∂xp ∂xn

= q Na A = q Nd A
∂Vj ∂Vj ∂Vj
Recodando que
s s
2 S (φB − Vj ) Nd 2 S Nd p
xp (Vj ) = = φB − Vj
q (Na + Nd ) Na q (Na + Nd ) Na
s s
2 S (φB − Vj ) Na 2 S Na p
xn (Vj ) = = φB − V j
q (Na + Nd ) Nd q (Na + Nd ) Nd
donde φB es la tensión de la juntura cuando no se le aplica tensión externa, es decir en equilibrio
térmico, se obtiene
s
∂xp 2 S Nd −1
= p
∂Vj q (Na + Nd ) Na 2 φB − Vj
s
∂xn 2 S Na −1
= p
∂Vj q (Na + Nd ) Nd 2 φB − Vj

s s
∂QZD 2 S Nd −1 2 S Na −1
= q Na A p = q Nd A p
∂Vj q(Na + Nd )Na 2 φB − Vj q(Na + Nd )Nd 2 φB − Vj
s
∂QZD q S Na Nd 1
= −A q
∂Vj 2 φB (Na + Nd ) 1 − Vj
φB

Y por lo tanto, la capacidad de juntura por unidad de área es

s
Cj0 q S Na Nd
Cj = q dónde Cj0 =
1− j
V 2 φB Na + Nd
φB

Cj0 representa la capacidad por unidad de área que presenta la juntura cuando no tiene tensión
externa aplicada. Según esta expresión Cj diverge para Vj = φB . Sin embargo,
√ se produce un efecto
de saturación para aproximadamente Vj = 0,5 φB y entonces CjSAT = 2 Cj0 1 .
El otro efecto capacitivo que se produce en una juntura se conoce como capacidad de difusión y
se debe al intercambio de carga que existe a través de la juntura y de las QNR al variar la tensión
1
La explicación fı́sica de este efecto no será estudiada en esta materia.
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
p(x)

SCR V +∆V +∆Qh
p-QNR

p(x)

V Na


n(x)

V +∆V −∆Qe


n(x) n2i

V
Na

Wp

Figura 8: Capacidad de difusión.

(figura 8). Al haber una variación de tensión, varı́a la concentración de minoritarios en la QNR, y
como ésta debe mantenerse neutra de carga, debe ocurrir el mismo cambio en la concentración de
mayoritarios. Es un efecto que predomina para polarización directa, que es donde más intercambio
de carga existe ya que las corrientes son mayores que en polarización inversa.
Para este caso vamos a suponer que Nd >> Na para despreciar este efecto en el lado N. También
podrı́a hacerse la suposición inversa y se llegarı́a a al mismo resultado. Si no se tuviera en cuenta
ninguna suposición, se deberı́a analizar el mismo efecto de cada lado de la juntura y la capacidad
total pasarı́a a ser la suma de ambos efectos ya que se comportan como capacidades en paralelo.
Por lo explicado anteriormente, existe

∂Qep ∂Qhp
Cd = Cdp = =
∂Vj ∂Vj
1
Qep = A (n(0) − n(Wp ))Wp
2
Recordando que

n2
 
Vj
n(0) = i exp
Na Vth
n2i
n(Wp ) =
Na
entonces la capacidad de difusión es

1 n2i
 
1 Vj
Cd = A Wp exp
2 Vth Na Vth
Recordando que en polarización directa la corriente del diodo puede aproximarse a
 
1 De Vj
ID = A exp
Na Wp Vth
dónde De es el coeficiente de difusión de los electrones, y definiendo el tiempo de tránsito como

Wp2
τT =
2 De
se puede compactar la expresión a
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C B E
n p n

p-Sub

Figura 9: Resistencias parásitas.

1
Cd = τT ID
Vth
Volviendo a nuestro TBJ, mencionamos la existencia de dos capacidades en el modelo para
pequeña señal. El primero de ellos representa la capacidad que introduce la juntura Base-Emisor
polarizada en directa, la cual es la suma de dos efectos, la capacidad de difusión y la capacidad de
juntura. Recordemos que según los parámetros de construcción de un TBJ NE >> ND , la concen-
tración de impurezas en el emisor y la base respectivamente.

Cπ = CdBE + CjBE
∂qpB  IC
CdBE = = τT = τT gm

∂vBE VBE Vth

√
Para esta juntura, la capacidad de juntura tiene su valor de saturación CjBE ' 2 CjBE0 , despre-
ciable frente a CdBE , ya que hay gran intercambio de carga. Entonces

Cπ ' CdBE = τT gm
Esta es la capacidad de entrada.
El segundo efecto capacitivo se debe a la juntura Base-Colector, que esta polarizada en inversa.
Como en polarización inversa hay poco intercambio de carga, la capacidad de difusión es despreciable
y predomina la capacidad de juntura, entonces

CjBC0
Cµ = CjBC = q
1 + VφCB
B

Finalmente se encuentran efectos resistivos parásitos entre los terminales metálicos del dispositivo
y los terminales ideales del dispositivo. Éstos son ocasionados por el camino que debe recorrer la
corriente hasta llegar al punto en donde se considera que existe el transistor y se simbolizan con una
resistencia en cada terminal, como muestra la figura 9. Estas resistencias son de muy bajo valor y
generalmente despreciables frente a las resistencias serie que presenta el circuito externo. De ellas tres
hay una sola que tiene nombre propio, y es la resistencia de base, que se denomina rx , y es ası́ porque
es aquella que puede tener los efectos mas notorios a primer orden.
En general, sucede que

rπ >> rx
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Cµ

B rµ C

vbe
Cπ rπ gmvbe ro

E E

Figura 10: Circutio esquemático del modelo de pequeña señal del TBJ completo.

por lo que la caı́da de tensión en rx es despreciable y la señal que interesa como entrada al transistor
no se ve modificada.
Sin embargo, a medida que VBE es mayor, IC también crece, lo que implica un rπ menor. Cuando
rπ sea lo suficientemente pequeña como para no poder despreciar la caı́da de tensión sobre rx se
produce un efector divisor resistivo, por lo que la señal de entrada al transistor se ve atenuada. Otro
efecto que puede producir rx es limitación en la respuesta en frecuencia del transistor ya que puede
tener un papel importante en la resistencia vista por el nodo de base. De todas formas, estos temas
no son estudiados en la materia.
Teniendo todos estos nuevos efectos en cuenta, formamos, finalmente, un modelo circuital equiv-
alente del transistor bipolar de juntura basado únicamente en componentes lineales y de parámetros
concentrados.