AMPLIFICADORES

OPERACIONALES CMOS
ELC-315 2017
UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

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Campylorhynchus rufinucha
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El K2-W, un op-amp a tubos

Figure 1: K2-W operational amplifier: a) Photo (courtesy of Joe

Sousa, http://www.philbrickarchive.org/); b) Schematic (from a
K2-W datasheet; courtesy of Bob Peaes, National
Semiconductor)

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 Amplificador operacional CMOS básico.
Fuente. Sedra, 1998.

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 |Vt| = 1V
k´n = 50 uA/V^2
k´p = 25uA/V^2
VA = 30 V

Ejemplo lección 37 Howe. Fuente: Howe, 1997.

Amplificador operacional CMOS con especificaciones de diseño.
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Análisis DC
kn 50 kp 25 V DD 2.5 V SS 2.5
L 3
VA V A  0.01 m
Vt 1 L 3  0.1 0.1

I8 50 I7 100 75
WL 8
3

2I 8
V SG8 Vt V SG8  1.4
k p  WL 8

V1 V DD V SG8 150
I1 I8 WL 1
3

2I 1
V SG1 Vt V SG1  1.283 V2 V SG1
k p  WL 1

V 2  1.283

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Rango de entrada en modo común

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Rango de tensión de salida Vo
VDD

vOmax = VDD – VOV6

vOmin = VSS + VOV5

Fuente: Howe, 1997.

VSS
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Repuesta en frecuencia y estabilidad

Fuente: Sedra, 1998.

Este circuito tiene dos polos y un cero

fp1 = 1 /(2pi R1 Gm2 R2Cc)

fp2 = Gm2 /(2piC2)

fz = Gm1/(2piCc)

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 Av = Gm1 R1 Gm2 R2

ft = |Av| fp1 = Gm1 /(2pi Cc)

ft < fp2

Gm1/Cc < Gm2/Cc

Gm1 < Gm2

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 Fuente: Sedra, 1998.

Circuito equivalente simplificado para f >> fp1

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 Margen de fase

Efecto de polo en fp2=ft y cero en fz =10 ft

sobre el margen de fase.

Fuente: Sedra, 1998.

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Diseño para estabilidad haciendo fp2 = ft, y partiendo de valor especificado para C2(CL)

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 Fuente: Sedra, 1998.

sz = 1/ Cc(1/Gm2 –R)

Si R = 1/Gm2 , entonces sz oo

y la contribución al desfase es cero

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 Velocidad de respuesta (Slew Rate)

Fuente: Sedra, 1998.

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 vo(t) = I/Cc t

SR = dvo(t)/dt = I/Cc t

Pero

Fuente: Sedra, 1998. Gm1 = gm1 = I/VOV1

y ft = |Av| fp1 = Gm2/(2pi C2)

SR = 2pi ft VOV1

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BiCMOS

Fuente: Howe, 1997.

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Para el análisis de la ganancia en pequeñas señales

Los valores de transconductancia son

Gm1 = gm2 = 0.357 mA/V2
Gm2 = gm5 = 3.85 mA/V2
VA_BJT = 25 V
VA_CMOS = 30 V

Avo = Ad1 Avcc Avce = (-212) (0.78) (-525) = 86800

En dB, 20 log(Avo) = 99 dB

Cc = (Gm1/Gm2) C´L = (0.357 mA/V2 /3.85 mA/V2) (7.77 pF)

= 720 fF
Valor exacto Cc = 980 fF

fp1 = 1 /[2 pi (Rout1//Rin2) Cc Gm2 Rout] = 3.3 krad/s

fp2 = Avo fp1 = 300 Mrad/s

Fuente: Howe, 1997.

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 VDD=+2.5V

M8 M5 M7

18u/0.8u 54u/0.8u

2.4u/0.8u

Rref M1 M2
40k
(-) (+)

M12 66u/0.8u 66u/0.8u

1.2u/2.4u

M13

Fuente: No disponible. • Diseño no-estándar, en el cual

1.2u/2.4u
además de los diferentes valores de
M14

Cc
L, se usan diferentes valores de kn y kp.
1.2u/2.4u
Vout • En contrapartida, se ilustra la aplicación
M9
M10
40u/0.8u
0.443p CL de MOSFET (M9) que funciona en región
2p
8u/0.8u M6
óhmica para establecer fz >> ft, haciendo
M11 M3 M4 R9 = 1/gm6.
64u/0.8u
14u/0.8u 14u/0.8u
8u/0.8u

VSS=-2.5V
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Referencias
• Sedra, A.S. and Smith, K.C., 1998. Microelectronic circuits. New York:
Oxford University Press.
• Howe, R.T. and Sodini, C.G., 1997. Microelectronics: an integrated
approach(p. 193). Upper Saddle River, NJ USA:: Prentice Hall.

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