92920-J2 TransistoresdepotenciaytiristorGTO SW ED2 PR3 Web

Transistores de potencia y tiristor GTO
Cuaderno de ejercicios del estudiante
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92920-J2
Edición 2
3092920J20503
SEGUNDA EDICIÓN
Tercera impresión, marzo de 2005
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actualizaciones estarán disponibles para usted únicamente si la techsupport@labvolt.c
Índice
Unidad 1 – Introducción al tablero de circuitos..........................................................................1

Ejercicio 1 – Identificación del transistor de potencia y el tiristor .............................................3
Ejercicio 2 – Perspectiva general de los bloques de circuitos.....................................................7
Unidad 2 – Bloques de los circuitos de carga e impulsión..........................................................9
Ejercicio 1 – Familiarización con el bloque de circuitos de impulsión ....................................13
Ejercicio 2 – Familiarización con el bloque de circuitos de carga............................................15
Unidad 3 – Operación de los transistores de potencia y tiristores gto ....................................19
Ejercicio 1 – Operaciones de los transistores bipolares de potencia.........................................23
Ejercicio 2 – Operaciones básicas de los MOSFET y los IGBT...............................................25
Ejercicio 3 – Operaciones básicas de los tiristores GTO ..........................................................27
Unidad 4 – Principios de los circuitos de conmutación de potencia........................................29
Ejercicio 1 - Tiempo de conmutación y caída de voltaje de conducción..................................33
Ejercicio 2 – Potencia de conmutación en una carga inductiva ................................................35
Ejercicio 3 – Tiempo de recuperación del diodo de rueda libre ...............................................39
Ejercicio 4 – Pérdidas en los conmutadores de potencia electrónicos ......................................43
Unidad 5 – Transistor bipolar y conmutadores tiristores gto..................................................47
Ejercicio 1 – El transistor de potencia bipolar ..........................................................................53
Ejercicio 2 – El transistor de potencia Darlington ....................................................................55
Ejercicio 3 – El tiristor GTO.....................................................................................................59
Unidad 6 – El mosfet de potencia y los igbt ...............................................................................61
Ejercicio 1 – El MOSFET de potencia......................................................................................67
Ejercicio 2 – El IGBT ...............................................................................................................69
Ejercicio 3 – El IGBT ultrarrápido............................................................................................73
Apéndice A – Seguridad ........................................................................................................... A-ii
i
THIS
ii
Introducción
Este cuaderno de ejercicios del estudiante brinda un esquema unidad por unidad del currículo de
Circuitos de fallas asistidas para la enseñanza técnica de la electrónica FACET (de las siglas en
inglés Fault Assisted Circuits for Electronics Training, FACET).
La sección del curso incluye la siguiente información y espacio para tomar notas a medida que
usted avanza a lo largo del currículo.
♦ El objetivo de la unidad
♦ Fundamentos de la unidad
♦ Una lista de los nuevos términos y palabras para la unidad
♦ El equipo requerido en la unidad
♦ Los objetivos del ejercicio
♦ La discusión del ejercicio
♦ Notas del ejercicio
El Apéndice incluye información acerca de la seguridad.
iii
THIS
iv
Transistores de potencia y tiristor GTO Unidad 1 – Introducción al tablero de circuitos
UNIDAD 1 – INTRODUCCIÓN AL TABLERO DE CIRCUITOS
OBJETIVO DE LA UNIDAD
Al final de esta unidad, usted será capaz de localizar e identificar los principales componentes
del tablero de circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO utilizando la información
presentada en los ejercicios.
FUNDAMENTOS DE LA UNIDAD
En electrónica de potencia, se encuentran diferentes tipos de conmutadores electrónicos. En una
primera categoría, las señales de excitación pueden utilizarse solamente para activar (o bloqueo
inverso) los semiconductores de conmutación (por ejemplo: tiristor y TRIAC).
Estos semiconductores se pueden estudiar utilizando el tablero de circuitos Tiristor y circuitos de

control de potencia, modelo 91011.
Una segunda categoría incluye los semiconductores de potencia conocidos como dispositivos
autoconmutados, ya que pueden ser encendidos o apagados por señales de control.
En esta categoría se encuentran los transistores de potencia: NPN bipolar, Darlington, MOSFET
e IGBT (Transistor bipolar de compuerta aislada). Se encuentra también el Tiristor GTO que se
utiliza principalmente en aplicaciones de alta potencia.
En los siguientes ejercicios estudiaremos los fundamentos básicos de los transistores de potencia
y tiristores GTO y daremos un vistazo general del tablero de circuitos Transistores de potencia y
tiristor GTO.
NUEVOS TÉRMINOS Y PALABRAS

IGBT - Transistor bipolar de compuerta aislada - una combinación de transistores bipolares y un
MOSFET.
tiristor GTO - un semiconductor que actúa como un tiristor, pero que puede ser apagado
aplicando un gran impulso negativo en su compuerta.
tiempo de conmutación - el tiempo que le toma a un conmutador electrónico para activar o
interrumpir el flujo de corriente en un circuito (encender o apagar el circuito de alimentación).
circuito de impulsión - un circuito de amplificación diseñado para suministrar una señal de
control de alta corriente hacia un conmutador electrónico.
EQUIPO REQUERIDO
Unidad base de F.A.C.E.T.
Tablero de circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO
Fuente de alimentación (15 Vcc @ 1A)
Multímetro
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NOTAS
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Ejercicio 1 – Identificación del transistor de potencia y el tiristor
OBJETIVO DEL EJERCICIO

Al terminar este ejercicio, usted será capaz de localizar e identificar cada tipo de transistor de
potencia y el tiristor GTO en su bloque de circuito correspondiente. Verificará la información
presentada en este ejercicio por medio de observaciones.
DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

• Este ejercicio presenta los semiconductores de potencia de encendido y apagado controlado
(autoconmutados) más ampliamente utilizados en la industria: el transistor bipolar, transistor
Darlington, transistor MOSFET, IGBT y el tiristor GTO.
• El transistor de potencia bipolar fue, durante mucho tiempo, el conmutador más utilizado en
la mayoría de las aplicaciones de potencia. En conducción, puede conmutar corrientes hasta
de 400 A y soportar voltajes de 1000 V cuando está apagado.
• Observe que el transistor bipolar PNP prácticamente no se usa en electrónica de potencia ya
que no funciona con potencia muy alta y además su fabricación es más difícil que la del
transistor NPN. En este documento se estudiará solamente el transistor bipolar NPN.
• Para obtener una ganancia mayor del transistor bipolar, se deben combinar dos transistores en
un ensamblaje tipo Darlington.
• Para obtener conmutadores más fáciles de controlar, los fabricantes aumentarán aún más la
ganancia utilizando tres transistores bipolares en un ensamble Darlington. Sin embargo, este
nuevo dispositivo tiene una velocidad de conmutación muy limitada.
• Para mejorar el tiempo de conmutación, los fabricantes agregan diodos y resistencias. Esta
configuración permite obtener un estuche de tres transistores bipolares con una ganancia hFE
total de 750, que puede soportar 400 A en conducción y 1000 V cuando está apagado.
• El transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) permite el
control de potencia media. Puede conmutar una corriente de 70 A y soportar un voltaje de
500 V a frecuencias que superan los 20 kHz con la señal de control de una compuerta lógica.
• Observe que el transistor MOSFET de canal P prácticamente no se usa en electrónica de
potencia ya que no funciona con potencia alta y su fabricación es más difícil que la del
transistor de canal N. Solamente el transistor MOSFET de canal N será estudiado en este
documento.
• El semiconductor autoconmutado más comúnmente utilizado actualmente es el IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor). Este transistor es un ensamblaje de transistores de efecto
de campo y transistores bipolares. Esto da un transistor capaz de conmutar corrientes hasta de
500 A y voltajes de 1200 V utilizando solamente la potencia de una compuerta lógica.
Además, con una potencia comparable, los IGBT son menos costosos que los transistores
MOSFET y Darlington.
3
• Los IGBT pueden proveerse con o sin diodo entre el colector y el emisor.
• Para encender y apagar los conmutadores del semiconductor mediante potencia alta, debe
usarse el tiristor GTO. Por ejemplo, un GTO puede conmutar una corriente de 850 A y
soportar un voltaje de 4500 V.
• El tablero de circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO está dividido en 8 bloques de
circuitos.
• Cinco de ellos contienen transistores de potencia y uno contiene un tiristor GTO.
• El bloque de circuitos Circuito de impulsión y el bloque de circuitos CARGA (Z) completan
el tablero de circuitos. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor) permite el control de potencia media. Puede conmutar una corriente
de 70 A y soportar un voltaje de 500 V a frecuencias que superan los 20 kHz
con la señal de control de una compuerta lógica.
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NOTAS
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Ejercicio 2 – Perspectiva general de los bloques de circuitos

Al completar este ejercicio, será capaz de describir las funciones básicas del tablero de circuitos
Transistores de potencia y tiristor GTO. Utilizando un multímetro, estudiará los diferentes
circuitos en el tablero de circuitos.

• El tablero de circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO está dividido en ocho
bloques de circuito incluyendo los bloques de circuitos Circuito de impulsión y CARGA
(Z).
• El bloque de circuitos Circuito de impulsión se usa para proporcionar las señales de
control para los diferentes conmutadores electrónicos. Puede conectarse a un generador
de onda cuadrada a través de dos terminales localizados en ambos lados del símbolo del
GEN.
• El bloque de circuitos CARGA (Z) puede ser modificado para la realización de
configuraciones de carga típica.
• En cada uno de los seis bloques de circuitos de conmutadores electrónicos, hay una
fuente de alimentación de +15 V que alimenta los circuitos.
• Los tres bloques de circuitos MOSFET, IGBT e IGBT ultrarrápido son similares excepto
el transistor Q1 que difiere en cada uno de los casos.
• En cada uno de los tres bloques de circuitos, hay una resistencia R1 colocada entre el
símbolo DR y la compuerta del transistor, y una resistencia R2 la cual se utiliza para
medir la corriente que fluye a través del conmutador electrónico.
• Hay también un diodo zener rápido, llamado "supresor de voltaje" que está diseñado para
recortar el pico de voltaje del transitorio y un interruptor de botón que permite desactivar
temporalmente el diodo con fines de prueba.
• Se presentan dos tipos diferentes de IGBT en el tablero de circuitos.
• El primer tipo de IGBT, utilizado en aplicaciones generales (accionamiento de motor,
fuente de alimentación de emergencia, etc.), tiene un voltaje de encendido débil.
• El segundo tipo, el IGBT ultrarrápido, ofrece un tiempo de conmutación más corto pero
tiene la desventaja de tener un voltaje más elevado en estado activo. El segundo tipo de
IGBT será usado en aplicaciones de alta frecuencia.
• Los bloques de circuitos Transistor bipolar, Transistor Darlington y Tiristor GTO son
muy similares excepto por el conmutador electrónico Q1 que es específico para cada
bloque de circuitos.
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NOTAS
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Transistores de potencia y tiristor GTO Unidad 2 – Bloques de los circuitos de carga e impulsión
UNIDAD 2 – BLOQUES DE LOS CIRCUITOS DE CARGA E IMPULSIÓN
Al final de esta unidad, usted será capaz de utilizar los bloques de circuitos Circuito de impulsión
y Carga (Z).
El tablero de circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO está constituido de seis

conmutadores semiconductores autoconmutados, un bloque de circuitos Circuito de impulsión y
un bloque de circuitos Carga (Z).
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El bloque de circuitos Circuito de impulsión puede configurarse según las necesidades. Es

utilizado para suministrar las señales de control necesarias para estudiar cualquiera de los seis
conmutadores semiconductores.
El bloque de circuitos Carga (Z) también puede configurarse para diferentes necesidades.
Permite el estudio de los diferentes circuitos de conmutación semiconductores incluidos en el
tablero de circuitos.

impulsor de transistor optoacoplado - circuito que incluye un optoacoplador que permite
aislamiento eléctrico al conectar la entrada a la salida usando una fuente de luz y un detector, y
un circuito manejador.
aislamiento eléctrico - indica que no hay conducción eléctrica entre dos secciones de un circuito.
diodo de rueda libre - un diodo utilizado para evitar la sobretensión en un circuito inductivo
permitiendo que el flujo de corriente continúe cuando un conmutador electrónico está apagado.
tiempo de recuperación inversa - el tiempo que le toma al diodo para recuperar su capacidad de
bloqueo cuando la corriente se invierte.
EQUIPO REQUERIDO
Tablero de circuitos TRANSISTORES DE POTENCIA Y TIRISTOR GTO
Multímetro
Osciloscopio de doble trazo, 40 MHz (Lab-Volt 797 o equivalente)
Generador de onda cuadrada
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NOTAS
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Ejercicio 1 – Familiarización con el bloque de circuitos de impulsión

Al terminar este ejercicio, usted será capaz de utilizar y configurar el bloque de circuitos Circuito
de impulsión para suministrar la señal de control apropiada a un circuito de conmutación
semiconductor.

• El bloque de circuitos Circuito de impulsión incluye un impulsor de transistor
optoacoplado (el circuito integrado), una fuente de alimentación variable de 0 a +10 V y
otra de 0 a -10 V.
• La salida del Circuito de impulsión está localizada entre el terminal A y el común.
• Utilizando puentes, el bloque de circuitos Circuito de impulsión puede configurarse para
suministrar un voltaje que varía de 0 a +10 V o de 0 a -10 V. Puede suministrar también
una señal cuadrada de 0/+15 V o de -15/+15 V.
• Un impulsor de transistor optoacoplado es un circuito utilizado para suministrar la señal
de control necesaria para operar adecuadamente el semiconductor de potencia,
garantizando un aislamiento eléctricoentre la sección de potencia y el circuito de
impulsión.
• En circuitos de alta potencia, que operan generalmente con niveles altos de voltaje, el
aislamiento eléctrico es muy importante para evitar daños en el circuito de impulsión
causados por el alto voltaje.
• La utilización del impulsor de transistor optoacoplado también permite el control de
numerosos dispositivos con el mismo circuito de impulsión.
• Para obtener una señal de control de onda cuadrada en la salida del impulsor de transistor
optoacoplado, debe conectarse un generador de onda cuadrada en la entrada del circuito
de impulsión (GEN).
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NOTAS
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Ejercicio 2 – Familiarización con el bloque de circuitos de carga

Al terminar este ejercicio, será capaz de utilizar los diferentes componentes del bloque de
circuitos Carga (Z). También será capaz de configurar la carga para obtener, ya sea una
resistencia pura o una carga inductiva resistiva utilizada con o sin diodo de rueda libre.

• En el bloque de circuito CARGA (Z), hay dos resistencias de carga, una resistencia para
medidas de corriente, un inductor y tres diodos de rueda libre.
• La resistencia R3, utilizada para medidas de corriente, tiene un valor de 1Ω y se adiciona
siempre a las otras resistencias en el circuito de carga.
• Las resistencias R1 y R2 tienen ambas un valor resistivo de 10Ω. Pueden estar
configuradas de tres maneras diferentes.
• La resistencia R1 puede utilizarse sola, para obtener una carga de 11Ω (10Ω + 1Ω).
• Con R1 en paralelo con R2, se obtiene una carga de 6Ω (5Ω + 1Ω).
• Finalmente, utilizando R1 y R2 en serie, se obtiene una carga total de 21Ω (20Ω + 1Ω).
• El inductor L1 siempre está presente en el circuito de carga. Sin embargo, puede
cortocircuitarse con un puente.
• Los tres diodos CR1, CR2 y CR3 tienen una función bien específica. Estos tres diodos
son de diferentes tecnologías y debería utilizarse solamente uno de ellos a la vez.
• Un puente correctamente colocado permite seleccionar uno de estos tres diodos. El diodo
seleccionado se utilizará como un diodo de rueda libre y proveerá una vía alternativa
para la corriente inductiva cuando el conmutador semiconductor se apague.
• De hecho, todos los conmutadores semiconductores que se encuentran en el tablero de
circuitos tienen la capacidad de detener el flujo de corriente que pasa a través de ellos.
Dado que la carga puede ser inductiva y que un corte de alimentación en un circuito
inductivo crea una sobre tensión dañina para los semiconductores, debería buscarse una
manera de eliminarlos.
• El diodo de rueda libre provee otra vía para la corriente inductiva y de esta manera, se
evita la sobretensión.
• El diodo CR1 es un diodo de tecnología para uso general y es denominado como "de uso
general". Este diodo no está optimizado para tener un tiempo de recuperación inversa
rápido (trr).
• El diodo CR2 está optimizado para proveer un tiempo de recuperación inversa
considerado Rápido y el diodo CR3 está optimizado para proveer un tiempo de
recuperación inversa Ultrarrápido.
• Una vez que el bloque de circuitos CARGA (Z) ha sido configurado, puede conectarse a
cualquiera de los cinco bloques de circuitos de transistores de potencia o al bloque de
circuitos Tiristor GTO.
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• Los dos terminales de salida del bloque de circuitos CARGA (Z) están identificados con
las letras B y C. Como se observó anteriormente, estas letras se utilizan como guías para
las conexiones con los bloques de circuitos conmutador semiconductor.
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NOTAS
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Transistores de potencia y tiristor GTO - Unidad 3 - Operación de los transistores de potencia y tiristores GTO
UNIDAD 3 – OPERACIÓN DE LOS TRANSISTORES DE POTENCIA Y

TIRISTORES GTO
Al final de esta unidad, usted será capaz de encender y apagar los diferentes transistores de
potencia y el tiristor GTO. Será capaz de conmutar los diferentes tipos de semiconductores
utilizando un circuito simple que comprende una fuente CC y una carga resistiva pura.
TIRISTOR TRIAC
En el volumen 91011 F.A.C.E.T. se ha visto que el tiristor (SCR) y el TRIAC pueden encenderse
utilizando una señal de control, pero que esta misma señal de control no puede utilizarse para
apagarlos.
Estos semiconductores se apagan cuando la corriente baja a 0 A.
Por ejemplo, si se utiliza un tiristor o un TRIAC con una fuente de alimentación CC, la corriente
jamás bajará a 0 A, y por lo tanto, el tiristor o el TRIAC se quedarán siempre encendidos.
Sin embargo, si usted utiliza cualquiera de los semiconductores de potencia del tablero de
circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO, es posible apagarlos con una señal de control
aunque se hayan utilizado con una fuente de alimentación CC.
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La posibilidad de poder controlar el apagado de un conmutador electrónico es algo muy útil en la

creación de una gran cantidad de convertidores autoconmutados.
REGIÓN DE
SATURACIÓN
En electrónica de potencia, el transistor se utiliza como un conmutador controlable. El transistor

de potencia estará ya sea en la región de saturación (SATURATION REGION) (voltaje bajo a
través de sus terminales y una corriente elevada que circula, es decir que hay relativamente poca
disipación de potencia)
REGIÓN DE CORTE
o en la región de corte (CUTOFF REGION) (voltaje alto a través de sus terminales y corriente
muy baja que circula, es decir que hay una disipación de potencia despreciable).
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REGIÓN LINEAL
No obstante, el transistor de potencia debería operar en su región lineal (LINEAR REGION) a fin
de evitar un flujo de corriente elevado a través del dispositivo además del voltaje elevado en sus
terminales. Este modo de operación provoca una enorme disipación de potencia en el transistor
causando generalmente la destrucción del dispositivo.
Esta última consideración se aplica a todos los conmutadores semiconductores utilizados en

electrónica de potencia.

ganancia del transistor bipolar - la ganancia del transistor bipolar se define utilizando un
transistor en su región lineal. En este modo de operación, la intensidad de corriente del colector
es el resultado de la multiplicación de la corriente de base por la ganancia del transistor bipolar.
Cuando el transistor está en la región de saturación (encendido) o de corte (apagado), esta
relación no es válida.
umbral de voltaje de compuerta - es el voltaje de compuerta hacia la fuente (de compuerta hacia
el emisor) más bajo, en el cual el MOSFET (el IGBT) comienza a conducir.
CMOS - tipo de transistor utilizado principalmente en compuertas lógicas que tienen la
particularidad de consumir poca corriente y operar a un nivel lógico de 15 V.
compuerta lógica - circuito hecho de transistores utilizados como conmutadores que permiten la
ejecución de una o varias funciones de lógicas booleanas.
corriente de retención - la corriente mínima necesaria para mantener la conducción en un tiristor
GTO, en un tiristor o en un TRIAC, cuando la corriente no circula en el puente.
EQUIPO REQUERIDO
Multímetro
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NOTAS
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Ejercicio 1 – Operaciones de los transistores bipolares de potencia

Al terminar este ejercicio, usted será capaz de encender y apagar los transistores bipolar y
Darlington utilizando la fuente de alimentación de 0 a +10 V.

• Los transistores bipolar y Darlington funcionan en la región de saturación cuando una
corriente IB suficientemente alta circula desde la base hacia el emisor.
• Esta corriente IB debería ser más alta que la corriente IC que circula entre el colector y el
emisor, dividida por la ganancia del transistor bipolar (hFE).
• Por ejemplo, un transistor que tiene una ganancia hFE de 20 y una corriente IC de 100 A,
debería tener una corriente IB mayor que 5 A para estar en saturación.
• Si el transistor tiene que soportar una sobrecarga de 200 A, debe suministrarse una
corriente de base de más de 10 A. Así, el circuito de impulsión sería suficientemente
potente. Si se utiliza un voltaje de operación de 10 V, la fuente de alimentación debe
suministrar 100 W o más.
• Finalmente, para apagar un transistor bipolar o un Darlington, la corriente IB tiene que
interrumpirse.
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Ejercicio 2 – Operaciones básicas de los MOSFET y los IGBT

Al completar este ejercicio, usted será capaz de encender y apagar el MOSFET de potencia y los
dos IGBT que se encuentran en el tablero de circuitos, utilizando la fuente de alimentación de 0 a
+10 V.

• Los MOSFET de potencia y los IGBT son los semiconductores de potencia
autoconmutados más fáciles de controlar.
• Para encenderlos, se debe aplicar un voltaje de compuerta (medido con respecto a la
fuente para el MOSFET y con el emisor para el IGBT) mayor que el umbral de voltaje
de compuerta (VGS(th) para el MOSFET y VGE(th) para IGBT) y menor que el voltaje
máximo del dispositivo. Normalmente, un voltaje de 10 a 15 voltios sería adecuado para
encender la mayoría de los MOSFET y los IGBT.
• Para apagar estos mismos dispositivos, es necesario un voltaje de compuerta menor que
VGS(th) (ó VGE(th)) pero no mayor que el voltaje negativo máximo. Normalmente, se
aplica cero voltios para encender los MOSFET y los IGBT.
• La conexión entre la compuerta y la fuente (el emisor en el caso del IGBT) puede
considerarse como un simple capacitor que debe cargarse para encender el transistor y
descargarse para apagarlo. Este voltaje puede ser suministrado por una compuerta lógica
CMOS simple.
• Se ha visto en la primera unidad, que el MOSFET de potencia puede controlar corrientes
hasta de 70 A en conducción y soportar 500 V en apagado, mientras que un IGBT
funciona con corrientes hasta de 500 A y puede soportar 1200 V. Es verdaderamente
fascinante poder controlar semejante potencia con la baja potencia suministrada por la
compuerta lógica.
• No obstante, para obtener tiempos cortos de conmutación, el MOSFET y el IGBT tienen
que estar controlados con un circuito de impulsión destinado para este propósito. Estos
circuitos están optimizados para aplicar rápidamente el voltaje de compuerta apropiado
para encender el transistor y restituir rápidamente el voltaje de compuerta a 0 V para
apagarlo.
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NOTAS
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Ejercicio 3 – Operaciones básicas de los tiristores GTO

Al completar este ejercicio, usted será capaz de encender y apagar el tiristor GTO utilizando la
fuente de alimentación positiva de 0 a 10 V y la fuente de alimentación negativa de 0 a -10 V.

• Como se observó anteriormente, el tiristor GTO es un conmutador controlable que puede
utilizarse con el nivel de potencia más alto. Considerando este hecho, es importante
conocer claramente su funcionamiento.
• Para encender un tiristor GTO, un impulso de corriente positiva debería circular desde la
compuerta hacia el cátodo (IG). Una corriente comenzará a circular desde el ánodo al
cátodo (IA), de la misma manera que sucede con el diodo y el tiristor.
• Para apagar el tiristor GTO, debe aplicarse a la compuerta un impulso de corriente
negativa.
• No es necesario mantener el flujo de corriente de compuerta para que el tiristor GTO se
quede encendido. Sin embargo, si la corriente IA que circula desde al ánodo hacia el
cátodo, baja más allá de cierto umbral (corriente de retención), el GTO se apagará.
• Para evitar esta situación, que puede causar complicaciones en un circuito de potencia, la
corriente de compuerta debe mantenerse durante todo el periodo que el tiristor GTO
tenga que estar encendido.
• En la mayoría de circuitos de electrónica de potencia, no se puede aplicar tensiones
inversas elevadas al conmutador electrónico. Muchos transistores pudieran resultar
dañados por causa de un voltaje inverso mayor que 15 V.
• El tiristor GTO es el único conmutador electrónico controlable capaz de soportar una
tensión inversa tan alta como la tensión directa. Por ejemplo, algunos tiristores GTO que
soportan una tensión directa de 1000 V pueden también soportar una tensión de inversión
de 1000 V.
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NOTAS
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Transistores de potencia y tiristor GTO Unidad 4 – Principios de los circuitos de conmutación de potencia
UNIDAD 4 – PRINCIPIOS DE LOS CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN DE

POTENCIA
En esta unidad, se estudiará el comportamiento de la corriente y el voltaje a través de un
transistor bipolar en conducción y en conmutación. Usted aprenderá cuál es la función del diodo
de rueda libre y cómo seleccionar el tipo de diodo conveniente para esta función. Finalmente
aprenderá cómo ocurren las pérdidas de potencia en un transistor bipolar.
Los conmutadores de electrónica de potencia autoconmutados pueden utilizarse en numerosas
topologías de convertidores de potencia.
El tablero de circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO no está diseñado para el estudio de
varias topologías de convertidores, sino más bien para poder observar las diferentes
características del transistor de potencia y el tiristor GTO utilizado en un interruptor reductor
simple.
A pesar de que los principios de funcionamiento de los convertidores de potencia no es el

objetivo de este curso, se dará una breve explicación sobre el funcionamiento del interruptor
reductor para que se comprenda de mejor manera lo que es la conmutación de potencia.
El interruptor reductor (BUCK CHOPPER) es el equivalente en CC del transformador reductor

de CA. Puede convertir un voltaje CC elevado a un voltaje CC bajo, manteniendo siempre un
excelente rendimiento.
29
Por ejemplo, un transformador puede utilizarse para convertir una alimentación de 120 Vca @
1A a una alimentación de 12 Vca @ 10 A. De la misma manera, un interruptor reductor
puede utilizarse para convertir una alimentación de 120 Vcc @ 1A a una alimentación de
12 Vcc @ 10A.
Además, el interruptor reductor tiene un cociente de transformación que puede controlarse

electrónicamente. De esta manera, un cociente de transformación de 10:1 puede ser cambiado a
un cociente de 2:1 y suministrar una alimentación de 60 Vcc @ 2 A. Se obtiene entonces una
fuente de alimentación variable de 0 a 120 Vcc variable que puede controlarse automáticamente.
El cociente de transformación del interruptor reductor está relacionado directamente con el

porcentaje de tiempo durante el cual el conmutador electrónico está conduciendo (ciclo útil). En
otras palabras, el voltaje de salida del reductor es igual al voltaje de entrada multiplicado por el
porcentaje de veces que el conmutador conduce.
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En los siguientes ejercicios, se utilizará un ciclo útil de 50 % (2:1), suministrando un voltaje de

salida de 7.5 V, es decir la mitad del voltaje de entrada de 15 V.

ciclo útil - porcentaje de tiempo en el que un conmutador electrónico está en conducción.
tiempo de retardo de encendido - el intervalo de tiempo entre la aplicación de un impulso de
entrada que enciende el transistor y el comienzo de encendido del transistor.
tiempo de subida de corriente - el tiempo necesario para que la corriente suba desde el 10%
hasta el 90% de su amplitud máxima al encenderse el transistor.
tiempo de retardo de apagado - el intervalo de tiempo entre la aplicación de un impulso de
entrada que apaga el transistor y el comienzo de apagado del transistor.
tiempo de caída de corriente - el tiempo necesario para que la corriente disminuya desde el 90%
hasta el 10% de su amplitud máxima al apagarse el transistor.
interruptor reductor - topología del circuito que incluye un diodo y un conmutador electrónico
auto-conmutado. El circuito permite la conversión de un voltaje CC fijo en su entrada a un
voltaje CC variable en su salida. El voltaje de salida se puede extender desde 0 V hasta el voltaje
de entrada por completo.
EQUIPO REQUERIDO
Osciloscopio de doble trazo 40 MHz (Lab-Volt 797 o equivalente)
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NOTAS
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Ejercicio 1 - Tiempo de conmutación y caída de voltaje de conducción

Al terminar este ejercicio, será capaz de describir el comportamiento de un transistor bipolar
cuando se enciende o se apaga y durante la conducción.

• Para visualizar lo que sucede en un dispositivo electrónico de conmutación, se estudiará
un circuito constituido por un transistor bipolar, una resistencia de carga y una fuente de
alimentación CC fija.
• Para simplificar el estudio, la carga resistiva, la fuente de alimentación y el cable de
conexión no serán considerados como inductivos. Sin embargo, es importante considerar
que en la práctica, estos componentes son inductivos y tienen una influencia en el
comportamiento del circuito.
• Los conmutadores electrónicos utilizados en electrónica de potencia no presentan un
comportamiento ideal.
• El tiempo de respuesta después de la aplicación de un impulso de encendido o de
apagado no es inmediato. Cuando se aplica una corriente de base para encender un
transistor y no hay flujo de corriente en el transistor ni en la resistencia de carga, el
transistor no responde antes de cierto tiempo. Este intervalo de tiempo se llama tiempo
de retardo de encendido (td(ENCENDIDO)).
• El transistor comenzará entonces a conducir progresivamente durante unos
microsegundos. La corriente aumentará en la carga y en el transistor hasta un valor igual
a VCC/R. El intervalo de tiempo durante el cual aumenta la corriente a una máxima
amplitud se le llama tiempo de subida de corriente tr.
• Mientras la intensidad IC aumenta en el colector del transistor, el voltaje (VCE) a través
del transistor VCC disminuirá a un voltaje en estado de encendido VCE(ENCENDIDO) bajo,
como se muestra en la figura.
• El voltaje que pasa por el transistor puede calcularse con la siguiente ecuación:
• VCE = VCC - RIC
• Si se interrumpe el flujo de la corriente de base, el transistor no responderá antes de cierto
tiempo llamado tiempo de retardo de apagado (td(APAGADO)). Éste dejará entonces de
transmitir y la corriente IC que circula disminuye progresivamente por algunos
microsegundos hasta parar completamente. La figura también muestra que el voltaje VCE
aumenta progresivamente durante el tiempo de retardo de encendido (tf).
• Ajuste los controles del osciloscopio para observar
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NOTAS
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Ejercicio 2 – Potencia de conmutación en una carga inductiva

Al terminar este ejercicio, será capaz de conmutar la corriente en una carga inductiva y
comprenderá cuál es la función del diodo de rueda libre.

• Se ha visto en los ejercicios anteriores cómo se conmuta la corriente en una carga
resistiva pura. Sin embargo, por diferentes razones, las cargas resistivas puras se utilizan
raramente en electrónica de potencia.
• Generalmente las resistencias de alta potencia son inductivas. Por lo regular se localizan
lejos del circuito de impulsión y por lo tanto, necesitan cables largos de conexión que son
también inductivos.
• Además, las interrupciones bruscas de corriente en una carga crean grandes emisiones
electromagnéticas indeseables. Es conveniente filtrar la corriente con un inductor de
filtrado colocado en serie con la resistencia de carga.
• Sabiendo que no es posible interrumpir la corriente en un inductor sin producir una
sobretensión, es necesario comprender cómo conmutar una carga inductiva evitando este
problema.
• Cuando un transistor que conmuta una carga inductiva comienza a conducir, la corriente
IC aumenta exponencialmente, como se muestra en la figura, y el voltaje VCE disminuye
en unos cuantos microsegundos.
• La subida de corriente es más lenta que en el caso de una carga resistiva puesto que el
inductor resiste variaciones de corriente rápidas.
• Note que aún se observa un voltaje bajo a través del transistor cuando está en conducción
(VCE(ENCENDIDO)).
• Si el transistor deja de conducir, la corriente IC disminuye y esta caída rápida de corriente
provocará una sobretensión a través del transistor. Esta sobretensión es causada por la
energía guardada en el inductor la cual tiene que ser liberada al detener el paso de
corriente.
• El valor del inductor y el flujo de corriente a través de él antes del apagado del transistor
determinan la cantidad de energía guardada en el inductor. Entre mayor es la energía,
mayor es el impulso de tensión progresivo.
• La amplitud de esta sobretensión está en función de la velocidad de corte de corriente del
transistor. Mientras más rápida es la interrupción de corriente del transistor, más alta será
la sobretensión.
• Esta sobretensión puede destruir el transistor. En el tablero de circuitos Transistores de
potencia y tiristor GTO, se han puesto circuitos de protección para reducir las
sobretensiones y evitar daños en el transistor.
• Para conmutar una carga inductiva evitando sobretensiones, simplemente se tiene que
colocar un diodo en paralelo con la carga.
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• En esta nueva configuración del circuito, cuando el transistor se apaga e interrumpe la

corriente de carga (IL), ésta puede fluir ahora a través del diodo (ID), llamado diodo de
rueda libre. No hay entonces corte de corriente en el inductor y por lo tanto, no hay
sobretensión.
• Observe el comportamiento de las corrientes en el transistor (IC), en la carga (IL) y en el
diodo (ID), y también del voltaje VCE cuando el transistor se apaga.
• El voltaje VCE aumenta rápidamente a un voltaje de VCC + 0.7 V. Al alcanzar este voltaje,
el diodo comienza a conducir. Entonces se transfiere el flujo de corriente del transistor
hasta el diodo. Luego uno observa la intensidad cero en el transistor (IC) y la intensidad a
plena carga en el diodo (ID).
• Es importante observar que el voltaje a través de la carga es aproximadamente VCC
cuando conduce el transistor. La intensidad IL aumenta entonces en la carga.
• Cuando se apaga el transistor, el voltaje a través de la carga es igual al voltaje en estado
de encendido del diodo, y de esta manera, la intensidad IL disminuye en la carga.
• Uno puede observar que la intensidad de carga oscila entre IMÁX e IMÍN.
• Como se explicó anteriormente, es conveniente filtrar esta corriente. Para disminuir la
amplitud de oscilación de corriente, se puede aumentar ya sea la frecuencia de
conmutación o el valor del inductor.
• Sin embargo, si se aumenta el valor del inductor, así será el valor del circuito. Se verá
también en el próximo ejercicio que, si se aumenta la frecuencia de conmutación del
transistor, éste puede entonces sobrecalentarse.
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NOTAS
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Ejercicio 3 – Tiempo de recuperación del diodo de rueda libre

Al terminar este ejercicio, será capaz de describir el comportamiento del diodo de rueda libre
durante la conmutación del transistor. Conocerá las diferentes tecnologías de diodos utilizadas en
electrónica de potencia y comprenderá los criterios que se toman en cuenta para seleccionar el
tipo de diodo más conveniente para una aplicación.

• Se ha visto en los ejercicios anteriores, que la utilización de un diodo de rueda libre es
esencial cuando se trabaja con una carga inductiva. También se ha explicado que, en alta
potencia, casi todas las cargas se pueden considerar como inductivas debido a la
propiedad inductiva de los cables de conexión largos.
• Es importante comprender claramente el funcionamiento del diodo de rueda libre para
asegurar una correcta selección del tipo de diodo adecuado.
• En la electrónica convencional, se ha visto que el diodo es una unión de semiconductor
de tipo P y tipo N. La unión tipo P se conecta a un terminal llamado ánodo y la unión tipo
N se conecta a un segundo terminal llamado cátodo.
• Cuando el voltaje del ánodo es mayor que el voltaje del cátodo, la corriente circula del
ánodo hacia el cátodo.
• Cuando el voltaje del ánodo es menor que el voltaje del cátodo, el diodo se apaga y no
permite el flujo de corriente.
• En la electrónica de potencia, esta interpretación simplificada del comportamiento del
diodo no explica completamente el funcionamiento del circuito.
• Para encender el diodo, la explicación considerada anteriormente es siempre válida.
• Sin embargo, la condición necesaria para bloquear el diodo ya no es una función del
voltaje sino más bien una función de la corriente.
• En electrónica de potencia, el diodo se considera bloqueado después de que la corriente
ha sido invertida durante un tiempo considerable.
• Al tiempo necesario para que el diodo restablezca su capacidad de bloqueo después de la
inversión de corriente se le llama "tiempo de recuperación inversa" (trr).
• Esta figura muestra cómo la corriente y el voltaje se desarrollan al apagar el diodo.
• La intensidad es negativa por un tiempo trr y el voltaje (VAK(ENCENDIDO)) permanece
positivo, igual que el voltaje en estado encendido directo, durante todo este tiempo.
• Cuando el diodo restablece su capacidad de bloqueo, después de un tiempo trr, el voltaje
se invierte a través del diodo.
• La amplitud del pico de corriente negativa en el diodo puede llegar a ser muy elevada y
causar el sobrecalentamiento del transistor de conmutación. De hecho, al utilizar el diodo
como un diodo de rueda libre en una configuración de interruptor reductor, el pico de
corriente inversa se agrega a la corriente de carga que debe soportar el transistor.
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• Observe esta figura de un interruptor reductor constituido por un transistor, un diodo de

rueda libre, una carga inductiva y una fuente de alimentación CC.
• Suponiendo que el circuito se ha hecho funcionar durante un cierto tiempo y que la
corriente de carga tiene alguna ondulación.
• En el momento preciso antes del apagado del transistor, la corriente está circulando a
través del diodo de rueda libre.
• Esta figura muestra la evolución de las corrientes y voltajes en el diodo y el transistor, al
apagar el transistor. Se puede ver claramente que el pico de corriente inversa en el diodo
tiene el aspecto de un muy grande pico de corriente en el transistor.
• Además, el pico de corriente en el transistor ocurre cuando el transistor soporta el voltaje
total suministrado a través de sus terminales. La potencia disipada por el transistor, que
resulta de la multiplicación de la corriente y el voltaje, será entonces muy grande en cada
punto de conmutación.
• Si se utiliza el diodo que tiene un trr largo, el pico de corriente será mayor y durará más.
• El tiempo de recuperación inversa es principalmente una función de la tecnología
utilizada en la fabricación del diodo.
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NOTAS
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Ejercicio 4 – Pérdidas en los conmutadores de potencia electrónicos

Al final de este ejercicio, usted será capaz de describir la manera como ocurren las pérdidas de
potencia en un transistor bipolar cuando está conmutando y también cuando está simplemente en
conducción. Conocerá también cuál es la influencia de la frecuencia de conmutación sobre las
pérdidas.

• Se ha visto en los ejercicios anteriores que el transistor no es un conmutador ideal y que
la conmutación no es instantánea. Desafortunadamente, este comportamiento no ideal
causa pérdidas de potencia que pueden provocar un sobrecalentamiento del transistor.
• La potencia disipada en un transistor es principalmente, el resultado de la multiplicación
del voltaje VCE a través de sus terminales por la corriente IC que fluye a través del
colector.
• La potencia disipada en el transistor cuando está conduciendo es el resultado de la
multiplicación del bajo voltaje en estado encendido (VCE(ENCENDIDO)) (generalmente de 1 a
5 V) por la corriente IC. A éste tipo de pérdida se le conoce como pérdida de
conducción.
• Suponiendo que se tiene un voltaje VCE(ENCENDIDO) de 1 V y una corriente IC de 10 A.
Durante la conducción, se obtendrá una disipación de potencia de 10 W.
• Mientras el transistor se está apagando, la corriente disminuye por un tiempo tf y el
voltaje aumenta. Esto da como resultado una variación de la disipación de potencia en el
transistor durante el tiempo tf.
• Por ejemplo, con un voltaje VCE de 50 V cuando se apaga el transistor y una corriente de
10 A cuando se enciende, se obtiene en el punto medio, una disipación máxima de
potencia de aproximadamente 125 W (25V x 5A).
• Cuando se apaga el transistor, no hay una disipación de potencia significativa puesto que
la corriente del colector es despreciable.
• Al encender el transistor, se puede observar también otra variación en la disipación de
potencia puesto que la corriente sube por un tiempo tr mientras que, el voltaje a través del
transistor cae a VCE(ENCENDIDO). De la misma manera que en el apagado, se puede
observar una disipación máxima de potencia de aproximadamente 125 W.
• Sin embargo, puesto que el tiempo de subida tr es menor que el tiempo de caída tf, habrá
menos disipación de potencia en el encendido que en el apagado.
• A las pérdidas de potencia que ocurren durante el encendido y apagado del transistor se
les conoce como pérdidas de conmutación.
• En el caso de un diodo de rueda libre real, se debe considerar el tiempo de recuperación
inversa del diodo al encender el transistor. Durante el retardo suplementario, un pico de
corriente a través del transistor ocurre en el momento mismo que tiene que soportar el
voltaje total suministrado en sus terminales. Una cantidad excedente de potencia de
disipación debe entonces incluirse en las pérdidas de conmutación.
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• Mientras más lentos sean los tiempos de conmutación (tf y tr largo), mayor será la
disipación de potencia y así también, las pérdidas de conmutación. Además, mientras más
largo sea el tiempo de recuperación inversa del diodo, más larga será también la
disipación de potencia.
• Es necesario tener conmutadores electrónicos de conmutación rápida, así como diodos de
rueda libre con un tiempo de recuperación inversa corto, si se desean minimizar las
pérdidas de potencia en un circuito de potencia electrónico.
• La frecuencia de operación de los interruptores electrónicos afecta también las pérdidas
de potencia. En baja frecuencia, las pérdidas de conducción contribuyen principalmente
en las pérdidas del transistor.
• Inversamente, en alta frecuencia, las pérdidas de conmutación son la principal fuente de
las pérdidas.
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NOTAS
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Transistores de potencia y tiristor GTO Unidad 5 – Transistor bipolar y conmutadores tiristores GTO
UNIDAD 5 – TRANSISTOR BIPOLAR Y CONMUTADORES TIRISTORES

GTO
Al final de esta unidad, será capaz de describir la operación de conmutación del transistor
bipolar, el transistor Darlington y el tiristor GTO y conocerá también cómo mejorar los tiempos
de conmutación. Conocerá cuál es la función del circuito de aceleración y los efectos que ejerce
sobre la señal de impulsión cuando se modifican los componentes de este circuito.
Cuando se considera el encendido de un conmutador electrónico, es importante darse cuenta que

mientras más intensa sea la señal de impulsión, más rápido se encenderá el conmutador y más
rápido la corriente de carga alcanzará su valor máximo. Existe también una reducción del tiempo
de conmutación cuando se utiliza una corriente más intensa como señal de control.
La figura muestra para una carga resistiva, los tiempos de conmutación del transistor bipolar
cuando se aplican dos intensidades de corriente diferentes.
Mientras más alta sea la corriente de base, más rápido será el encendido.
Sin embargo, si se mantiene una corriente de control alta durante la conducción, se producirá una
gran disipación de potencia en el circuito de impulsión.
Es ventajoso tener una corriente de control intensa cuando el conmutador se enciende, pero no
durante la conducción.
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La adición de un circuito RC en la base (la compuerta para el tiristor GTO) del conmutador
permite la formación de picos de corriente positiva que acelerarán el encendido sin ocasionar una
gran disipación de potencia durante la fase de conducción.
Este mismo circuito RC también produce picos de corriente negativa cuando se interrumpe la
señal de control y de esa manera, se mejora el tiempo de conmutación de apagado.
Si se aumenta la intensidad de este pico de corriente negativa, el apagado será mucho más
rápido. Una manera de obtener esta corriente negativa más alta es utilizando una fuente de
control bipolar en lugar de una unipolar.
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Con un voltaje diferencial (VDR) de +15 V a -15 V, el circuito RC producirá un pico de

corriente negativa más alto.
El resultado será un tiempo de conmutación de apagado más corto.
El circuito de aceleración puede modificarse para obtener un valor diferente de corriente de

impulsión.
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Por ejemplo, si se disminuye la resistencia del circuito RC, los picos de corriente serán más altos.
Si se aumenta la capacitancia de este mismo circuito RC, los picos serán más altos.
Finalmente, si se aumenta la resistencia que limita la corriente de impulsión, la corriente será

más baja.

Ningunos
EQUIPO REQUERIDO
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Ejercicio 1 – El transistor de potencia bipolar

Al completar este ejercicio, será capaz de identificar las diferentes maneras de mejorar la
conmutación del transistor bipolar. Conocerá la función de varios componentes de circuito que
ayudan a la conmutación. Será capaz de describir la relación entre la intensidad de la corriente de
base IB y la capacidad de sobrecarga del transistor bipolar.

• Como se ha visto en los ejercicios anteriores, el Transistor bipolar se puede encender o
apagar aplicando o interrumpiendo la corriente en su base. Este cambio de estado no
sucede inmediatamente y depende principalmente de la intensidad y la forma de la
corriente de base (IB).
• La adición de un circuito RC en la base de un Transistor bipolar permite que se genere un
pico de corriente positiva o negativa que ayudará a acelerar el encendido y apagado sin
causar una gran disipación de potencia durante la fase de conducción.
• Con una fuente de control bipolar, en lugar de una unipolar, se obtendrán impulsos de
corriente negativa más altos.
• Este aumento en los picos de corriente negativa da como resultado tiempos de
conmutación de apagado más rápidos.
• Se ha visto, en electrónica de potencia, que un transistor bipolar se mantiene en
conducción al aplicar una corriente de base suficientemente amplia para obtener la
saturación. Sin embargo, si se aumenta demasiado la corriente de base, se necesitará una
fuente de alimentación más potente para el circuito de aceleración y se producirán
grandes pérdidas en la base del transistor.
• Es recomendable tener una corriente de base lo más baja posible, pero que sea capaz de
mantener el transistor en saturación a través de toda la gama de corriente de carga IC.
• Para permitir que el transistor resista la sobrecarga, la gama de corriente IC debe fluctuar
entre 0 A y aproximadamente dos a cinco veces el valor de la corriente nominal.
• Por lo tanto, es necesario proveer un circuito de aceleración capaz de entregar una
corriente de base IB de por lo menos dos a cinco veces lo necesario para obtener la
corriente de carga nominal.
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NOTAS
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Ejercicio 2 – El transistor de potencia Darlington

Al final de este ejercicio, será capaz de identificar algunas maneras de mejorar la conmutación
del transistor Darlington. También será capaz de describir los efectos de la corriente de base en
la capacidad de sobrecarga del transistor Darlington.

• La ventaja principal que ofrece el Transistor Darlington en electrónica de potencia es su
ganancia de corriente, la cual es más elevada que la del transistor bipolar. Esta ganancia
elevada se obtiene colocando en cascada dos o más transistores bipolares en una
configuración Darlington.
• La ganancia de corriente en este tipo de configuración es aproximadamente igual al
producto de la ganancia de corriente de los transistores en el circuito.
• El Darlington presentado en esta figura tiene una ganancia total alrededor de 1000, la
cual es el producto de las ganancias del transistor Q1 y el transistor Q2. La pequeña
ganancia del primer transistor (20) ha aumentado por un factor de 50.
• Por lo tanto, se requerirá de una corriente de impulsión más baja IB para obtener la misma
corriente de carga IC, tanto como un circuito de impulsión menos potente.
• Sin embargo, la configuración Darlington tiene también efectos negativos ocasionados
por la disposición en cascada de varios transistores bipolares. Uno de ellos es el aumento
significativo de la corriente de fugas.
• Un transistor bipolar sin corriente en su base se encuentra en estado de apagado, y por lo
tanto está abierto entre el colector y el emisor. A pesar de este estado de apagado, logra
circular una corriente baja desde el colector hacia el emisor. A ésta se le llama corriente
de fugas ICEO.
• En el caso de un transistor bipolar simple, esta corriente de fugas es despreciable. Pero en
el caso del transistor Darlington, el hecho de tener dos o varios transistores en cascada
permite que esta corriente baja se amplifique significativamente.
• Este defecto se puede corregir agregando resistencias entre las bases y los emisores. Éstas
son conocidas como resistencias puente de base-emisor.
• Obsérvese que la adición de estas resistencias reduce en parte la ganancia de corriente
total. La resistencia puente de base-emisor del transistor Q2 es la que más influye en la
pérdida de ganancia.
• Otro efecto negativo de la configuración Darlington es el aumento del voltaje en estado
de encendido (VCE(ENCENDIDO)). En un Darlington, el voltaje total del colector-emisor VCE
es la suma del voltaje del colector-emisor VCE1 del primer transistor Q1 y el voltaje de la
base-emisor VBE2 del segundo transistor Q2.
• El voltaje en estado de encendido que resulta es entonces más alto que el del transistor
bipolar.
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• Finalmente, uno de los problemas mayores de esta configuración es la necesidad de

aplicar un impulso de corriente negativa fuerte a cada uno de los transistores que forman
el Darlington para acelerar su apagado.
• Para aplicar impulsos negativos en el segundo transistor (Q2), se debe conectar un diodo
entre la base y el emisor del transistor Q1.
• De esta manera, cada transistor aprovechará los impulsos de corriente negativa y el
tiempo de conmutación de apagado del Darlington se reducirá significativamente.
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NOTAS
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Ejercicio 3 – El tiristor GTO

Al final de este ejercicio, tendrá un mejor conocimiento sobre el comportamiento del tiristor
GTO. Será capaz de aplicar la corriente de compuerta necesaria para encender y apagar
correctamente el GTO.

• Como se vio anteriormente, el tiristor GTO es un semiconductor autoconmutado que
puede encenderse aplicando un impulso de corriente positiva en su compuerta.
• Como se vio anteriormente, el tiristor GTO es un semiconductor autoconmutado que
puede encenderse aplicando un impulso de corriente positiva en su compuerta y apagarse
aplicando un impulso de corriente negativa.
• Además, es preferible mantener la corriente de compuerta durante el periodo de
conducción para evitar que el tiristor GTO se apague si la corriente IA disminuye más
abajo del umbral de la corriente de retención.
• El tiristor GTO posee un voltaje en estado de encendido (VAK(ENCENDIDO)) más alto que
los transistores bipolar y Darlington. Por lo tanto, tiene mayor disipación de potencia que
estos dos transistores durante la conducción.
• La amplitud mínima de los impulsos de corriente positiva (IG) necesaria para encender el
tiristor GTO es una especificación física propia de cada GTO e independiente de la
corriente que controla (IA).
• Generalmente, una corriente de un amperio es suficiente para encender la mayoría de los
GTO de potencia.
• Sin embargo, es diferente en el caso de la amplitud mínima del impulso de corriente
negativa puesto que éste depende de la corriente IA que debe interrumpirse.
• Normalmente, para controlar una corriente IA, se debe inyectar en la compuerta del GTO
un impulso de corriente negativa de por lo menos 20 a 25 % de su amplitud máxima.
• Por ejemplo, para interrumpir una corriente IA de 100 A, el impulso de corriente negativa
debe tener una amplitud mínima alrededor de -20 a -25 A.
• Desafortunadamente, es imposible apagar los tiristores GTO cuando la corriente IA
sobrepasa cierto límite. Aunque se aplique en la compuerta una corriente inversa más
alta, el GTO se mantiene en conducción.
• Es entonces necesario instalar un dispositivo de seguridad para interrumpir la corriente en
el GTO si sucediera algún problema. El sistema de seguridad protegerá el GTO contra la
sobre intensidad que pudiera ser causada por un corto-circuito.
• Existen dos tipos de tiristor GTO: el tipo "bloqueo inverso" y el tipo "corto de ánodo".
• El GTO de tipo "bloqueo inverso" GTO es capaz de bloquear una tensión inversa alta
tanto como una tensión directa alta.
• El GTO de tipo "corto de ánodo" GTO no es capaz de bloquear una tensión inversa
mayor que 15 V, pero puede conmutar a una frecuencia elevada.
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NOTAS
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Transistores de potencia y tiristor GTO Unidad 6 – El mosfet de potencia y los IGBT
UNIDAD 6 – EL MOSFET DE POTENCIA Y LOS IGBT
Al final de esta unidad, será capaz de describir la operación de conmutación del MOSFET de
potencia, del IGBT y del IGBT ultrarrápido. Conocerá también como optimizar los tiempos de
conmutación de dichos dispositivos.
Se vio anteriormente que un transistor bipolar es esencialmente un dispositivo controlado por

una corriente. Dicha corriente debe circular de la base hacia el emisor para permitir que la
corriente del colector fluya.
El transistor Darlington y el tiristor GTO son también dispositivos controlados por una corriente.
El MOSFET y el IGBT son fundamentalmente diferentes ya que son controlados por un voltaje
que se aplica en la compuerta para encenderlos.
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La conexión entre la compuerta y la fuente de un MOSFET (emisor en el caso de un IGBT)

puede considerarse como un capacitor simple que debe cargarse o descargarse para controlar el
encendido o el apagado del dispositivo.
Para el encendido, esta capacitancia de compuerta-fuente CGS (capacitancia de compuerta-

emisor CGE para el IGBT) debe cargarse utilizando una fuente que suministre un voltaje por
encima del voltaje umbral del dispositivo (V(DR) > VGS(th) para el MOSFET o V(DR) >
VGE(th) para el IGBT).
Cuando el capacitor está cargado (VGS = V(DR)), el dispositivo se considera encendido y no

circula ninguna corriente en la compuerta.
62
Para apagar el dispositivo, se debe descargar el capacitor.
Cuando el capacitor está descargado (VGS = 0 V), el dispositivo se considera apagado.
Contrariamente a un transistor bipolar, la ganancia de potencia de un MOSFET o de un IGBT es

extremadamente alta. Una gran corriente de carga ID (IC para el IGBT) puede circular a través
de un MOSFET sin que ninguna corriente IG fluya a través de su compuerta; esto es solamente
necesario para mantener la carga en la capacitancia CGS (CGE para el IGBT). La potencia
necesaria para controlar un MOSFET o un IGBT es entonces muy pequeña y el circuito de
impulsión muy simple.
63
Por lo general, la compuerta de los MOSFET y los IGBT no puede soportar un voltaje de más de
+/- 20 V. Puesto que la compuerta tiene una impedancia casi infinita (capacitancia), existe un
riesgo grande de que una simple descarga electrostática pueda dañar seriamente la compuerta de
estos dispositivos. Por lo tanto, se debe tener mucho cuidado al manipular, instalar o probar
dichos dispositivos en un circuito.
Ya que se puede acceder fácilmente a los componentes del tablero de circuitos, se ha colocado
un diodo Zener entre la compuerta y la fuente del MOSFET (el emisor para los IGBT) para
limitar los daños que pudiera provocar una sobretensión electrostática.
El interruptor pulsador colocado en serie con el diodo Zener se encuentra ahí estrictamente para
retirar temporalmente dicho diodo y permitir la verificación del dispositivo utilizando la función
prueba de diodo de un multímetro.
Generalmente, el diodo zener se encuentra en los circuitos de alta potencia que utilizan un
MOSFET, ya que los grandes y bruscos cambios del voltaje VDS producen, vía la capacitancia
de drenaje-compuerta CDG, sobretensiones de voltaje entre la compuerta y la fuente.
Estas sobretensiones VGS pueden subir por encima del voltaje umbral VGS(th) y encender
temporalmente el dispositivo. En algunos casos, las sobretensiones positivas y negativas pueden
incluso sobrepasar el límite de +/- 20 V dañando así el dispositivo.
64
Por ejemplo, un cambio de 300 V del voltaje de drenaje-fuente VDS puede causar un pico de
voltaje de compuerta-fuente (VGS) de aproximadamente 50 V. Este mismo fenómeno existe en
el caso del IGBT y también requiere de protección de compuerta.

resistencia estática de drenador-fuente en estado de encendido - la resistencia estática de
drenador-fuente en estado de encendido es la resistencia CC entre el drenador y los terminales de
la fuente con un voltaje de compuerta-fuente específico aplicado para polarizar el dispositivo al
estado de encendido.
densidades de corriente - es la corriente que fluye a través de una superficie, dividida por el área
transversal de dicha superficie. Se expresa en amperios por metros cuadrados o de manera más
usual en múltiplos de SI de amperios por milímetros cuadrados.
EQUIPO REQUERIDO
Osciloscopio de doble trazo, 40 MHz (de Lab-Volt 797 o equivalente)
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NOTAS
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Ejercicio 1 – El MOSFET de potencia

Al final de este ejercicio, conocerá el comportamiento del MOSFET de potencia durante la
operación de conmutación. Será capaz de explicar de qué manera se puede mejorar la
conmutación del MOSFET. También comprenderá por qué se observan ondulaciones en el
voltaje de drenador-fuente cuando el transistor se apaga.

• Los tiempos de conmutación del MOSFET son determinados principalmente por las
capacitancias del dispositivo.
• La estructura de compuerta tiene la capacitancia CDG en el drenador y la CGS en la fuente.
El MOSFET tiene también una capacitancia CDS entre el drenador y la fuente.
• Para comprender claramente el comportamiento del MOSFET, es importante comprender
el funcionamiento de estas tres capacitancias.
• Sin embargo, observe que la ficha técnica del dispositivo normalmente especifica Ciss,
Coss y Crss para que estas capacitancias puedan leerse más fácilmente. Estos valores
están relacionados con las capacitancias de los interelectrodos por las relaciones:
Ciss = CDG + CGS (en paralelo)
Coss = CDG + CDS (en paralelo)
Crss = CDG
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NOTAS
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Ejercicio 2 – El IGBT

Al final de este ejercicio, conocerá el comportamiento del IGBT durante la operación de
conmutación. Será capaz de explicar de qué manera puede mejorarse la conmutación del IGBT.
Será también capaz de visualizar la diferencia entre la conmutación del MOSFET y el IGBT,
principalmente en el apagado.

• El IGBT, transistor bipolar de compuerta aislada, es un transistor de conmutación con un
funcionamiento y una estructura similar a la de un transistor de efecto de campo de
compuerta aislada, comúnmente conocido como MOSFET.
• Así como los MOSFET, los IGBT son dispositivos de voltaje controlado que requieren
solamente de un voltaje de compuerta para mantener la conducción a través del
dispositivo.
• Los IGBT poseen densidades de corriente más altas que otros transistores bipolares
comparables, mientras que al mismo tiempo, sus exigencias de impulsión de compuerta
son menos complicadas que el conocido MOSFET de potencia.
• Los IGBT son fabricados para altos rangos de voltaje y de corriente extendiéndose más
allá de lo que es normalmente la capacidad de un MOSFET de potencia. Por ejemplo, por
el lado de alta potencia, se dispone de dispositivos con rangos de voltaje de 1200 V y
rangos de corriente de 600 A.
• En general, el IGBT ofrece ventajas claras en voltaje alto (>300 V), en corriente alta (1-3
A/mm2 de área activa) y a velocidad mediana (hasta 10-20 KHz).
• El símbolo de circuito que se utiliza generalmente para el IGBT se muestra en la figura
a). Este símbolo es similar al del transistor bipolar npn con un terminal de compuerta
aislado en lugar de la base.
• El circuito equivalente del IGBT lo representa con mucha precisión el transistor bipolar
pnp bipolar, en el cual la corriente de base está controlada por un MOSFET y limitada
por una resistencia de base variable. La conductividad de la resistencia de base aumenta
(modula) cuando el IGBT se enciende.
• Es posible mejorar el modelo IGBT, con un circuito equivalente más complejo.
• El IGBT está constituido de un transistor bipolar pnp impulsor por un MOSFET de canal
n en una configuración seudo-Darlington.
• El JFET soporta la mayor parte del voltaje y permite que el MOSFET sea del tipo de bajo
voltaje y en consecuencia, que tenga una baja RDS(encendido).
• Como se aprecia en el circuito equivalente, la caída de voltaje VCE(encendido) a través del
IGBT es la suma de dos componentes: una caída de diodo a través de la unión p-n y una
caída de voltaje a través del MOSFET de impulsión.
69
• Ya que el IGBT es un dispositivo de compuerta MOS, éste posee tres capacitancias

características Cies, Coes, y Cres. Estas capacitancias están especificadas en la ficha técnica
ya que son las que se miden más fácilmente. Éstas pueden utilizarse para determinar las
capacitancias de unión CCG, CGE y CCE del IGBT.
Cies = CCG + CGE (en paralelo)
Coes = CCG + CCE (en paralelo)
Cres = CCG
• Las velocidades de conmutación de los IGBT son más altas que las de los transistores de
potencia bipolares. El rendimiento de la conmutación en encendido es muy similar a la de
los MOSFET de potencia, pero los tiempos de apagado son más largos. Por lo tanto, las
frecuencias de conmutación máximas de los IGBT caen entre las de los transistores de
potencia bipolares y los MOSFET.
• Durante el apagado, la caída de corriente es abrupta, similar a la del MOSFET de
potencia.
• Pero esto es seguido de una larga "cola" durante la cual la decadencia se lleva a cabo
relativamente despacio.
• Normalmente, la cola comienza alrededor del 25% de la corriente en estado de
encendido.
• Durante la cola, el IGBT soporta el voltaje de carga mientras que la corriente de cola
fluye.
• Esto causa un aumento de la pérdida de potencia de conmutación y por lo tanto limita la
frecuencia de conmutación.
• De la misma manera que para el MOSFET, la selección de la serie de resistencia de
compuerta RG adecuada, es importante para el IGBT. El valor de la resistencia de
compuerta tiene un impacto significativo en el rendimiento dinámico del IGBT.
• El IGBT se enciende y se apaga al cargar y descargar la capacitancia de compuerta. Una
resistencia de compuerta más pequeña cargará o descargará más rápido la capacitancia de
compuerta, reduciendo así, principalmente en el encendido, los tiempos de conmutación y
las pérdidas de conmutación.
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NOTAS
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Ejercicio 3 – El IGBT ultrarrápido

Al final de este ejercicio, conocerá cuál es el comportamiento del IGBT ultrarrápido durante la
conmutación. También será capaz de visualizar la diferencia entre la conmutación del IGBT y
IGBT ultrarrápido, principalmente en el apagado.

• Se han creado diferentes familias de IGBT con diferentes frecuencias de cruce, para
maximizar la operación del dispositivo en diferentes aplicaciones.
• Los IGBT estándar han sido optimizados para caídas de voltaje y pérdidas de conducción
y poseen la caída de voltaje más baja por unidad de densidad de corriente de todos los
IGBT.
• Los IGBT rápidos ofrecen una combinación de pérdidas bajas de conmutación y
conducción, lo cual coincide con las características de conmutación de muchos
transistores bipolares populares.
• Los IGBT ultrarrápidos han sido optimizados para pérdidas de conmutación y tienen las
pérdidas de conmutación más bajas por unidad de densidad de corriente de todos los
IGBT. Estos dispositivos poseen velocidades de conmutación que son comparables a las
de los MOSFET de potencia en aplicaciones prácticas. Éstos pueden operar
confortablemente a 50 KHz en conmutación de onda cuadrada.
• A voltajes altos (>300 V), los diseñadores utilizan los IGBT para reemplazar los
MOSFET, con matrices de tamaño mucho más grande, en aplicaciones de conversión de
potencia fuera de línea y para reducir de manera significativa el costo de componentes sin
afectar el rendimiento del sistema de potencia global.
• Debido a la más alta densidad de corriente utilizable de los IGBT, un IGBT con una
matriz dos veces más pequeña puede tratar dos o tres veces más corriente de lo que haría
normalmente el MOSFET típico.
• Por ejemplo, a alto voltaje (>300 V) y baja frecuencia (<5 KHz), un IGBT estándar
simple (600 V, 31 A@100oC) puede reemplazar seis MOSFET de alta potencia en
paralelo incluidos dentro de un módulo simple (600 V, 30A@100oC). Este IGBT simple
reduce el costo de piezas y toma menos espacio en el tablero.
• Los requerimientos de impulsión de compuerta para los IGBT son similares a los de los
MOSFET e incluso, pudieran ser menos complejas debido al tamaño más pequeño de la
matriz y a la capacitancia de entrada.
• La frecuencia de conmutación máxima de los IGBT está limitada principalmente por la
pérdida de conmutación total, principalmente durante la conmutación de apagado no ideal
debido a la cola de corriente.
• En la aplicación de una fuente de alimentación típica de 80 a 100 KHz, se espera que en
el caso de un MOSFET, aproximadamente 75% de las pérdidas, sean pérdidas de
conducción debido a las RDS(encendido) del dispositivo.
73
• En el caso de un IGBT ultrarrápido en la misma aplicación, aproximadamente el 70% de

las pérdidas serían pérdidas de conmutación, sobre todo durante el apagado. De esta
manera, los mejoramientos de las características de apagado del IGBT tendrían un efecto
mayor en la reducción de las pérdidas globales.
• Un nuevo IGBT con una velocidad de conmutación más rápida ha sido creado
recientemente por la International Rectifier bajo el nombre de WARP Speed IGBT.
• La alta velocidad de conmutación de este dispositivo da como resultado principalmente
un mejoramiento mayor de sus características de apagado. Esto comprende una reducción
de los efectos de la cola de corriente y las pérdidas de energía de conmutación totales.
• Los WARP Speed IGBT han logrado bajar las pérdidas Eapagado aproximadamente a la
mitad del valor de los IGBT ultrarrápidos. Este mejoramiento aproximado de 50%
duplica virtualmente la gama de frecuencia de los IGBT sin ningún impacto significativo
sobre las pérdidas de potencia.
• Con una velocidad de conmutación de hasta 150 KHz, la serie de los IGBT WARP Speed
poseen características de conmutación que se asemejan mucho a las de los MOSFET de
potencia, sin sacrificar las características de conducción superiores ni las densidades de
corriente utilizables más altas del IGBT.
• Los conmutadores de potencia presentados anteriormente pueden resumirse en una tabla
comparativa que los presenta dentro de una perspectiva adecuada.
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NOTAS
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76
APÉNDICE A – SEGURIDAD
La seguridad es responsabilidad de todos. Todos deben cooperar para crear el ambiente de
trabajo lo más seguro posible. A los estudiantes se les debe recordar el daño potencial y darles
las reglas de seguridad de sentido común e instrucción de seguir las reglas de seguridad eléctrica.
Cualquier ambiente puede ser peligroso cuando no es familiar. El laboratorio basado en

computadoras de FACET puede ser un ambiente nuevo para algunos estudiantes. Instruya a los
estudiantes en el uso adecuado de los equipos de FACET y explíqueles qué comportamiento se
espera de ellos en este laboratorio. Es responsabilidad del profesor proporcionar la introducción
necesaria al ambiente de estudio y a los equipos. Esta tarea evitará daños tanto a los estudiantes
como a los equipos.
El voltaje y corriente utilizados en el laboratorio basado en computadoras FACET son, en sí

mismos, inofensivos para una persona sana y normal. Sin embargo, un choque eléctrico que
llegue por sorpresa es incómodo y puede causar una reacción que podría crear daño. Se debe
asegurar que los estudiantes tengan en cuenta las siguientes reglas de seguridad eléctrica.
1. Apague la alimentación de potencia antes de trabajar en un circuito.

2. Confirme siempre que el circuito está cableado correctamente antes de encenderlo. Si se
requiere, haga que su profesor revise el cableado de su circuito.
3. Desarrolle los experimentos siguiendo las instrucciones: no se desvíe de la documentación.
4. Nunca toque cables “energizados” con sus manos o con herramientas.
5. Siempre sostenga las terminales de prueba por sus áreas aisladas.
6. Tenga en cuenta que algunos componentes se pueden calentar mucho durante la operación.
(Sin embargo, ésta no es una condición normal para el equipo de su curso F.A.C.E.T.)
Permita siempre que los componentes se enfríen antes de proceder a tocarlos o retirarlos del
circuito.
7. No trabaje sin supervisión. Asegúrese de que hay alguien cerca para cortar la potencia y
proveer primeros auxilios en caso de un accidente.
8. Desconecte los cables de potencia por la toma, no halando del cable. Revise que el
aislamiento no esté agrietado o roto en el cable.
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Transistores de potencia y tiristor GTO

Cuaderno de ejercicios del estudiante

Tercera impresión, marzo de 2005

Copyright 2005 Lab-Volt Systems, Inc.

La información en este documento está sujeta a cambios sin notificación y no representa un

Unidad 1 – Introducción al tablero de circuitos..........................................................................1

El Apéndice incluye información acerca de la seguridad.

UNIDAD 1 – INTRODUCCIÓN AL TABLERO DE CIRCUITOS

Estos semiconductores se pueden estudiar utilizando el tablero de circuitos Tiristor y circuitos de

NUEVOS TÉRMINOS Y PALABRAS

Ejercicio 1 – Identificación del transistor de potencia y el tiristor

OBJETIVO DEL EJERCICIO

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Ejercicio 2 – Perspectiva general de los bloques de circuitos

OBJETIVO DEL EJERCICIO

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

UNIDAD 2 – BLOQUES DE LOS CIRCUITOS DE CARGA E IMPULSIÓN

El tablero de circuitos Transistores de potencia y tiristor GTO está constituido de seis

El bloque de circuitos Circuito de impulsión puede configurarse según las necesidades. Es

NUEVOS TÉRMINOS Y PALABRAS

Ejercicio 1 – Familiarización con el bloque de circuitos de impulsión

OBJETIVO DEL EJERCICIO

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Ejercicio 2 – Familiarización con el bloque de circuitos de carga

OBJETIVO DEL EJERCICIO

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

UNIDAD 3 – OPERACIÓN DE LOS TRANSISTORES DE POTENCIA Y

Estos semiconductores se apagan cuando la corriente baja a 0 A.

La posibilidad de poder controlar el apagado de un conmutador electrónico es algo muy útil en la

En electrónica de potencia, el transistor se utiliza como un conmutador controlable. El transistor

Esta última consideración se aplica a todos los conmutadores semiconductores utilizados en

NUEVOS TÉRMINOS Y PALABRAS

Ejercicio 1 – Operaciones de los transistores bipolares de potencia

OBJETIVO DEL EJERCICIO

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Ejercicio 2 – Operaciones básicas de los MOSFET y los IGBT

OBJETIVO DEL EJERCICIO

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Ejercicio 3 – Operaciones básicas de los tiristores GTO

OBJETIVO DEL EJERCICIO

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

UNIDAD 4 – PRINCIPIOS DE LOS CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN DE

A pesar de que los principios de funcionamiento de los convertidores de potencia no es el

El interruptor reductor (BUCK CHOPPER) es el equivalente en CC del transformador reductor

Además, el interruptor reductor tiene un cociente de transformación que puede controlarse

El cociente de transformación del interruptor reductor está relacionado directamente con el

En los siguientes ejercicios, se utilizará un ciclo útil de 50 % (2:1), suministrando un voltaje de

NUEVOS TÉRMINOS Y PALABRAS

Ejercicio 1 - Tiempo de conmutación y caída de voltaje de conducción

OBJETIVO DEL EJERCICIO

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

Ejercicio 2 – Potencia de conmutación en una carga inductiva

OBJETIVO DEL EJERCICIO

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

• En esta nueva configuración del circuito, cuando el transistor se apaga e interrumpe la

Ejercicio 3 – Tiempo de recuperación del diodo de rueda libre

OBJETIVO DEL EJERCICIO

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

• Observe esta figura de un interruptor reductor constituido por un transistor, un diodo de

Ejercicio 4 – Pérdidas en los conmutadores de potencia electrónicos

OBJETIVO DEL EJERCICIO

DISCUSIÓN DEL EJERCICIO

UNIDAD 5 – TRANSISTOR BIPOLAR Y CONMUTADORES TIRISTORES

Cuando se considera el encendido de un conmutador electrónico, es importante darse cuenta que