Universidad Autónoma de Nuevo León

Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

RESEÑA #2
“Diodos semiconductores de potencia”

Sabrina Verónica Villarreal Contreras

Matrícula: 1667736

Hora: M6
Salón: ELEC-I

M.C. Faustino Zúñiga Reyes

A 30 de agosto de 2018, San Nicolás de los Garzas, Nuevo León

CAPÍTULO 2- Diodos semiconductores de potencia

INTRODUCCIÓN:
Los diodos semiconductores se ven mucho en los circuitos electrónicos de
potencia ya que estos funcionan como un interruptor, pues estos llevan a cabo varias
funciones como la de los interruptores en los rectificadores, de marcha libre en los
reguladores conmutados, inversión de carga de capacitores y transferencia de energía
y recuperación de la energía atrapada.
En este capítulo nos daremos cuenta que los diodos no son ideales a cómo lo
ponemos en los modelos matemáticos, sino que éstos ya cuando se implementan en la
práctica, van a tener fuga de corriente y tienen ciertas limitaciones.
DESARROLLO:
1- CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS
Un diodo de potencia es un dispositivo pn de dos terminales, por lo general, una
unión pn está formada por una aleación, difusión y crecimiento epitaxial.
Cuando el potencial del ánodo es positivo con respecto al cátodo, se dice que el
diodo tiene polarización directa o positiva y el diodo conduce. Un diodo en conducción
tiene una caída de voltaje directa relativamente pequeña a través de sí mismo; la
magnitud de esta caída de voltaje depende del proceso de manufactura y de la
temperatura de la unión.
Cuando el potencial del cátodo es positivo con respecto al ánodo, se dice que el
diodo tiene polarización inversa, bajo condiciones de polarización inversa, fluye una
pequeña corriente inversa.

Figura 1.1: Símbolo de diodo y unión pn

2- CARÁCTERÍSTICAS DE LA RECUPERACIÓN INVERSA

La corriente de un diodo de unión con polarización directa se debe al efecto neto de

los portadores mayoritarios y minoritarios. Cuando un diodo está en modo de
conducción directa y su corriente se reduce a cero, el diodo continúa conduciendo,
debido a los portadores minoritarios que permanecen almacenados en la unión pn y en
el material del cuerpo del semiconductor.
 Los portadores minoritarios necesitan un tiempo para neutralizarse, a este tiempo
se le conoce como tiempo de recuperación inversa del diodo.

.
Figura 2.1: Caracterpisticas de recuperación inversa.

El tiempo de recuperación inversa 𝑡𝑟𝑟 puede definirse como el intervalo de tiempo

entre el instante en que la corriente pasa a través del cero, durante el cambio de la
conducción directa a la condición de bloqueo inverso, y el momento en que la corriente
inversa se ha reducido al 20% de su valor inverso pico 𝑖𝑅𝑅 , 𝑡𝑟𝑟 depende de la
temperatura de la unión, de la velocidad de abatimiento de la corriente directa y de la
corriente directa antes de la conmutación.

Siendo 𝑄𝑅𝑅 de recuperación inversa.

3- TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

Como el diodo no es ideal, éste consta de un tiempo de recuperación inversa. En
muchas aplicaciones no son de importancia los efectos del tiempo de recuperación y de
las técnicas de fabricación, los diodos de potencia se pueden clasificar en tres
categorías. Las limitaciones y las características de cada uno surgen de sus
aplicaciones.
a. DIODOS DE USO GENERAL
Los diodos de rectificación de uso general tienen un tiempo de recuperación
inversa relativamente alto, típicamente de 25μs, y se utilizan en aplicaciones de baja
velocidad, en las que el tiempo de recuperación no es crítico.
 b. DIODOS DE RECUPERACIÓN RÁPIDA
Los diodos de recuperación rápida tienen un tiempo de recuperación bajo, por lo
general menor a 5μs, se utilizan en circuitos convertidores cd-cd y cd-ca, en los que la
velocidad de recuperación es a menudo de importancia crítica.

c. DIODOS SCHOTTCKY
En este tipo de diodo se puede eliminar (o minimizar) el problema de
almacenamiento de carga de una unión pn, esto se lleva a cabo estableciendo una
“barrera de potencial” con un contacto entre un metal y un semiconductor. El efecto de
recuperación se debe únicamente a la auto-capacitancia de la unión semiconductora.

4- EFECTOS DEL TIEMPO DE RECUPERACIÓN DIRECTA E INVERSA

Si el interruptor, SW, se cierra en t=0 y
se mantiene cerrado el tiempo suficiente, una
corriente en régimen permanente I=V/R fluirá a
través de la carga y el diodo en marcha libre
Dm quedará con polarización inversa. Si el
interruptor se desconecta en t=t1, el diodo Dm
conducirá y la corriente de carga circulará a
través de Dm. Si el interruptor se vuelve a
conectar en tiempo t=t2, el diodo Dm se
comportará como si estuviera en corto circuito.
La velocidad de elevación de la corriente
directa del interruptor (y del diodo D1), y la
velocidad de reducción de la corriente directa
en el diodo Dm serían muy altas, tendiendo al
infinito.

5- DIODOS CONECTADOS EN SERIE

Los diodos comerciales no siempre
pueden dar las especificaciones de voltaje
requeridas en líneas de transmisión
HVDC, por lo que los diodos se conectan
en serie para aumentar las capacidades
de bloqueo inverso. Si suponemos dos
diodos conectados en serie, las
características v-i para el mismo tipo de
diodo difieren debido a tolerancias en su proceso de producción.
En condición de polarización directa, ambos diodos conducen las mima cantidad
de corriente, y la caída de voltaje directa de cada diodo debería ser prácticamente la
misma. Sin embargo, en la condición de bloqueo inverso, cada diodo tiene que llevar la
misma corriente de fuga y como resultado los voltajes de bloqueo variarán en forma
significativa.
 6- DIODOS CONECTADOS EN PARALELO
En aplicaciones de alta
potencia, los diodos se
conectan en paralelo para
aumentar la capacidad de
conducción de corriente, al fin
de llenar las especificaciones de
corriente deseadas. La
distribución de corriente de los
diodos estaría de acuerdo con
sus respectivas caídas de
voltaje directas. Se puede
obtener una distribución uniforme de corriente proporcionando inductancias iguales o
conectando resistencias de distribución de corriente.
7- MODELO SPICE DE DIODO
La corriente del diodo Io, qiue depende su voltaje, está representada por una fuente
de corriente Rs, es la resistencia en serie y se debe a la resistencia del semiconductor.
Rs, también conocido como resistencia del cuerpo, depende de la cantidad de
dopados.
SPice genera los parámetros de pequeña señal a partir del punto de operación.
El enunciado del modelo SPice de un diodo tiene la forma general:

DNAME es el nombre del modelo y puede empezar con cualquier carácter, pero el
tamaño de ésta por lo general se limita a ocho caracteres.

CONCLUSIÓN:
Con la lectura de este capítulo se puede llegar a la conclusión que los diodos no se
comportan de manera ideal en la práctica, una vez implementados en la vida real, éstos
tienen fugas de corrientes ya sea directa o inversa, tienen un tiempo de retraso, aunque
vimos también que los diodos se dividen en tres categorías dependiendo de sus
aplicaciones ya que de esto depende también su tiempo de respuesta.
También se vio que, si para aumentar la capacidad del voltaje de bloqueo los diodos se
conectan en serie, se requieren de redes de repartición de voltaje bajo condiciones de
régimen permanente y transitorio. Cuando los diodos se conectan en paralelo, para
aumentar la capacidad de conducción de corriente, también se requiere de elementos
de repartición de corriente.
REFERENCIAS:
Eduard Ballester, Robert Piqué - Principios Fundamentales y Estructuras Básicas
Hamid Nawab- Señales y sistemas, segunda edición
Muhammad H. Rashid, Electrónica de Potencia, segunda edición

CÓDIGO DE HONOR
Yo Sabrina Verónica Villarreal Contreras con número de matrícula 1667736 declaró
que esta tarea la realice basado en los valores de honestidad y los estándares de
calidad que marca la Universidad Autónoma de Nuevo León.