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Tecnológico Nacional de México

Instituto Tecnológico de Minatitlán


IT Minatitlán

2.1 Dispositivos activos

SCD-1018 Principios Eléctricos


y Aplicaciones Digitales

Isaías Torres Martínez


istomar

Principios Eléctricos y Aplicaciones Digitales 2.1 - 1


2.1.1 Semiconductores:
Silicio y Germanio
• Semiconductores: Materiales que poseen un nivel de
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conductividad sobre algún punto entre los extremos de un


aislante y un conductor.
COBRE:  = 10-6 -cm MICA:  = 1012  -cm
SILICIO:  = 50 x 103 -cm GERMANIO:  = 50  -cm
̶ Alto nivel de pureza
̶ Existen grandes cantidades en la naturaleza.
̶ Cambio de características de conductores a aislante por medio de procesos de
dopado o aplicación de luz ó calor.
• Materiales semiconductores (Germanio y Silicio):
̶ Estructura atómica: Red cristalina
̶ Enlaces entre átomos: Covalentes
̶ Electrones de valencia: 4
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Principios Eléctricos y Aplicaciones Digitales 2.1 - 2


Niveles de energía
• Mientras más distante se encuentre el
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electrón del núcleo mayor es el estado de


energía, y cualquier electrón que haya
dejado su átomo, tiene un estado de
energía mayor que cualquier electrón en la
estructura atómica.

Banda de conducción
Banda de conducción
Banda de conducción
Banda prohibida Banda prohibida
Eg > 5 V Eg = 1.1, 0.67, 1.41 V
Banda de valencia
Banda de valencia
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Banda de valencia

Aislante Semiconductor Conductor


Principios Eléctricos y Aplicaciones Digitales 2.1 - 3
Material intrínseco y extrínseco:
Materiales tipo N y tipo P
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Si Si Si

Si Si Si
Material Intrinseco
Si Si Si

Materiales extrinsecos

Si Si Si Si Si Si

Si 5 Si Si 3 Si

Antimonio Si Si Si Boro Si Si Si
Arsénico Galio
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Fósoforo Indio

TIPO N TIPO P
Principios Eléctricos y Aplicaciones Digitales 2.1 - 4
Unión P-N
Tipo P Iones Tipo N Iones
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ac eptores donadores
Portadores Portadores
m ayoritarios m ayoritarios

Portadores
Portadores
m inoritarios
m inoritarios

Tipo p Tipo n
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Región de
Principios Eléctricos y Aplicaciones Digitales agotamiento 2.1 - 5
Polarización
p n
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Sin polarización

p n

Polarización
inversa

p n

Polarización
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directa

Principios Eléctricos y Aplicaciones Digitales 2.1 - 6


Curva característica
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ID

VT
Is
VD
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Principios Eléctricos y Aplicaciones Digitales 2.1 - 7


2.1.2 Diodo
• Elemento de dos terminales formado por una
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unión P-N

+ -
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Ánodo Cátodo

Principios Eléctricos y Aplicaciones Digitales 2.1 - 8


Corriente en el diodo

ID=IS(ekVD/Tk-1)
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IS Corriente de saturación inversa


k 11600/ (=1 para Ge, y =2 para Si)
Tk = TC + 273

• Región Zener:
̶ Bajo polarización negativa existe un punto en el cual
bajo un voltaje negativo lo suficientemente alto, da como
resultado un agudo cambio en las características del
diodo.
̶ A este voltaje se le conoce como “voltaje pico inverso”
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(PRV ó PIV )
Principios Eléctricos y Aplicaciones Digitales 2.1 - 9
Modelado de diodos
Modelo Ideal: ID
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VD

Modelo Simplificado:
ID
VT

VT

VD

Modelo de segmentos lineales:


ID
VT rav
rav
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VT
Principios Eléctricos y Aplicaciones Digitales
VD 2.1 - 10
Diodo Zener
• Sostiene un nivel de voltaje
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• Opera en la región de polarización negativa


• La dirección de la conducción es opuesta a la de la flecha
sobre el símbolo.
• El voltaje Zener es muchas veces menor que el VIP de un
diodo semiconductor, este control se logra con la variación
de los niveles de dopado.
• Los voltajes zener van desde 1.8 V hasta 200V, con rangos de
potencia de ¼ W hasta 50W.
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Principios Eléctricos y Aplicaciones Digitales 2.1 - 11


Análisis de circuitos con diodo: Ej. 1
Con V = 5 volts, existe polarización directa, suponemos en el diodo:
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VD = 0.7 V
Aplicando LVK a la malla
– V + VD + VR = 0
– 5 + 0.7 + 1 k(IR) = 0
Despejando IR de la ecuación anterior
IR = (5 - 0.7)/1 k = 4.3 mA
ID = IR = 4.3 mA
Por ley de Ohm
VR = R  IR = 1 k(4.3 mA) = 4.3 V
O bien, desde la aplicación de LVK a la malla
– V + VD + VR = 0
– 5 + 0.7 + VR = 0
VR = 5 - 0.7 = 4.3 V
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Respuestas:
VD = 0.7 V, ID = 4.3 mA, VR = 4.3 V
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Análisis de circuitos con diodo: Ej. 2
Con el diodo invertido la corriente por él será cero, conforme el modelo
simplificado (actúa como un punto abierto en el circuito), entonces
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ID = 0

Por ley de Ohm y dado que IR = ID


VR = R (IR) = 1 k (0) = 0

Aplicando LVK a la malla


– 5 + VD + VR = 0
VD = 5 V

Respuestas:
VD = 5 V, ID = 0, VR = 0
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Análisis de circuitos con diodo: Ej. 3
Aunque la polaridad del voltaje de la fuente es adecuada para polarizar
directamente al diodo, el nivel de voltaje es insuficiente para activar al diodo
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de silicio y colocarlo en el estado de conducción.

De acuerdo con la curva ideal del diodo


ID = 0

Entonces, por ley de Ohm a)


VR = 0

Aplicando LVK a la malla


– 0.4 + VD + VR = 0
VD = 0.4 V
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Respuestas: VD = 0.4 V, ID = 0, VR = 0 b)

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Análisis de circuitos con diodo: Ej. 4
Proponemos que
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VD1 = 0.7 V
VD2 = 0.7 V

Aplicando LVK a la malla


– 5 + VD1 + VD2 + IDR = 0
– 5 + 0.7 + 0.7 + 1 k(ID) = 0
ID = 3.6 V / 1 k = 3.6 mA

Por ley de Ohm


VR = (3.6 mA)(1 k) = 3.6 V
VO = VR = 3.6 V
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Respuestas:
VD1 = 0.7 V, VD2 = 0.7 V, ID = 3.6 mA, VR = 3.6 V
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Aplicaciones con diodos:
Rectificador de media onda
• Rectificadores
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̶ Su principal uso es en sistemas electrónicos encargados de realizar


una conversión de potencia de ac, en potencia de dc.
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Rectificador de onda completa
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Recortadores
• Recortan una porción de la señal de entrada sin distorsionar la parte
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restante de la forma de onda alterna.


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Sujetador (cambiador de nivel)
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2.3 Regulador de voltaje con diodo
zener: fuente de voltaje
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Principios Eléctricos y Aplicaciones Digitales 2.1 - 20


Diodo como conmutador (1)
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Vi (volts)

5.0

VIH 1

2.0

0.8
VIL 0

En el circuito, con diodo de silicio, y


Vi = V(0) = 0 V
entonces el cátodo del diodo está virtualmente conectado a tierra, el diodo está
polarizado directamente, conduce corriente y sujeta 0.7 V en sus extremos:
Vo = VR2 = VD = 0.7 V
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lo que corresponde a
Vo = V(0)
Principios Eléctricos y Aplicaciones Digitales 2.1 - 21
Diodo como conmutador (2)
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Ahora, con
Vi = V(1) = 5 V
entonces el diodo está polarizado inversamente, no conduce corriente, lo que abre el
camino en la entrada Vi (en el diodo):
Vo = Vcc  VR2 / (VR1 + VR2)
= (5 V)(10 K) / (1 K + 10 )= 4.55 V
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lo que corresponde a
Vo = V(1)

Principios Eléctricos y Aplicaciones Digitales 2.1 - 22


Función booleana AND con diodos (1)
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Si
Vi1 = Vi2 = V(1) = 5 V

entonces los diodos están polarizados inversamente, no conducen corriente, lo que


abre el camino de las dos entradas, entonces
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Vo = Vcc  VR2 / (VR1 + VR2) = (5 V)(10 K) / (1 K + 10 K)= 4.55 V

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Función booleana AND con diodos (2)
IT Minatitlán

Ahora que si alguna entrada es V(0)


Vi1 = V(0) = 0 V, o
Vi2 = V(0) = 0 V,
o ambas entradas son V(0)
Vi1 = Vi2 = V(0) = 0 V
entonces el cátodo del(los) diodo(s) está(n) virtualmente
conectado(s) a tierra, polarizado(s) directamente,
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conduce(n) corriente y sujeta 0.7 V en sus extremos, así


Vo = VR2 = VD = 0.7 V
El circuito se comporta como la función AND binaria.
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Función booleana OR con diodos (1)
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Si
Vi1 = Vi2 = V(0) = 0 V

entonces no hay energía en el circuito, así

Vo = VR = 0 V
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Función booleana OR con diodos (2)
IT Minatitlán

Ahora que si alguna entrada es V(1)


Vi1 = V(1) = 5 V, o
Vi2 = V(1) = 5 V,
o ambas entradas son V(1)
Vi1 = Vi2 = V(1) = 5 V
entonces el(los) diodo(s) conduce(n) sujetando 0.7 V, y
Vo = VR = 4.3 V
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El circuito se comporta como la función OR binaria.


Principios Eléctricos y Aplicaciones Digitales 2.1 - 26

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