Experiencia n° 5

POLARIZACION Y ESTABILIZACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR

I. OBJETIVOS:

 Estudiar las diferentes polarizaciones del transistor bipolar para su operación

en alterna.
 Determinar las condiciones de funcionamiento del transistor en sus
configuraciones, así como las limitaciones existentes, tanto para continua como
para alterna.

II. INTRODUCION TEORICA:

 ¿Qué es un transistor NPN?

Un transistor PNP es uno que controla el flujo de corriente principal, alterando
el número de agujeros en lugar del número de electrones en la base. El bajo
costo, fiabilidad y el tamaño pequeño de los transistores los ha convertido en
uno de los grandes inventos del siglo 20.

 Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo

cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera
quedan formadas tres regiones:
 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

 ESTRUCTURA:

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras

dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector.
Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP
 Región activa directa en cuanto a la polaridad:
Corriente del emisor = (β + 1)·Ib ; corriente del colector= β·Ib

Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte

entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de
colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de
corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas
en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar
el transistor como un amplificador de señal.

 Región inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de
los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo,
el parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en
modo activo.

 Región de corte: Un transistor está en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje

de alimentación del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay caída
de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0)
Forma simplificada, se puede decir que el la unión CE se comporta como un
circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

Corriente de colector ≈ corriente de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie = Imáx)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación

del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el
colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el
transistor esta en saturación, la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib (y por
ende, la relación Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple.
III. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO:

 Osciloscopio
 Multímetro digital
 Generador de señales
 Fuente de poder DC
 Miliamperímetro DC
 Microamperímetro DC
 Resistores de R1 = 47KΩ/56 KΩ, R2 = 22KΩ/3.3 KΩ, Rc =1.2KΩ/3.3KΩ,
RL = 10KΩ/1 KΩ, Re = 1 KΩ
 Condensadores de Ci = 10uF, Co = 22uF, Ce = 100uF
 Transistores BC548 (NPN) o BC558 (PNP)
 01 protoboard
 Cables de conexión diversos
 01 Computadora con Multisim

IV. PROCEDIMIENTOS:

1. Simular el circuito mostrado en la figura 6.1. Llene los campos

correspondientes de las tablas 6.1 y 6.2

2. Implementar el circuito de la figura 6.1. Medir las tensiones y corrientes

en losterminales del transistor para determinar el punto de operación
Q. Completar laTabla 6.1.
V.CUESTIONARIO FINAL:

1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación

operativa con el Ohmímetro.

En la tabla 1 se observa que las resistencias base-emisor, base-

colector y colector-emisor en polarización directa son bajas, ya que
en polarización directa el transistor conduce corriente. En
polarización inversa se observa que las resistencias son muy altas
lo cual está bien ya que en polarización inversa el transistor no
conduce corriente.
2. Representar la recta de carga en un gráfico Ic VS Vce del circuito
del experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las Tabla 2,
3 y 5.

3. ¿En qué regiones de trabajar se encuentran los puntos de las

Tabla 2 y 3?

Los puntos de la tabla 2 y 3 se encuentran en la región activa

4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambios R1 a
150kΩ? Explicar lo ocurrido e indicar sus valores teóricos.

Si aumentamos el R1 el punto de operación se desplazará hacia la

región de corte.

5. Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este

experimento (transistor NPN) con respecto al anterior (transistor
PNP).
La diferencia que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la
polaridad de sus electrodos
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un
polímetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno
para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la
ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que
queda determinado si es un NPN o un PNP.
 VI. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:

 En el experimento notamos que si aumentamos el valor de R1 el punto

de operación se desplaza hacia la región de corte ya que la corriente de
colector y la corriente de base empezó a disminuir y el voltaje de
colector-emisor a aumentar cuando aumentamos R1.

 También notamos lo mismo en el caso de la Re ya que cuando hicimos

Re=0 el punto de operación se desplazó hacia la región de saturación.

 Se recomienda adquirir el transistor y los condensadores; no confiarse en

que esté disponible en el almacén para evitar retrasos.

VII. BIBLIOGRAFIA:

 http://hacedores.com/identifica-transistores-npn-y-pnp-con-este-sencillo-circuito/
 http://www.ecured.cu/Transistor_2N3904
 http://www.datasheetcatalog.net/es/datasheets_pdf/2/N/3/9/2N3904.shtml
 http://www.futurlec.com/Transistors/2N3904.shtml