Semiconductores

UNIVERSIDAD NACIONAL PEDRO RUIZ GALLO
FACULTAD DE CIENCIAS FISICAS Y MATEMATICAS

ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRONICA
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ACTIVIDAD FORMATIVA
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Informe de Investigación
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“TECNOLOGÍAS DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES”

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Autores:
11
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Docente :
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 Ing. Martin Augusto Nombera Lossio.

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Estudiantes :
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 Ramírez Mija Ricardo.

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 Fernández Chimoy Rubén.

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 Ballena Siesquen Yoel.

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Ciclo Académico: IV
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Chiclayo, 23 de Julio del 2018

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ESQUEMA DEL INFORME DE INVESTIGACIÓN FORMATIVA

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1.0. DATOS PRELIMINARES

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1. TÍTULO:
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 Tecnologías de los dispositivos semiconductores

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2. AUTOR (es):
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Apellidos y Nombres:
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 Ramírez Mija Ricardo.

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 Fernández Chimoy Rubén.

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 Ballena Siesquen Yoel.

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3. ÁREA DE INVESTIGACIÓN:
40
 Electrónica analógica
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4. LÍNEA DE INVESTIGACIÓN:
42
 Educación e innovación
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5. LOCALIDAD E INSTITUCIÓN DE EJECUCIÓN:

44
 Laboratorio de la Facultad de Electrónica de la UNPRG

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6. DURACIÓN DEL PROYECTO:

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 3 meses.
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7. FECHA DE INICIO
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 27 de Abril del 2018.

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8. FECHA DE TÉRMINO
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 23 de Julio 2018.
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2.0. CUERPO DEL INFORME

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INDICE:
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o RESUMEN
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o ABSTRACT
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o CAPÍTULO I: INTRODUCCIÓN
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o CAPITULO II. MARCO TEÓRICO CONCEPTUAL

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A. Antecedentes de investigación.
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B. Aspectos teórico- conceptuales.

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o CAPITULO III: MATERIAL Y MÉTODOS

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o CAPÍTULO IV: RESULTADOS Y DISCUSIÓN

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 4.1. Presentación de los Resultados

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 4.2. Discusión de los Resultados

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o CONCLUSIONES
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o RECOMENDACIONES
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o REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
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o ANEXOS
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RESUMEN / ABSTRACT:
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En el presente informe daremos a conocer conceptos de los materiales semiconductores,

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dispositivos fabricados con estos mismos, métodos de obtención de materiales y fabricación de

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estos dispositivos, sus aplicaciones en nuestra vida diaria, en su manera de influir en el tratado de
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energía, los distintos tipos de dispositivos semiconductores ya sean diodos, transistores, circuitos
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integrados, etc. Su evolución permanente en la tecnología y el ayudo hacia la electrónica

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implementando distintos funcionamientos. Pudiendo adquirir de dicha investigación el desarrollo

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tecnológico, su situación actual, modelos de bandas de dichos semiconductores, tipos, densidad,

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etc. Además, conocer de cerca la realidad de estos dispositivos electrónicos. Y por supuesto
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obtener conocimientos que nos permitan desarrollarnos como buenos profesionales en cualquier
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campo de la electrónica que deseáramos seguir.

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ABSTRACT
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In this report we will present the concepts of semiconductor materials, devices manufactured with
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them, methods of obtaining materials and manufacturing these devices, their applications in our
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daily lives, in their way of influencing the treatment of energy, the different types of semiconductor
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devices, be they diodes, transistors, integrated circuits, etc. His permanent evolution in
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technology and help towards electronics implementing different operations. Being able to acquire
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this investigation of the technological development, its current situation, models of bands of said
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semiconductors, types, density, etc. In addition, to know closely the reality of these electronic
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devices. And of course, obtain the knowledge that will allow us to develop as good professionals
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in the field of electronics that we wish to follow.

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CAPÍTULO I.
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INTRODUCCIÓN
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Este documento tiene como principal objetivo el estudio de las propiedades físicas de los
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materiales semiconductores y sus sorprendentes aplicaciones en el desarrollo técnico de

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dispositivos eléctricos y electrónicos, representan una de las revoluciones científico-tecnológicas

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de mayor impacto sobre nuestra sociedad. Para tener una idea de la real magnitud de esta
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revolución pensemos por un momento en los diodos, transistores y circuitos integrados,

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probablemente la aplicación tecnológica más importante de los semiconductores. Cualquier

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habitante del mundo moderno se encuentra rodeado cotidianamente por millones de estos
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dispositivos electrónicos. Están en el televisor, en el equipo de música, en la máquina de lavar,

174
en el reloj de pulsera, en el teléfono celular. Un computador personal puede llegar a tener

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algunos miles de millones de dispositivos electrónicos. De hecho, en el mundo existen muchos

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más dispositivos semiconductores que personas. Pero, naturalmente, una cosa es usar esta
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tecnología y otra muy distinta es entender cómo opera. Este último es el objetivo que persigue
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este breve artículo. Sin embargo, dada la naturaleza altamente especializada del tema y el
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reducido espacio disponible para desarrollarlo, siempre que sea posible dejaremos de lado las
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consideraciones de carácter técnico que obligarían a extender la discusión más allá de lo

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pertinente.
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CAPITULO II.
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MARCO TEÓRICO- CONCEPTUAL

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A. Antecedentes de investigación:
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1. SITUACION DEL SEMICONDUCTOR

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 El sector de la transmisión y distribución de energía eléctrica está pasando actualmente

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por una fase transitoria con consecuencias de largo alcance, tanto para las compañías
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eléctricas como para el sector público.

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 Basado en los nuevos semiconductores de potencia, que se están comercializando cada

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vez más rapidez, está siendo impulsado en gran medida por unas fuertes inversiones y un
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intenso trabajo de desarrollo, tanto en el sector de la informática como en el de la

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microelectrónica.
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 Estas nuevas generaciones de semiconductores de potencia ofrecen más rendimiento,

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más fiabilidad y una excelente capacidad de control.

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 Además, los resultados de la intensiva investigación de nuevos materiales como es el

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caso del carburo de silicio son muy alentadores, ya que muestran unas posibilidades que
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superan los límites del material más utilizado hoy en día, el silicio.
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2. DESARROLLO TECNOLOGICO DEL SEMICONDUCTOR

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En pleno desarrollo, a una velocidad extraordinaria, la tecnología de la información se ha

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convertido en una de las más importantes industrias de la economía mundial actual. Entre las
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características de este sector, que contribuye a explicar su extraordinario crecimiento, están las
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elevadísimas inversiones dentro de este campo de estudio. Esto ha provocado un espectacular

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desarrollo del software y de las tecnologías de la microelectrónica, que constituyen una fuerza
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impulsora fundamental de diversas aplicaciones, por ejemplo la ingeniería eléctrica y electrónica,

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que tienen importantes consecuencias.

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3. CLASIFICACIÓN DE SÓLIDOS CRISTALINOS EN FUNCIÓN DE SUS

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PROPIEDADES ELÉCTRICAS
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Sólido cristalino: Es aquel cuyos átomos, moléculas o iones se repiten de forma periódica y
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ordinaria en las 3 direcciones. Pueden ser conductores, aislantes y semiconductores.

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 Conductores: Se denominan así a los elementos químicos caracterizados por ser

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buenos conductores de calor y electricidad. Poseen alta densidad y son sólidos a

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temperatura ambiente (excepto el Mercurio (Hg)), el cual a temperatura ambiente se

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encuentra en estado líquido); sus sales forman iones electropositivos (cationes) en

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disolución. Ejemplos: Oro (Au), Plata (Ag), Cobre (Cu), Aluminio(Al), Hierro (Fe), etc.
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 Aislantes: Se denominan así a los elementos caracterizados por ser malos

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conductores de calor y electricidad, es decir poseen baja conductividad eléctrica. En

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estos materiales existe una gran diferencia de potencial a nivel atómico entre las
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bandas de valencia y las bandas de conducción. Generalmente, son usados para evitar
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cortos circuitos y proteger a los usuarios de una instalación eléctrica, para recubrir
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cables conductores.
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Nota: Solo hemos definido el concepto de conductores y aislantes porque más adelante
265
estudiaremos todo lo referido a semiconductores, lo cual nos permitirá prevenir la repetición de

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información y posibles confusiones.

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DIAGRAMAS DE BANDAS DE ENERGIA DE CONDUCTORES,

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SEMICONDUCTORES Y AISLANTES.
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¿Cuáles son las características físicas que diferencian a cada uno de ellos?
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 Debemos ahondar un poco más en el estudio de la física de los componentes.

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 Los materiales que encontramos en nuestro medio son la combinación ordenada o

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estructurada de una serie de elementos conocidos como átomos

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 Estos se unen entre sí para formar las moléculas y la unión de esta forma a la vez los
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diferentes elementos de la naturaleza.

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 Desde el punto de vista electrónico nos interesa la conductividad eléctrica del material
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de electrones libres que puedan ser arrastrados por un campo eléctrico (o potencial) y
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contribuyan a una corriente.

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4. SEMICONDUCTOR
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4.1 ¿Que es un material semiconductor?

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 Podemos definir los materiales semiconductores como aquellos materiales que se

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comportan como conductores solo en determinadas condiciones, en otras condiciones

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se comportan como aislantes.

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 Por eso se dice que están en un punto intermedio entre los conductores y los aislantes.
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 Por ejemplo, hay materiales que a partir de una cierta temperatura son conductores,
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pero por debajo de esa temperatura, son aislantes.

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 Otros factores que pueden influir en la conductividad de los semiconductores son la

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presión, presencia de un campo magnético o eléctrico o una radiación incidiendo sobre

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el semiconductor.
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 En electrónica son muy importantes ya que muchos componentes electrónicos se

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fabrican con semiconductores debido a su fiabilidad, su eficiencia y bajo costo, pero en

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la actualidad no son los únicos materiales semiconductores usados en la fabricación de

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elementos electrónicos, pues podemos encontrar moléculas que cumplen con los
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requisitos suficientes para ser usadas como materia prima de dichos elementos.
315
 Tal es el caso del Arseniuro de Galio (GaAs) usado en la fabricación de circuitos

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integrados a frecuencias de microondas y el Arseniuro de aluminio que es un

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semiconductor de clase III-V empleado en la fabricación de dispositivos como LEDs,

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aunque no tiene casi ninguna aplicación más a causa de la reactividad del aluminio y la
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inestabilidad de los cristales cuando se exponen a la humedad ambiental, provocan que

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su uso sea escaso en la industria de semiconductores. Sin embargo, existen desarrollos

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en su aplicación en celdas solares.

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En la figura podremos observar 13 materiales semiconductores que conocemos y su posición en

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la tabla periódica
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4.2 Análisis Físico:

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La existencia de electrones libres (que son los que pueden generar corriente eléctrica a partir de
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su movimiento) es una cuestión energética.

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 Átomo aislado de H (número atómico 1)

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Durante el estudio del átomo, muchos científicos han tratado de explicar cómo está formado y
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ordenado este, existen muchas teorías algunas de las cuales se contradicen; se pueden citar
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algunos modelos: Modelo Atómico de Dalton, Rutherford, Bohr y Schrödinger.

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 Las energías discretas que puede tener el electrón son:

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Silicio: Si
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 Descubridor: Jöns Jacob Berzelius (1779-1848) (Sueco) Año: 1823

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 Etimología: del latín sílex.

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 En estado puro tiene propiedades físicas y químicas parecidas a las del diamante (una de
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las 2 formas alotrópicas del carbono).

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 El dióxido de silicio (sílice) [𝑆𝑖𝑂2] se encuentra en la naturaleza en gran variedad de

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formas: cuarzo, ágata, jaspe, ónice, esqueletos de animales marinos.

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 Su estructura cristalina le confiere propiedades semiconductoras. En estado muy puro con

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pequeñas trazas de elementos como el boro, fósforo y arsénico constituye el material básico
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en la construcción de los chips de los ordenadores.

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 Átomo aislado de Si: (número atómico 14)

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 Los dos primeros niveles (𝐸1 y 𝐸2 ) acomodan: 2 y 8 electrones.

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 Estos electrones están ligados al átomo y no pueden ser perturbados.

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 En el tercer nivel 𝐸3 restan 4 electrones.

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 Los cuales son llamados electrones de valencia y pueden ser fácilmente liberados de
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sus posiciones para formar enlaces.

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Nota: Los cristales de semiconductores están formados por átomos donde los vecinos
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más cercanos están enlazados de manera covalente (más o menos polar).

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Los materiales semiconductores más importantes cristalizan en el sistema cúbico con

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red centrada en las caras:

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5. Modelo de bandas de energía:

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Niveles electrónicos de un sólido que es la unión de N átomos.

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 Aparecen superpuestos los niveles de energía atómicos de los N átomos

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 Cada nivel se ensancha y forma una banda de valores discretos de energía (aunque
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muy juntos) para contener los 4N electrones.

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 Clasificación:
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Las energías que tienen los electrones en el cristal son semejantes a las que tienen en
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los átomos libres pero los electrones deben obedecer al principio de exclusión de Pauli
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(no puede haber dos electrones en el mismo estado cuántico).

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 En los sólidos, debido a la interacción entre los átomos que forman el cristal,
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aparece un desdoblamiento de estados y desdoblamiento de energías.

505
 Cada nivel en el átomo forma una banda. Para la distancia interatómica de

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equilibrio las bandas pueden estar en las siguientes.

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Física de semiconductores:
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 Para entender los principios físicos de los semiconductores tenemos que conocer como
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están formados los átomos de los elementos.

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 En el núcleo del átomo se encuentran protones, con carga positiva y los neutrones, solo
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con masa, no tienen carga eléctrica.

527
 Fuera del núcleo y girando alrededor de él, en las llamadas órbitas, se encuentran los
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electrones, con la misma carga que los protones pero negativa.

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 Cualquier átomo neutro tiene el mismo número de protones en su núcleo que electrones
530
girando en órbitas alrededor del núcleo.

531
 La carga positiva de los protones se anula con la negativa de los electrones, por eso el
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átomo, en su estado normal, tiene carga eléctrica nula (no tiene carga).
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 Pero no todos los átomos son iguales. Cada elemento de la tabla periódica tiene
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diferentes átomos, pero todos están formados por las mismas partículas: protones,
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neutrones y electrones. Solo se diferencian en el número de ellas. El número de

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protones o electrones determina el número atómico del elemento.

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Recuerda:
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 Los materiales están formados por átomos como unidad más simple de su estructura.
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 Los electrones son las partículas que realmente importan para estudiar la conducción
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eléctrica.
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 Dentro de todos los electrones de un átomo, los electrones que más fácil nos resultaría
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hacerles abandonar el átomo son los que se encuentran en la última capa u órbita del
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átomo. Ahora veremos por qué.

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 Cada órbita o capa en la que giran los electrones está situada en lo que se llama
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una banda de energía.

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 Los electrones que están girando un una banda, tiene la misma energía que esa banda.
569
 Para pasar un electrón de una banda de energía (capa) a otra necesitamos suministrarle
570
energía para que se produzca el salto.

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 Los electrones más cercanos al núcleo están muy unidos a él y tienen poca energía. Los
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más externos son las que tienen más energía, pero los que resulta más fácil hacerles
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abandonar el átomo, porque precisamente son los más alejados y menos unidos al
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núcleo.
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 Para que un electrón de las capas más próximas al núcleo sea capaz de abandonar el
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átomo, tendríamos que ir pasándolo de capa en capa hasta llegar a la última capa. Es
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decir necesitaríamos ir suministrándole energía para pasar de una capa a otra hasta
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llegar a la más externa (banda de valencia).

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 Inicialmente, tienen poca energía y pasarían a mucha energía al llegar a la capa más
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externa. Esto sería muy difícil de hacer, por este motivo, estos electrones no se usan
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para abandonar el átomo y provocar corriente eléctrica.

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 Solo se usan los electrones de la última capa, llamados electrones de valencia. Estos
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son los que utilizaremos para hacerles abandonar el átomo, que pasen a otro y provocar
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corriente eléctrica por el material.

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Características del semiconductor:

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 Tenemos que decir que cuando arrancamos un electrón al átomo, este se desequilibra,
604
pasando a tener carga positiva (un protón más que electrones tenía). Esto es lo que se
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conoce como ionización, ya que lo convertimos en un ión positivo o catión.

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 Si por el contrario, el átomo no tiene su última capa llena y, por cualquier circunstancia le
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llega un electrón nuevo a esta capa, quedará cargado negativamente (un electrón más
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que protones tenía). Se convierte en un Ion negativo o anión.

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 El Carbono(C), el Silicio (Si), el Germanio (Ge) y el Estaño (Sn) tienen en su última capa
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4 electrones, se les llama tetravalente, porque pueden ceder 1, 2, 3 o 4 electrones.

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 Lógicamente un material está formado por millones de átomos, unidos mediante

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enlaces. Todos los semiconductores son materiales que tienen su átomos unidos por
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enlaces covalentes. Comparten los electrones de su última capa de 2 en 2.

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 Uno de estos electrones compartidos entre dos átomo por medio el enlace covalente,
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será el que tengamos que arrancar.

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Figura de una red cristalina de Silicio

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Clasificación de semiconductores según su pureza:

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I. Semiconductores Intrínsecos:
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Son los que prácticamente carecen de impurezas; un átomo de impureza por cada 1011
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átomos del semiconductor.

654
Estos semiconductores, que se pueden considerar casi puros, la conducción se realiza por
655
pares electrón-hueco, producido por generación térmica, de modo que cuanto mayor es el
656
calor, mayor es la cantidad de portadores de carga libre generados (electrones-huecos) y

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menor su resistividad, siendo está a temperatura ambiente (27ºC) de:

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Germanio = 60 ohmios por centímetro.

660
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Silicio = 150.000 ohmios por centímetro.

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El Germanio tiene un ancho de banda prohibida de 0,72 eV (electrón voltios) y el Silicio de

664
1,12 eV.
665
666
Los semiconductores intrínsecos se usan como elementos sensibles a la temperatura, por

667
ejemplo una termoresistencia.

668
669
II. Semiconductores Extrínsecos:

670
671
Son los que poseen un átomo de impureza por cada 107 átomos de semiconductor. Además
672
estos átomos de impurezas, más numerosos que en los intrínsecos, suelen tener 3 o 5
673
electrones de valencia, con el fin de que les sobre o les falte un electrón para completar los
674
enlaces covalentes con los átomos del material semiconductor (recuerda son 4 electrones en
675
el enlace covalente).
676
677
Al tener portadores independientes de la generación térmica, la resistividad de estos es

678
menor que la de los intrínsecos. Este tipo de semiconductores no se suelen usar para
679
conducción por calor, para eso están los intrínsecos.

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681
Germanio = 4 ohmios por centímetro.

682
Silicio = 150 ohmios por centímetro.

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La conductividad eléctrica de este tipo de semiconductores, será mayor cuanto mayor sea el
685
número de portadores libres y, por tanto aumentará con el número de impurezas.

686
687
Como dijimos anteriormente, los átomos de impurezas suelen tener 3 o 5 electrones de

688
valencia, lo que permite subdividir a estos semiconductores extrínsecos en dos tipos

689
diferentes: Tipo N y Tipo P.

690
Material Tipo N:
691
Se llama material tipo N (o negativo) al que posee átomos de impurezas que permiten la
692
aparición de electrones (de ahí su denominación de negativo o N) sin huecos asociados

693
a los mismos semiconductores.

694
Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones.
695
Suelen ser de valencia cinco (Grupo V de la tabla periódica), como el Arsénico(As) y

696
el Fósforo (P).
697
De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad eléctrica, ya que el átomo

698
introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrón no ligado, a diferencia de

699
los átomos que conforman la estructura original, por lo que la energía necesaria para
700
separarlo del átomo será menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal
701
de silicio(o del semiconductor original).

702
Finalmente, existirán más electrones que huecos, por lo que los electrones serán los
703
portadores mayoritarios y los huecos los minoritarios. La cantidad de portadores

704
mayoritarios será función directa de la cantidad de átomos de impurezas introducidos.

705
706
Material Tipo P:
707
Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten la formación de
708
huecos (de ahí que se denominen P o positivos) sin que aparezcan electrones asociados
709
a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura.

710
Los átomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrón.
711
Suelen ser de valencia tres (grupo III de la tabla periódica), como el Aluminio(Al), el Indio
712
(In) o el Galio (Ga).

713
Nuevamente, el átomo introducido es neutro, por lo que no modificará la neutralidad

714
eléctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su última capa
715
de valencia, aparecerá una ligadura rota, que tenderá a tomar electrones de los átomos
716
próximos, generando finalmente más huecos que electrones, por lo que los huecos
717
serán los portadores mayoritarios y los electrones los minoritarios.

718
Al igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores mayoritarios será función

719
directa de la cantidad de átomos de impurezas introducidos

720
721
Aplicaciones de los materiales semiconductores en la creación de dispositivos

722
electrónicos.
723
724
1. Diodo semiconductor:
725
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 Es un dispositivo electrónico de estado sólido que se crea de la unión de un material

727
tipo N y un material tipo P, es decir la unión entre un material con un portador

728
mayoritario de electrones y el otro con un portador mayoritario de huecos.

729
 Por lo general, se fabrican de Silicio y Germanio, siendo el Silicio el que actualmente

730
predomina por su bajo costo y a las increíbles técnicas desarrolladas a lo largo de

731
los últimos años.

732
 En la actualidad podemos encontrar diferentes tipos de diodos, cada uno

733
cumpliendo una función específica dentro de un circuito, entre los más importantes
734
tenemos:
735
736
a) Diodo Varicap:
737
738
 También llamado diodo varactor, diodo de capacidad variable o diodos de

739
sintonización.
740
 Este diodo aprovecha sus técnicas constructivas para comportarse ante

741
variaciones de la tensión aplicada como un capacitor variable.

742
 Su modo de operación depende de la capacitancia que haya en la unión

743
P-N cuando el diodo se polariza en inversa y es de suma utilidad en

744
circuitos sintonizadores de televisión y los circuitos receptores de radio FM.

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b) Diodo Zener:
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 Denominado también diodo regulador de tensión. Es un elemento de Silicio fuertemente

771
dopado que se ha construido para que funcione en la zona de ruptura.

772
 El nombre es debido a su inventor, el doctor Clarence Melvin Zener. Trabaja como un

773
diodo normal en polarización directa, pero lo importante es cuando el diodo trabaja en

774
polarización inversa, ya que trabaja como un regulador de tensión, es decir mantiene un

775
voltaje constante.
776
 Hay que tener en cuenta que como cualquier dispositivo electrónico, tiene limitaciones y
777
una de ellas es la disipación de energía, puesto que si no tenemos en cuenta ciertos

778
parámetros, podemos quemar el diodo.

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c) Diodo Shockley:
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 Es un dispositivo de 2 terminales que posee 2 estados estables: uno de bloqueo o

822
alta impedancia y otro de conducción o baja impedancia.

823
 Formado por 4 capas de semiconductor tipo N y tipo P, dispuestas alternadamente.

824
 Es considerado un tipo de tiristor, los cuales son componentes constituidos por

825
elementos semiconductores que utilizan realimentación interna para producir una

826
conmutación.
827
 Este dispositivo fue desarrollado por William Shockley.

828
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Nota: No confundir con el diodo Schottky.

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Representación del diodo Shockley.

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d) Diodo LED:
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 Es el nombre con el que se conoce al diodo emisor de luz.

849
 Es usado como una fuente de luz cuando está activado.

850
 Se basa en el fenómeno denominado electroluminiscencia, el color de la luz

851
depende de la longitud de onda que emite dicha luz, tener en cuenta que no todo los
852
led emiten luz visible al ojo humano tal es el caso de la luz infrarroja.
853
 Para elaborar dichos diodos se usa Silicio, Germanio, Arseniuro de Galio, etc.
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e) Diodo Túnel:
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 Es un dispositivo semiconductor de unión P-N, en la cual se produce el efecto túnel

870
que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto tramo de la curva

871
característica, esto permite usar al diodo como un componente activo, es decir,

872
como un amplificador u oscilador.

873
 La característica más importante de este diodo es la resistencia negativa en un

874
determinado intervalo de voltajes de polarización directa, es decir, la corriente

875
disminuye al aumentar el voltaje.

876
 Además, podemos decir que es un diodo de baja potencia y se usa para

877
aplicaciones que están relativamente libres de los efectos de la radiación.

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f) Diodo Schottky:
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 Conocido también como diodo de barrera. Dispositivo que proporciona conmutaciones

900
rápidas entre los estados de conducción en directa e inversa y muy bajas tensiones
901
umbral (llamadas también tensiones de codo).

902
 La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo

903
actué como conductor en lugar de circuito abierto.

904
 Constituido por una unión entre un metal y un semiconductor. Tiene mucha aplicación en
905
circuitos de alta velocidad para computadoras donde es necesario tener grandes

906
respuestas de conmutación, y debido a que presenta una baja caída de tensión en

907
directa permite su funcionamiento con un reducido gasto de energía.

908
 Otra aplicación de este diodo es que sirve de protección de descarga de células solares
909
con baterías de plomo ácido.

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g) Fotodiodo:
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 Es un material semiconductor sensible a la incidencia de luz visible o infrarroja.
924
 Se parece demasiado a un diodo semiconductor común, pero tiene una característica
925
muy especial, esta es que conduce una cantidad de corriente eléctrica proporcional a la
926
cantidad de luz que lo incide.

927
 Esta corriente eléctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y a esta se le llama
928
corriente de fuga.
929
 El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz
930
en electricidad y esta variación de electricidad es la que se utiliza para informar que

931
hubo un cambio en el nivel de iluminación sobre el fotodiodo.

932
 Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por él circule la corriente en el

933
sentido de la flecha, es decir polarizado en sentido directo, la luz que lo incide no tendría
934
efecto sobre él y se comportaría como un diodo semiconductor normal.

935
 A continuación daremos los materiales semiconductores más usados en su fabricación:

936
Silicio, Arseniuro de indio y Galio, Germanio y el Sulfuro de Plomo.

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2. Transistor:
941
942
 Es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en

943
respuesta a una señal de entrada.

944
 Sus creadores fueron los científicos estadounidenses Jhon Bardeen, Walter Houser
945
Brattain y William Bradford Shockley en el año 1947.

946
 Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término

947
transistor es la contracción en inglés de transfer resistor que significa resistor de

948
transferencia.
949
 Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario

950
tales como radio, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,

951
computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque casi

952
siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

953
 El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (las cuales son partes
954
contaminadas con materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos

955
uniones bipolares.
956
 Estas partes son: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y
957
la base que está intercalada entre las dos primeras y modula el paso de dichos
958
portadores.
959
 A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del

960
que se obtiene corriente amplificada.

961
 En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo a

962
diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son considerados

963
elementos pasivos.
964
965
Funcionamiento:
966
Podemos encontrar 3 estados posibles dentro de un circuito eléctrico. Estos son los
967
siguientes:
968
 Corte: Es cuando por el transistor no circula corriente en la base por lo cual la

969
intensidad del colector y del emisor es la misma, es decir cero.

970
La tensión entre el colector y emisor es el de la batería. En este caso el colector y el

971
emisor del transistor se comportan como un interruptor abierto.

972
 Activa: En este estado el transistor funciona como amplificador, es decir puede dejar
973
pasar más o menos corriente según sea el caso.

974
 Saturación: Esta en este estado cuando por la base circula corriente y se puede
975
apreciar un incremento de la corriente del colector considerable. En este caso el

976
colector y el emisor del transistor se comporta como un interruptor cerrado.

977
Nota: La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores ya

978
que relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente
979
de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características, también

980
aparece con la denominación hFE. Se expresa de la siguiente manera:

981
𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵
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Tipos de transistor:
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1) Transistor de unión bipolar:

991
992
También conocidos como BJT por sus siglas en inglés.

993
Se fabrica de monocristales de materiales semiconductores tales como el Silicio,

994
Germanio, Arseniuro de Galio, etc.

995
Sobre este monocristal se contamina (se refiere al proceso de dopado) en

996
forma muy controlada las 3 zonas sucesivas, las cuales pueden ser N-P-N o P-
997
N-P, formando 2 uniones P-N.

998
La letra intermedia da a conocer la región de la base y las otras dos la del

999
emisor y la del colector.

1000
Hay que tener en cuenta que la contaminación del colector es diferente a la del
1001
emisor y viceversa, donde generalmente el emisor está más contaminado que el

1002
colector.
1003
En general, los transistores de unión bipolar son el único tipo de transistor que
1004
se activa mediante entrada de corriente (entrada en la base).

1005
Esto se debe a que los transistores de unión bipolar tienen la menor impedancia
1006
de entrada de todos los transistores.

1007
La baja impedancia (o resistencia) permite que la corriente fluya a través de la

1008
base del transistor.

1009
Debido a esta baja impedancia también los transistores de unión bipolar tienen
1010
la mayor amplificación de todos los transistores.

1011
La desventaja de los transistores de unión bipolar es porque tienen baja

1012
impedancia de entrada, pueden causar la carga en un circuito.

1013
La carga es cuando un dispositivo puede extraer corriente significativa de un

1014
circuito, perturbando así la fuente de alimentación de un circuito.

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2) Transistor de contacto puntual:

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También llamado transistor de punta de contacto, este fue el primer tipo de

1029
transistor creado.
1030
Consta de una base de germanio, material semiconductor más conocido que la

1031
combinación en esa época, sobre la que se apoyan dos puntas metálicas muy
1032
juntas que constituyen el emisor y el colector.

1033
La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el

1034
colector, de ahí el nombre de resistor de transferencia.

1035
Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar

1036
(las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y
1037
ruidoso.
1038
Sin embargo convivió con el transistor de unión debido a su mayor ancho de

1039
banda.
1040
En la actualidad ha desaparecido, pero lo hemos considerado debido a su

1041
importancia histórica en el mundo de la electrónica.

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3) Transistor de efecto de campo (FET):

1056
El transistor de efecto campo es bastante similar al transistor BJT, con la

1057
diferencia de que éste se regula mediante tensión en lugar de corriente debido a

1058
que tiene una impedancia de entrada alta.

1059
Una forma de comprender este concepto es que al tener una resistencia a la

1060
entrada de la base grande, la corriente de la base siempre será pequeña y lo

1061
que marca la diferencia es el voltaje.

1062
Algunas de las grandes virtudes de los transistores de efecto campo son su

1063
menor consumo y su rapidez a la hora de cambiar de estado (de estado de corte

1064
a estado de saturación).
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Sin embargo, estos transistores suelen tener una ganancia menor, es

1068
decir, amplifican menos.

1069
Por tanto, aunque todos los tipos de transistor se pueden utilizar para los
1070
mismos proyectos, el hecho de que este transistor amplifique menos y, sobre

1071
todo, responda más rápidamente a los cambios, lo hacen especialmente útil a la

1072
hora de utilizarlos como interruptores.

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4) Fototransistor:
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Son dispositivos electrónicos sensibles a la luz.

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Un tipo común de fototransistor se asemeja a un transistor bipolar con su base

1083
de plomo eliminado y reemplazado con un área sensible a la luz.

1084
Es por ello que un fototransistor tiene sólo 2 terminales en lugar de los 3

1085
terminales.
1086
Cuando esta superficie se mantiene oscura, el dispositivo está apagado y

1087
prácticamente, no fluye corriente del colector a la región emisora. Sin embargo,

1088
cuando la zona sensible a la luz está expuesta a la luz, se genera una pequeña
1089
corriente de base que controla una corriente de colector a emisor mucho mayor.
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5) Circuitos integrado:
1103
1104
 También conocido como chip o microchip, es una estructura de pequeñas

1105
dimensiones de material semiconductor, normalmente silicio, de algunos

1106
milímetros cuadrados de superficie (también llamada área), sobre la que se

1107
fabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotolitografía y que está

1108
protegida dentro de un encapsulado de plástico o de cerámica.

1109
 El encapsulado posee conductores metálicos apropiados para hacer conexión

1110
entre el circuito integrado y un circuito impreso.

1111
 Los circuitos integrados tienen dos principales ventajas sobre los circuitos
1112
discretos que son el costo y el rendimiento.

1113
 El bajo costo es debido a los chips; ya que posee todos sus componentes
1114
impresos en una unidad de fotolitografía en lugar de ser construidos un

1115
transistor a la vez.
1116
 Más aún, los circuitos integrados empaquetados usan mucho menos material
1117
que los circuitos discretos.

1118
 El rendimiento es alto ya que los componentes de los circuitos integrados

1119
cambian rápidamente y consumen poco poder, como resultado de su pequeño

1120
tamaño y proximidad de todos sus componentes.

1121
 Desde 2012, el intervalo de área de chips típicos es desde unos pocos

1122
milímetros cuadrados a alrededor de 450 mm2, con hasta 9 millones de

1123
transistores por mm2.

1124
 Los circuitos integrados son usados en prácticamente todos los equipos

1125
electrónicos hoy en día, y han revolucionado el mundo de

1126
la electrónica, computadoras, teléfonos móviles y otros dispositivos

1127
electrónicos que son parte indispensables de las sociedades modernas, esto

1128
es posible gracias a los bajos costos de los circuitos integrados.

1129
1130
1131
Tipos de circuitos integrados:

1132
1133
1134
Circuitos integrados monolíticos:

1135
1136
 Estos están fabricados en un solo monocristal, generalmente de Silicio y

1137
Arseniuro de Galio, pero también hay de Germanio.

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1148
Circuitos integrados híbridos de capa fina:

1149
1150
 Son parecidos a los circuitos integrados monolíticos, pero además

1151
contienen componentes difíciles de fabricar con tecnología monolítica.

1152
 Muchos conversores CA a CD y viceversa se fabricaron en tecnología

1153
híbrida hasta que los progresos en la tecnología permitieron

1154
fabricar resistencias precisas.

1155
Circuitos integrados híbridos de capa gruesa:

1156
 Son muy diferentes de los circuitos integrados monolíticos.

1157
 De hecho suelen contener circuitos monolíticos sin

1158
cápsula, transistores, diodos y otros elementos sobre un sustrato

1159
dieléctrico, interconectados con pistas conductoras.

1160
 Las resistencias se depositan por serigrafía y se ajustan haciéndoles cortes

1161
con láser. Todo ello se encapsula, en cápsulas plásticas o metálicas,

1162
dependiendo de la disipación de energía calórica requerida.

1163
 En muchos casos, la cápsula no está moldeada, sino que simplemente se

1164
cubre el circuito con una resina epoxi para protegerlo.

1165
 En el mercado se encuentran circuitos integrados híbridos para

1166
aplicaciones en módulos de radio frecuencia, fuentes de alimentación,

1167
circuitos de encendido para automóvil, etc.

1168
Clasificación de los circuitos integrados:

1169
De acuerdo a las funciones integradas:

1170
Circuitos integrados analógicos:

1171
1172
 Pueden constar desde simples transistores encapsulados juntos, sin unión

1173
entre ellos, hasta circuitos completos y funcionales,

1174
como amplificadores, osciladores o incluso receptores de radio completos.

1175
1176
Circuitos integrados digitales:

1177
1178
 Pueden ser desde básicas puertas lógicas (AND, OR, NOT) hasta lo más
1179
complicados microprocesadores o microcontroladores.

1180
 Algunos son diseñados y fabricados para cumplir una función específica

1181
dentro de un sistema mayor y más complejo.

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1188
1189
1190
De acuerdo al número de componentes:

1191
1192
 SSI (Small Scale Integration o integración a pequeña escala): de 10 a

1193
100 transistores
1194
 MSI (Medium Scale Integration o integración a mediana escala): 101 a 1 000

1195
transistores
1196
 LSI (Large Scale Integration o integración a gran escala): 1 001 a 10 000

1197
transistores
1198
 VLSI (Very Large Scale Integration o integración a muy grande escala): 10 001 a
1199
100 000 transistores

1200
 ULSI (Ultra Large Scale Integration o integración a ultra gran escala): 100 001 a 1
1201
000 000 transistores

1202
 GLSI (Giga Large Scale Integration o integración a giga gran escala): más de un
1203
millón de transistores
1204
1205
Algunos materiales semiconductores usados en la actualidad:

1206
1207
Arseniuro de Galio (GaAs):

1208
1209
 Es un importante semiconductor en la actualidad, se usa en la fabricación de circuitos

1210
integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisión infrarroja, diodos láser y

1211
células fotovoltaicas.
1212
 Debido a que los electrones circulan a mayores velocidades, es muy útil en altas
1213
frecuencias, ya que alcanzara una mayor frecuencia máxima de operación.

1214
 De esta propiedad mencionada es la razón por la cual se usa también en los sistemas
1215
de comunicación, radares, redes de área local inalámbrica (WLAN) y sistema de

1216
posicionamiento global (GPS).

1217
 Las propiedades físicas y químicas de este elemento complican su uso en la fabricación

1218
de transistores por ser un compuesto binario y además de presentarse un fallo en alguno

1219
de los elementos fabricados sería más difícil de entender que si tuviéramos el elemento
1220
hecho de Silicio o Germanio.

1221
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1239
Arseniuro de Aluminio (AlAs):

1240
1241
 Es un compuesto semiconductor de la clase III-IV con similar constante de red que la del
1242
Arseniuro de Galio.
1243
 Se diferencia en que este elemento cuenta con una banda prohibida mucho más amplia.
1244
 Este material es usado en la fabricación de algunos diodos LEDS, es la una de las pocas
1245
aplicaciones hasta ahora de este material semiconductor, puesto que llevar los cristales
1246
a niveles altos de pureza resulta difícil, además de la reactividad del Aluminio y la

1247
inestabilidad de los cristales cuando se exponen a la humedad ambiental, provoca que

1248
su uso sea muy escaso en este campo de estudio.

1249
 Sin embargo, podemos resaltar el hecho de que ya se inició el desarrollo en la

1250
producción de celdas solares.

1251
1252
1253
A tener en cuenta:
1254
Este material semiconductor es estable en condiciones normales y no arde, sin embargo, ante la
1255
reacción con ácidos puede producir productos tóxicos tales como la arsina, que en la actualidad
1256
no sabemos cuáles son los riesgos sobre la salud humana, un factor a tener muy en
1257
consideración.
1258
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Estructura cristalina del Arseniuro de Aluminio

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1289
Nitruro de Galio (GaN):

1290
1291
 Es una aleación binaria de materiales semiconductores de la clase III-IV con una banda
1292
prohibida directa que se ha venido usando en la fabricación de diodos Leds desde la

1293
década del noventa.

1294
 Es un material muy dura cuya banda de energía es 3,4 eV, lo cual le permite tener
1295
aplicaciones en dispositivos de alta frecuencia, dispositivos de alta potencia y

1296
optoelectrónica (rama que une los sistemas ópticos con los sistemas electrónicos).
1297
1298
 Actualmente se cree que será el material perfecto para crear transistores de alta
1299
potencia y alta frecuencia, debido a que puede trabajar a altas temperaturas y es capaz
1300
de soportar 10 veces el voltaje que soporta el Silicio, esto último ha generado el estudio
1301
en la creación de transformadores con el uso de este material.

1302
1303
 Otra magnifica aplicación es que ha permitido aumentar el rango de funcionamiento de

1304
los LED y diodos láser hasta la región ultravioleta, lo que ha abierto un nuevo enfoque
1305
en los sistemas de iluminación, telecomunicaciones y electrónica de consumo.

1306
1307
Nota: Este compuesto también es usado en medicina en los procesos de quimioterapia debido
1308
a que reduce las pérdidas de calcio en los huesos durante el tratamiento.

1309
1310
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1336
Arseniuro de Indio (InAs):

1337
1338
 Material semiconductor usado en detectores infrarrojos, con rangos de longitud de onda

1339
de 1 a 3.8 𝜇m. A causa de su elevada movilidad electrónica y a su bajo valor en la banda

1340
prohibida, se utiliza en radiación Terahertz (también llamada radiación submilimétrica).

1341
 Junto con el Fosfuro de Indio se obtiene un material con una banda prohibida dependiente
1342
de la proporción de sus componentes.

1343
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1354
1355
Antimoniuro de Galio (GaSb):

1356
1357
 También llamado Monoantimoniuro de Galio. El cual es un material semiconductor de la

1358
clase III-IV.
1359
 Se caracteriza por tener una banda prohibida de 0.72 eV a una temperatura de 300ºK
1360
(temperatura ambiente).
1361
 Se suele utilizar para fabricar dispositivos optoelectrónicos que trabajen en el intervalo

1362
de longitudes de onda infrarroja como detectores o celdas termofotovoltaicas.

1363
 También es usado en intercomunicación satelital y en la transmisión de información

1364
mediante datos, audio y video.

1365
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1380
Arseniuro de Galio y Aluminio:

1381
1382
 Es un material semiconductor con una red cristalina parecida a la del Arseniuro de Galio,
1383
pero con una banda prohibida mucho mayor, la cual oscila entre 1.42 eV y 2.16 eV.
1384
 Tiene uso en la fabricación de la estructura de los fotodetectores infrarrojos de pozos

1385
cuánticos (también conocidos como QWIP).

1386
1387
ETAPAS DE FABRICACION DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR

1388
1389
Se basa en las siguientes 4 etapas:

1390
1391
1. Purificación del substrato(Fabricación de obleas)

1392
2. Oxidación
1393
3. Fotolitografía y grabado
1394
4. Impurificación
1395
1396
Empezaremos a describir las etapas independientemente:

1397
1398
1. Purificación del Substrato:

1399
1400
El primer paso para la creación de dispositivos semiconductores es obtener materiales

1401
semiconductores, como por ejemplo el Silicio y el Germanio (estos elementos son los
1402
más conocidos, con una dominancia del primero sobre el segundo), con el nivel de
1403
impurezas deseadas.
1404
En la actualidad los niveles de impurezas deseados son de una parte en mil millones.
1405
La materia prima se somete a una serie de reacciones químicas y a un proceso de

1406
refinamiento para formar un cristal policristalino del nivel deseado de pureza.

1407
Los átomos de este cristal policristalino se acomodan al azar, mientras que en el cristal
1408
que se desea obtener, los átomos se acomodan en forma simétrica y uniforme, además
1409
su estructura geométrica es en forma de enrejado.

1410
La última cosa que se hace antes de la fabricación de dispositivos semiconductores es

1411
formar un solo cristal de Silicio o Germanio. Esto lo podemos obtener usando la

1412
técnica de Czochralski o el método de la zona flotante, la técnica más moderna es la

1413
segunda.
1414
1415
Técnica de Czochralski:
1416
1417
 Esta técnica es usada en la obtención de Silicio monocristalino mediante un

1418
cristal semilla depositado por un baño de Silicio.

1419
 Sigue siendo una técnica muy usada en la fabricación de obleas, las cuales son
1420
destinadas a la fabricación de transistores y circuitos integrados.

1421
 Primero, se debe tener un crisol con material semiconductor fundido (que puede
1422
ser Silicio o Germanio), la temperatura de este material semiconductor se

1423
controla porque se desea tener el material por encima de su punto de fusión

1424
para que así no pueda solidificarse.

1425
1426
 Luego se introduce una varilla con que gira lentamente y tiene en su punta un
1427
material semiconductor que actúa como el cristal semilla.

1428
 Al contacto del material fundido con el cristal semilla, este se adhiere al cristal
1429
semilla, solidificándose con su red cristalina, esto hace que el monocristal

1430
crezca.
1431
 La varilla se va elevando y se va formando un monocristal cilíndrico.

1432
 Finalmente, el cristal monocristalino obtenido se separa de la varilla, para pasar

1433
a una siguiente fase de purificación.

1434
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1453
1454
Técnica de la zona flotante:

1455
1456
El método la zona flotante se utiliza para hacer crecer Silicio monocristalino con
1457
concentración de impurezas más bajas que las normalmente obtenidas por el método de
1458
Czochralski.
1459
1460
 Primero se parte de un cilindro de Silicio policristalino.

1461
 Luego se sostiene verticalmente y se conecta uno de sus extremos al cristal

1462
semilla.
1463
 Una pequeña porción del cristal se funde mediante un calentador por radio
1464
frecuencia, el cual desplaza a lo largo de todo el cristal desde la semilla.

1465
 El Silicio fundido es retenido por la tensión superficial entre ambas caras del
1466
Silicio sólido.
1467
1468
1469
1470
 Cuando la zona flotante se desplaza hacia arriba, el Silicio monocristalino se

1471
solidifica en su extremo inferior de la zona flotante y crece como una extensión

1472
de la semilla.
1473
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1486
2. Oxidación:
1487
1488
En esta parte del proceso las obleas del material semiconductor obtenido se
1489
montan en un tubo de cuarzo.

1490
Luego se introduce dentro de un horno de apertura cilíndrica que es calentado

1491
por resistencia a una temperatura entre los 850ºC y 1100ºC.

1492
Dentro del horno existen 2 tipos de oxidación, las cuales son:

1493
1494
1. Oxidación húmeda:
1495
Es cuando se introduce vapor de agua en el horno. A continuación

1496
observaremos que pasa cuando usamos Silicio como material

1497
semiconductor.
1498
1499
Si(sólido) + 2H2 O(gaseoso) → SiO2 (sólido) + 2H2 (gaseoso)

1500
1501
Esta reacción es mucho más rápida y se producen óxidos más gruesos.

1502
1503
2. Oxidación seca:
1504
Es cuando se introduce gas de oxígeno puro en el horno. A

1505
continuación observaremos que pasa cuando usamos Silicio como

1506
material semiconductor.
1507
1508
Si(sólido) + O2 (gaseoso) → SiO2 (sólido) + 2H2 (gaseoso)

1509
1510
Esta reacción es lenta pero se obtienen óxidos de mucha mejor calidad.

1511
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Figura que muestra los pasos de la etapa de oxidación

1520
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Técnica de la zona flotante

1536
1537
Figura que muestra los tipos de horno usados en la etapa de oxidación

1538
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1542
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1544
1545
1546
3. Fotolitografía:
1547
1548
También denominada microlitografía y nanolitografía. Es el proceso que consiste en

1549
transferir un patrón desde una fotomáscara (también denominada retícula) a la superficie de

1550
una oblea (fina plancha de material semiconductor).

1551
Estas obleas sirven como el sustrato durante este proceso. Este proceso comparte algunos
1552
principios fundamentales con los procesos fotográficos y trabaja de manera análoga a la

1553
litografía empleada tradicionalmente en los procesos de impresión.

1554
1555
A continuación veremos los pasos a seguir durante este proceso:

1556
1557
 Preparación del sustrato:

1558
Se empieza depositando una capa de metal conductivo de varios nanómetros de grosor

1559
sobre el sustrato obtenido en el proceso de oxidación.

1560
1561
 Aplicación de las resinas fotoresistentes:

1562
Se aplica sobre la capa metálica otra capa de resina fotosensible, esta capa suele ser
1563
una sustancia que cambia sus propiedades químicas con la exposición a la luz
1564
(generalmente a la radiación ultravioleta).

1565
1566
 Introducción en el horno:
1567
Se realiza un calentamiento ligero para fijar las resinas sobre el sustrato de Silicio.
1568
1569
 Exposición a la luz:
1570
En esta etapa del proceso se usa una fotomáscara que es una placa con áreas opacas y
1571
transparentes con el patrón a imprimir.

1572
Esta placa se coloca interponiéndose entre la placa del sustrato (oblea) y la fuente de
1573
luz, de esta manera solo algunas partes de la fotoresina son expuestas a la luz mientras
1574
que otras quedan ocultas.

1575
La luz que se utiliza tiene una longitud de onda en la zona ultravioleta (UV). Cuanto más
1576
corta sea la longitud de onda, mayor la resolución que se puede alcanzar, por lo que
1577
siempre se han ido buscado fuentes de luz con menor longitud de onda.
1578
1579
 Revelado:
1580
En esta parte la fotorresistencia está preparada para reaccionar de forma diferente a un

1581
ataque químico, dejando el patrón de la fotomáscara grabado en la placa del sustrato.

1582
1583
 Introducción en el horno por segunda vez:

1584
En esta parte se realiza un calentamiento mucho más fuerte que la primera vez para fijar
1585
los cambios que la impresión ha realizado en el proceso anterior.

1586
1587
 Aplicación del ácido nítrico o agua fuerte:

1588
En esta parte se limpian los residuos de las resina fotoresistentes para así dejar la oblea
1589
con las marcas originales de la fotomáscara.

1590
1591
1592
1593
1594
1595
4. Impurificación:
1596
Es la última etapa de la fabricación. También conocida como adición de dopantes. Para lograr
1597
este objetivo existen 2 métodos, los cuales son:

1598
 Difusión
1599
 Primero se colocan las obleas en el interior de un horno a través del cual se

1600
hace pasar un gas inerte que contenga el dopante deseado. La temperatura

1601
del horno es entre los 800ºC y 1200ºC.

1602
 En el caso del Silicio, el dopante tipo P más usual es el Boro y los dopantes
1603
tipo N más usuales son el Arsénico y el Fósforo.

1604
 Estos elementos tienen una alta solubilidad en Silicio en el rango de la

1605
temperatura de difusión.
1606
Existen 2 formas en el proceso de difusión:

1607
1608
1. Con fuente ilimitada:

1609
Es cuando durante el proceso se mantiene la misma concentración de

1610
impurezas.
1611
1612
2. Con fuente limitada:

1613
En esta comienza con una concentración inicial y no se agregan

1614
dopantes.
1615
1616
 Implantación iónica:
1617
 Es un proceso por el cual los iones de un material pueden ser implantados en

1618
otro sólido para cambiar las propiedades físicas de este.

1619
 Los iones dopantes de Boro, Fósforo o Arsénico entre otros suelen proceder
1620
de fuentes gaseosas debido a su gran pureza, si bien estos gases pueden ser
1621
muy tóxicos, pero una vez implantados en el semiconductor, cada átomo

1622
dopante origina un desplazamiento de carga en el semiconductor (hueco o

1623
electrón, dependiendo de si es un dopante tipo P o tipo N), de forma que se

1624
modifica la conductividad del semiconductor a su alrededor.

1625
1626
Nota: Con esto damos por terminado las etapas en el proceso de fabricación de un
1627
dispositivo semiconductor.
1628
1629
5. DENSIDAD DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR:

1630
1631
a) Ley de acción de masas:

1632
1633
 En un semiconductor tanto intrínseco como extrínseco, se cumple:

1634
1635
1636
1637
1638
1639
1640
1641
1642
 A una temperatura dada el producto de las densidades de los dos tipos de portadores
1643
se mantiene constante
1644
1645
 En un semiconductor extrínseco, el incremento de un tipo de portador tiende a reducir el

1646
otro.
1647
1648
b) Ley de cuasi-neutralidad eléctrica (general):

1649
1650
 Lo que indica que las cargas positivas deben ser igual que las negativas.
1651
1652
1653
1654
1655
1656
1657
1658
1659
1660
c) Leyes de acción de masas y de cuasi-neutralidad eléctrica:

1661
1662
Casos particulares:
1663
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1685
1686
1687
TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR:

1688
1689
El movimiento de electrones y huecos (partículas cargadas) da lugar a una corriente.

1690
Esta corriente es la manera de operar de los dispositivos electrónicos, que a su vez controlan
1691
la corriente en la malla en la que están situados.

1692
Veamos los diferentes fenómenos a los que están expuestos los portadores:
1693
1694
1. Movimiento aleatorio térmico.

1695
2. Arrastre o desplazamiento.
1696
3. Difusión.
1697
4. Generación-recombinación.
1698
1699
1. Movimiento aleatorio térmico:

1700
1701
 En equilibrio térmico, los portadores dentro del semiconductor están siempre en

1702
movimiento térmico aleatorio.

1703
1704
 La mecánica estadística nos dice que un portador a una temperatura T tiene una energía
1705
3𝐾𝐵 𝑇
térmica media de .
2
1706
 Esta energía térmica le sirve para moverse (convertirla en energía cinética) a

1707
una velocidad térmica (𝒗𝒕𝒉 )

1708
1709
1710
1711
1712
1713
 El portador se mueve rápidamente dentro del cristal en todas las direcciones

1714
alternando recorridos libres y colisiones con los átomos de la red.

1715
1716
 En equilibro térmico y sin campo eléctrico aplicado (E=0), el movimiento de

1717
todos los portadores se cancela y la corriente media en cualquier dirección es

1718
nula.
1719
1720
1721
1722
1723
1724
1725
1726
1727
1728
1729
2. Arrastre o desplazamiento:
1730
1731
 Movimiento de los portadores

1732
 Cuando se aplica E: los portadores sufren una fuerza igual a:

1733
1734
 F= - E×e para electrones (acelerados en sentido opuesto al campo)

1735
 F= E×e para huecos (acelerados en el sentido del campo)

1736
1737
1738
1739
1740
1741
1742
1743
1744
1745
1746
1747
1748
1749
 Estas fuerzas proporcionan una aceleración (2ª ley de Newton) y una velocidad media
1750
neta que se puede escribir (estadísticamente, en media).

1751
1752
1753
1754
1755
1756
1757
1758
1759
1760
1761
1762
1763
3. Difusión:
1764
1765
 La difusión ocurre como consecuencia de la no homogeneidad de concentración, los

1766
portadores se difunden desde donde la concentración es más alta hacia donde es más
1767
baja.
1768
1769
1770
1771
1772
1773
1774
1775
1776
1777
1778
1779
 Cómo son partículas cargadas este movimiento da lugar a corrientes de difusión:

1780
Obedecen a la Ley de Fick:

1781
1782
1783
1784
1785
1786
4. Generación-recombinación:
1787
1788
 En equilibrio térmico para una temperatura dada, los portadores poseen una energía
1789
térmica:
1790
1791
 Algunos electrones de la banda de valencia pueden alcanzar la banda de conducción,

1792
dejando un hueco en la banda de valencia por lo que se genera un par electrón-hueco

1793
llamado fenómeno de generación.

1794
1795
1796
1797
1798
1799
1800
1801
1802
1803
1804
1805
1806
 También un electrón de la banda de conducción puede pasar a la banda de valencia

1807
(desaparece un par electrón-hueco), a este se le conoce como fenómeno de

1808
recombinación.
1809
1810
1811
1812
1813
1814
1815
1816
1817
1818
1819
1820
1821
1822
 Es importante resaltar como en equilibrio, ambos fenómenos se compensan:

1823
1824
1825
1826
1827
1828
Aspecto teórico:
1829
1830
Realidad Problemática
1831
1832
 Con el auge de los semiconductores la tecnología logró dar el salto miniaturizador que
1833
caracterizó la segunda mitad del siglo XX, pero el descubrimiento en sí se remota a la mitad
1834
del siglo XIX, mucho antes de que empezara cualquiera de los inventos que hemos descrito
1835
en la colección.
1836
 Los semiconductores se llaman así porque bajo ciertas condiciones tienen características
1837
de conductores, y bajo otras condiciones se comportan como aislantes.

1838
 Esto los hace bastante malos como reemplazo de un alambre de cobre, pero en cambio
1839
son útiles cuando se quiere intervenir las características del circuito en base a ciertos
1840
estímulos.
1841
 Se podría decir que la primera vez que se documentó un fenómeno semiconductor fue
1842
cuando en 1833 Michael Faraday experimentó con Sulfuro de Plata (Ag2S), descubriendo
1843
que tiene un coeficiente de temperatura negativo.

1844
 A diferencia de la mayoría de los metales, que empeoran su conductividad eléctrica

1845
conforme aumentan de temperatura, esta sal se volvía más conductora a medida que se
1846
calentaba.
1847
 Puede parecer intrascendente, pero algo tan simple como el descubrimiento de Faraday
1848
mostró que la compensación entre calor y conductividad no era universal.

1849
1850
1851
1852
1853
1854
 Pasaron 40 años hasta que casi en paralelo, Frederick Guthrie y Thomas Edison
1855
documentaron el fenómeno termoiónico.

1856
 Guthrie no lo usó para ningún invento patentable y Edison lo tomó como un efecto
1857
secundario perjudicial de la lámpara incandescente.

1858
 Sin embargo ese principio sirvió para que 20 años después John Ambrose Fleming (antiguo
1859
empleado de Edison) patentase el primer diodo termoiónico en 1904 dando lugar al auge
1860
de los tubos de vacío.

1861
 Una vez que los tubos de vacío florecieron en la industria y se les encontró centenares de
1862
usos, alguien volvió a pensar en los semiconductores para ver si sus características
1863
podrían suplir parte de lo que se estaba haciendo con tubos de vacío.

1864
 Se podría decir que el descubrimiento de Faraday durmió por más de 80 años hasta que
1865
en 1923 el suizo Walter H. Schottky publicó su Teoría de los Rectificadores Secos, en

1866
donde por primera vez se plantea el uso de semiconductores para dispositivos electrónicos.
1867
1868
1869
Formulación del problema

1870
1871
1872
¿Qué es lo que ha cambiado?

1873
1874
A partir de la década de 1950, los dispositivos semiconductores conocidos también como

1875
dispositivos de estado sólido remplazaron los tubos electrónicos de la industria tradicional.

1876
Por la enorme reducción de tamaño, consumo de energía y costo, acompañada de una

1877
mucha mayor durabilidad y confiabilidad, los dispositivos semiconductores significaron un

1878
cambio revolucionario en las telecomunicaciones, la computación, el almacenamiento de

1879
información, etc.
1880
Desde el punto de vista de su forma de operación, el dispositivo semiconductor más simple

1881
y fundamental es el diodo; todos los demás dispositivos pueden entenderse en base a su

1882
funcionamiento.
1883
1884
1885
¿Por qué cambio?

1886
1887
En 1782 el término “semiconductor” fue utilizado por primera vez por Alessandro Volta, y
1888
la primera observación documentada sobre el efecto producido por los semiconductores

1889
fue la de Michael Faraday en el año de 1833, quien se percató que la resistencia en el

1890
sulfuro de plata (Ag2S) disminuye conforme aumenta la temperatura; la cual era distinta a
1891
la de los metales.
1892
1893
1894
1895
1896
1897
1898
1899
1900
¿Qué mejoras trajo consigo?

1901
1902
Los semiconductores son componentes electrónicos fundamentales para la realización de

1903
la tecnología que conocemos hoy en día, permitiendo regular la energía eléctrica de forma
1904
inteligente.
1905
El dispositivo semiconductor más simple es el diodo, sus aplicaciones más evidentes son:
1906
la conversión de corriente alterna en continua(proceso de rectificación), conversión de

1907
energía luminosa a eléctrica(células solares), y la emisión de luz; por otro lado, el

1908
dispositivo semiconductor más relevante visto desde el punto tecnológico es el transistor,

1909
el cual es utilizado para producir una señal de salida como respuesta a una señal de
1910
entrada, dispositivo que se puede encontrar en los televisores, equipos de música, relojes
1911
y celulares.
1912
1913
¿Por qué ya no se usa esto y no aquello?

1914
1915
En 1878 Edwin Herbert Hall descubrió que los portadores de carga eléctrica en
1916
sólidos son desviados del campo magnético, lo que bautizó con el nombre de “Efecto
1917
Hall”, fenómeno que fue utilizado posteriormente para estudiar las propiedades de
1918
los semiconductores; así como, Alan Wilson en el año 1931, quien confirmó que la
1919
conductividad de los semiconductores era debido a las impureza.

1920
En 1947 John Bardeen, Walter Brattain y William Shockley, elaboraron el primer

1921
transistor, el cual estaba constituido de germanio (elemento semiconductor) con

1922
algunos contactos eléctricos sobrepuestos, el cual mejoró el funcionamiento de los

1923
bulbos al vacío usados como instrumentos de control, amplificación y generación de

1924
señales electrónicas, estas aportaciones los hicieron acreedores al Premio Nobel en

1925
el año de 1956, y con ello, el cambio de tecnologías en todo el mundo.

1926
En 1956 William Shockley creó la empresa Fairchild Semiconductor, la cual introdujo

1927
en el mercado norteamericano el primer circuito integrado comercialmente viable y

1928
durante la misma década dominó el mercado de los circuitos integrados al lanzar el

1929
primer amplificador operacional.

1930
1931
Objeto de la Investigación
1932
1933
En 1969 nace Advanced Micro Devices Inc., industria estadounidense ubicada en Sunnyvale,
1934
California; la cual desarrolla procesadores de cómputo y otros productos de alta tecnología

1935
para el mercado de microelectrónica, de los cuales sus principales productos son

1936
microprocesadores, circuitos integrados auxiliares, procesadores gráficos, estaciones de

1937
trabajo, computadoras personales y algunas aplicaciones para éstas últimas; lo cual coloca a
1938
AMDA como el segundo proveedor de microprocesadores basados en la arquitectura “x86“ ,

1939
así como uno de los más grandes fabricantes de unidades de procesamiento gráfico. Lo cual
1940
nos permite profundizar en los métodos científicos usados en la actualidad, además de darnos
1941
la certeza de realizar una buena investigación.

1942
1943
1944
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1983
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1985
1986
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1991
1992
1993
1994
1995
1996
ANEXOS
1997
1998
1999
2000
2001
2002
2003
2004
2005
2006
SEMICONDUCTORES
2007
2008
2009
2010
2011
2012
2013
2014
AISLANTES
2015

Semiconductores

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UNIVERSIDAD NACIONAL PEDRO RUIZ GALLO

FACULTAD DE CIENCIAS FISICAS Y MATEMATICAS

“TECNOLOGÍAS DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES”

 Ing. Martin Augusto Nombera Lossio.

 Ramírez Mija Ricardo.

 Fernández Chimoy Rubén.

 Ballena Siesquen Yoel.

Chiclayo, 23 de Julio del 2018

ESQUEMA DEL INFORME DE INVESTIGACIÓN FORMATIVA

1.0. DATOS PRELIMINARES

 Tecnologías de los dispositivos semiconductores

 Ramírez Mija Ricardo.

 Fernández Chimoy Rubén.

 Ballena Siesquen Yoel.

5. LOCALIDAD E INSTITUCIÓN DE EJECUCIÓN:

 Laboratorio de la Facultad de Electrónica de la UNPRG

6. DURACIÓN DEL PROYECTO:

 27 de Abril del 2018.

2.0. CUERPO DEL INFORME

o CAPITULO II. MARCO TEÓRICO CONCEPTUAL

B. Aspectos teórico- conceptuales.

o CAPITULO III: MATERIAL Y MÉTODOS

o CAPÍTULO IV: RESULTADOS Y DISCUSIÓN

 4.1. Presentación de los Resultados

 4.2. Discusión de los Resultados

En el presente informe daremos a conocer conceptos de los materiales semiconductores,

dispositivos fabricados con estos mismos, métodos de obtención de materiales y fabricación de

integrados, etc. Su evolución permanente en la tecnología y el ayudo hacia la electrónica

implementando distintos funcionamientos. Pudiendo adquirir de dicha investigación el desarrollo

tecnológico, su situación actual, modelos de bandas de dichos semiconductores, tipos, densidad,

campo de la electrónica que deseáramos seguir.

in the field of electronics that we wish to follow.

materiales semiconductores y sus sorprendentes aplicaciones en el desarrollo técnico de

dispositivos eléctricos y electrónicos, representan una de las revoluciones científico-tecnológicas

revolución pensemos por un momento en los diodos, transistores y circuitos integrados,

probablemente la aplicación tecnológica más importante de los semiconductores. Cualquier

dispositivos electrónicos. Están en el televisor, en el equipo de música, en la máquina de lavar,

en el reloj de pulsera, en el teléfono celular. Un computador personal puede llegar a tener

algunos miles de millones de dispositivos electrónicos. De hecho, en el mundo existen muchos

consideraciones de carácter técnico que obligarían a extender la discusión más allá de lo

MARCO TEÓRICO- CONCEPTUAL

1. SITUACION DEL SEMICONDUCTOR

 El sector de la transmisión y distribución de energía eléctrica está pasando actualmente

eléctricas como para el sector público.

 Basado en los nuevos semiconductores de potencia, que se están comercializando cada

intenso trabajo de desarrollo, tanto en el sector de la informática como en el de la

 Estas nuevas generaciones de semiconductores de potencia ofrecen más rendimiento,

más fiabilidad y una excelente capacidad de control.

 Además, los resultados de la intensiva investigación de nuevos materiales como es el

2. DESARROLLO TECNOLOGICO DEL SEMICONDUCTOR

En pleno desarrollo, a una velocidad extraordinaria, la tecnología de la información se ha

elevadísimas inversiones dentro de este campo de estudio. Esto ha provocado un espectacular

impulsora fundamental de diversas aplicaciones, por ejemplo la ingeniería eléctrica y electrónica,

que tienen importantes consecuencias.

3. CLASIFICACIÓN DE SÓLIDOS CRISTALINOS EN FUNCIÓN DE SUS

ordinaria en las 3 direcciones. Pueden ser conductores, aislantes y semiconductores.

 Conductores: Se denominan así a los elementos químicos caracterizados por ser

buenos conductores de calor y electricidad. Poseen alta densidad y son sólidos a

temperatura ambiente (excepto el Mercurio (Hg)), el cual a temperatura ambiente se

encuentra en estado líquido); sus sales forman iones electropositivos (cationes) en

 Aislantes: Se denominan así a los elementos caracterizados por ser malos

conductores de calor y electricidad, es decir poseen baja conductividad eléctrica. En

estudiaremos todo lo referido a semiconductores, lo cual nos permitirá prevenir la repetición de