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UNIDAD 1 – MATERIALES SEMICONDUCTORES

Electrónica Analógica – Ing. Ricardo Alejandro Balcázar Montes de Oca

OMAR JAVIER SANDOVAL CHIMAL

5511

22 DE SEPTIEMBRE DE 2018
TECNOLÓGICO DE ESTUDIOS SUPERIORES DE COACALCO
Ingeniería en Mecatrónica – MCT – 201620108
ELECTRÓNICA ANALÓGICA UNIDAD I SANDOVAL CHIMAL OMAR JAVIER
TECNOLÓGICO DE ESTUDIOS SUPERIORES DE COACALCO

Índice

1. Aspectos Históricos de la Electrónica. .......................................................................... 2


2. Definición de Electricidad y Electrónica. ...................................................................... 3
3. Materiales Semiconductores. ......................................................................................... 5
Tabla de Elementos Semiconductores ................................................................................ 5
Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor. ....................................... 6
4. Modelo Atómico.............................................................................................................. 6
5. Bandas de Energía. ........................................................................................................ 7
6. Enlaces Químicos. .......................................................................................................... 8
7. Materiales N y P. ............................................................................................................ 8
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1. Aspectos Históricos de la Electrónica.


La historia de la Electrónica, como la de muchas otras ciencias, está marcada por
pequeños y grandes descubrimientos. Algunos de ellos fortuitos y otros, fruto de mentes
visionarias de investigadores y científicos.
Veremos algunos aspectos históricos importantes de la electrónica en la siguiente línea del
tiempo:
 1820: El físico y químico danés, Hans Christian Øersted comprueba y demuestra que
alrededor de un conductor por el que circulaba una corriente eléctrica se forma un
campo magnético. Poco después del descubrimiento de Øersted, el científico francés
André Marie Ampere logró formular y demostrar experimentalmente, la ley que
explica en términos matemáticos la interacción entre magnetismo y electricidad. En
su memoria fue nombrada la unidad de intensidad de corriente eléctrica: el Amperio.

 1821: Michael Faraday, físico y químico británico, basado en los descubrimientos de


Øersted, construye los primeros aparatos para producir lo que él llamó "Rotación
Electromagnética", nacía así el motor eléctrico.

 1825: El inventor británico William Sturgeon crea un dispositivo que iba a contribuir
significativamente a la fundación de las comunicaciones electrónicas: el electroimán.

 1827: El profesor alemán Georg Simon Ohm publica el resultado de sus experimentos
que demuestran la relación entre Voltaje, Corriente y Resistencia. Conocida hoy
como Ley de Ohm. Su trascendencia fue menospreciada por sus colegas de la época
y solo reconocida dos décadas después.

 1831: Michael Faraday, diez años después de su "motor eléctrico", descubre un efecto
inverso al descubierto por Øersted. Un campo magnético en movimiento sobre un
conductor induce en este una corriente eléctrica. Crea la Ley de Inducción Magnética
y base de los generadores eléctricos. También descubre que, en electricidad estática,
la carga eléctrica se acumula en la superficie exterior del conductor eléctrico cargado.
Este efecto se emplea en el dispositivo denominado Jaula de Faraday y en los
capacitores. En reconocimiento a sus importantes descubrimientos, la unidad de
capacidad eléctrica se denomina Faradio.

 1846: El físico alemán Gustav Kirchhoff expone dos reglas, con respecto a la
distribución de corriente en un circuito eléctrico con derivaciones, llamadas Leyes de
Kirchhoff.

 1861: El físico ingles James Clerk Maxwell desarrolla el concepto de onda


electromagnética, que permite una descripción matemática adecuada de la interacción
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entre electricidad y magnetismo. Predijo que era posible propagar ondas por el
espacio libre utilizando descargas eléctricas.

 1882: El inventor francés, Lucien H. Gaulard patenta un dispositivo que llamó


generador secundario y que sería una versión primitiva de lo que hoy llamamos
transformador.

 1882: Nikola Tesla investigador estadounidense de origen croata, experimentando


con alto voltaje y corriente alterna polifásica, inventa el alternador y el primer motor
eléctrico de inducción.

 1887: Heinrich Rudolf Hertz, físico alemán, corrobora la predicción de James Clerk
Maxwell creando el primer transmisor de radio, generando radiofrecuencias.
Desarrolló también un sistema para medir la velocidad (frecuencia) de las ondas de
radio. En su honor la unidad de medida de frecuencia se denominó Hertz (o Hertzio).

 1897: El físico inglés J. J. Thomson descubre la existencia de una partícula


eléctricamente cargada, el electrón. En el año de 1906 Thomson recibió el Premio
Nóbel de Física por su descubrimiento. También establece que las cargas que se
liberaban al calentar una superficie metálica son electrones.

 1903: El físico británico John Ambrose Fleming encuentra una aplicación práctica de
la válvula termoiónica de efecto Edison, que posteriormente de denominaría:
"Diodo", al usarlo como detector de ondas electromagnéticas. John Ambrose Fleming
es considerado "el padre de la electrónica".

 1933: Edwin Howard Armstrong inventa un nuevo tipo modulación de señal: la FM


(frecuencia modulada).

La electrónica es en la actualidad indispensable para el ser humano, ha contribuido


en gran medida en el desarrollo del ser humano y gracias a ella hay cierto avance tecnológico.
2. Definición de Electricidad y Electrónica.
La electrónica y la electricidad van de la mano, pero, aunque sea así son cosas
diferentes, a continuación, se definirán ambos términos:
 Electricidad.
La palabra electricidad podemos dejar patente que tiene su origen etimológico en el
término griego elektron que puede traducirse como “ámbar”. Partiendo del mismo se
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establece que la persona que acuñó este término fue más concretamente el científico inglés
William Gilbert quien en el siglo XVI habló de “eléctrico” para mencionar los fenómenos de
cargas de atracción que descubrieron ya los griegos.
La electricidad es una propiedad física manifestada a través de la atracción o
del rechazo que ejercen entre sí las distintas partes de la materia. El origen de esta propiedad
se encuentra en la presencia de componentes con carga negativa (denominados electrones) y
otros con carga positiva (los protones).
La electricidad, por otra parte, es el nombre que recibe una clase de energía que se
basa en dicha propiedad física y que se manifiesta tanto en movimiento (la corriente) como
en estado de reposo (la estática). Como fuente energética, la electricidad puede usarse para
la iluminación o para producir calor.
El ser humano se ha dedicado a generar electricidad para poner en marcha todo tipo
de máquinas, artefactos y sistemas de transporte.
Como decimos, hoy la electricidad es fundamental pues gracias a la misma llevamos
a cabo un sinfín de tareas y tenemos posibilidad de disfrutar de aplicaciones que nos facilitan
y hacen mejor nuestra calidad de vida.
 Electrónica.
Hasta el griego debemos remontarnos para conocer el origen etimológico de la
palabra electrónica. En concreto, podemos determinar que procede de la unión de dos partes
léxicas claramente diferenciadas: elektron que se traduce como “ámbar” y el sufijo –iko que
viene a significar “relativo a”.
Se conoce como electrónica al análisis de los electrones y a la aplicación de sus
principios en diferentes contextos. Puede decirse, por lo tanto, que la noción de electrónica
refiere a lo que está vinculado con el electrón, que es una de las partículas esenciales de los
átomos.
La ingeniería y la física se encargan del desarrollo y el análisis de
los sistemas creados a partir del movimiento y el control de electrones que tienen una carga
de electricidad.
Los denominados circuitos electrónicos posibilitan la conversión y la distribución de
la energía eléctrica, por lo que se pueden emplear en el procesamiento y el control
de información.
Las señales electrónicas, por otra parte, pueden dividirse en dos
grupos: analógicas (cuya cantidad de valores es finita) o digitales (que trabajan con valores
finitos).
Al definir los conceptos podemos entender que la electricidad es fundamental en la
electrónica, ya que la electricidad es el instrumento con el cual trabaja la electrónica.
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3. Materiales Semiconductores.
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubrió que si a ciertos
cristales se le añadía una pequeña cantidad de impurezas su conductividad eléctrica variaba
cuando el material se exponía a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo
de las celdas fotoeléctricas o solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley,
investigador también de los Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden, desarrollaron
el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron “transistor” y
que se convertiría en la base del desarrollo de la electrónica moderna.
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por
ejemplo, constituyen elementos que poseen características intermedias entre los cuerpos
conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo,
bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulación de la corriente
eléctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar
corriente alterna, detectar señales de radio, amplificar señales de corriente eléctrica,
funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrónica digital, etc.
Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Periódica
constituyen la materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos
detectores y rectificadores de corriente, transistores, circuitos integrados y
microprocesadores.
Los átomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco
electrones en su última órbita, de acuerdo con el elemento específico al que pertenecen. No
obstante, los elementos más utilizados por la industria electrónica, como el silicio (Si) y el
germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su última órbita. En este caso, el
equilibrio eléctrico que proporciona la estructura molecular cristalina característica de esos
átomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones.
Normalmente los átomos de los elementos semiconductores se unen formando
enlaces covalentes y no permiten que la corriente eléctrica fluya a través de sus cuerpos
cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente eléctrica.
En esas condiciones, al no presentar conductividad eléctrica alguna, se comportan de
forma similar a un material aislante.
Tabla de Elementos Semiconductores

Número Nombre del Grupo en la Tabla Electrones en la Números de


Categoría
Atómico Elemento Periódica última órbita valencia
48 Cd (Cadmio) IIa Metal 2 e- +2
5 B (Boro) Metaloide 3 e- +3
13 Al (Aluminio)
IIIa
31 Ga (Galio) Metal
49 In (Indio)
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14 Si (Silicio) 4 e- +4
IVa Metaloide
32 Ge (Germanio)
15 P (Fósforo) No metal 5 e- +3, -3, +5
33 As (Arsénico) Va
Metaloide
51 Sb (Antimonio)
16 S (Azufre) 6 e- +2, -2 +4, +6
No metal
34 Se (Selenio) VIa
52 Te (Telurio) Metaloide

Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor.


La mayor o menor conductividad eléctrica que pueden presentar los materiales
semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los
metales, a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente también
aumenta, disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario, ocurre con los elementos
semiconductores, pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad también aumenta.
En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno
de los siguientes métodos:
 Elevación de su temperatura
 Introducción de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina
 Incrementando la iluminación.
La conductividad eléctrica de los cuerpos materiales (σ) constituye la capacidad que.
tienen de conducir la corriente eléctrica. La fórmula matemática para hallar la. conductividad
es la siguiente:

Como se puede apreciar en esta fórmula, la conductividad (σ) se obtiene hallando


primeramente el resultado de la recíproca de la resistencia (o sea, 1/R) multiplicándolo a
continuación por el resultado que se obtiene de dividir la longitud del material (L) entre su
área (A). En esa fórmula se puede observar también que la resistencia (R) es inversamente
proporcional a (σ), por lo que, a menor resistencia en ohm de un cuerpo, la conductividad
resultante será mayor.
4. Modelo Atómico.
La mayor parte de los dispositivos electrónicos modernos están fabricados a partir de
semiconductores. Para comprender el funcionamiento de estos dispositivos cuando se
insertan en un circuito eléctrico, es necesario conocer el comportamiento de los componentes
desde un punto de vista físico.
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Por ello, en este tema se presentan las propiedades y características fundamentales de


este tipo de materiales. Si los conductores son materiales que disponen de electrones libres y
los aislantes carecen de ellos, los semiconductores se encuentran en una situación intermedia:
a la temperatura de 0 K se comportan como aislantes, pero mediante una aportación de
energía puede modificarse esta situación, adquiriendo un comportamiento más cercano al de
los conductores.
Los materiales semiconductores de uso común en la tecnología microelectrónica son
el silicio, el germanio y el arseniuro de galio. Se trata de elementos del grupo IV de la tabla
periódica, o bien combinaciones de elementos de los grupos III y V. De todos ellos, el más
empleado actualmente es el silicio, por lo que la discusión en este tema va a estar centrada
en dicho elemento.
 Estructura de Silicio
El silicio es un elemento con una gran cantidad de aplicaciones. Es el segundo
elemento más abundante en la corteza terrestre (después del oxígeno) con un porcentaje en
peso del 25,7%. Está presente en multitud de materiales, tan diversos como la arena, la arcilla,
el vidrio o el hueso.
El silicio puro no se encuentra en la naturaleza, pero bajo las condiciones adecuadas
pueden obtenerse en forma de estructuras monocristalinas.
En la figura se aprecia que todos los electrones de
valencia están asociados a un enlace covalente. Por tanto, al no
existir portadores libres, el silicio puro y monocristalino a 0 K
se comporta como un material aislante.
Los semiconductores más empleados para la
fabricación de circuitos integrados son Silicio y Germanio.
Estos átomos se unen entre si formando una red cristalina, de
enlaces covalentes.
5. Bandas de Energía.
Los niveles de energía de los electrones en los átomos de un cristal no coinciden con
los niveles de energía de los electrones para átomos aislados. En un gas, por ejemplo, se
pueden despreciar las interacciones de unos átomos con otros y los niveles de energía no se
ven modificados. Sin embargo, en un cristal el campo eléctrico producido por los electrones
de los átomos vecinos modifica los niveles energéticos de los electrones de los átomos de sus
alrededores.
De este modo el cristal se transforma en un sistema electrónico que obedece al
principio de exclusión de Pauli, que imposibilita la existencia de dos electrones en el mismo
estado, transformándose los niveles discretos de energía en bandas de energía donde la
separación entre niveles energéticos se hace muy pequeña. La diferencia de energía máxima
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y mínima es variable dependiendo de la distancia entre átomos y de su configuración


electrónica.
Dependiendo de la distancia interatómica y del número de electrones de enlace entre
otros factores, pueden formarse distintos conjuntos de bandas que pueden estar llenas, vacías
o separaciones entre bandas por zonas prohibidas o bandas prohibidas, formándose así bandas
de valencia, bandas de conducción y bandas prohibidas.
Así en un aislante la separación entre la banda de valencia y la banda de conducción
es muy grande (» 10 eV), y esto significa que un electrón en la banda de valencia necesita
mucha energía para ser liberado y convertirse en un electrón libre necesario para la
conducción. En un conductor las dos bandas están solapadas, no necesitándose ninguna
energía para alcanzar la conducción. En un semiconductor la banda prohibida es muy
estrecha, o lo que es lo mismo, es muy fácil que un electrón sea liberado y pueda contribuir
a la conducción.

6. Enlaces Químicos.
En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de
agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro con el fin de cambiar sus
propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a
dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como
extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como un conductor que
como un semiconductor, es llamado degenerado.
7. Materiales N y P.
Tipo N
Cuando se introducen sustancias
dopantes de tipo pentavalente (5
electrones de valencia), entonces cuatro
átomos de las sustancias dopantes
formarán enlaces covalentes con los
átomos de Si, el quinto electrón que no
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comparte enlaces, es un electrón de conducción el cual será donado a la banda de conducción.


Entonces diremos que el semiconductor de Si es de tipo N debido a que recibe una
cantidad adicional de portadores de carga negativa y la sustancia pentavalente (P, As, Sb) se
llama donador.

Tipo P
De manera similar, si
introducen en la red de Si. Impurezas
de tipo trivalente (tres electrones de
valencia), aparece un enlace covalente
con el resto de los átomos de Si. Sin
formar, entonces es un enlace roto o
una ausencia del electrón de valencia
para llevar enlace.
Esta deficiencia de electrón en los enlaces que puede formar el átomo trivalente
provoca que sea aceptado un electrón de los enlaces covalente de los átomos de Si.
Formándose en consecuencia hueco en la banda de valencia. El semiconductor dopado con
sustancias triviales se llama de tipo P y dichas sustancias (B, Al, Ga) se denominan aceptores.

8. Bibliografía.

Bravo, I. (2007). Electrónica Analógica. Barcelona: Marcombo.

López, E. (2006). Electrónica Analógica: Problemas y cuestiones. España: PEARSON Education.

Ruiz, E., Valls, G., & Mari, M. (1994). Electrónica Analógica. Barcelona: Edebé.

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