Professional Documents
Culture Documents
Notions d’électronique
numérique
Triode
Poids : 100 g
Consommation : 20 W
Volume : 40 cm3
Triode
ddp 200 V
- +
Filament
de
chauffage
IVA
He
B C N O F Ne
Si
Ge
Sn
Pb
Silicium pur - Isolant
Silicium dopé n
VA
He
B C N O F Ne
Si P
As
Sb
Bi
Silicium dopé n
Silicium dopé p
III A
He
B C N O F Ne
Al Si
Ga
In
Silicium dopé p
Jonction pn
Transistor MOS
Al SiO2
N N
+++++
------
N N
P
Transistor MOS – Canal N
+
- +
+++++
N ------ N
e-
P
Transistor MOS bloqué (flat band)
Transistor MOS passant (inversion)
Transistor MOS saturé
Transistor MOS
Transistor MOS – Intégration
Transistor 1 Transistor 2
Circuit intégré
Transistor MOS – Intégration
Transistor MOS – Intégration
Fabrication du silicium pur
SiO2 + 2 C -> Si + 2 CO
1 4
2 5
3 6
Transistor MOS – Fabrication
7 8
8 9
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuits intégrés – Fabrication
Circuit intégré
Transistor MOS
Utilisation en
électronique numérique
= Interrupteur
Transistor MOS
Boole + Shannon
↓
Faire des calculs avec des
interrupteurs
Circuit logique NON
+5 V
Entrée
0V Sortie
NON (NOT)
Entrée Sortie
0 1
1 0
Circuit logique ET
+5 V Sortie
ET (AND)
Circuit logique ET
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
1
A B Sortie
0 0
0
1 0
0 0
1
1 1
Circuits logiques
A
+5 V Sortie
B
OU (OR)
A B Sortie
0 0
0
1 1
0 1
1
1 1
Circuits logiques
A
Sortie
NON OU (NOR)
A B Sortie
0 1
0
1 0
0 0
1
1 0
Circuits combinatoires
Commutativité a + b = b + a a.b=b.a
Associativité a+(b+c) = (b+a)+c a.(b.c) = (a.b).c
Distributivité a+(b.c)=(a+b).(a+c) a.(b+c) = (a.b)+(a.c)
Théorèmes de ____ _ _ ____ _ _
Morgan a+b=a.b a.b=a+b
Formules _
diverses a + a.b = a a + (a.b) = a + b
Méthode de Karnaugh
But : Exprimer sous la forme d’une
combinaison de ET et de OU une fonction
_ _
Exemple : f(a,b,c,d) = a + b .c +d
Méthode de Karnaugh
E1 S1
E2 S2
N entrées M sorties
En Sm
↓
Réalisé avec des transistor MOS
Circuits séquentiels
R Q
Q
S
Bascule RS
Bascule RS – Ecriture 1
R Q
Q
S
S=1 => Q = 0
R=0
Bascule RS – Ecriture 2
R Q
Q
S
S=1 => Q = 1
R=0
Bascule RS – Mémorisation
R Q
Q
S
= Mémorisation du
passage à 1
Bascule RS – Effacement
R Q
Q
S
S=0 => Q = 0
R=1
Circuits séquentiels
11 S3
10 S2
A 01 S1
00 S0
B
Décodeur
Circuits logiques
Instructions lues
dans la mémoire 1111 1111 Lecture clavier
programme
1111 1110 Ecriture en
mémoire
….
Décodeur d’instructions
Circuits logiques
11
E3
A 10
E2
B 01
E1
00
E0
Encodeur
Circuits logiques
+ A+B
Nombre
B
binaire
Nombres binaires
Additionneur
Circuits logiques
E
S
Nombre
binaire
Horloge
0000 0000
0000 0001
0000 0010
0000 0011
0000 0100
Compteur
Mémoire
0 0110 0010
1 1111 0000
Lecture
2 0010 1010
3 1110 1110
Ecriture
4 1000 0001
5 0001 0010
…
Contenu
n° de la case mémoire
= Contenu de « l’adresse 5 » : 18
Adresse
Mémoire - Fonctionnement
Commande 2 fils
Ecriture Lecture
0110 0010
1111 0000
0010 1010
1110 1110 Bus de données
Bus d’adresses 16 fils
1000 0001 8 fils
0001 0010
Contenu =
n° = choix de la case
1 nombre binaire
16 bits = 65536 n° de case
de 0000 0000
Taille = 64K
à 1111 1111
Mémoire - Lecture
0 1
Ecriture Lecture
0110 0010
1111 0000
0010 1010
1110 1110
5 = 0000 0000 0000 0101 0001 0010
1000 0001
0001 0010
Sur le bus de
Adresse = choix de la case données :
le contenu de la
case
mémoire
Mémoire - Ecriture
1 0
Ecriture Lecture
0110 0010
0101 1010
0010 1010
1110 1110 0101 1010
1 = 0000 0000 0000 0001
1000 0001
0001 0010
Sur le bus de
Adresse = choix de la case
données :
valeur à écrire
dans la case
Systèmes programmables
Manivelle
Accord 1
Accord 2
Accord 3
Accord n
Orgue de Barbarie
Systèmes programmables
0110 0010
1111 0000
0010 1010
1110 1110 Action
Clock 1000 0001
(2 GHz)
Décodeur
Compteur
d’instructions
Mémoire
programme
Système programmable
simple
Systèmes programmables
2
+ 5
7
2
7
12
17
Calcul répétitif
Machine von Neumann
Mémoire
programme + données
Mémoire
programme + données
Additionneur
0 0110 0010
1 0000 0010 0000 0010
2 0000 0101 Décodeur 1er
d’instructions opérande
Compteur 1 3 1110 1110
0000 0010 (mémorisé)
4 0000 0000
Machine von Neumann
Mémoire
programme + données
Additionneur
0 0110 0010
1 0000 0010 0000 0010
2 0000 0101 Décodeur + 0000 0101
d’instructions Résultat
Compteur 2 3 1110 1110
0000 0101 0000 0111
4 0000 0000
Machine von Neumann
Mémoire
programme + données
Additionneur
0 0110 0010
1 1 0000 0010 Résultat
Décodeur
2 0000 0101 d’instructions 0000 0111
Compteur 3 1110 1110
4 0000 0000
Prise de contrôle
du bus d’adresse
Machine von Neumann
Mémoire
programme + données
Stockage du
Additionneur
0 0110 0010 résultat
1 1 0000 0111 Résultat
Décodeur
2 0000 0101 d’instructions 0000 0111
Compteur 3 1110 1110
4 0000 0000
Machine von Neumann
Mémoire
programme + données
0 0110 0010
1 0000 0111
Décodeur
2 0000 0101 d’instructions
Compteur 3 3 1110 1110
1110 1110
4 0000 0000
= SAUT
Reprise en
séquence
Machine von Neumann
Mémoire
programme + données
0 0110 0010
1 0000 0111
Décodeur
2 0000 0101 d’instructions
Compteur 4 3 1110 1110
0000 0000
4 0000 0000 Adresse de
saut
0000 0000
Modification du
compteur programme
Machine von Neumann
Mémoire
programme + données
Boucle
Architecture von Neumann
Mémoire
Programme et
données
Contrôle Entrées-sorties
Unité arithmétique
et logique
Du clavier à l’écran
10 colonnes = 10 fils
3 lignes = 3 fils
A Z E R T Y U I O P
Q S F G H J K L M %
W X C V B N ? ; : !
Clavier simplifié
Du clavier à l’écran
1 0 0 0 0 0 0 0 0 0
A Z E R T Y U I O P
1
Q S F G H J K L M %
0
0
W X C V B N ? ; : !
0011000000000
Du clavier à l’écran
0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Du clavier à l’écran
Clavier
Lecture
Lecture clavier 0011000000000
Si 0, on boucle
Sinon
Conversion nombre clavier en ASCII
Stockage en mémoire de travail
010000001
Conversion en caractère affichable
Stockage dans la mémoire video 0
0
0
0
0 0
1
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Boucle 0
0
0
0
1 0
1 1
0
1
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Avantages du transistor MOS
TAILLE
Etching 0,1 µm => longueur = 0,4 µm
largeur = 0,1 µm
surface = 0,04 µm 2
densité = 25 millions par mm 2
1 transistor
4 x 0,1 µm
Avantages du transistor MOS
COMPLEXITE
CPU : 10 x 10 mm
Jusqu’à 2,5 milliards par puce
( 500 millions en pratique )
FABRICATION
PLAN => facile par masques ou epitaxie
Avantages du transistor MOS
EVOLUTION
Etching / 2
⇒ Densité x 4
0,2 µm
0,04 µm2
0,2 µm
0,1 µm
0,1 µm
0,01 µm2
Avantages du transistor MOS
80386 1,5 µm
80486 1 µm
Pentium 0,7 µm
Pentium Pro 0,5 µm
Pentium II 0,35 µm
Pentium III 0,25 µm
Avantages du transistor MOS
Pentium IV G1 0,18 µm
Pentium IV G2 0,13 µm
Pentium IV G3 0,1 µm
Itanium 0,07 µm
Avantages du transistor MOS
Comparaison avec la triode
VOLUME
1 / 1000 Milliards
Comparaison avec la triode
MASSE
1 / 600 Milliards
Comparaison avec la triode
CONSOMMATION
1 / 20 Milliards
ENIAC pesait 30 tonnes.
Disposé en une sorte de U
de 6 mètres de largeur
par 12 mètres de longueur
Elle consommait 200 kilowatts quand
elle était en marche
835 grammes