Multiplicador de Vbe

n
Éste circuito opera alimentado por una fuente de corriente

 R1 
VCE    1 VBE
 R2 

Tener en cuenta
que VBE
depende de la
corriente de
colector
Variación de la tensión VCE en función de la corriente I1
R1 = R2 = 1KW

R 
VCE   1  1 VBE
 R2 

Zona activa
del
transistor

Zona corte
VCE  R1  R2  I 1 del
transistor
Variación de la tensión VCE en función de la corriente I1
y las resistencias R1 y R2

R1  R2
Impedancia del multiplicador
R1 = R2 = 1KW

VCE
z I 1 10mA  10 Ω
I 1
Impedancia del multiplicador como sistema realimentado
Realimentador
I CQ  10 mA
f
gm  0,4A / V
ZO   300
VA  100 V
RPI  750 Ω
RO  10 KΩ
1
f 
R1

ZO 
zO

 RO // R1 
 8Ω
1  a f 1  gm R // R R // R // R  1
O 1 1 2 PI
R1
Impedancia del multiplicador en función de la frecuencia

Circuito utilizado para análisis por simulación

 Impedancia del multiplicador en función de la frecuencia
(La gráfica se obtuvo por simulación con R1=R2=1KW , I1=10mA e IALTERNA=0,1mA)

Zona
capacitiva
Zona
inductiva

Zona
resistiva
ZO  10,8 Ω
Impedancia del multiplicador en función de la frecuencia
Corrección con capacitor

Circuito utilizado para análisis por simulación

Impedancia del multiplicador en función de la frecuencia
Corrección con capacitor
R1=R2=1KW I1=10mA IALTERNA=0,1mA C1=5nF, 10nF y 20nF

Zona
resistiva

5nF

10nF
20nF

ZO  10,8 Ω Zona
capacitiva
Variación de la tensión del multiplicador con la
temperatura R = R = 1KW
1 2

27ºC
 3,4mV/ºC
37ºC
Mejoramiento del multiplicador de VBE para independizarlo
aún más de la corriente de polarización

 R1 
VCE    1 VBE  I C R3
 R2 

Tener en cuenta
que VBE
depende de la
corriente de
colector
Variación de la tensión VCE en función de la corriente I1
y la resistencia de colector R3

R3=0W
R3=10W
R3=20W

R3=30W
R3=40W

R1  R2  1KΩ