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Tema: “Informe Previo de Respuesta en Frecuencia del amplificador

emisor comun”
Curso: Circuitos Electrónicos I
G.H: 91G Turno: 01L
Profesor: Ing. Cuzcano Rivas A.
Alumno: Muñoz Diaz Kevin Gerardo
Código: 1513210063

2018
Respuesta en Frecuencia Del Amplificador En Emisor
Comun

I. Objetivos:

• Analizar el comportamiento de un transistor


• Saber la diferencia de como trabaja el emisor , colector y base del transistor.
• Demostrar el funcionamiento y características de un amplificador en emisor
común.

II. Marco Teórico

El transistor tiene una entrada de corriente (Emisor), una salida de corriente


(Colector) y una entrada de señal (Base) que cuando actúa facilita la transmisión de
electrones entre el emisor y el colector.Dicho de otra manera, un transistor actúa como
un interruptor, únicamente pasará corriente entre E y C cuando actúe B.

La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:


𝑰𝒄 𝟏
𝑰𝑬 = 𝑰𝒄 + 𝑰𝑩 = 𝑰𝒄 + = 𝑰𝒄 (𝟏 + )
𝛃 𝛃

tensión de colector como:

𝐕𝑩𝑬 𝐕𝑩
𝑽𝒄 = (𝐕𝒄𝒄 + 𝐑𝒄 ) − 𝑹𝒄
𝑹𝒆 𝑹𝒆

Las tres regiones de trabajo que tiene un transistor son transistor en corte, saturación y en
activo.

transistor en corte cuando entre colector y emisor no pasa corriente, por ejemplo si utilizáramos
un transistor para encender una bombilla,

región saturación del transistor, en este caso utilizando el ejemplo de la bombilla, la corriente
estaría pasando por la bombilla y estaría encendida.

zona activa, esto significa que si utilizamos el ejemplo de la bombilla no estaría ni apagada ni
totalmente encendida, sino que estaríamos en una posición entre apagado y encendido

Relaciones de voltaje NPN PNP


Ve < V B < V c Activo inversa
Ve <VB > Vc Saturación Corte
Ve >VB < Vc Corte Saturación
Ve >VB > Vc Inversa Activo
• Parámetros de Entrada
Se relaciona la corriente de entrada (IB) con el voltaje de entrada (VBE) para varios
niveles de voltaje de salida (VCE).Una vez que el transistor esta “encendido” se supondrá
que el VBE es: VBE = 0.7V

• Parámetros de Salida
Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCE) para varios niveles
de corriente de entrada (IB).

Consideraciones sobre potencia

Otra característica de un transistor bipolar es que se puede destruir debido a la potencia


máxima que es capaz de disipar. En régimen de polarización del transistor
bipolar(regimen continuo):

La potencia disipada por cualquier componente viene dada por la ecuación:

P = V .I

En el caso particular de un transistor bipolar, consideramos que la potencia que disipa


viene dada por la corriente de colector multiplicada por la tensión que colector-emisor,
es decir:
P = Vce .I

El producto de la corriente de colector por la tensión colector-emisor indica la potencia


disipada por el dispositivo. En función del tipo de transistor (de su fabricación,
características y encapsulado), de las condiciones ambientales y del uso de disipadores,
la potencia que puede soportar un transistor varía. La potencia máxima que puede disipar
un transistor se puede representar en unos ejes de coordenadas, obteniendo la hipérbola
de máxima disipación del dispositivo. En el apartado de curvas características se muestra
un ejemplo.

III. Aplicaciones:

1. Simular el Siguiente Circuito


Simulación en Proteus:

A
+12v
B

R2 R1
220k 2.2k

C2

10uF

C1 Q1
+ NPN
10uF

-
AM FM

2. Simular el siguiente circuito con el Vcc igual al anterior

A
+12v
B

R2 R1
1M 4.7k

C2

10uF

C1 Q1
+ NPN
10uF

-
AM FM
Simular en proteus:

3. Simular el siguiente circuito

A
+12v
B

C
+10v
D

R1
4.3k

C2
R3
390k
10uF

C1 Q1
+ NPN
10uF

-
AM FM
4. Simular el siguiente circuito

A
+16v
B

R1
3.9k

C2
R3
39k
1uF

C1 Q1
+ NPN
1uF

-
AM FM

R4
4.7k R2 C3
1.2k 10uF
5. Simular el siguiente circuito

A
+20v
B

R1
2.2k

C2
R3
39k
1uF

C1 Q1
+ NPN
1uF

-
AM FM

R2
1.2k
IV. CONCLUSIONES:

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de los circuitos
electrónicos. Se puede comentar que con el invento de estos dispositivos han dado un giro enorme
a nuestras vidas, ya que en casi todos los aparatos electrónicos se encuentran presentes. Además
de todos esto, ahora si podremos comprobar o hacer la prueba de los transistores para conocer si
se encuentra en buenas condiciones para su uso

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