Amplificadores Diferenciales

Electrónica Analógica II l –Universidad Nacional de San Juan
Amplificador Diferencial (AD). Introducción
El transistor es un amplificador de corriente donde la corriente de colector puede expresarse

en función de la corriente de base como ic ib . Con la aparición de las nuevas tecnologías
como CMOS, MOSFET, el amplificador operacional, básicamente se trabaja con amplificación
de tensión.
El amplificador diferencial (AD) es un amplificador de tensión ideal y es el elemento básico de

los amplificadores operacionales. El mismo posee las siguientes características:
Fig. 1: Diagrama esquemático de un AD.
Donde Avd es la Ganancia de Tensión de Modo Diferencial.
Se define dos tipos de señales para el estudio de los amplificadores diferenciales, estas son:
Señal de Modo Diferencial: vd v2 v1
v 2 v1
Señal de Modo Común: vc
2
Estas señales pueden ser tanto continuas como alternas. La Fig. 2 expresa en forma gráfica lo
expuesto.
Fig. 2:
Señales de Modo Común y Diferencial.
En un AD, lo que se busca es una gran amplificación de la señal de modo diferencial y una
amplificación nula para la señal de modo común. Luego:
UNSJ
vsc Avc vc
Avc 0 Ganancia de Modo Común
vsd = Avd vd
Avsd Ganancia de Modo Diferencial
En un AD real, la tensión de salida está compuesta por:
vs Avd .vd Avc .vc
El siguiente circuito presenta la implementación de AD real.
Fig.3: Implementación física de un AD.
Si se aplica una señal diferencial de tal forma que la entrada v11 aumente y v2 disminuya, se
tendrá la siguiente situación:
- Al aumentar v1 aumenta ic1 y el punto vs1 baja.
- Si la disminución de v2 es de igual valor que el aumento de V1 (entrada diferencial), la

corriente ic2 disminuirá y la salida vs2 subirá la misma proporción en que bajo vs1
Por lo tanto si el AD es simétrico y v1=-v2 entonces el incremento de vs1 es igual al decremento

de vs2 y por lo tanto las corrientes lo harán en la misma proporción lo que implica que el punto
A está fijo en tensión ya que ie se ha mantenido.
Si se aplica una señal de modo común v1=v2, las corrientes ic1 e ic2 se incrementarán o
disminuirán en conjunto y el punto A ya no podrá mantenerse fijo en tensión. Luego se puede
concluir que:
Para señal de modo diferencial pura, el amplificador se comporta como un amplificador

emisor común.
UNSJ
Fig. 4: Amplificador emisor común.
Para señal de modo común, el amplificador se comporta como un seguidor de emisor.
Fig. 5: Amplificador seguidor de tensión.
Cálculo de ganancias.
A los efectos de facilitar la comprensión del cálculo se hará la determinación de la ganancia de

un amplificador en configuración emisor común.
Fig. 6: Cálculo de la ganancia de un Amplificador. emisor común.
que es equivalente a:
UNSJ
Fig. 7: Equivalente híbrido de un amplifificador. emisor común.
vs ic. Rc / / rce (1)
i c = - ib (2)
ve
ib (3)
rbe
Reemplazando (3) en (2) y (2) en (1), se tiene:
ve
ic
rbe
Rc // rce
vs ve
rbe
y por lo tanto, la ganancia en tensión vale:
vs Rc // rce
Av (4)
ve rbe
La resistencia rbe no es lineal pues depende de cual es el punto de trabajo, por lo tanto, el
amplificador emisor común no es lineal con respecto a la tensión bajo el esquema propuesto,
por lo que para señales de entrada grandes, el amplificador no opera en forma lineal.
Fig. 8: Característica de entrada de un transistor.
Si se quiere aumentar el rango de trabajo de la tensión de entrada y mejorar la linealidad se

puede emplear el siguiente esquema, el cual agrega una resistencia RB de entrada.
UNSJ
Fig. 9: Linealización con resistencia de base.
ve
ib
rbe RB
siendo la ganancia:
Rc // rce
Av (5)
RB rbe
Normalmente rce>>Rc por lo que el paralelo vale aproximadamente Rc; por otro lado si RB>>rbe,
se tiene:
Rc
Av (6)
RB
La ganancia de tensión será más lineal ya que Rc y RB son lineales. Pero se tiene aún el
problema de , que es dependiente de la temperatura.
Otro esquema para linealizar Av es el siguiente:
Fig. 10: Linealización con resistencia de emisor.
En este caso la corriente de base valdrá:
ve
ib
rbe RE
UNSJ
donde el valor RE es la resistencia de emisor vista desde la base del transistor. La ganancia
de tensión vale:
Rc // rce
Av
RE rbe
Si se cumple que
RE rbe
se tiene que la ganancia vale:
Rc
Av - (7)
RE
La ganancia de tensión se hace lineal e independiente del transistor. Esto es debido al efecto
de realimentación que provoca la resistencia RE.
En general si se coloca RB y RE, la ganancia se expresa como:
Fig. 11: Ganancia de tensión con resistencia de base y emisor.
Rc
Av (8)
rbe RB RE
Disponiendo de éstas herramientas se determinará la ganancia de modo diferencial y la de

modo común del AD en cuestión.
Ganancia de Modo Diferencial
Ganancia diferencial para AD desbalanceado.
Para el cálculo de la ganancia de modo diferencial se considerará la entrada v2 a masa y se

inyectará señal por la entrada v1.
UNSJ
Fig. 12: Ganancia diferencial con entrada y salida desbalanceada.
Como se desprende del circuito derecho de la figura 2.12, la resistencia de entrada a la señal
es:
rbe2
reD rbe1 1 (9)
2
Siendo:
rbe2
= la resistencia base - emisor del transistor 2 visto desde el emisor de T2.
2
Si se parte de la hipótesis que T1 y T2 son iguales y que los transistores se encuentran

polarizados con la misma corriente, se tiene:
1 2
rbe1 rbe2 rbe
por lo que reemplazando en la anterior expresión se tiene la resistencia de entrada diferencial:
rbe
reD rbe
reD 2rbe (10)
Planteando las ecuaciones de malla, se tiene:
vs ic1Rc 1
ic1 = - ib1
v1
ib1
red
UNSJ
operando se tiene:
Rc
Av (11)
2 rbe
con Rc Rc 1 Rc 2 .
Comparando con la Ec. 4, se tiene que la ganancia diferencial es la mitad que en el caso
de amplificador emisor común (se considera que rce>>Rc).
Si se conectan las resistencias de emisor y de base para linealizar se tiene:
Fig. 13:Amplificador diferencial balanceado y linealizado
Rc
Av (12)
2 rbe RB RE
Si la salida se toma en vs2, la ganancia será:
IE = Ic1 + Ic 2
Ic1 + Ic2 = 0
Ic1 = - Ic2
UNSJ
Fig. 14: AD desbalanceado con salida por colector de T2.
Por lo tanto puede plantearse lo siguiente:
vs1 = Ic1 Rc1
vs2 = Ic2 Rc 2
vs 1 Ic1 Rc1
=
vs 2 Ic2 Rc 2
luego:
vs1 = - vs2
Por lo tanto:
Rc
Avd Vs 2 Avd Vs1 (13)
2rbe
para v2=0.
Repitiendo el proceso pero para entrada por v2 y v1=0, se tiene:
Rc
Avd Vs1
2 rbe
Rc
Avd Vs 2
2 rbe
Que representan las ganancias para amplificador diferencial desbalanceado, esto es, se toma
salida sólo de uno de los colectores. El mismo análisis puede realizarse mediante los circuitos
híbridos.
Como consideraciones generales se tendrán:
UNSJ
V2 V1
Vd V2 V1 (14)
Vs V s 2 V s1
Vs
Avd (15)
Vd
Sea v2=0, la salida se toma entre vs1 y masa, el circuito del amplificador diferencial queda:
Fig. 15: Cálculo de la ganancia diferencial.
El circuito híbrido que corresponde a ese amplificador es:
Fig. 16:Circuito híbrido para cálculo de la ganancia diferencial.
Entonces:
v s1 ic1 .Rc1
Pero:
ic1 .i
1 b1 v s1 1 b1.i .Rc1
Además:
v1 ie1 .re'1 i E . RE
v RE ie 2 .re'2 i E . RE v1 ie1 .re'1 ie 2 .re'2
'
Si T1=T2 implica que re1 re' 2 re' 1 2 y si Rc1=Rc2=Rc
UNSJ
Consideraciones que se tendrán en cuenta para los análisis siguientes.
v s1 .ib .Rc
v1 2.ie .re'
Sabiendo que ie = + 1 .ib y que + 1 .r' e hie rbe
v1 2.ib .re' .( 1) 2.ib .rbe

vs .ib .Rc Rc
Avd
vd 2.ib .rbe 2.rbe
Rc
Avd
2.rbe
Resultado que coincide con el anteriormente hallado.
Ganancia de Modo Diferencial para amplificador desbalanceado con v1 y v2

0.
Utilizaremos el siguiente circuito para el análisis de ganancias:
Fig. 17: Ganancia de modo diferencial con entrada balanceada y salida desbalanceada
El equivalente híbrido es:
Fig. 18:Híbrido para entrada balanceada y salida desbalanceada.
Sea vd=v2-v1.
UNSJ
v s1 ic1 .Rc1 v s1 .ib1 .Rc1

v1 ie .re' i E . RE
v RE i E . RE ie .re' v2
v1 2.ie .re' v2
v1 2.ib .re' .( 1) v2 2.i b .rbe v2
v2 v1 2.ib .rbe
Vs - ib Rc Rc
Avd (16)
Vd 2 ib rbe 2 rbe
Rc
Avd
2.rbe
Ganancia de Modo Diferencial para amplificador con salida balanceada y

una entrada a tierra ( v2=0 ).
Sea v2=0 . El circuito empleado es:
Fig.19: A.D. con salida balanceada y entrada desbalanceada.
El equivalente híbrido es:
Fig. 20: Híbrido de un A.D. con salida balanceada y entrada desbalanceada.
UNSJ
Del análisis del circuito surge:
vs2 i c . Rc
v s1 i c . Rc
vs2 v s1 2.ic .Rc 2. .ib .Rc
v1 2.ib .rbe
vs 2. .ib .Rc Rc
Avd
vd 2.ib .rbe rbe
Rc
Avd
rbe
Ganancia de Modo Diferencial para salida y entrada Balanceada.
El circuito que se analizará es el siguiente:
Fig. 21: A.D. con entrada y salida balanceada.
Siendo su equivalente híbrido:
Fig. 22: Equivalente híbrido para entrada y salida balanceada
Resolviendo:
UNSJ
v s1 i c . Rc .ib .Rc
vs2 i c . Rc .ib .Rc
vs2 v s1 vs 2. .ib .Rc
De (16)
vd 2.rbe .ib
vs 2. .ib .Rc Rc
Avd
vd 2.rbe .ib rbe
Rc
Avd
rbe
Ganancia de Modo Común.

Para determinar la ganancia de modo común se inyectará la misma señal en ambas entradas.
Se resolverá la malla dinámicamente por lo que el borne de la alimentación negativa se
considera puesto a tierra (-V es un valor estático).
Las siguientes ecuaciones pueden plantearse:
ve1 ve2
ie1 ie 2
IEC 2ie
Resolviendo la malla dinámicamente, lo que implica que la tensión negativa se considera a

masa pues es un valor estático, se tiene:
ve1 vbe 2iERE 0
Fig. 23: Cálculo de la ganancia de modo común.
UNSJ
Por lo tanto puede asumirse el siguiente esquema:
Fig. 24: Circuito equivalente de un A.D. para señal de modo común.
vs1 icRc
i c = - ib
ve1
ib
rec
rec rbe 2 RE
ve1
ib
rbe 2 RE
ve1
ic
rbe 2 RE
Rc
Avc
rbe 2 RE
Dado que 2 RE rbe :
Rc
Avc (17)
2 RE
De esta última expresión se desprende que:
Para obtener una ganancia de modo común que tienda a cero, la resistencia de emisor
debe tender a infinito.
UNSJ
A continuación, se procederá a definir un factor de mérito del AD, el cual recibe el nombre de
Relación de Rechazo de Modo Común ( RRMC ):
Avd
RRMC (18)
Avc
Para el AD mostrado en la figura 2.3, la RRMC queda:
Rc
Avd 2rbe RE
RRMC
Avc Rc rbe
2 RE
RE
RRMC
rbe
Un buen AD será aquel que posea una RRMC lo más alta posible. Esto se logra incrementando
RE. Un aumento de RE, provocará una disminución de las corrientes de polarización ic1 e ic2, y
como consecuencia una reducción de ib,,que trae aparejada, un aumento de rbe, por lo que la
RRMC puede llegar a permanecer constante o en algunos casos, decrementarse. Por lo tanto,
debe incrementarse RE, de tal forma que no modifique las corrientes de polarización. Esto se
puede lograr reemplazando RE con una fuente de corriente constante.
Una fuente de corriente constante clásica puede ser :
Fig. 25: Fuente de corriente constante
VE VB VBE
Ic
RE RE
Se hará un análisis de la impedancia de entrada ri. Para ello, se utilizarán los parámetros
híbridos de un transistor, o sea el modelo lineal para pequeña señal.
UNSJ
Fig. 26: Modelo de baja señal de un transistor.
dVB hie dIB hre dVce (19)
dIc hfe dIB hoe dVce (20)
Del circuito puede deducirse que:
dVC dVce (21)
un incremento de Vc, es acosta de una disminución de Vce
VB VBE VE
luego
VBE VE IERE (22)
dV BE
dIB (23)
rbe
dIE dIC dIB (24)
Así, de las ecuaciones 22 y 23:
dIB rbe
dIE (25)
RE
dIE RE dIB rbe
de la ecuación 24:
dIB dIE dIc
operando se tiene:
dIE RE dIE rbe dIC rbe
dIE RE rbe dIC rbe
rbe
dIE dIC (26)
rbe RE
UNSJ
usando 25 y 26
rbe dIB rbe

dIC
rbe RE RE
RE
dIB dIC
rbe RE
reemplazando en 20
RE
dIc hfe dIC hoe dVce
rbe RE
dividiendo miembro a miembro por dIc y reemplazando la ecuación 21, se tiene:
RE dVC
1 hfe hoe
rbe RE dIC
dVC dVce
La impedancia de entrada ri vale:
dVC
ri
dIC
luego:
RE 1
ri 1 hfe
rbe RE hoe
Si RE >> rbe :
1
ri
hoe
Como se sabe
1
rCE
hoe
Ello implica que
ri rCE
En un transistor los parámetros híbridos son aproximadamente del siguiente orden:
hie=rbe 1k
hfe=50 - 100
hre=2x10-4
UNSJ
hoe=2,5x10-6 1/ ( valores comunes de rCE 10 y 100 k
entonces la ri oscila entre ( 4 - 40 ) M
Por lo tanto, el nuevo AD con fuente de corriente constante se esquematiza en la figura 2.27.
Fig. 27: A.D. con alto rechazo a señal de modo común.
Característica de transferencia de un amplificador diferencial
Se trata de determinar el rango de operación lineal de un AD.
La corriente de colector puede expresarse en función de la corriente de emisor como:
IC1 1 IE1
IC 2 2 IE 2
Así mismo se puede expresar la corriente de emisor en función de la tensión base - emisor
como:
VBE
h
IE Is. e 1
donde:
kT
h
q
siendo:
k=1,38x10-23 wseg/ºC
UNSJ
T=temperatura absoluta ºK (300)
q=1,6x10-19 Coulombs a 300 ºK
Luego si los transistores son iguales:
v BE 1
h
I E1 I s .e
v BE 2
h
I E2 I s .e
donde se ha despreciado el término -1 que para corrientes de emisor mayores a 1 nA es válido.
Como IE=IE1+IE2 por lo tanto:
VBE1 VBE 2
h h
IE Is e e
de donde:
vBE 1 vBE 2 vBE 1

h h
IE I s .e 1 e
vBE 2 vBE 1 vBE 2

h h
IE I s .e 1 e
VBE 2 vBE 1
h
IE I E1 1 e
VBE 1 vBE 2
h
IE I E2 1 e
VBE 1 vBE 2
I c1 h
IE 1 e
VBE 1 vBE 2
I c2 h
IE 1 e
Por otro lado:
UNSJ
VBE1 V 1 VE
VBE 2 V 2 VE
VBE1 VBE 2 V 1 V 2
Por lo tanto reemplazando:
v2 v1
I c1 h
IE 1 e
v12 v1
I c2 h
IE 1 e
Luego:
.I E
I c1 v2 v1
h
1 e
.I E
I c2 v12 v 2
h
1 e
Representando estas expresiones se obtiene la siguiente gráfica:
Fig. 28: Característica de transferencia de un A.D.
De la figura pueden extraerse las siguientes conclusiones:
Las características de transferencia son lineales en una región centrada alrededor del
punto de funcionamiento, en este caso para kT/q 26 mV. La región lineal corresponde a
una excursión pico a pico de 50 mV.
La máxima pendiente de las curvas se produce en un punto de funcionamiento alrededor

de 0 volt de tensión de entrada y define la transconductancia del AD.
La pendiente de las curvas varía con la corriente de emisor del AD y puede modificarse
dentro de ciertos rangos sin variar la linealidad. Esto permite cambiar la ganancia
mediante la variación de IE.
UNSJ
Las curvas son función de y T.
kT
El AD es un limitador natural ya que para entradas mayores que 4 ( 100 mV ),no
q
se obtienen aumentos adicionales en la salida.
Al ser la transconductancia función de IE el circuito puede usarse mezclador, multiplicador

de frecuencia, modulación, etc.
Cuadro comparativo de ganancias.

La siguiente página muestra un cuadro comparativo de los distintos parámetros del A.D.
RE
RRMC
rbe
Influencia del modo común en un Amplificador Diferencial
Considérese el siguiente amplificador diferencial alimentado por una señal de modo común:
Fig. 29: Influencia del modo común.
UNSJ
Para cualquier rama del amplificador se cumple que:
Vcc IcRc VCE 1 VBE1 VMC
Trabajando con variaciones de tensiones se tiene:
dVcc RcdIc dVCE1 dVBE1 dVMC (27)
Considerando la fuente de tensión constante , la variación de la tensión base - emisor

despreciable frente a las modificaciones de la señal de modo común y, como se está
trabajando con una fuente de corriente colector constante ( dIc=0 ), la ecuación 27 queda:
dVMC dVCE1
Esta ecuación trae aparejada la siguiente conclusión muy importante que es:
Un aumento de la tensión de modo común produce una disminución de la tensión

colector - emisor
Por lo tanto en el caso que VMC dVMc VCEsat , el transistor deja de trabajar en la zona lineal
causando distorsión ( saturación ).
Así, para el cálculo del punto de reposo de colector se debe tener en cuenta el máximo modo
común positivo al que va a estar expuesto el Amplificador Diferencial a los efectos de evitar la
distorsión por saturación .
Vc mín VMC máx VBE1 VCEsat
permitiendo el cálculo de la resistencia de colector Rc, para una Ic dada como:
Vcc Vc mín
Rc
Ic
Si se analiza ahora, la fuente de corriente se tiene:
VMC IERE VCE 3 VBE1 VCC
Diferenciando y realizando las mismas consideraciones anteriores, se llega a:
dVMC dVCE3
Consecuentemente para Vmc + dVmc menor que Vc el transistor T3 se satura y la fuente deja
de funcionar por lo que puede establecerse que:
VE 3mín VMCmáx VBE1 VCEsaturación
y:
VE 3 Vcc
RE
IE
UNSJ
Como conclusión puede decirse que:
El modo común positivo afecta la excursión del A.D., es decir, el rango dinámico,
mientras que el negativo, afecta la fuente de corriente.
Corrección de la tensión de desbalance de un A.D.

Normalmente, dos transistores con idénticas características, aún cuando circule por ellos la
misma corriente y cuando v1=v2, tienen diferentes tensiones base - emisor, cuya diferencia es:
V 0 VBE1 VBE 2
La diferencia se denomina tensión de desbalance, la cual para entrada cero da una salida
distinta de cero. Se verán a continuación algunas formas para corregir este problema.
Corrección en la base de un transistor del diferencial
Este método se puede aplicar si una de las entradas del A.D. no se utiliza. El circuito empleado
es el siguiente:
Fig. 30: Ajuste de desbalance .
Para el ajuste se coloca la entrada v1 a masa y mediante el potenciómetro P, se modifica la

entrada v2 hasta que vs1=vs2.
2V
VA V .q.P 2V .q V V .( 2.q 1)
P
VA VA
V2 R 0.001V 2q 1
1000 1 R 1000
V2 0.001V 2 q 1
Por lo tanto, con variaciones grandes del potenciómetro se producen modificaciones pequeñas
en V2, permitiendo un ajuste fino.
UNSJ
Ajuste de desbalance con el potenciómetro en el emisor
El circuito a utilizar es el siguiente:
Fig. 31: Ajuste de desbalance con potenciometro de emisor.
Esta configuración permite ajustar el desbalance cuando se necesita tener entrada diferencial.
Mediante el ajuste de P se hacen caer distintas tensiones en emisor de forma de compensar
las diferentes tensiones base - emisor de los transistores. En este caso, la ganancia de tensión
se ve disminuida ( ver amplificador emisor común ), pero el circuito gana mucho en estabilidad
debido al proceso de realimentación que introducen las resistencias de emisor. La RRMC, no
de ve afectada.
Un punto a tener en cuenta es que el potenciómetro está conectado en forma flotante y es

propenso a absorber ruidos.
Ajuste de desbalance con potenciómetro en el colector
Diferentes corrientes de colector provocan tensiones vs1 y vs2 distintas para entrada nula. Estas
tensiones pueden equilibrarse colocando un potenciómetro P en el colector, de manera de
modificar Rc para que las Ic sean iguales.
La intervención de este potenciómetro es menor que el del caso anterior ( 2.6.2 ), pues su
acción está multiplicada por la ganancia diferencial. En este caso el punto medio del
potenciómetro está a un potencial fijo y las tensiones alternas no aparecen entre sus
contactos.
UNSJ
Fig. 32: Ajuste de desbalance por resistencia de colector.
Las variaciones de Rc son pequeñas por lo que en general la ganancia no se ve afectada, al igual
que la RRMC.
Corrimiento térmico de la tensión base - emisor

La tensión base - emisor de los transistores disminuye a razón de 2mV/°C, para corriente de
colector constante. En el caso del A.D., este corrimiento puede interpretarse como una señal
de modo común, y por lo tanto, mientras mayor sea la RRMC, menor será este efecto. En un
amplificador emisor común, el corrimiento térmico puede confundirse con la señal útil.
En la práctica, el corrimiento térmico que experimentan los transistores del A.D. no es igual y
puede llegar a tener una diferencia de 100 V/°C que será amplificada. Para obtener
corrimientos diferenciales pequeños suelen usarse transistores apareados ( en un mismo
encapsulado ) lográndose corrimientos de 1 a 10 V/°C.
Otra forma de solucionar el problema se basa en hacer circular distintas corrientes de emisor
(desbalance ), ya que el corrimiento depende de la corriente que circula, logrando una
diferencia de corrimiento nula.
Para compensar el desbalance en tensión deberá colocarse el potenciómetro en el colector y

para producir corrimiento por temperatura nulo, el potenciómetro en el emisor.
Como conclusión, el A.D. es más ventajoso porque puede hacerse insensible al corrimiento
térmico.
Medición de los parámetros de un Amplificador Diferencial
Ganancia de Modo Diferencial y Modo Común
De la definición de ganancia:
UNSJ
Vsal Vsal
Avd Avc
V1 V 2 V1 V 2
2
Puesto que todas las tensiones son medibles, estas ganancias son fáciles de determinar.
Impedancia de salida Rs
Para la medición de este parámetro se hace uso del siguiente circuito equivalente:
Fig. 33: Determinación experimental de la impedancia de salida
Llamando Avd a la ganancia de A.D. a circuito abierto y A' vd en carga se tiene:
Vs Avd vd IsRs
vd V1 V2
Vs
Is
RL
Luego:
Vs
Vs Avd vd Rs
RL
R
s
V 1 A .v
s R vd d
L
y:
vs Avd
vd Rs
1
RL
Vs
Pero A' vd es la ganancia a circuito con carga,( A' vd ), entonces:
vd
Avd Avd
A' vd entonces Rs 1 RL
Rs A' vd
1
RL
UNSJ
Por lo tanto, para la determinación de la impedancia de salida se deberá medir la ganancia a

circuito abierto (Avd) y luego a circuito cerrado ( A'vd) , cargado con una resistencia RL .
Impedancia de entrada diferencial Red
Se hará uso del siguiente circuito, donde se han colocado dos resistencias R de igual valor en
las entradas.
Fig. 34:Determinación experimental de la impedancia de entrada.
Considerando funcionamiento lineal, primero se pondrá la entrada Ve2 a cero y se verá el valor
de V'e1. Lo mismo se hará con Ve2.
Ve1
V ' e1 Re d ( Tensión sobre Red debida a Ve1 )
Re d 2 R
Ve2
V ' e2 Re d
Re d 2 R
La nueva tensión diferencial será:
Re d
V ' e1 V ' e2 Ve1 Ve2
Re d 2R
Re d
v' d vd
Re d 2 R
Por otro lado la tensión de salida a circuito abierto es:
V' s Avd v' d
Re d
V's Avd vd
Re d 2 R
Vs Avd vd
Operando:
V's
Re d 2R
Vs V ' s
UNSJ
Entonces puede calcularse la impedancia de entrada midiendo la tensión de salida Vs sin carga
para señal diferencial y luego efectuarse la misma medición intercalando las resistencias R (
V's), aplicando la ecuación anterior.
Para un A.D. de muy alta impedancia de entrada ( FET o Darlington ), las tensiones V'e y Ve son
muy semejantes, por consiguiente, los errores de medición adquieren un peso relevante
haciendo este método impráctico.
Aumento de la impedancia diferencial de entrada
Resistencia de emisor
Como se dedujo anteriormente la ganancia diferencial tiene la siguiente expresión:
Rc
Avd
2rbe
Esta ganancia depende de y rbe que es función de la corriente y la temperatura, resultando

poco estable.
Cuando se colocan resistencias de emisor, la ganancia puede expresarse ( amplificador

diferencial generalizado ) como:
Rc
Avd
2 rbe RE
Si RE rbe entonces:
Rc
Avd
2 RE
lo que permite independizar la ganancia del componente.
La impedancia de entrada diferencial vale en este caso:
rED 2 rbe RE
rED 2 RE
Como puede observarse también se ve afectada.
UNSJ
Fig. 35: Incremento de la impedancia de entrada.
El inconveniente de este circuito es que si se quiere modificar la ganancia, también se altera el

potencial de reposo del emisor. Para solucionar este inconveniente se propone el siguiente
circuito que posee las mismas propiedades.
Por cada fuente de corriente circula la misma corriente de colector. Si se produce un

incremento Ic1 , debe producirse un decremento Ic 2 . Como las corrientes de emisor
deben ser constantes, se producirá una derivación por 2 RE , en donde circula la diferencia de
corrientes. De esta forma puede variarse la impedancia de entrada sin modificar las corrientes
de polarización, lo que puede demostrarse de la siguiente manera:
vs Ic Rc Ic Rc
Av ' d
vd Ib rED Ib 2rbe 2 RE
Rc
Av ' d
2 rbe 2 RE
rED 2 rbe RE
Fig. 36: A.D. con doble fuente de corriente.
UNSJ
Amplificador diferencial con transistor Darlington
Cuando se quiere incrementar la impedancia diferencial de entrada de un A.D., pueden

emplearse transistores Darlington.
Fig. 37: A.D. con transistor darlington
A continuación se calculará la resistencia de entrada de este amplificador diferencial.

Procediendo como en el caso anterior, se conecta v2 a tierra y se inyecta señal por v1.
r ' ED rbe2 r
2 be1 rbe3 r
3 be 4
VT
rbei
ibi
Reemplazando:
VT VT
r ' ED rbe2 2 rbe3 3
ib1 ib 4
ib1 ie 2 ib 2 2
(28)
ib 4 ie 3 ib 3 3
VT VT
r ' ED rbe2 2 rbe3 3
ib 2 2 ib 3 3
r' ED rbe2 rbe2 rbe3 rbe3
Si todos los transistores son iguales:
r' ED 4rbe2 (29)
Operando con 28 y 29, se tiene:
VT VT
rbe2 2
ib 2 ib1
UNSJ
r ' ED 4 2
rbe1
Como puede observarse, la impedancia de entrada diferencial se ve multiplicada por el factor

2 2 , por lo que colocar transistores Darlington aumenta considerablemente la resistencia de
entrada diferencial. El inconveniente que presenta este circuito es que existen cuatro
transistores que contribuyen al corrimiento térmico, siendo la elección de transistores
apareados de fundamental importancia.
Amplificador Diferencial con Darlington complementario
De la misma forma que se diseñó un Darlington con transistores NPN, puede hacerse un
Darlington con transistores PNP.
Fig. 38: Transistor darlington
En general puede decirse que el comportamiento del Darlington está definido por el transistor
de entrada.
Puede construirse también un conjunto de transistores complementarios formando un

conjunto que se denomina Darlington complementario o cuasi - Darlington. En este caso el
comportamiento no es tan fácil de deducir. El siguiente A.D. muestra el uso de transistores
cuasi - Darlington.
Fig. 39: A.D. con transistores cuasi darlington
La impedancia de entrada diferencial de acuerdo al gráfico vale:
UNSJ
rED 2rbe1
Operando
VT
rED 2
ib1
ie1 ic1 ib 3
ib1
1 1 1
VT
reD 2 1
ib 3
rED 2 r
1 be3
Lo cual muestra que en este caso también la impedancia de entrada se ve aumentada.
Aumento de la ganancia diferencial
De la expresión de ganancia diferencial ya encontrada:
Rc
Avd
2rbe
puede verse que ésta puede aumentarse incrementando Rc. La tensión de colector de T1 o T2
de un A.D. vale:
Vc V IcRc
y se debe satisfacer que:
Vc VMC VCEsat
Por lo que
V IcRc VMC VCEsat
Por lo tanto, el aumento de Rc hace que esta relación en determinado momento no se cumpla.
El inconveniente puede solucionarse reemplazando Rc por una fuente de corriente constante
pero presenta el trastorno de que la impedancia de salida es muy elevada, disminuyendo la
transferencia de potencia del circuito.
Amplificador diferencial con fuente de corriente de baja impedancia de

salida
Se porpone el estudio del siguiente circuito.
UNSJ
Fig. 40: A.D. de alta ganancia y baja impedancia de salida.
El circuito presenta la ventaja que en los terminales B, la impedancia es baja debido a que los
transistores T3 y T4 trabajan como seguidores de emisor.
La caída de tensión en R1 es:
VR1 Vz VBE cte

Vz VBE
R1
Ic
Conociendo la tensión de zéner y la corriente por el diferencial, puede determinarse R1.
Por R2 circula la corriente de zéner Iz y la corriente Ic, por lo tanto, fijada la tensión de reposo
del colector se tiene:
Vcc Vz Vc VBE
R2
Ic Iz
En general, la inclusión de la fuente de corriente constante en el colector se basa en el hecho

de que la fuente no es ideal, puesto que si lo fuera no habría una tensión definida en sus
terminales y por lo tanto, no habría forma de obtener la señal de salida. Lo que se pretende es
aprovechar la alta resistencia dinámica de la fuente de corriente constante. Este concepto se
observa en la siguiente figura:
Fig. 41: Fuente de corriente.
UNSJ
Las variaciones de corriente producidas por los transistores del diferencial son absorbidas por
la corriente circulante en la resistencia interna ri, que provoca una variación de tensión, y es la
salida del amplificador diferencial.
Por último cabe destacar que un aumento de Rc provoca un incremento de la ganancia

diferencial y también de la de modo común, pero la RRMC se mantiene por lo que la utilización
de este circuito es ventajosa.
Amplificador diferencial con espejo de corriente
Esta configuración también se llama A.D. con resistencia negativa de colector o con fuente de
corriente controlada. El circuito es el mostrado en la figura 2.42 a). En el de la figura 2.42 b), la
fuente de corriente T3 y Rc han sido reemplazadas por una resistencia rk cuyo valor se
determinará a continuación.
De la figura 2.42 a) se tiene:
VS 1 Vcc Ic1Rc
Por lo tanto
Vcc VS1
Ic1
Rc Rc
ya que Vcc es constante:
VS1
Ic1 (30)
Rc
Fig. 42: A.D. con espejo de corriente.
Por otro lado:
UNSJ
Vcc Vs1 VBET 3

Ic 3
Rc Rc
Vs1 VBET 3
Ic 3
Rc Rc
Si VBE Vs1 :
Vs1
Ic 3 Ic1 (31)
Rc
De esta última expresión se desprende el nombre de espejo de corriente pues

"Cualquier variación de corriente de colector 1 se refleja en el transistor 2 "
Trabajando ahora con el circuito de la figura 2.42 b) se tiene:
Vs1 Rc // rCE
V1 2 rbe
ya que Rc // rCE Rc
Vs1 Rc
(32)
V1 2 rbe
Vs2 rk / / rCE
(33)
V2 2 rbe
Acá la rCE se considera porque, como luego se verá, es comparable a rk.
La resistencia rk puede hallarse mediante la siguiente expresión:
Vs 2
rK (34)
Ic 3
El signo negativo se debe a que analizando la fuente de corriente, cuando Ic3 aumenta, la
tensión VCE3 disminuye, por lo que vs2 aumenta. Este proceso es el inverso al que se tiene con
Rc solamente, pues en este caso al aumentar Ic disminuye vs1.
Reemplazando en 34; 33; 32 y 31 se tiene:
rK / / rCE
V1
rK 2 rbe
Rc
V1
2 rbe Rc
rK rK / / rCE
rK 2 rCE
UNSJ
Por lo tanto la amplificación será:
rCE
Avd
rbe
y la resistencia de salida:
rs rK // rCE 2rCE
Como se observa la amplificación se ve enormemente aumentada y puede llegarse a valores

prácticos de 1000, siempre y cuando la carga sea de una impedancia muy superior a 2rCE.
Amplificador Diferencial FET
Generalidades del transistor FET
Hay dos tipos de transistores de efecto de campo. Los transistores de efecto de campo de
unión JFET o simplemente FET y los transistores de efecto de campo de puerta aislada
MOSFET.
En las siguientes figuras se puede observar la estructura de un transistor FET.
Fig. 43:Diagrama esquemático de transistores FET.
En la figura a) se tiene un FET de canal N y en la b) un FET de canal P.
El FET consiste fundamentalmente en una barra semiconductora tipo P para canal N y tipo N,
para canal P, sobre la que se difunde un material N o P para formar el canal. En los extremos
de la depresión se colocan dos contactos por los cuales se hace circular corriente.
Estos dos terminales se denominan drenador y fuente. Asimismo se difunde otra zona N
colocándose un terminal que se denomina compuerta.
Drenador: ( D ) Terminal por el cual los portadores mayoritarios salen, es decir, por donde
ingresa la corriente ( Id ).
Fuente: ( S ) Terminal por donde entran los portadores, salida de la corriente.
Compuerta: ( G ) Terminal conectado a la difusión lateral. Entre la fuente y la compuerta se

debe aplicar una tensión positiva para que la juntura PN quede polarizada en forma
inversa ( FET de canal N ).
UNSJ
A continuación se da una descripción resumida del funcionamiento de este tipo de

transistores.
Fig. 44: Funcionamiento de un transistor FET.
Si se considera que la compuerta no está polarizada y se aplica una tensión entre los bornes D -
S, circulará una corriente restringida únicamente por la resistencia del material del canal,
denominada Rds. Si ahora se polariza la juntura en modo inverso, aumentará la zona sin cargas
móviles cerrándose el canal y por lo tanto, la conductividad disminuye. Se puede abrir o cerrar
el canal modificando la tensión drenador - fuente o modificando la tensión compuerta -
fuente.
Si se fija la tensión compuerta - fuente y se incrementa la tensión D - S, comenzará a aumentar

la corriente Id hasta hacerse prácticamente constante e independiente de la tensión D - S. Este
valor de tensión D - S se denomina de pinch-off ( Vpo ), y es aquella tensión D - S, para la cual el
FET se comporta como un amplificador. Para tensiones inferiores el comportamiento
corresponde al de una resistencia variable. Para tensiones muy altas D - S se produce la
ruptura por avalancha, donde la corriente crece indefinidamente hasta destruir el
componente. Por otra parte si se deja constante la tensión D - S y se modifica la tensión G - S,
el FET pasa desde máxima conducción, para tensión compuerta - fuente cero, donde Id se
Fig. 45:Características de un transistor FET.
denomina Idss, hasta conducción cero para tensión G - S muy negativa. La tensión compuerta –
fuente para la cual el canal se cierra completamente se llama Vgsoff.
UNSJ
Efecto de la temperatura
Los transistores FET presentan una variación de la curva característica de trasconductancia,

debido a la temperatura.
Fig. 46: Variación de la transconductancia con la temperatura.
Esta variación está representada en la figura anterior. Pueden distinguirse dos zonas. Una
primera zona donde un aumento de temperatura implica una disminución de la corriente Id y
una segunda zona en la cual un incremento de temperatura provoca un crecimiento de Id.
Existe una tercer zona que idealmente puede considerarse un punto en el que la temperatura
no afecta el comportamiento del FET. Esta última debe elegirse de ser posible.
Ecuaciones del FET

La corriente que circula por el FET puede expresarse como:
1, 5 n 2
Esta ecuación representa la curva de transconductancia del elemento. Derivando la expresión

respecto de Vgs se llega a:
n 1
Id Vgs 1
nIdss 1
Vgs Vgs( off ) Vgs( off )
Si se define la transconductancia como la relación entre la variación de la corriente y la

variación de la tensión G - S, se tiene que para Vgs=0 y n=2, Id=Idss por lo tanto
Id Idss
2 go
Vgs Vgs 0
Vgs ( off )
Transconductancia para Vgs=0
A continuación se puede plantear la ecuación de transconductancia como:
Vgs
g go 1
Vgs( off )
Por último cabe destacar que debido a que el FET se encuentra con una juntura inversamente
polarizada, la corriente que circula por compuerta es prácticamente nula y por lo tanto la
impedancia de entrada es muy elevada.
UNSJ
Configuraciones básicas para el FET
Se pueden establecer tres configuraciones básicas con FET. Ellas son: fuente común, drenador
común ( seguidor de fuente ) y compuerta común. La primera tiene alta impedancia de entrada
y alta ganancia, la segunda, alta impedancia y ganancia de tensión unitaria y la tercera baja
impedancia y alta ganancia. En A.D. con FET se emplea la primera configuración.
Fig. 47: Configuraciones circuitales básicas con transistores FET.
Analizando la configuración fuente común:
Fig. 48: Configuración fuente común con transistor FET
La ganancia se define como:
Vsal
A
Vgs
Vcc IdRd Vsal

Vsal Rd Id
Sabiendo que:
Id
g
Vgs
UNSJ
Entonces:
A Rd g
La siguiente figura muestra el circuito equivalente para fuente común:
Fig. 49: Equivalente híbrido de un amplificador fuente común.
La impedancia de salida vale:
Rsal Rd // Rdi Rd
Para realizar la polarización del FET conviene elegir Id y Vgs tal que el corrimiento por
temperatura sea el mínimo.
Fig. 50: Polarización para mínimo corrimiento en temperatura.
Determinando Id1 y Vgs1 queda fijado Vds1 y por lo tanto como:
Vcc I d 1 . Rd Vds1
Vcc Vds1
Rd
I d1
Amplificador diferencial con FET
La siguiente figura muestra una configuración simple:
UNSJ
Fig. 51: A.D. con transistor FET.
Para ganancia diferencial se tiene la configuración fuente común y por lo tanto la ganancia es:
Avd Rd g
Todas las expresiones obtenidas para el caso del transistor bipolar son válidas para FET, con
excepción de la impedancia de entrada, que aquí es muy elevada y por lo tanto bajísima
corriente de polarización.
Conceptos generales
Si se trata de FET canal N entonces la tensión en la compuerta debe ser negativa o cero
respecto de la tensión de fuente, pero mayor que Vgsoff.
Vgs(off ) Vgs 0
Además para una operación adecuada con baja distorsión Vdg debe estar por debajo de la
región de saturación de Id. La tensión límite mínima de drenador para el caso de máxima
conducción ( Vgs = 0 ) sería:
Vds Vp0
Por otra parte puesto que el FET presenta inconvenientes respecto de la temperatura es
conveniente polarizarlo en el punto de corriente mínima, esto determina la corriente que
circulará por cada rama y por lo tanto la dimensión de la fuente.
Influencia del modo común
De la misma manera que para laos A.D. con transistores bipolares, el modo común positivo
influye en la salida del A.D. con FET.
Puesto que se cumple:
Vcc RdId Vds Vgs VMC
UNSJ
Diferenciando se tiene:
dVMC Vds
Es decir, que una variación en la entrada de modo común, produce solamente una variación de
signo opuesto en la tensión D - S. Así si la tensión de modo común aumenta, la tensión D - S
disminuye y por lo tanto puede suceder que Vds se haga menor que Vp 0 y el FET entre en
saturación. Para ello se debe elegir una polarización tal que en el caso más desfavorable, el FET
no sature, esto es, para máxima conducción Vgs=0 y para VMC máx máximo el drenador debe
estar a una tensión:
Vd VMC máx Vp 0
luego Rd vale:
Vcc Vd
Rd
Id
donde Id es la corriente elegida para corrimiento nulo.
Otra forma de realizar el cálculo es fijar Vgs e Id para corrimiento nulo y luego establecer el
máximo valor de la señal de modo común permitida:
VMC máx Vds Vp 0 Vgs 0
donde Vgs0 es la tensión compuerta - fuente para corrimiento nulo.
En general se requieren valores altos de Vds, lo que trae como consecuencia tensiones de
alimentación elevadas.
Para el caso de máxima conducción ( Vgs=0 ) y máximo modo común negativo, este estará
aplicado al colector de la fuente de corriente y por lo tanto, se debe asegurar que el emisor
esté a una tensión mucho menor aún, para que el transistor no se corte, entonces debe
cumplirse que:
Ve (VMC máx VCEsat)
y si la fuente de corriente está hecha con FET se debe cumplir:
Vs ( VMCmáx Vp 0 )
Conclusión
Se ha presentado en este capítulo los conceptos fundamentales de los amplificadores

diferenciales, con el objeto de brindar al alumno un panorama mínimo de esta temática. Esto
posibilita que el educando pueda abordar el estudio más profundo con bibliografía específica.
UNSJ

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Electrónica Analógica II l –Universidad Nacional de San Juan

Amplificador Diferencial (AD). Introducción

El transistor es un amplificador de corriente donde la corriente de colector puede expresarse

El amplificador diferencial (AD) es un amplificador de tensión ideal y es el elemento básico de

Fig. 1: Diagrama esquemático de un AD.

Donde Avd es la Ganancia de Tensión de Modo Diferencial.

Señal de Modo Diferencial: vd v2 v1

Señales de Modo Común y Diferencial.

Avc 0 Ganancia de Modo Común

Avsd Ganancia de Modo Diferencial

En un AD real, la tensión de salida está compuesta por:

vs Avd .vd Avc .vc

El siguiente circuito presenta la implementación de AD real.

Fig.3: Implementación física de un AD.

- Al aumentar v1 aumenta ic1 y el punto vs1 baja.

- Si la disminución de v2 es de igual valor que el aumento de V1 (entrada diferencial), la

Por lo tanto si el AD es simétrico y v1=-v2 entonces el incremento de vs1 es igual al decremento

Para señal de modo diferencial pura, el amplificador se comporta como un amplificador

Fig. 4: Amplificador emisor común.

Para señal de modo común, el amplificador se comporta como un seguidor de emisor.

Fig. 5: Amplificador seguidor de tensión.

A los efectos de facilitar la comprensión del cálculo se hará la determinación de la ganancia de

Fig. 6: Cálculo de la ganancia de un Amplificador. emisor común.

Fig. 7: Equivalente híbrido de un amplifificador. emisor común.

vs ic. Rc / / rce (1)

Reemplazando (3) en (2) y (2) en (1), se tiene:

y por lo tanto, la ganancia en tensión vale:

Fig. 8: Característica de entrada de un transistor.

Si se quiere aumentar el rango de trabajo de la tensión de entrada y mejorar la linealidad se

Fig. 9: Linealización con resistencia de base.

Otro esquema para linealizar Av es el siguiente:

Fig. 10: Linealización con resistencia de emisor.

En este caso la corriente de base valdrá:

se tiene que la ganancia vale:

En general si se coloca RB y RE, la ganancia se expresa como:

Fig. 11: Ganancia de tensión con resistencia de base y emisor.

Disponiendo de éstas herramientas se determinará la ganancia de modo diferencial y la de

Ganancia de Modo Diferencial

Ganancia diferencial para AD desbalanceado.

Para el cálculo de la ganancia de modo diferencial se considerará la entrada v2 a masa y se

Fig. 12: Ganancia diferencial con entrada y salida desbalanceada.

Si se parte de la hipótesis que T1 y T2 son iguales y que los transistores se encuentran

rbe1 rbe2 rbe

por lo que reemplazando en la anterior expresión se tiene la resistencia de entrada diferencial:

reD 2rbe (10)

Planteando las ecuaciones de malla, se tiene:

Si se conectan las resistencias de emisor y de base para linealizar se tiene:

Fig. 13:Amplificador diferencial balanceado y linealizado

Si la salida se toma en vs2, la ganancia será:

Fig. 14: AD desbalanceado con salida por colector de T2.

Por lo tanto puede plantearse lo siguiente:

vs1 = Ic1 Rc1

Repitiendo el proceso pero para entrada por v2 y v1=0, se tiene:

Como consideraciones generales se tendrán:

Fig. 15: Cálculo de la ganancia diferencial.

El circuito híbrido que corresponde a ese amplificador es:

Fig. 16:Circuito híbrido para cálculo de la ganancia diferencial.

Consideraciones que se tendrán en cuenta para los análisis siguientes.

Sabiendo que ie = + 1 .ib y que + 1 .r' e hie rbe

v1 2.ib .re' .( 1) 2.ib .rbe

Resultado que coincide con el anteriormente hallado.

Ganancia de Modo Diferencial para amplificador desbalanceado con v1 y v2

Utilizaremos el siguiente circuito para el análisis de ganancias: