El valor de 𝑟𝑒 de todos los transistores bipolares sin importar su tamaño o tipo está

dado por:
𝑘𝑇
𝑟𝑒 =
𝐸𝐼𝑒
Donde:
𝐽
K= constante de Boltzmann 1.374𝑥10−23 °𝐶
E= carga en el electrón 1.59𝑥10−19 °𝐶
T= temperatura absoluta

Así 𝑟𝑒 es directamente proporcional a la temperatura absoluta e inversamente

𝑘𝑇
proporcional a la corriente emitida. El coeficiente 𝐸 tiene las dimensiones de voltaje
y si sustituimos los valores numéricos de K y E, el voltaje es 25mV a una
temperatura de 20°C. De esta manera tenemos:

25(𝑚𝑉)
𝑟𝑒 () =
𝐼𝑒 (𝑚𝐴)

Si 𝐼𝑒 = 1𝑚𝐴, 𝑟𝑒 es 25 (a 20°C).

El valor de 𝑟𝑐 es también inversamente proporcional a 𝐼𝑒 en transistores simples

pero el valor depende del grado de impureza en la región de la base y es muy alto
para transistores de base difusa.

El valor de 𝑟𝑏 es en gran medida independiente de 𝐼𝑒 y es una función del tamaño

y la geometría del transistor. Para los pequeños transistores de silicio, es poco
probable que supere los 100 ohmios, pero para un transistor de gran potencia, 𝑟𝑏
puede ser tan bajo como 5 ohmios.

Los valores de re, 𝑟𝑏 y 𝑟𝑐 no se pueden medir directamente porque es imposible

obtener una conexión al punto O, pero los valores se pueden deducir de las
mediciones realizadas en los terminales del transistor.

Aunque el transistor bipolar es un dispositivo controlado por corriente, hay

ocasiones (cuando se usa como un amplificador de voltaje) cuando es útil para
poder expresar el rendimiento en términos de la tensión de señal aplicada entre la
base y el emisor. Para tales cálculos, necesitamos conocer la conductancia mutua
xx del transistor: esta es la relación de un pequeño cambio en la corriente del
colector al cambio en la tensión del emisor de base que lo causa.

La conductancia mutua de un transistor viene dada por:

0
𝑔𝑚 =
𝑟𝑒
Donde 0 es el factor de amplificación actual a bajas frecuencias. 0 es casi igual
a la unidad y así podemos decir:
 1
𝑔𝑚 
𝑟𝑒
Sabemos, a partir de la página anterior, que 𝑟𝑒 es inversamente proporcional al
emisor medio actual, es decir, según la relación

25(𝑚𝑉)
𝑟𝑒 () =
𝐼𝑒 (𝑚𝐴)
Eliminando re entre las dos últimas expresiones que tenemos:

𝐼𝑒 (𝑚𝐴)
𝑔𝑚 (𝐴/𝑉)
25(𝑚𝑉)
Que quizás se expresa más convenientemente
𝑔𝑚 (𝐴/𝑉) 40𝐼𝑒 (𝑚𝐴)

Esto para una corriente emisora de 1 mA la conductancia mutua es 40 mA / V.