Universidad Politécnica de Chiapas.

Carrera: Ingeniería en tecnologías de

manufactura
Materia: Electrónica
Resumen capítulo 1: diodos
semiconductores

Abenamar Zutuj Moreno.

Maestro: Adriana Guadalupe Gómez

García
6-B
INDICE
INTRODUCCIÓN ....................................................................................... 3

RESUMEN DIODOS SEMICONDUCTORES ...................................... 3

MATERIALES SEMICONDUCTORES: Ge, Si Y GaAS ......................... 3

ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS ................. 4

MATERIALES EXTRÍNSECOS: MATERIALES TIPO n Y TIPO p ... 5

DIODO SEMICONDUCTOR..................................................................... 5

LO IDEAL VS. LO PRÁCTICO ................................................................ 6

NIVELES DE RESISTENCIA ................................................................. 7

CIRCUITOS EQUIVALENTES DEL DIODO ........................................ 8

CAPACITANCIAS DE DIFUSIÓN Y TRANSICIÓN ............................. 9

TIEMPO DE RECUPERACIÓN EN INVERSA ................................... 10

DIODOS ZENER ..................................................................................... 10

DIODOS EMISORES DE LUZ ............................................................... 11

CONCLUSIÓN.......................................................................................... 11
INTRODUCCIÓN
El humano siempre busca nuevas formas para facilitar sus tareas diarias, en este caso la
humanidad ha apostado mucho en el avance tecnológico, los nuevos dispositivos creados
han sido un gran avance para la vida humana, una parte importante para el desarrollo de
nuevos aparatos es la electrónica la cual se encuentra presente en la mayoría de aparatos
que usamos en el día a día, a lo largo del tiempo esta rama de la física ha evolucionado y
es una de las más estudiadas hasta hoy en día, es importante saber los distintos tipos de
componentes que forman a un circuito electrónico ya que cada uno tiene un papel
importante, además se comportan de una manera distinta, un componente fundamental y
muy usado son los diodos ya que sirven muy bien para trabajar con altos voltajes, estos
regular la corriente dando una protección para que el aparato solo use lo necesario y así
esta no sea dañada.

RESUMEN DIODOS SEMICONDUCTORES

MATERIALES SEMICONDUCTORES: Ge, Si Y GaAS

Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra.
Entre la de un buen conductor y la de un aislante.
En general, los materiales semiconductores caen dentro de una de dos clases: de un solo
cristal y compuesto. Los semiconductores de un solo cristal como el germanio (Ge) y el
silicio (Si) tienen una estructura cristalina repetitiva, en tanto que compuestos como el
arseniuro de galio (GaAs), se componen de dos o más materiales semiconductores de
diferentes estructuras atómicas.
Ge: se utilizaba germanio casi exclusivamente porque era en cierto modo fácil de encontrar
y estaba disponible en grandes cantidades. También era relativamente fácil de refinar para
obtener niveles muy altos de pureza, un aspecto importante en el proceso de fabricación.
Pero un diodo construido con germanio es muy sensible a los cambios de temperatura.
Si: el silicio, tenía mejores sensibilidades a la temperatura, pero el proceso de refinación
para producir silicio con niveles muy altos de pureza aún se encontraba en su etapa de
desarrollo. No sólo es menos sensible a la temperatura, sino que es uno de los materiales

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más abundantes en la Tierra, lo que acaba con cualquier preocupación sobre su
disponibilidad.
GaAS: opera a velocidades hasta de cinco veces la del Si. El GaAs era más difícil de fabricar
a altos niveles de pureza, más caro y tenía poco apoyo de diseño en los primeros años de
su desarrollo. No obstante, con el tiempo la demanda de mayor velocidad dio por resultado
que se asignaran más fondos a la investigación del GaAs, al punto de que en la actualidad
se utiliza de manera consistente como material base para nuevos diseños de circuitos
integrados a gran escala de alta velocidad.

ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS

Son elementos, como el germanio y el silicio, que a bajas temperaturas son aislantes. Pero
a medida que se eleva la temperatura o bien por la adicción de determinadas impurezas
resulta posible su conducción. Su importancia en electrónica es inmensa en la fabricación
de transistores, circuitos integrados, etc...

Los semiconductores tienen valencia 4, esto es 4 electrones en órbita exterior ó de valencia.

Los conductores tienen 1 electrón de valencia, los semiconductores 4 y los aislantes 8
electrones de valencia. Los 2 semiconductores que veremos serán el Silicio y el Germanio:

Como vemos los semiconductores se caracterizan por tener una parte interna con carga +
4 y 4 electrones de valencia.
El término intrínseco se aplica a cualquier material semiconductor que haya sido
cuidadosamente refinado para reducir el número de impurezas a un nivel muy bajo; en
esencia, lo más puro posible que se pueda fabricar utilizando tecnología actual.

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MATERIALES EXTRÍNSECOS: MATERIALES TIPO n Y TIPO p
Material tipo n: Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un
número predeterminado de átomos de impureza a una base de silicio. Un material tipo n se
crea introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones de valencia
(pentavelantes), como el antimonio, el arsénico y el fósforo. Es el que está impurificado con
impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a
los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios",
mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".

Material tipo p: El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro
con átomos de impureza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos más
utilizados para este propósito son boro, galio e indio. Es el que está impurificado con
impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el número de huecos supera
el número de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones
libres son los minoritarios.

DIODO SEMICONDUCTOR
Condición de polarización en inversa (VD<0 V)

Si se aplica un potencial externo de V volts a través de la unión p-n con la terminal positiva
conectada al material tipo n y la negativa conectada al material tipo p el número de iones
positivos revelados en la región de empobrecimiento del material tipo n se incrementará por
la gran cantidad de electrones libres atraídos por el potencial positivo del voltaje aplicado.
Por las mismas razones, el número de iones negativos no
revelados se incrementará en el material tipo p. El efecto
neto, por consiguiente, es una mayor apertura de la región
de empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado
grande para que los portadores mayoritarios la puedan
superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios se
reduce efectivamente a cero. Se invierte la polaridad de la
fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el
terminal negativo de la batería conectado al lado p y el positivo al n, esta conexión se
denomina "Polarización Inversa".

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Condición de polarización en directa (VD>0 V)

La condición de polarización en directa o “encendido” se establece aplicando el potencial

positivo al material tipo p y el potencial negativo al tipo n. En este caso tenemos una
corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente obliga a que los electrones libres
y huecos fluyan hacia la unión. Al moverse los electrones libres hacia la unión, se crean
iones positivos en el extremo derecho de la unión que atraerán a los electrones hacia el
cristal desde el circuito externo.

Región Zener

Aun cuando la escala está en décimas de volts en la región negativa, hay un punto donde
la aplicación de un voltaje demasiado negativo producirá un cambio abrupto de las
características. La corriente se incrementa muy rápido en una dirección opuesta a la de la
región de voltaje positivo. El potencial de polarización en inversaque produce este cambio
dramático de las características se llama potencial Zener y su símbolo es VZ.

LO IDEAL VS. LO PRÁCTICO

Una analogía utilizada con frecuencia para describir el comportamiento de un diodo
semiconductor es un interruptor mecánico. El diodo semiconductor se comporta como un
interruptor mecánico en el sentido de que puede controlar el flujo de corriente entre sus
dos terminales. Sin embargo, también es importante tener en cuenta que: El diodo

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semiconductor es diferente del interruptor mecánico en el sentido de que cuando éste se
cierra sólo permite que la corriente fluya en una dirección.

NIVELES DE RESISTENCIA
A medida que el punto de operación de un diodo se mueve de una región a otra, su
resistencia también cambia debido a la forma no lineal de la curva de características.

Resistencia de CD o estática

La aplicación de un voltaje de cd a un circuito que contiene un diodo semiconductor produce

un punto de operación en la curva de características que no cambia con el tiempo. La
resistencia del diodo en el punto de operación se halla determinando los niveles
correspondientes de VD e ID. Los niveles de resistencia de cd en la rodilla y debajo de ella
son mayores que los niveles de resistencia obtenidos para la sección de levantamiento
vertical de las características. Los niveles de resistencia en la región de polarización en
inversa son por naturaleza bastante altos.

Resistencia de CA o dinámica

Una línea recta trazada tangente a la curva por el punto Q definirá un cambio particular del
voltaje y corriente que se puede utilizar para determinar la resistencia de ca o dinámica en
esta región de las características del diodo. Se deberá hacer un esfuerzo por mantener el
cambio de voltaje y corriente lo más pequeño posible y equidistante a ambos lados del
punto Q. En forma de ecuación, donde indica un cambio finito de la cantidad. Cuanto más
inclinada sea la pendiente, menor será el valor de Vd con el mismo cambio de Id y menor
es la resistencia. La resistencia de ca en la región de levantamiento vertical de la

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característica es, por consiguiente, bastante pequeña, en tanto que la resistencia de ca es
mucho más alta con niveles de corriente bajos.

CIRCUITOS EQUIVALENTES DEL DIODO

Circuito lineal equivalente por segmentos

El diodo se considera como si fuera un dispositivo que en polarización directa se comporta

como un conductor cuando el voltaje de polarización directa en sus terminales es mayor
que el voltaje de umbral (VT), así que para todo VD > VT habrá un valor de ID > 0, que
crece exponencialmente tendiendo a valor infinito y la cual será limitada por las
características intrínsecas del cristal, por una resistencia interna RB del cristal y por los
elementos conectados en serie con el diodo. En polarización inversa es un circuito abierto
para todo voltaje de polarización negativo. Se representa mediante el símbolo de una fuente
de voltaje de cd, que se opone al voltaje de la fuente externa, en serie con un interruptor
que cierra, y una resistencia interna RB en polarización directa, y abre en polarización
inversa. La resistencia RB representa la oposición que las moléculas del cristal presentan al
paso de las cargas eléctricas, comúnmente es de un valor de más o menos 2 Ω, y es
determinado por el fabricante.

Circuito equivalente simplificado

El diodo se considera como si fuera un dispositivo que en polarización directa se comporta

como un conductor cuando el voltaje de polarización directa en sus terminales es mayor
que el voltaje de umbral (VT) así que para todo VD > VT habrá un valor de ID > 0, que
crece exponencialmente tendiendo a valor infinito y la cual será limitada por las
características intrínsecas del cristal y por los elementos conectados en serie con el diodo.

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En polarización inversa es un circuito abierto para todo voltaje de polarización negativo. Se
representa mediante el símbolo de una fuente de voltaje de cd, que se opone al voltaje de
la fuente externa, en serie con un interruptor que cierra, en polarización directa, y abre en
polarización inversa.

Circuito equivalente ideal

El diodo se considera como si fuera un dispositivo ideal totalmente, por lo cual, en

polarización directa se comporta como un conductor perfecto para cualquier voltaje; en este
modelo no se considera ningún voltaje de umbral (VT), así que para todo VD > 0 habrá un
valor para ID > 0 que crece repentinamente tendiendo a valor infinito y la cual será limitada
solamente por los elementos conectados en serie con el diodo ideal. En polarización inversa
es un circuito abierto para todo voltaje de polarización negativo. Simbólicamente se le
representa mediante un interruptor que cierra en polarización directa y abre en polarización
inversa.

CAPACITANCIAS DE DIFUSIÓN Y TRANSICIÓN

Es decir, las características terminales de cualquier dispositivo cambian con la frecuencia.
Incluso la resistencia de un resistor básico, como el de cualquier construcción, es sensible
a la frecuencia aplicada. A frecuencias de bajas a medias se puede considerar que la mayoría
de los resistores tienen un valor fijo. No obstante, a medida que alcanzamos altas
frecuencias, los efectos parásitos capacitivos e inductivos empiezan a manifestarse y afectan
el nivel de impedancia total del elemento. En el diodo los niveles de capacitancia parásita
son los que tienen un mayor efecto. A bajas frecuencias y a niveles relativamente bajos de
capacitancia, la reactancia de un capacitor, determinada por XC =1/2pfC en general es tan
alta que se le puede considerar de magnitud infinita, representada por un circuito abierto e
ignorada. A altas frecuencias, sin embargo, el nivel de XC puede reducirse al punto de que
creará una trayectoria de “puenteo” de baja reactancia. Si esta trayectoria de puenteo
ocurre a través del diodo, en esencia puede evitar que éste afecte la respuesta de la red.

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En el diodo semiconductor p-n hay dos efectos capacitivos que tienen que ser considerados.
Ambos tipos de capacitancia están presentes en las regiones de polarización en directa y en
inversa, pero uno predomina sobre el otro en cada región por lo que consideramos los
efectos de sólo uno en cada región. En la región de polarización en inversa tenemos la
capacitancia de transición o de región de empobrecimiento (CT ) en tanto que en la región
de polarización en directa tenemos la capacitancia de almacenamiento o difusión (CD ).

TIEMPO DE RECUPERACIÓN EN INVERSA

Es la suma de los tiempos de almacenamiento y de decaimiento, y tal periodo de tiempo
nos indica el tiempo total durante el cual, después de un cambio de polarización directa a
inversa en un diodo, no obtenemos la respuesta ideal en el dispositivo, es decir, una señal
rectificada.

DIODOS ZENER
La característica cae casi verticalmente con un potencial de polarización en inversa denotado
VZ. El hecho de que la curva caiga y se aleje del eje horizontal en vez de elevarse y alejarse
en la región de VD positivo, revela que la corriente en la región Zener tiene una dirección
opuesta a la de un diodo polarizado en directa. La ligera pendiente de la curva en la región
Zener revela que existe un nivel de resistencia que tiene que ser asociado al diodo Zeneren
el modo de conducción.

10 | P á g i n a
DIODOS EMISORES DE LUZ
El uso creciente de pantallas digitales en calculadoras, relojes y en todas las formas de
instrumentos, ha contribuido a un gran interés sobre estructuras que emiten luz cuando se
polarizan apropiadamente. Los dos tipos de uso común que realizan esta función son el
diodo emisor de luz (LED, por sus siglas en inglés) y la pantalla de cristal líquido (LCD, por
sus siglas en inglés). Como el LED queda dentro de la familia de dispositivos de unión p–n
Como su nombre lo implica, el diodo emisor de luz es un diodo que emite luz visible o
invisible (infrarroja) cuando se energiza. En cualquier unión p–n polarizada en directa se da,
dentro de la estructura y principalmente cerca de la unión, una recombinación de huecos y
electrones. Esta recombinación requiere que la energía procesada por los electrones libres
se transforme en otro estado. En todas las uniones p-n semiconductoras una parte de esta
energía se libera en forma de calor y otra en forma de fotones. En diodos de Si y Ge el
mayor porcentaje de la energía convertida durante la recombinación en la unión se disipa
en forma de calor dentro de la estructura y la luz emitida es insignificante. Por esta razón,
el silicio y el germanio no se utilizan en la construcción de dispositivos LED.

CONCLUSIÓN
Los conceptos vistos o analizados son de gran ayuda, nos muestra como es el
comportamiento de un diodo, no solo existe un tipo de diodo, cada uno tiene una función
específica en la electrónica, su comportamiento tanto analizado de manera científica como
en la aplicación nos hace entender por qué razón funciona así y como ayuda a regular la
corriente para proteger los demás circuitos electrónicos. La ventaja de los diodos es de qué
sirven para diferentes tareas o funcionamientos en un circuito electrónico. Además cada vez
se van sacando nuevos tipos de diodos haciendo que esto sean unos los principales
componentes usados en la electrónica.

11 | P á g i n a