Electronique générale Instrumentation pétrolière

Examen Final

Exercice 1 (06 points)

Une diode Zener est caractérisée par :
- Si I Z  100mA, VZ  7V et si I Z  20mA, VZ  6.2V
- Sa caractéristique est linéaire pour 5mA  I Z  100mA .
Cette diode est utilisée dans le montage ci-contre avec :
E  18V , R  100 , R L  100
1. Déterminer l’équation de la caractéristique inverse I Z  f (VZ ) .
2. Calculer la résistance dynamique R d de la diode.
3. Déterminer le générateur de Thevenin entre les A et B.
4. Déterminer l’équation de la droite de charge.
5. Déduire le point de fonctionnement.
6. Entre quelles limites peut varier R L pour que la Zener travaille
dans la partie linéaire de sa caractéristique.

Exercice 2 (04 points)

On donne: Vcc  15V , VBE0  0.7V , R B  200kΩ , R C  1kΩ , R E  100Ω , β  100

Calculer le courant collecteur pour chaque circuit.

Exercice 3 (05 points)

Un transistor NPN au silicium est utilisé dans le montage ci-contre.
On donne β  120 , VCC  24V , VBE  0.7 V .
1. Calculer R B , R C pour que le point de fonctionnement M admette comme
cordonnées VCE  6V et I C  20 mA .
2. Si VCEsat  0V , calculer le courant de saturation I Csat .
3. Si on suppose maintenant que 50    200 , déterminer à partir de quelle
valeur de β , le transistor est saturé.
4. Déterminer l’équation de la droite de charge
5. Tracer la droite de charge en précisant les deux points de repos pour   50 et    Max

Questions de cours (05 points)

1. Donner le schéma équivalent d’un transistor NPN dans le régime dynamique.
2. Si ce transistor est utilisé dans les montages ci-dessous, représenter les schémas équivalents dans le
régime dynamique.

Université de Ouargla Département de Génie électrique 2011-2012

Electronique générale Instrumentation pétrolière

Examen de rattrapage
Exercice 1 (6Pts)
Dans les circuits ci-dessous, les diodes sont idéales, e(t )  12 sin( wt ) , E  8V , VZ  6.8V .
Tracer pour chaque montage, la courbe de la sortie s (t ) .

Exercice 2 (7Pts)
Soit le montage suivant :
La diode Zener utilisée dans le montage ci-contre a les caractéristiques suivantes :
Polarisation directe : VD  0.6V , RD  10Ω .
Polarisation inverse : V Z  6.8V , R I  5Ω .
E1 , E2 varient de 0 à 12V et r  50Ω , R  100Ω .

1. Déterminer les éléments du générateur de Thévenin

ETh , RTh alimentant la diode.
2. Déterminer le courant dans la diode pour :
- E1  6V , E 2  9V
- E1  6V , E 2  9V
- E1  6V , E 2  9V

Exercice 03 (7Pts)

Soit le montage ci-contre :

Données :   100 , VCEsat  0.2V , VBE  0.6V , Vcc  10V .
La tension d’entrée VE peut prendre les valeurs 0 ou +5V. On précise
que le transistor fonctionne en mode de commutation « bloqué/saturé »
Partie 1
1. Exprimer le courant I C qui traverse RC en fonction de Vcc et
VCE
2. Calculez la valeur de la résistance RC , pour avoir un courant I Csat  20mA
3. Exprimer le courant I B qui traverse R B en fonction de VE et VBE .
4. Calculez la valeur de la résistance R B , pour avoir un courant I Bsat  0.4mA .

Partie 2

On donne RB  10k .
1. Déterminer le courant I Bsat du transistor.
2. En déduire la valeur maximale du courant I Csat du transistor qui peut conduire le
transistor tout en restant saturé.
3. En déduire la valeur minimale de la résistance RC que l’on pourra retenir.
BONNE CHANCE

2011-2012