Definiciones

Material tipo N:
Es una estructura molecular tetravalente (4 electrones en su banda de valencia) a la cual se
agregan pequeñas porciones de elementos pentavalentes (5 electrones en su banda de valencia)
creando un cristal con un exceso de electrones o "electrones libres" que circulan por los enlaces
moleculares (Enlaces Covalentes) <<Cristal dopado negativo>>.

Elementos tetravalentes >> Silicio, Germanio.

Elementos Pentavalentes >> Arsénico, Fosforo, Antimonio.

Material tipo P:
Es una estructura molecular tetravalente (4 electrones en su banda de valencia) a la cual se
agregan pequeñas porciones de elementos trivalentes (3 electrones en su banda de valencia)
creando un cristal con un exceso de "huecos" o falta de electrones que circulan por los enlaces
moleculares (Enlaces Covalentes) <<Cristal dopado positivo>>.

Elementos trivalentes >> Boro, Galio, Indio.

Juntura PN:
Unión física de 2 cristales dopados; el primero con dopado positivo y el segundo dopado
negativamente. Dicha unión de cristales crea el semiconductor básico "El Diodo".

Barrera de potencial:
La barrera de potencial es la organización de electrones y huecos que se genera en la unión de
tipo "PN". Esto se produce debido a que los átomos cargados positivamente del cristal tipo "N"
repelen el desplazamiento de huecos a su sector. Por el contrario al cristal tipo "P" repele los
electrones libres debido a que sus átomos poseen exceso de carga negativa.

Voltaje de conducción:
Es la tensión mínima que se necesita aplicar para que sea sobrepasada la "barrera de potencial" de
una unión "PN" (diodo). Una vez sobrepasada la barrera de potencial, el diodo conducirá energía
como un conductor.
Corriente directa Máxima:
Es la máxima corriente que soporta un semiconductor antes de perder sus propiedades físicas y
eléctricas o se destruya. Este resultado se debe a que luego del valor máximo indicado el
semiconductor no será capaz de disipar el calor que genera la circulación de corriente a través de
él.

Corriente de fuga:
Es la corriente que genera el paso de unos pocos electrones desde el cristal "N" al cristal "P"
cuando el diodo es polarizado de forma inversa. esto se genera durante las primeros instantes de
la conexión (Mientras se reorganizan las moléculas de los cristales).

Voltaje de ruptura:
Es la tensión con la que un diodo comenzara a conducir energía encontrándose en polarización
inversa. Luego de llegar a este valor, el diodo podría perder sus propiedades sus propiedades
físicas y eléctricas o se destruya.