El diodo de potencia

Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los
diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de
conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y
cátodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben

ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En
sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de
ánodo con una pequeña intensidad de fugas.

El diodo responde a la ecuación:

La curva característica será la que se puede ver en la parte superior, donde:

VRRM: tensión inversa máxima

VD: tensión de codo.

A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del diodo,

las cuales podemos agrupar de la siguiente forma:

 Características estáticas:
o Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
o Parámetros en conducción.
o Modelo estático.
  Características dinámicas:
o Tiempo de recuperación inverso (trr).
o Influencia del trr en la conmutación.
o Tiempo de recuperación directo.
 Potencias:
o Potencia máxima disipable.
o Potencia media disipada.
o Potencia inversa de pico repetitivo.
o Potencia inversa de pico no repetitivo.
 Características térmicas.
 Protección contra sobreintensidades.

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Características estáticas

Parámetros característicos de funcionamiento

Parámetros en conducción[editar]
 Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos
sinusuidales de 180º que el diodo puede soportar.
 Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms ,
con una duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cápsula
(normalmente 25º).
 Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad
aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.
 Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el
estado de conducción.

Características Dinámicas[editar]
Recuperación inversa[editar]
Una característica importante de un diodo o ideal es la corriente de recuperación inversa.
Cuando un diodo pasa de conducción a corte, la corriente en él disminuye y,
momentáneamente se hace negativa antes de alcanzar el valor cero, como se muestra en la
siguiente figura.

 Tiempo de almacenamiento (ta): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de
la intensidad hasta llegar al pico negativo.
 Tiempo de caída (tc): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta
que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en
inverso. En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad
hasta el 10 % de éste.
 Tiempo de recuperación inversa (trr): depende del tiempo de caída y del tiempo de
almacenamiento. Se defie como la suma de ambos. trr=ta y tc.
 Factor de suavizado: SF = tc/ta

Recuperación directa[editar]
Si se le aplica una polarización directa, se obligaría al diodo a conducir. Pero, se requiere un
cierto tiempo, conocido como tiempo de recuperación en directa, antes de que los portadores
mayoritarios de toda la unión puedan contribuir al flujo de la corriente. El tiempo de
recuperación en directo limita la velocidad de elevación de la corriente directa.
 Tensión de recuperación directa: es la tensión máxima durante el encendido.
 Tensión directa (Von): caida de tensión del diodo en régimen permanente para la
corriente nominal.
 Tiempo de recuperación directo(tfr): es el tiempo que transcurre entre el instante en que
la tensión ánodo-cátodo se hace positiva y el instante en que dicha tensión se estabiliza
en el valor VF. Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y no suele
producir pérdidas de potencia apreciables.
 Tiempo de subida (tr): tiempo en que la corriente pasa del 10% al 90% de su valor
directo nominal. Suele estar controlado por el circuito externo.

Disipación de potencia[editar]
 Potencia máxima disipable (Pmáx): Es un valor de potencia que el dispositivo puede
disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el
funcionamiento, llamada ésta potencia de trabajo.encia de trabajo.
 Potencia máxima disipable (Pmáx): Es un valor de potencia que el dispositivo puede
disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el
funcionamiento, llamada ésta potencia de trabajo.
 Potencia media disipada (PAV): Es la disipación de potencia resultante cuando el
dispositivo se encuentra en estado de conducción, si se desprecia la potencia disipada
debida a la corriente de fugas.
 Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM): Es la máxima potencia que puede disipar el
dispositivo en estado de bloqueo.
 Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM): Similar a la anterior, pero dada para un
pulso único.

Características térmicas[editar]
 Temperatura de la unión (Tjmáx): Es el límite superior de temperatura que nunca
debemos hacer sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su inmediata
destrucción.En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unión se nos da la "operating
temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el
 dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas
entre dos valores, uno mínimo y otro máximo.
 Temperatura de almacenamiento (Tstg): Es la temperatura a la que se encuentra el
dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de
valores para esta temperatura.
 Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc): Es la resistencia entre la unión del
semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante
se puede calcular mediante la fórmula:

1.1.4 alimentacion a motores de cd

Motores no conectados a un variador En la actualidad, las máquinas asíncronas se utilizan con

frecuencia como motores, con una escala de potencia que va desde unos cuantos vatios hasta
varios cientos de kilovatios. En el caso de las aplicaciones que requieren una potencia superior a
varios kilovatios, los motores asíncronos funcionan únicamente con fuentes de alimentación de CA
trifásicas. Debido a la sensibilidad de un proceso o a la naturaleza crítica de determinadas
aplicaciones, la red puede sustentarse en un sistema de alimentación ininterrumpida o SAI.
Durante el proceso de arranque, las corrientes de irrupción pueden alcanzar unos valores de RMS
entre 4 y 7 veces los valores nominales, mientras que el par aumenta hasta 1,5 a 2,4 veces el par
nominal. Los tiempos de arranque depende de la inercia de la masa en movimiento, la velocidad
rotacional final y el par de aceleración del motor. Los valores pico de corriente son todavía
mayores y pueden alcanzar 10 veces el valor de RMS nominal. Las corrientes de irrupción altas y la
impedancia de línea provocan una caída de tensión en la línea de distribución, sobre todo en el
caso de las cargas cercanas al motor. Existen muchas maneras de limitar las corrientes de
arranque. Éstas son las más habituales:

Arranque Y/∆

Autotransformador

Arranque suave

En algunas aplicaciones muy especiales, el reóstato del rotor también es una solución. La opción
elegida depende del equilibrio entre aplicación y costes.

Motores alimentados por variadores

Por motivos de economía y robustez, los motores de inducción se utilizan asociados a variadores
electrónicos con una frecuencia cada vez mayor.

Arranque suave Está formado por dos tiristores montados en fila (o un triac). Retrasando la
entrada del tiristor en cada alternación, es posible reducir la tensión RMS aplicada al estátor del
motor.
1.2 transistores de potencia

El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de

los transistores normales, teniendo como características especiales las altas
tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a
disipar.

Existen tres tipos de transistores de potencia:

 bipolar.
 unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
 IGBT.

Parámetros MOS Bipolar

Impedancia de entrada Alta (1010 ohmios) Media (104 ohmios)
Ganancia en corriente Alta (107) Media (10-100)
Resistencia ON (saturación) Media / alta Baja
Resistencia OFF (corte) Alta Alta
Voltaje aplicable Alto (1000 V) Alto (1200 V)
Máxima temperatura de operación Alta (200ºC) Media (150ºC)
Frecuencia de trabajo Alta (100-500 Khz) Baja (10-80 Khz)
Coste Alto Medio

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la capacidad de
carga en corriente de los transistores bipolares:
  Trabaja con tensión.
 Tiempos de conmutación bajos.
 Disipación mucho mayor (como los bipolares).

Nos interesa que el transistor se parezca, lo más posible, a un elemento ideal:

 Pequeñas fugas.
 Alta potencia.
 Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia
de funcionamiento.
 Alta concentración de intensidad por unidad de superficie del
semiconductor.
 Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE máxima
elevada).
 Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).

Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente

de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa
no se hace instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las
causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las
uniones colector - base y base - emisor y los tiempos de difusión y
recombinación de los portadores.

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Principios básicos de funcionamiento

La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el

modo de actuación sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que
inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que
en el FET el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre puerta y
fuente. Esta diferencia vienen determinada por la estructura interna de ambos
dispositivos, que son substancialmente distintas.

Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que

consume el terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la
potencia manejada en los otros dos terminales.

En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:

 En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.

 En un FET, la tensión VGS controla la corriente ID.
  En ambos casos, con una potencia pequeña puede controlarse otra bastante
mayor.

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Tiempos de conmutación

Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son despreciables.

Pero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutación, al cambiar de
un estado a otro se produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes
el producto IC x VCE va a tener un valor apreciable, por lo que la potencia media
de pérdidas en el transistor va a ser mayor. Estas pérdidas aumentan con la
frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar ésta, también lo hace el número
de veces que se produce el paso de un estado a otro.

Podremos distinguir entre tiempo de excitación o encendido (ton) y tiempo de

apagado (toff). A su vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos.
 Tiempo de retardo (Delay Time,
td): Es el tiempo que transcurre
desde el instante en que se aplica
la señal de entrada en el
dispositivo conmutador, hasta que
la señal de salida alcanza el 10%
de su valor final.

Tiempo de subida (Rise time, tr):

Tiempo que emplea la señal de
salida en evolucionar entre el 10%
y el 90% de su valor final.

Tiempo de almacenamiento
(Storage time, ts): Tiempo que
transcurre desde que se quita la
excitación de entrada y el instante
en que la señal de salida baja al
90% de su valor final.

Tiempo de caída (Fall time, tf):

Tiempo que emplea la señal de
salida en evolucionar entre el 90%
y el 10% de su valor final.

Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones :

1.2.1 tipos de TRANSISTOR BIPOLAR

1 INTRODUCCION

La Figura 1 muestra el símbolo de un transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor), con la
nomenclatura habitual de sus terminales.
 Figura 1: Símbolo y tipos de transistor BJT

Internamente, el BJT se compone de tres capas de silicio, según la configuración mostrada en la

Figura 2.

Figura 2: Estructura interna del transistor bipolar

Como puede apreciarse, la flecha que indica el tipo de transistor, apunta al sentido de la
corriente en polarización directa del diodo BE. En principio, parece una estructura simétrica, en
la que es imposible distinguir el emisor del colector. Sin embargo la función que cumple cada
uno es completamente distinta, y en consecuencia, se fabrican con diferentes características. Por
lo tanto no es un componente simétrico.

Un transistor tiene dos formas principales de operación: como un interruptor o como una
resistencia variable.

1.1 TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

La función del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un dispositivo

mecánico: o bien deja pasar la corriente, o bien la corta. La diferencia está en que mientras en
el primero es necesario que haya algún tipo de control mecánico, en el BJT la señal de control es
electrónica. En la Figura 3 se muestra la aplicación al encendido de una bombilla.
 Figura 3: El transistor bipolar como interruptor de corriente

En el primer caso, bajo la señal de control adecuada, que es introducida a través de la base, el
transistor se comporta como un circuito abierto entre el emisor y el colector, no existe corriente
y la bombilla estará apagada. En el segundo caso, cambiando la señal de control, se cierra el
circuito entre C y E, y los 12 V se aplican a la bombilla, que se enciende.

Este funcionamiento entre los estados de corte y conducción se denomina operación

en conmutación. Las aplicaciones típicas de este modo de operación son la electrónica de
potencia y la electrónica digital, en la que los circuitos operan con dos niveles de tensión fijos

equivalentes al y lógicos.

1.2 TRANSISTOR COMO RESISTENCIA VARIABLE

En la Figura 4 se presenta la comparación entre un potenciómetro y un transistor colocados en

un circuito.

Figura 4: Transistor bipolar operando como resistencia variable

Si el valor de la resistencia del potenciómetro se fija en 5 kW, la tensión de salida V OUT será de 5
V. Al aumentar esta resistencia, la salida también aumentará de valor. Por ejemplo, con 20 kW
VOUT resulta ser 8 V. Modificando el valor del potenciómetro se puede obtener cualquier valor en
la salida comprendido entre 0 V y 10 V, ya que:
Al igual que en el potenciómetro, en el transistor se puede ajustar su resistencia entre colector y
emisor, con la diferencia de que la señal de mando no es mecánica, sino eléctrica a través de la
base. Como se verá más adelante, con una pequeña señal aplicada en la base puede gobernarse
el BJT, con lo que aparece un concepto nuevo: la amplificación de señales. Esta función es la
base de la electrónica analógica, aquella en la que se procesan señales de tensión respetando su
forma de onda temporal.

2 PRINCIPIO DE OPERACION

En este apartado se va a trabajar exclusivamente con el transistor NPN. No obstante, cabe

señalar que los razonamientos necesarios para entender el transistor PNP son completamente
análogos, por lo que se deja al lector la tarea de deducir los modelos característicos de su
funcionamiento.

En la Figura 2 pueden verse las dos uniones PN del transistor: la unión Base-Emisor (BE), y la
unión Base-Colector (BC). Cada una por separado constituye un diodo, pero la conjunción de
ambas provoca un efecto nuevo, denominado efecto transistor. Obviamente, el estado global del
transistor depende de la polarización, directa (PD) o inversa (PI), de las dos uniones.

Los casos posibles se adjuntan en la tabla siguiente:

Unión Unión Estado

PI PI Corte
PD PD Saturación
PD PI RAN
PI PD RAI

Los dos últimos casos, la Región Activa Normal (RAN) y la Región Activa Inversa (RAI) son
conceptualmente similares. Si el transistor fuera simétrico, estaríamos ante la misma región de
funcionamiento, solo que con los terminales intercambiados. Sin embargo el colector y el emisor
se fabrican de forma diferente, precisamente para adaptar su funcionamiento a la RAN. Por ello
no se suele trabajar en la RAI. Una vez aclarado este punto se va a analizar el funcionamiento
en cada región de operación.

1.2.2 metal oxido de silicio

Funcionamiento[editar]
La estructura NMOS está formada por un sustrato de silicio dopado con huecos. Al aplicar un
potencial de compuerta positivo, los electrones presentes en el sustrato (portadores
minoritarios) son atraídos hacia la capa de óxido de compuerta. Al mismo tiempo, los huecos
son repelidos de la capa de óxido de compuerta debido a que el potencial positivo los aleja.
Esto ocasiona una acumulación de electrones en la cercanía del óxido, en donde el silicio
presenta un exceso de electrones y por lo tanto es de tipo n. La inversión del dopado en el
silicio (que antes era de tipo p) es lo que le da origen al nombre de esta región. También se
produce una región de agotamiento de portadores en las cercanías del óxido, debido a que los
huecos del sustrato se recombinan con los electrones atraídos.
De manera análoga, una estructura PMOS está formada por un sustrato de silicio dopado con
electrones. Al aplicar un potencial de compuerta negativo, los huecos presentes en el sustrato
(portadores minoritarios) son atraídos hacia la capa de óxido de compuerta. Los electrones
son repelidos del óxido de compuerta debido a que el potencial negativo los aleja. Los huecos
se acumulan en la cercanía del óxido, en donde el silicio acumula un exceso de huecos y por
lo tanto se comporta como un material de tipo p. La recombinación de huecos y electrones
produce una región de agotamiento.
La tensión positiva aplicada en la compuerta de una estructura PMOS se distribuye a través
de las capas de materiales de acuerdo con la siguiente ecuación1

En donde

es la tensión de compuerta,

es la diferencia de las funciones de trabajo entre el metal y el

semiconductor: ,

es la caída de tensión en el óxido,

es la caída de tensión en el semiconductor

Capacitancia normalizada de la estructura MOS en función de la tensión de compuerta.2

En ambos tipos de estructuras se acumulan cargas eléctricas en el óxido y en el

semiconductor, de modo que el dispositivo se comporta como un condensador
eléctrico. Se distinguen tres regiones de funcionamiento, dependiendo del nivel de
tensión que se aplica en la terminal de la compuerta.

Acumulación[editar]
En la etapa de acumulación las cargas se almacenan en el óxido por el mismo
principio de operación de un condensador, en donde el dieléctrico se polariza de
forma proporcional al campo eléctrico aplicado.
Realmente lo que ocurre es lo siguiente:
Caso pMOS:
Aplicamos un potencial negativo en la compuerta. Esto induce electrones, atrayendo
huecos a la interfase y creando un campo eléctrico. De ahí el nombre de acumulación.
 Caso nMOS:
Aplicamos un potencial positivo en la compuerta. Esto induce huecos, atrayendo
electrones a la interfase y creando un campo eléctrico.
Recordemos que el campo eléctrico va siempre de carga positiva a carga negativa
1.2.3 igbt

Transistor IGBT. Componente electrónico diseñado para controlar principalmente

altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de
unión BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.

Contenido
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 1 Introducción
 2 Estructura
 3 Funcionamiento
 4 Características técnicas
 5 Aplicaciones
 6 Véase también
 7 Fuentes

Introducción

Figura I.

Durante mucho se tiempo se busco la forma de obtener un dispositivo que tuviera

una alta impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias a
altas velocidades, esto dio lugar a la creación de los Transistores bipolar de puerta
aislada (IGBT). Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido
viables hasta entonces y se describirán más adelante. El mismo se puede identificar
en un circuito con la simbología mostrada en la figura I.
Estructura

Figura II.

El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN)

que son controlados por un metal-óxido-semiconductor (MOS), estructura de la
puerta sin una acción regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
celular se construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder
de la construcción, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de colector,
formando una línea vertical del transistor de unión bipolar de PNP.
Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores
de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del
transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y
un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación
del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción
son como las del BJT. En la figura II se observa la estructura interna de un IGBT, el
mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C).

Funcionamiento
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende
inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va
desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de
encendido en que la señal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el
terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La señal
de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts,
puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la
corriente de colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante).
Una vez encendido, el dispositivo se mantiene así por una señal de voltaje en el G.
Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipación de potencia en la puerta
es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal G.
La transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas
2 microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango
de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido
a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje
VCE cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido
se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente IC se
autolimita.

Características técnicas
 ICmax Limitada por efecto Latch-up.
 VGEmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
 Se diseña para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a
10 veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a
10 us. y pueda actuar una protección electrónica cortando desde puerta.
 VCEmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, será
VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100
y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
 La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se esperan valores
mayores)
 Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.

En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un

par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

Aislamientos usados por los fabricantes de máquinas

eléctricas.
Aunque la decisión de que tipo de aislante se debe usar casi siempre es del
fabricante, es importante conocer las diferentes clases de aislantes usados para
conocer lo que se le puede pedir a un fabricante. La temperatura máxima
permitida por un aislante esta limitada, si se excede el aislante se deteriora mas
rápidamente. Como regla general se dice que por cada diez grados de
temperatura que se exceda la temperatura del aislante la vida del motor se reduce
a la mitad. Y el costo de reembobinar un motor dañado es de aproximadamente la
mitad del costo de uno nuevo. Por estas razones es importante cuidar los limites
de temperaturas que permiten las diferentes clases de aislantes.
Por lo general en la placa del motor aparece un dato sobre el incremento máximo
de temperatura que se permite de un motor. Este dato corresponde al incremento
de temperatura sobre la ambiente que puede tener un motor en un punto donde la
temperatura fácilmente se puede medir. Normalmente en el centro de la máquina
se tendrá un punto donde la temperatura es mayor y casi siempre se considera en
forma general que este punto más caliente excede en 10 grados de temperatura
del punto donde se mide la temperatura.

Como ejemplo tomemos un aislante clase A donde el limite de temperatura es de

105°C. Para no exceder esta temperatura el motor normalmente tendrá
especificado un incremento de temperatura permitido de 55°C sobre una
temperatura ambiente máxima de 40°C lo que da una temperatura de 95°C en el
punto donde se puede medir y por lo tanto una temperatura del punto más
caliente de 105°C que es la que permite esta clase de aislante.

Las diferentes clases de aislantes, los materiales usados y las temperaturas

permitidas se describen a continuación.

Clase O. Se usa algodón, seda, papel y materias orgánicas semejantes sin

impregnar. Temperatura permitida es de 90°C.

Clase A. Se usa algodón, seda, papel y materias orgánicas semejantes sin

impregnar o impregnadas de resinas. Temperatura permitida es de 105°C.

Clase B. Se usa mica, fibra de vidrio y otras substancias inorgánicas semejantes

solas o combinadas en formas que puedan llenarse con sustancias orgánicas
adhesivas. Debe soportar un temperatura de 130°C.

Clase F. Se usa mica, fibra de vidrio y otras substancias inorgánicas semejantes

solas o combinadas en formas que puedan llenarse con sustancias orgánicas
adhesivas. Debe soportar un temperatura de 155°C.Se usa en motores de C. D.

Clase H. Se usa mica, fibra de vidrio y otras substancias inorgánicas semejantes

solas o combinadas en formas que puedan llenarse con sustancias orgánicas
adhesivas formadas por compuestos de silicio o siliconas. Debe soportar un
temperatura de 180°C.

Clase C. Se usan mica, porcelana, vidrio, cuarzo y materiales inorgánicos

semejantes. Deben soportar una temperatura de 220°C.

Los precios relativos de los motores según el aislante usado son:

Clase A $1.00
Clase B $1.25
Clase H $1.60

Selección del tamaño de un motor cuando este tiene un

ciclo de trabajo variable
Para seleccionar el tamaño del motor a usar para una aplicación dada se deben
tomar en cuenta los siguientes aspectos:

a) El motor debe tener el par de arranque adecuado para permitir el arranque del
mismo bajo las condiciones de operación normales y de sobrecarga a las que
puede estar sujeto, ademas en muchas ocasiones debe realizar este arranque en un
tiempo determinado, lo cual puede requerir cambiar el tamaño del motor para
poder tener el suficiente par de aceleración para poder lograr el tiempo
especificado. Para poder determinar esto se requiere hacer un análisis dinámico
del proceso de arranque.

b) El motor debe tener un calentamiento adecuado para no afectar la vida

esperada del mismo. Normalmente la vida promedio de un motor a prueba de
goteo es de 20 años. El calentamiento del motor depende de las pérdidas del
mismo y de su enfriamiento. En los casos donde la carga es constante la
selección del motor desde un punto de vista de calentamiento no presenta
mayores dificultades, ya que solo se necesita conocer cual es la potencia
constante que tiene que desarrollar el motor y con esto se selecciona el motor. El
problema difiere si la potencia a desarrollar no es constante, sino que varia
cíclicamente es decir la potencia de salida es P1 durante un tiempo t1, luego vale
P2 durante un tiempo t2 y asi sucesivamente hasta llegar a Pn durante un tiempo
tn y luego se repite el ciclo de nuevo. Este último caso es el que se tratara a
continuación.

Existen dos métodos que se aplican para la selección del tamaño del motor desde
el punto de vista de calentamiento cuando se tiene una potencia de salida variable
o una velocidad de operación variable:

-método par-potencia o potencia RMS

-método de pérdidas en watts

Estos dos métodos se describirán en detalle a continuación.

Método par-potencia o potencia RMS.
Este método es sencillo de aplicación ya que solo requiere conocer el ciclo de
trabajo a que esta sujeto el motor sin embargo la precisión del mismo puede no
ser el deseado dependiendo de las condiciones de operación del motor y el tipo
de motor.

Este método basa su aplicación en las siguientes consideraciones:

-se considera que el calentamiento del motor depende de la corriente de armadura

al cuadrado. Esto equivale a suponer que las perdidas más importantes son las de
cobre y que las demás pérdidas son de menor cuantía.

-se supone que el par desarrollado por el motor es directamente proporcional a la

corriente de armadura.

-se considera que el motor opera a velocidad constante o se calcula una potencia
de salida ficticia que resulta de multiplicar el par por una velocidad constante.
Por eso el nombre de método par-potencia, ya que se supone que la potencia es
directamente proporcional al par.

Si se combinan todas estas consideraciones se obtienen las siguientes relaciones:

Perdidas = C Ia2 T = D Ia Psal = T wo

combinando las tres ecuaciones se obtiene:

Perdidas = C [T/D]2 = C [ Psal/(wo D)]2

o simplificando: Perdidas = K Psal2 donde K=C /(wo D)2

Las perdidas del motor se consideran que son proporcionales a la potencia de

salida del motor al cuadrado.

Para seleccionar el motor desde el punto de vista de calentamiento solo se

requiere que las perdidas promedio del motor con un ciclo de trabajo variable
sean iguales que las perdidas del mismo motor trabajando a una potencia
constante. El motor se selecciona de un tamaño igual a esta potencia constante.

Para el motor con ciclo de trabajo variable:

Para el motor con ciclo de trabajo constante:

Perdidas promedioc= K Psalc2

Igualando estas dos pérdidas promedio y despejando Psalc obtenemos:

o sea que lo que se debe hacer es calcular la potencia RMS de salida del ciclo de
trabajo variable.

El método no requiere más datos que los del ciclo de trabajo, o si la velocidad es
variable en vez de usar la potencia real de salida se calcula un valor ficticio de
potencia de salida multiplicando el par por la velocidad constante ( velocidad
nominal ). Desafortunadamente existen muchos casos donde las suposiciones
hechas para este método no se cumplen por lo que la precisión del método no es
adecuada. Debido a la sencillez del método es muy utilizada aunque no sea
exacto.

Método de pérdidas en watts.

Este segundo método es mas exacto, pero requiere tener más información. La
información requerida consiste en conocer en detalle las perdidas de los motores
que se desean considerar para las diferentes condiciones de operación posibles.
Esta información se debe obtener de los fabricantes de los motores o si ya se
dispone del motor y se cuenta con las facilidades adecuadas esta información se
puede determinar experimentalmente.

Con esta información se pueden determinar las pérdidas reales del motor para las
diferentes condiciones de operación o sea para las diferentes etapas del ciclo de
trabajo. Usando esta información se determinan al igual que en el caso anterior
las pérdidas promedio durante el ciclo de trabajo.

Pérdidas promediov

donde los valores de las Perdidasi se obtendrán en función de la potencia de

salida de cada parte del ciclo de trabajo mediante el uso de gráficas o ecuaciones
para cada tamaño de motor que se piensa considerar como posible solución.

Estas perdidas promedio deben ser iguales a las que tendría el motor operando a
una potencia constante, por lo que con las perdidas promedio se entra a la gráfica
o ecuación para determinar la potencia de salida que produce las mismas
pérdidas. Este valor se compara con la potencia nominal y se toma una decisión
si es el adecuado o si debe repetir el proceso para otro tamaño de motor.

El inconveniente de este método es que se requiere la información de las perdidas

del motor, datos que en muchas ocasiones no se tienen disponibles. Cuando esto
ocurre no hay mas remedio que usar el método de potencia RMS.

Enfriamiento efectivo del motor.

En los dos procedimientos descritos se supuso que se tenia 100% de enfriamiento
efectivo, lo cual es valido cuando durante todo el ciclo de trabajo el motor gira a
una velocidad nominal o cerca de la nominal y tiene una ventilación adecuada
todo el tiempo. Pero si el motor tiene un ciclo de trabajo donde la velocidad es
variable y la ventilación depende de la velocidad del motor el enfriamiento no
sera 100% efectivo, por lo que las ecuaciones para el calculo de las perdidas
promedio se deben modificar. La modificación que se usa es alterar los
denominadores de las ecuaciones de perdidas promedio. En vez de sumar los
tiempos de las diferentes etapas, se obtiene una suma de estos tiempos
multiplicados por un factor que toma en cuenta la efectividad del enfriamiento.
4.5. Arranque de los motores de c.c.
El arranque de un motor es el instante en que conecta a la red. En
ese momento, el par motor debe ser mayor que el par resistente que
opone la carga.

En el instante del arranque, al estar parado el motor su velocidad es

nula, por lo que la fuerza contraelectromotriz que es proporcional a
la velocidad también es nula. Esto provoca que toda la tensión de
alimentación cae en el devanado del inducido, por lo que en el
instante del arranque la intensidad que recorre el motor es muy
elevada, pudiendo alcanzar valores de hasta diez veces la intensidad
nominal en régimen de funcionamiento estable y más aún para
motores de gran potencia, que es cuando el motor ha alcanzado una
velocidad que se mantiene constante, ya que el par motor y el par
resistente de la carga están equilibrados.

La intensidad que recorre el inducido tiene por expresión:

Como en el arranque E=0, ya que ω=0, la expresión anterior

resulta:

Por lo que para limitar la corriente de arranque a valores

compatibles con los requerimientos del trabajo, y que no provoque
efectos perjudiciales para los devanados se introduce una resistencia
en serie con el inducido, que consistirá en un reostato de arranque
de varios escalones, que en el momento del arranque estará
totalmente introducido y que durante el proceso de cebado del motor
hasta alcanzar el régimen nominal se va extrayendo, bien
manualmente, o bien automáticamente mediante dispositivos
electrónicos, el número de saltos o “plots” que presente el reóstato
de arranque dependerá de la suavidad que precise el arranque y de
la potencia del motor.

Además de estos reóstatos también se utilizan otros equipos, como

variadores electrónicos de tensión, generalmente de tiristores (SCR),
se alimentan con corriente alterna que convierten en tensión
 continua variable, permitiendo el arranque por aplicación creciente
de tensión, limitando la corriente y el par de arranque.

El criterio para elegir el uso de los diferentes sistemas de arranque

suelen ser soluciones de compromiso de tipo técnico-económica

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Qué son los circuitos híbridos? ¿Cómo surgieron y como ha
evolucionado su utilización en la electrónica? Una lección teórica para
comprender mejor la importancia de estos componentes en el desarrollo
de la electrónica y los dispositivos tecnológicos. ¡Sacad papel y boli!
Durante los primeros años del nacimiento de la electrónica, los compo-
nentes electrónicos se montaban en chasis metálicos, donde se fijaban
con tornillos, y se conectaban entre sí por cables. En estos años, los
componentes eran pocos y voluminosos, y con frecuencia tenían que
disipar bastante potencia, como en el caso de las válvulas termoiónicas.
Posteriormente, en la década de los cincuenta, la aparición
del transistor y la reducción de tamaño de los demás componentes
electrónicos para su uso militar, en aviones y misiles, produjo lo que
actualmente conocemos como circuito impreso.
En el circuito impreso tal y como todos los conocemos, los componentes,
dado su pequeño tamaño, se fijan y conectan en una placa de material
aislante por medio de soldadura de estaño. En los últimos años el
aumento de la escala de integración de los circuitos VLSI, así como la
continua reducción del tamaño de los componentes pasivos como son
las resistencias y condensadores, ha forzado la aparición de un nuevo
tipo de tecnología, conocido como SMD.
La tecnología SMD, conocida por todos como de “Dispositivos de mon-
taje superficial”, ha producido una reducción enorme del volumen de los
modernos aparatos electrónicos, al tiempo que estos aumentan sus
prestaciones y potencia. El proceso no se ha detenido, y con la aparición
en el mercado de los circuitos integrados de aplicaciones específicas
(AS1C) y de chip programables (PLD, FPLD.PIC) hacen que en un futuro
muy próximo, un solo integrado, o conjunto de ellos realicen por completo
todas las funciones de un aparato.
Paralelo a toda esta tecnología se ha desarrollado otra que, lejos de de-
tenerse, ha seguido progresando, nos referimos a la tecnología híbrida.
Un circuito híbrido es una placa de material aislante, generalmente ce-
rámica, sobre la cual y por medio de un proceso litogràfico con tintas
especiales, se generan e integran componentes pasivos como son las
resistencias y condensadores, siendo el tamaño de estos muy reducido,
por lo que podemos decir que están “integrados”.
Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y
amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-
Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET) se
debe a la constitución del propio transistor.4 ene. 2016

Los MOSFET poseen también 3 terminales: Gate, Drain y Source (compuerta, drenaje
y fuente). A su vez, se subdividen en 2 tipos, los MOSFET canal N y los canal P.

Existen diferentes tipos de MOSFET, dependiendo de la forma cómo están

construidos internamente. Así, tenemos MOSFET de enriquecimiento y MOSFET de
empobrecimiento, cada uno con su símbolo característico. Sin embargo, para efectos
de este artículo simplemente consideraremos que los MOSFET de los que vamos a
hablar son de enriquecimiento, utilizando la simbología antes presentada.

El relé o relevador es un dispositivo electromecánico. Funciona como un interruptor

controlado por un circuito eléctrico en el que por medio de una bobina y un electroimán,
se acciona un juego de uno o varios contactos que permiten abrir o cerrar otros circuitos
eléctricos independientes.22 sept. 2014

El Relevador o Relay, Que es? Como Funciona? Para que sirven ...

https://www.youtube.com/watch?v=DisRPSs_vgg

Buscar: ¿Cómo funciona una relé?

¿Qué es un relé y cómo funciona?
Funciona como un interruptor controlado por un circuito eléctrico en el que, por medio de
una bobina y un electroimán, se acciona un juego de uno o varios contactos que permiten
abrir o cerrar otros circuitos eléctricos independientes.