DIODO SEMICONDUTORES

Professor Lucas Tenório de Souza Silva

1- PRIMEIROS COMPONENTES
1 – Primeiros Componentes (Válvulas)
 A válvula diodo foi o primeiro componente eletrônico,
criada em 1904 por John Ambrose Fleming.
 Foi bastante útil para o desenvolvimento das telecomunicações
e era encontrados em aparelhos de rádio e televisão.
 A válvula diodo era composta por:
 Duas placas metálicas (Anodo e Catodo)
 Capsula de vidro à vácuo
 Filamento Aquecedor
 O funcionamento desta válvula permitia que houvesse fluxo de
corrente elétrica em apenas um sentido:
 Vanodo>Vcatodo : havia fluxo de elétrons do catodo ao anodo.
 Vanodo<Vcatodo: não havia passagem de corrente.
PRIMEIROS COMPONETRES
 A válvula Triodo foi criada depois e era similar à válvula
diodo, mas como uma placa entre o catodo e o anodo,
denominada grade.
 A grade serviu para exercer controle do fluxo de elétrons,
criando-se a possibilidade de amplificar sinais elétricos.
PRIMEIROS COMPONETRES
 Apenar de tentativas de desenvolver dispositivos
semicondutores na década de 20, apenas na década de 40, com
a teoria atômica e quântica em pleno vapor, foi possível
desenvolver a física do estado sólido e obter conhecimento
sobre estrutura, propriedade e comportamento dos
semicondutores.
 O primeiro dispositivo semicondutor construído foi chamado
de diodo semicondutor e este substituiu a válvula diodo
com vantagens como:
 Baixo consumo de energia
 Dimensões bem menores
2 – DIODO E SIMBOLOGIA
2 – DIODO E SIMBOLOGIA
 O diodo é um componente eletrônico que é simplesmente
uma junção PN e sua principal função é permitir que haja
corrente em apenas um sentido.
 O símbolo do diodo retificador é uma seta com uma barra na
ponta. O sentido desta seta depende da junção PN e cada
terminal do diodo recebe uma denominação:
 Anodo (A): conectado à pastilha P.
 Catodo (C ou K): conectado à pastilha N.
2 – DIODO E SIMBOLOGIA
 Como já explicado, ao criar a junção, surge nesta uma camada
de depleção com uma barreira de potencial V, que a 25°C é
de aproximadamente 0,7V para os diodos de silício e 0,3V
para os diodos de germânio.
 O valor V pode modificar com a temperatura da junção.
3 - POLARIZAÇÃO DA JUNÇÃO
3 – POLARIZAÇÃO DA JUNÇÃO
 3.1 – Polarização Reversa ou Inversa:
 Um diodo é polarizado reversamente quando o potencial do catodo
é maior do que o do anodo. VA  VC
 A dinâmica desta polarização faz com que os portadores
majoritários de cada material sejam atraídos pelos polos da
bateria, e desta forma: a camada de depleção, a barreira de
potencial se tornam maiores e a resistência do diodo
aumenta e o fluxo dos portadores majoritários reduz a zero.
3 - POLARIZAÇÃO DA JUNÇÃO
 Como o fluxo dos portadores majoritário é zero, é considerado que
o diodo esta no estado de bloqueio (corte)
 Por outro lado, a corrente do diodo “IR“ se resume a uma corrente
muito pequena formada por portadores minoritários, que
circula no sentido contrário ao da seta do símbolo do diodo, e pode
ser facilitada pela temperatura do ambiente. Esta corrente é
chamada de corrente de saturação reversa (Ir, Is).
I R  I min oritário
3 - POLARIZAÇÃO DA JUNÇÃO
 3.2 – Polarização Direta:
 Um diodo esta polarizado diretamente, quando o potencial no anodo
é maior do que o do catodo. VA  VC
 Nesta situação é preciso chamar atenção para duas situações:
 Quando Va-Vc < V: os portadores majoritário ainda não
possuem energia suficiente para vencer a barreira de
potencial, e assim o estado do diodo continua sendo
bloqueado.
 Quando Va-Vc > V: os portadores majoritários são repelidos em
direção à junção, reduzindo a camada de depleção, a
barreira de potencial e a resistência interna do diodo, e
assim ocorre um intenso fluxo dos portadores majoritários,
resultando no aumento exponencial da corrente elétrica (ID
ou IF). Neste caso o estado do diodo é de condução.
3 - POLARIZAÇÃO DA JUNÇÃO
 Observe que a corrente Id esta no mesmo sentido da “seta”.
I D  I majoritários  I min oritário
4 - CURVA CARACTERÍSTICA
4 - CURVA CARACTERÍSTICA
 Curva Característica do Diodo é o gráfico de tensão e
corrente que expressa o comportamento do diodo. A curva é
dividida em três regiões:
 Região de Condução (1)
 Região de Bloqueio (2) (1)
 Região de Ruptura (3)
 Parâmetros da curva:
(2)
 Vd: Tensão direta (sentido)
 Id: Corrente direta(sentido)
(3)
 Vr: Tensão reversa(sentido)
 Ir: Corrente inversa(sentido)
 Vz ou VBr: Tensão de ruptura ou breakdown voltage.
 V ou Vk (Knee:joelho) :tensão da barreira de potencial ou limiar de
condução.
4 - CURVA CARACTERÍSTICA
 Analisando melhor a curva, é possível equacionar a curva nas
regiões de bloqueio e condução. A equação é conhecida como
equação de Shockey e definida da seguinte maneira:

 Sendo: I D  I S (eVD nVT

 1)
 Is: corrente de saturação reversa
 Vd: tensão direta aplicada ao diodo
 n: fator de idealidade:
 1: componente integrado
 2: componente discreto
k  TK
 Vt: tensão térmica dada por: VT 
 K: Constante de Boltzmann q
 Tk: Temperatura em Kelvin
 q : carga do elétron
4 - CURVA CARACTERÍSTICA
 Exemplo do calculo de Vt à 1,38 10 23  300
uma temperatura de 27°C: VT  19
 25,875mV  26mV
1,6 10 C
k : 1,38 10 23 J / K
TK : 273  27  300 K
q : 1,6 10 19 C
 Voltando a equação de
Shockey, pode-se simplificá-la
para os diferente valores de
VD (observe que Is é
baixíssima).
I D  I S eVD nVT
 IS

 I S eVD nVT
, para : VD  0

I D 0 , para : VD  0
I , para : VD  0 Equação -----
 S Real
4 - CURVA CARACTERÍSTICA
 Dependendo do material semicondutor, pode-se
encontrar diferentes curvas características.
 Germânio: V =0,3V
 Silício: V =0,7V
4 - CURVA CARACTERÍSTICA
 Para o mesmo componentes, a temperatura também
modifica curvas características.
 Na polarização direta:
 A curva desloca para esquerda 2,5mV/°C
 Na polarização reversa:
 A corrente dobra a cada elevação de 10°C
5 – RESISTÊNCIAS DO DIODO
5 – RESISTÊNCIAS DO DIODO
 Como o diodo é um componente não linear, o ponto de
operação (Vd,Id) move-se apresentando diferentes resistências.
 Segundo Boylestad, é possível determinar três tipos de
resistências:
1. Resistência CC Estática: A tensão aplicada aos terminais do
diodo é contínua (CC), então o ponto de operação Q(Vd,Id) é
estático e a resistência pode ser calculada por:
VD
RD 
ID
 Exemplo:
 Para uma corrente de 20mA, a resistência será:
0,8
A(0,8V ;20mA)  RD   40
0,02
5 – RESISTÊNCIAS DO DIODO
2. Resistência AC Dinâmica: Nesta situação, além da tensão
contínua, também é aplicada um pequeno sinal AC que provoca
o deslocamento do ponto de operação Q(Vd,Id). Para determinar
a resistência dinâmica traça-se uma reta tangente passando apenas
pelo ponto quiescente Q (invariável) e determina o inverso do
coeficiente angular: V
rd (Q)  d
I d
 Exemplo:
 rd para uma corrente de 25mA:
0,8  0,78
Q1(0,79V ;25mA)  rd   2
0,03  0,02
 rd para Q2 ?

 Observe que rd (minúsculos)

5 – RESISTÊNCIAS DO DIODO
3. Resistência AC Média: Esta situação é similar à anterior, pois é
aplicado tensão contínua e alternada, mas o valor do sinal AC é
grande o suficiente para causa uma grande variação na corrente.
Para determinar a Resistência Média traça-se uma reta secante e
utiliza os pontos de máximo e mínimo :
Vd max  Vd min
rav 
 Exemplo: I d max  I d min

 rav para variação de 2mA a 17mA:

0,725  0,650
rav   5
0,017  0,002
6 – CAPACITÂNCIA DO DIODO
6 – CAPACITÂNCIA DO DIODO
 A medida que a frequência da fonte aumenta, efeitos parasitas
capacitivos aparecem e afetam o valor da impedância do diodo,
podendo este não mais desempenhar sua função no circuito.
 Existem dois tipos de efeitos capacitivos à analisar:
 Capacitância de Transição (CT): é o efeito capacitivo
predominantemente quando o diodo esta polarizado
reversamente. Observa-se que a medida que a tensão inversa
aumenta, mais cargas descobertas (íons) surgem, similar ao
carregamento do capacitor. A
Q  C V C 
 :permissividade do dielétrico d
 A: área das placas (área transversal da junção)
 W ou d: largura ou distância. A
CT  
W
6 – CAPACITÂNCIA DO DIODO
 Capacitância de Difusão (CD): é o efeito capacitivo
predominantemente quando o diodo é polarizado diretamente.
Observa-se que a medida que a tensão direta aumenta, ocorre uma
variação no número de portadores injetados, o que representa uma
variação da carga total, similar ao carregamento do capacitor.
Q  C V
A
C 
d

 Gráfico de capacitâncias x tensão; e circuito equivalente:

7 – TEMPO DE RECUPERAÇÃO
7 – TEMPO DE RECUPERAÇÃO REVERSA (Trr)
 O tempo de recuperação reversa é tempo que leva para o
diodo bloquear após transitar do estado de condução para
não condução.
 O tempo Trr da maioria dos diodos é na faixa de nano a micro
segundos, mas em chaveamento de alta velocidade, este
tempo pode chega a centenas de picosegundos.
 O tempo de recuperação reversa é dado pela soma do:
 Tempo de Armazenamento (Ts)
 Tempo de Transição (Tt)
8 - PRINCIPAIS PARÂMETROS ELÉTRICOS
8 – PRINCIPAIS PARÂMETROS ELÉTRICOS
 Corrente Máxima Direta (IDM ou IFM): corrente máxima quando
o diodo esta polarizado diretamente.
 Tensão Reversa Máxima (VBR ou VRRM): valor de máximo de
tensão que o diodo suporta quando esta polarizado reversamente.
 Potência Máxima de Dissipação (PDM ou PFM): potência
máxima dissipada quando o diodo esta polarizado diretamente.
PDM  VD  I D

 Tensão direta (VF): máxima tensão polarizado diretamente

 Corrente de Saturação Reversa (IR)
 Tempo de Recuperação Reversa (trr): tempo que leva para o
diodo bloquear após transitar do estado de condução para não
condução.
8 - PRINCIPAIS PARÂMETROS ELÉTRICOS
9 - TESTE E IDENTIFICAÇÃO
9 – TESTE E IDENTIFICAÇÃO DO DIODO
 O teste é feito baseado na utilização da fonte do
multímetro para fazer o diodo funcionar nas condições de
condução e bloqueio. Então para fazer é necessário:
 Configurar o multímetro na escala de diodo ou resistência baixa e
conhecer a polaridade das ponteiras, que geralmente é:
 Multímetro Analógico: Preta (+) e Vermelha(-)
 Multímetro Digital: Vermelha(+) e Preta (-)
 Conhecer os terminais do diodo:
 Anodo (+)
 Catodo (-)
9 - TESTE E IDENTIFICAÇÃO
 O procedimento para fazer o teste do diodo pode ser vista
nas figuras a seguir:
10 - DETERMINAÇÃO DA CORRENTE
10 – DETERMINAR CORRENTE DO DIODO
 A corrente do diodo pode ser determinada matematicamente
por duas maneiras:
 Utilizando a Curva Característica do diodo na região direta (deve ser
entregue a curva)
 Utilizado um Modelo do Diodo ( escolhe-se o modelo mais adequado
para situação).
10 - DETERMINAÇÃO DA CORRENTE
 10.1 – UTILIZANDO A CURVA CARACTERISTICA:
 A corrente é determinada utilizando apenas a parte da curva em
que o diodo esta diretamente polarizado. Com esta curva é
traçada a reta de carga do diodo.
 A reta de carga é uma reta que identifica o ponto de operação
(Tensão-VD e Corrente-ID) do diodo em um determinado
circuito.
 A reta de carga é utilizada porque o diodo é um componente não
linear, e assim não obedece as lei de Ohm.
 Para traçar a reta de carga é preciso obter:
 A curva característica do diodo na região direta
 Ponto de corrente mínima (corte): (VD=Vfonte ; ID=0A)
 Ponto de corrente máxima (saturação): ( VD=0V ; ID=V/R)
 O ponto de operação, também chamado de ponto quiescente é o
ponto de interseção da reta de carga com a curva característica do
diodo.
10 - DETERMINAÇÃO DA CORRENTE
 Exemplo: Qual o ponto de operação do circuito abaixo?
 Ponto de saturação: I=20mA ;VD=0V
 Ponto de corte: I=0mA ;VD=2V
 Ponto de operação: I=12mA; VD=0,78V
 Obs.: O resistor de 100Ω é necessário para limitar a corrente
do diodo (ID < IDM). I 
V
DMAX
CC
RL

(VD min , I DMAX ) VDMAX  VCC

(VDQ , I DQ )

(VDMAX , I D min )
10 - DETERMINAÇÃO DA CORRENTE
 10.2 – MODELOS DO DIODO
 O diodo é um componente não linear (visto por sua curva
característica), então para facilitar a análise dos circuitos geralmente
o diodo é modelado de três formas, quando esta em condução:
 Modelo Linearizado
 Modelo de Queda de Tensão Constante
 Modelo de Ideal
 Em todos os modelo, a região de ruptura é desconsiderada e o
diodo só permite fluxo de corrente em uma única direção.
10 - DETERMINAÇÃO DA CORRENTE
 10.2.1 – Modelo Linearizado:
 Considera a tensão limiar de condução (V)
 Representa por uma rampa com inclinação 1/RD (inverso da
resistência do diodo).
 Desconsidera a região de ruptura (Breakdown).
10 - DETERMINAÇÃO DA CORRENTE
 10.2.2 – Modelo de Queda de Tensão Constante
 Considera a tensão limiar de condução (V)
 Representa por uma reta vertical passando pelo ponto (V,0)
 Desconsidera a região de ruptura (Breakdown) e a resistência interna
do diodo.
10 - DETERMINAÇÃO DA CORRENTE
 10.2.3 – Modelo de Diodo Ideal:
 O diodo tem funcionamento como uma chave ideal
 Polarização Direta: chave fechada
 Polarização Reversa: chave aberta
 Desconsidera a tensão limiar de condução, região de ruptura
(Breakdown) e a resistência interna do diodo.
10 - DETERMINAÇÃO DA CORRENTE
 10.2.4 – Exercício com Modelos:
 Considerando os três modelos de diodo apresentados anteriormente,
encontre a corrente que passa pelo diodo.
EXERCÍCIOS
LIVRO: Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
BOYLESTAD, R.;
 Pagina: 45 a 47;
 Seção 1.6 – 15, 17 e 19; Seção 1.8 – 28 a 30; 34-35 ; Seção 1.9
– 36 a 38 ..... total(11)
 Pagina: 106 a 109;
 Seção 2.2 – 1 e 4; Seção 2.3 – 5 e 6; Seção 2.3 – 11; Seção 2.4 –
18 e 19; .... Total (7)
LIVRO: Dispositivos Semicondutores: Diodos e
Transistores. MARQUES, A.;
 Página 34, 35 e 36
 Todos os Exercícios Proposto Impares do Livro (6)