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EXPERIENCIA N° 4

EL TRANSISTOR BIPOLAR

I. INTRODUCCION

El transistor bipolar es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto


ya sea de dos capas de material tipo “n” y una de tipo “p” o dos capas de
material tipo “p” y una de tipo “n”. El primero se denomina transistor NPN, en
tanto que el último recibe el nombre de transistor PNP.
El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en función
de la señal de entrada. Esta variación de resistencia provoca que sea capaz de
regular la corriente que circula por el circuito al que está conectado. Los
transistores son dispositivos activos con características altamente no lineales.
Por ello en esta experiencia reconoceremos ambos tipos de transistores así
como las características de polarización de los transistores bipolares.

II. INFORME PREVIO

A. RESPONDA LAS SIGUIENTES PREGUNTAS.


1.¿Qué es un transistor BJT?

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PNmuy cercanas entre sí,
que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de
la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electronesnegativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones;
pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como
la tecnología TTL o BICMOS.

2.¿Cuáles son las tres zonas de funcionamiento del transistor?

Zona de Trabajo de los Transistores


Se denominará punto de trabajo o punto Q del transistor, a aquel par de valores IC, VCE de la recta
de carga, que el transistor tiene en unas condiciones de trabajo determinadas por el circuito en el
que se encuentra.

Para determinar el punto Q, de manera gráfica, dibujamos la recta de carga en la gráfica IC, VCE
de las curvas de salida que da el fabricante, y en el punto de intersección de esta recta con la curva
característica cuya IB coincida con la IBQ calculada anteriormente, será el punto de trabajo.

La recta de carga se dibuja igualmente mediante dos puntos, que son los de corte con los ejes, es
decir cuando IC=0 y cuando VCE=0.

Según la posición del punto Q en la recta de carga, se establecen las tres zonas de funcionamiento
del transistor, con unas características diferenciadas.

Estas zonas o regiones de acuerdo a lo anterior son:


- Zona activa:

Es una amplia región de trabajo comprendida entre corte y saturación, con unos valores
intermedios tanto de IC como de VCE.

El transistor trabajando en la zona activa se suele utilizar en la electrónica de las comunicaciones.

La potencia disipada ahora es mayor, ya que ambos términos tienen un valor intermedio.

- Zona de corte:
Corresponde a un punto Q con una IC prácticamente nula y un voltaje VCE elevado. Si hacemos
nula la IB, la IC=ICEO, es decir tendrá un valor muy pequeño, y por lo tanto la c.d.t. en RC será
mínima con lo que VCE=VCC.
El transistor en corte se puede comparar con un interruptor abierto entre colector y emisor.
La potencia que disipa el transistor tanto en corte como en saturación es mínima, ya que uno de
los coeficientes en ambos casos es prácticamente nulo.
- Zona de saturación:

Corresponde a un punto Q con una IC elevada (depende de la RC) y un voltaje VCE muy pequeño no
menor a un valor denominado de saturación VCEsat.

Los valores típicos de VCEsat son del orden de 0,3v.

Cuando el transistor esta saturado, se puede comparar a un interruptor cerrado entre colector y
emisor.
3.¿Qué es el punto de saturación del transistor? ¿Cuál es la condición para
la saturación?
El transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta;
en ese caso se permite la circulación de corriente entre el colector y el emisor
y el transistorse comporta como si fuera un interruptor cerrado.
Un transistor BJT en un dispositivo electrónico capas de entregar una señal eléctrica de
salida proporcional a una señal de entrada. Un transistor es un dispositivo semiconductor
que consta de tres capas de semiconductor. Las capas de semiconductor se dopan de
acuerdo a la estructura del mismo. El transistor de unión bipolar o transistor BJT, puede
configurarse como NPN o PNP de acuerdo al orden de sus capas.

Las terminales de un transistor BJT son E de emisor, B de base y C de colector. El termino


bipolar hace referencia a que los huecos y los electrones participan en el proceso de
inyección hacia el material opuestamente polarizado. Se puede modelar como la unión de
2 diodos.
Puede encontrar transistor en nuestra tienda virtual de HETPRO.
La configuración que veremos en este tutorial para el transitor BJT es la del emisor común.
Se pretende evaluar su comportamiento en corte y saturación. Este modo de
comportamiento es también conocido como interruptor o transistor como interruptor.

4.¿Qué es el punto de corte del transistor? ¿Cuál es la condición para el


corte?
El transistor bjt se puede usar en circuitos de control en los cuales es
necesario activar o desactivar algún dispositivo, para ello se lo polariza para que
trabaje en regiones de corte y saturación en forma alternada, se dice que el
transistor bjt trabajará como conmutador, como interruptor o como switch.
El uso del bjt en corte y saturación es muy útil, por ejemplo si se tiene un
circuito mediante el cual se quiere controlar el encendio y el apagado de una
bombilla, pero resulta que el circuito no es capaz de suministrar suficiente
corriente para encender la bombilla, es en estos casos que se utiliza el bjt en corte
y saturación.
Transistor en corte o en saturación

El funcionamiento del transistor depende de la


cantidad de corriente que pase por su base.

Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros terminales; se dice
entonces que el transistor está en corte, es como si se tratara de un interruptor abierto.
El transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso se
permite la circulación de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se comporta como
si fuera un interruptor cerrado.
El transistor trabaja en conmutación cuando puede pasar
de corte a saturación según la cantidad de corriente que
reciba por su base.

En la animación, el ventilador (representado por una M) sólo funcionará cuando la temperatura


sea alta. La ventaja de utilizar el transistor y no un interruptor convencional es que el transistor
corta o reanuda la corriente de forma mucho más rápida.

5.¿Qué significa la polarización del transistor BJT?


La polarización del bjt se realiza mediante tensión continua y consiste en
preparar el transistor para que trabaje en la región activa dentro de un circuito en
el cual se le quiere utilizar, se busca que a través del colector circule una
cantidad de corriente IC, y a su vez se obtenga una tensión entre el colector y el
emisor VCE para esa cantidad de corriente IC, a esto se le llama obtener el punto
de operación o punto Q del transistor. La corriente IC va depender de la corriente
en la base IB que exista en la malla de entrada, esto porque IC=β*IB, la VCE
dependerá de la malla de salida del circuito, para ver esto será de utilidad uso de
las curvas características y la ecuación de recta de carga.
Para realizar los circuitos de polarización del bjt es importante tener en cuenta
siempre las siguientes características vistas anteriormente que son IC=β*IB,
IE=IC+IB pero para los cálculos se asume que IE≈IC esto porque IB es muy
pequeña en comparación con IC, y ademas que la tensión base emisor VBE=0,7V.

6.¿Qué es el punto Quiescente “punto Q” o punto de operación del


transistor?

Punto de trabajo Q y recta de carga estática de un transistor

Punto de trabajo
El transistor bipolar que opera en la región lineal tiene unas características
eléctricas lineales que son utilizadas para amplificación. En estos circuitos, las
señales de entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte
de energía realizado a través de fuentes de tensiónexternas denominadas fuentes
de alimentación o fuentes de polarización.
Las fuentes de alimentación cubren dos objetivos: proporcionar
las corrientes y tensiones en continua necesarias para que el transistor opere en
la región lineal y suministrar energía al transistor de la que parte de ella va a ser
convertida en potencia (amplificación). Los valores de corrientes y tensiones en
continua en los terminales de un transistor se denomina punto de trabajo y se
suele expresar por la letra Q (Quiescent operating point).

7.¿Mencione los tipos de configuración del transistor?

Configuración emisor común

La tensión de entrada se aplica entre base y emisor, y la tensión amplificada se obtiene entre
colector y emisor. Esta configuración se denomina amplificador con emisor común, y es
el circuito más utilizado por su alta ganancia de tensión y corriente.

Para que una señal sea amplificada tiene que ser una señal de corriente alterna.

No tiene sentido amplificar una señal de corriente continua, por que ésta no lleva ninguna
información.

En un amplificador de transistores están involucradas los dos tipos de corrientes (alterna y


continua).

La señal alterna es la señal a amplificar y la continua sirve para establecer el punto de operación
del amplificador.

Este punto de operación permitirá que la señal amplificada no sea distorsionada.

Configuración base común


Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero se toman
como tal, debido a la pequeña diferencia que existe entre ellas, y que no afectan en casi nada a
los circuitos hechos con transistores, por esto es la menos usada de las tres y se
dice que no tiene ganancia

Configuración colector común


El amplificador seguidor emisor, también llamado colector común, es muy útil pues tiene una
impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida baja.

Esta configuración sólo tiene ganancia de corriente, siendo la tensión de salida


apenas 0,6V inferior a la de entrada

Nota: La impedancia de entrada alta es una característica deseable en un amplificador pues, el


dispositivo o circuito que lo alimenta no tiene que entregarle mucha corriente (y así cargarlo)
cuando le pasa la señal que se desea amplificar.

8.Para el siguiente circuito, determine el punto Q (Icq, Vceq):


V2
12 V

R1 R3
68kΩ 2.2kΩ

Q2

2N2222

R2 R4
15kΩ 680Ω

Figura 1
9.Grafique la curva Ic vs Vce, “recta de carga” del circuito de la figura 1,
para obtener el valor de β del transistor 2N2222 (remítase a la hoja de
características “datasheet” del transistor).
10. ¿Qué determina la ubicación del punto Q en la recta de carga?

La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la


corriente y la tensión del diodo. Las rectas de carga son especialmente útiles para
los transistores, por lo que más adelante se dará una explicación más detallada
acerca de ellas.

Estas son las distintas formas de analizar los circuitos con diodos:

 EXACTA POR TANTEO: Ecuación del diodo exponencial y ecuación


de la malla.
 MODELOS EQUIVALENTES APROXIMADOS: 1ª aproximación, 2ª
aproximación y 3ª aproximación.
 DE FORMA GRÁFICA: Recta de carga.

Hasta ahora hemos visto las 2 primeras, la tercera forma de analizarlos es de


forma gráfica, esto es calculando su recta de carga.
Si de la ecuación de la malla, despejamos la intensidad tenemos la ecuación de
una recta, que en forma de gráfica sería:

A esa recta se le llama "recta de carga" y tiene una pendiente negativa.

El punto de corte de la recta de carga con la exponencial es la solución, el punto


Q, también llamado "punto de trabajo" o "punto de funcionamiento". Este punto
Q se controla variando VS y RS.
Al punto de corte con el eje X se le llama "Corte" y al punto de corte con el eje Y
se le llama "Saturación"

11.

III. MATERIALES Y EQUIPOS

 01 Generador de funciones
 01 Osciloscopio
 01 Fuente DC
 01 Multímetro
 06 Resistencias: 68KΩ, 15KΩ, 2.2KΩ, 680 Ω, 5.6KΩ, 3.3KΩ, ( 1/4
W)
 01 Potenciómetro: 10KΩ
 03 Condensadores: 47 uF (Electrolítico).
 01 Transistor: 2N2222 o equivalente.

IV. EXPERIMENTO N° 1

PROPÓSITO: Implementar y analizar en la práctica la polarización del


transistor 2N2222, verificando el punto Q. Verificar el comportamiento del
transistor como amplificador.
Vcc
12 V
R1 R3
68kΩ 2.2kΩ
C2

C1 Q1 47µF R5
5.6kΩ
2N2222
V1 47µF
10mVpk
1kHz R2
R4
0° 15kΩ C3
680Ω
47µF

Figura 2

PASO 1: Implemente el siguiente circuito con el transistor 2N2222.


PASO 2: Haciendo uso del multímetro tome las siguientes mediciones: Ibq,
Ieq, Icq, Vceq. ¿En qué zona está trabajando?
PASO 3: Genere una señal sinusoidal de Vp =10mV, 1KHz.
PASO 4: Ajuste la fuente de alimentación continua en 12 V.
PASO 5: Haciendo uso del osciloscopio, tome la señal en la salida del circuito.
¿Cómo es la señal de salida respecto a la entrada?
PASO 6: Varié la amplitud del generador de señales a Vp=25mV ¿Cuál es el
efecto?
PASO 7: Varié la amplitud del generador de señales a Vp=500mV ¿Cuál es el
efecto?
PASO 8: Si retira el condensador de 47uF del emisor del transistor ¿Cuál es el
efecto en la salida?

V. EXPERIMENTO N° 2

PROPÓSITO: Implementar y analizar en la práctica la saturación del transistor.


PASO 1: Implemente el siguiente circuito:
R2
R1
10kΩ
3.3kΩ
Key=A 50 %
Q1
V2
2N2222
V1 10 V
10 V

Figura 3.

PASO 2: Alimente el circuito con 2 fuentes DC de 10V.


PASO 3: Ajuste el potenciómetro en 1KΩ
PASO 4: Haciendo uso del multímetro tome nota del voltaje Vce del transistor.
PASO 5: Varíe el valor del potenciómetro hasta conseguir aprox. Vce=0V. ¿Se
cumple la condición de saturación?

VI. INFORME FINAL


1. Presente resultados obtenidos en esta práctica de acuerdo a los
experimentos y pasos ejecutados ordenadamente, incluyendo los gráficos
obtenidos en la realización de esta experiencia. Esto es indispensable para
la validación de la realización de esta experiencia.
2. Verifique si los valores teóricos de Icq y Vceq, obtenidos del circuito de la
figura 1, coinciden con los valores obtenidos experimentalmente en la
realización de esta experiencia.
3. Realice los cálculos teóricos y la simulación del circuito de la figura 2, para
obtener el voltaje de salida (Vo) y la ganancia de tensión Av = Vo/Vi, haga
una comparación con los datos obtenidos experimentalmente. Utilice datos
del transistor 2N2222 (remítase a la hoja de características “datasheet” del
transistor).
4. Observaciones y conclusiones.

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