SOLUCIONARIO DEL EXAMEN PARCIAL DE CIRCUITOS

ELECTRONICOS 2018-A
TRUJILLO VALENCIA JEAN CARLOS 1613125437

EVALUACION PRÁCTICA
1. En el circuito siguiente todos los diodos son de silicio.
Calcular:

a) La corriente eficaz que circula por el diodo D3.

𝑉𝑚 = 𝑉𝑟𝑚𝑠 × √2

𝑉𝑚 = 120 × √2

𝑉𝑚 = 169.70 𝑣

𝑉𝑚
𝐼𝑚 =
𝑅

169.70
𝐼𝑚 =
1000

𝐼𝑚 = 0.169 𝐴
La corriente eficaz:
𝐼𝑚
𝐼𝐷 =
2

0.169
𝐼𝐷 =
2

𝐼𝐷 = 0.084 𝐴
b) El voltaje térmico para las condiciones de operación a 60℃ considerar
diodo de silicio.
𝑚∗𝐾∗𝑇
𝑉𝑡 =
𝑞

1 ∗ 1.38 × 10−23 ∗ (60 + 273)

𝑉𝑡 =
1.6 × 10−19

𝑉𝑡 = 0.0287 𝑣

c) La resistencia dinámica con la que se opone el diodo D3 al paso de la

corriente.
𝑉𝑇
𝑅𝑑 =
𝐼𝐷

0.0287
𝑅𝑑 =
0.084
𝑅𝑑 = 0.341 Ω

d) La corriente de saturación inversa del diodo D3.

𝑉𝑚
𝐼𝑚 =
𝑅

169.70
𝐼𝑚 =
1000

𝐼𝑚 = 0.169 𝐴
2. Calcular el punto de reposo Q (VDQ, IDQ) y su correspondiente ecuación de recta
de carga (E.R.C) 𝑌 = 𝑚𝑋 + 𝑏 del diodo D3 del circuito cuando ambas mallas esta
alimentada por una fuente de corriente continúa de 12 v.

a) VDQ=?
𝑉𝐷𝑞 = 1𝑣
b) IDQ=?
𝑉𝐷𝑞 − 1
𝐼𝐷𝑞 =
𝑅

12 − 1
𝐼𝐷𝑞 =
1000

𝐼𝐷𝑞 = 0.011 𝐴

c) IDmax=?
𝑉𝐷𝑞
𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 =
𝑅

12
𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 =
1000

𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 = 0.012 𝐴

d) VDmax=?
𝑉𝐷𝑚𝑎𝑥 = 𝑅 ∗ 𝐼𝐷𝑞 + 1

𝑉𝐷𝑚𝑎𝑥 = 1000 ∗ 0.012 + 1

𝑉𝐷𝑚𝑎𝑥 = 13 𝑣
 e) E.R.C=?
𝑉 = 𝐼𝐷 ∗ 𝑅 + 𝑉𝐷
𝑉 = 0.012 ∗ 1000 + 1

13 = 13

3. En la siguiente tabla del primer cuadrante del diodo:

ID(mA) 0 1 Y 10 W
VD(V) X 0.1 0.5 Z 0.7

a) Completar los valores de tensión y corriente del diodo.

Sabemos:
𝐼𝐷1 𝑉𝐷1 −𝑉𝐷2
= 𝑒 𝑉𝑇
𝐼𝐷2
Dónde:
𝑉𝑇 = 26𝑚𝑉

 Para X :
𝑋=0
 Para Y:
10−3 0.1−0.5
= 𝑒 26𝑚𝑣
𝑌

𝑌 = 4802.347 𝐴
 Para Z:
1 0.1−𝑍
= 𝑒 26𝑚𝑣
10

𝑍 = 0.15986 𝑣
 Para W:
 1 0.1−0.7
= 𝑒 26𝑚𝑣
𝑊

𝑊 = 1.052398 ∗ 1010 𝑚𝐴
b) Calcular la resistencia Calcular la resistencia estática en cada punto.
Sabemos:
𝑉𝐷
𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑒𝑠𝑡𝑎𝑡𝑖𝑐𝑎 =
𝐼𝐷
 Punto 1:
No hay resistencia estática.

 Punto 2:
0.1
𝑅𝑒 =
10−3

𝑅𝑒 = 100 𝛺
 Punto 3:
0.5
𝑅𝑒 =
4802.347

𝑅𝑒 = 1.0411 ∗ 10−4 𝛺
 Punto 4:
0.15986
𝑅𝑒 =
10 ∗ 10−3

𝑅𝑒 = 15.986 𝛺
 Punto 5:
0.7
𝑅𝑒 =
1.052398 ∗ 1010 ∗ 10−3

𝑅𝑒 = 6.6514 ∗ 10−11 𝑚𝛺
c) Calcular la corriente de saturación inversa sabiendo que es un diodo de
germanio y se encuentra operando a 35 ℃ y puede manejar la corriente
máxima de 1A.

1 ∗ 1.38 × 10−23 ∗ (35 + 273)

𝑉𝑡 =
1.6 × 10−19
 𝑉𝑡 = 0.026565𝑣

𝑉𝐷
ID = i0 [𝑒 𝑉𝑇 − 1]

0.2
1 = i0 [𝑒 0.026565 − 1]

I0 = 5.377 ∗ 10−4 𝐴

d) La resistencia dinámica cuando esta es alimentada con una fuente de

12v(RMS)/60Hz con una resistencia limitadora de 0.5K conectada en serie.

VT
R d(𝛺) =
ID(rms)
Hallamos ID(rms) :

12v − ID(0.5∗103 ) − 0.2 = 0

12 − 0,2
𝐼𝐷 =
0,5 ∗ 103

𝐼𝐷 = 23,6𝑚𝐴

26𝑚𝑉
𝑅𝐷 =
23,6𝑚𝐴

𝑅𝐷(𝛺) = 1,101(𝛺)
4. Diseñar una fuente de alimentación regulada por diodo zener para manejar una
carga de 100v a 0.5A denotar cada uno de los valores de los componentes.

a. VDC:
𝑉𝐷𝐶𝑚𝑖𝑛 =? ?

𝑉𝐷𝐶 = 𝑉0 + 3
𝑉𝐷𝐶 = 100 + 3
𝑉𝐷𝐶 = 103

b. IDC:
𝐼𝐷𝐶 =? ?
𝐼𝑍 = 0.2𝐴
𝐼𝐷𝐶 = 𝐼𝑍 + 𝐼𝐿
𝑃𝑍 ∗ 𝐼𝑍
𝐼𝐷𝐶 = + 𝐼𝐿 = 0.2𝐴
10
𝐼𝐷𝐶 = 1.00𝐴 + 0.5𝐴
𝐼𝐷𝐶 = 1.5𝐴

c. R:
𝑉𝑅 𝑉𝐷𝐶 − 𝑉0
𝑅= →
𝐼𝑅 𝐼𝐷𝐶

103 − 100
𝑅= = 2𝛺
1.5

d. VR:
𝑉𝐷𝐶 = 𝑉𝑅 + 𝑉0
𝑉𝑅 = 𝑉𝐷𝐶 − 𝑉0
𝑉𝑅 = 103𝑉 − 100𝑉
𝑉𝑅 = 3𝑉
 e. PZ:

𝑃𝑍 = 𝑉𝑍 ∗ 𝐼𝑍

𝑃𝑍 = 100(0.5)

𝑃𝑍 = 50𝑊

f. PR:

𝑃𝑅 = (𝐼𝑅 )2 ∗ 𝑅

𝑃𝑅 = (1.5)2 (2)

𝑃𝑅 = 4.5𝑊

EVALUACION TEORICA
1. La resistencia estática puede definirse como:
d) Ninguna de las afirmaciones anteriores.
2. Demostrar que el potencial de contacto de un diodo de germanio está
comprendido en el intervalo de 0.2-0.3v denotar además los parámetros
correspondiente a:
a. VT (voltaje térmico) =26mV
b. ND(concentración donadora) = 1016
c. NA(concentración aceptadora) =1014
d. NI(contracción intrínseca del GE)= 2.36x1013
e. Φ=0.194≈0.2 V

3. Los parámetros que especifican al diodo rectificador 1N4148 son:

a) VPI: 75v
b) IR: 5 µA
c) VF: 1.0 v
d) IF: 150mA