ECUACION DE CONTINUIDAD

• Como la conductividad depende de la concentración de

portadores
• Para un semiconductor necesitamos calcular la variación de
concentración de portadores de cargas (huecos o electrones)

• Temporal 𝑛 𝑡 𝑜 𝑝(𝑡)
• La variación puede ser
• Espacial 𝑛 𝑥 𝑜 𝑝(𝑥)

• Generación
• Fenómenos que afectan la
• Recombinación
concentración
• Corriente

1
 A
pp0 - NA
Ip + dIp
Ip np0 – ni2/NA

Generac. Recomb
x
0 dx
Semiconductor tipo N con ND impurezas donadoras
𝑑𝑝𝑛
= Generación – Recombinación + Corriente entrante – Corriente saliente
𝑑𝑡

Variación de la concentración de electrones en un semiconductor tipo P por efecto

de Generación, Recombinación y Corriente

𝑑𝑛𝑝 𝑥, 𝑡 𝑛𝑝0 − 𝑛𝑝 𝑥, 𝑡 𝑑 𝑛𝑝 𝑥, 𝑡 𝐸 𝑥, 𝑡 𝑑 2 𝑛𝑝 𝑥, 𝑡
= − 𝜇𝑛 − 𝐷𝑛
𝑑𝑡 𝜏𝑛 𝑑𝑥 𝑑𝑥 2

2
𝑑𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑑 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝐸 𝑥, 𝑡 𝑑2 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡
= − 𝜇𝑝 + 𝐷𝑝
𝑑𝑡 𝜏𝑝 𝑑𝑥 𝑑𝑥 2

Variación de la concentración de huecos en un semiconductor tipo N por efecto

de Generación, Recombinación y Corriente

APLICACIÓN DE LA ECUACION
1- Supongo un semiconductor tipo N con:
𝑑𝑝𝑛 𝑥
• Densidad espacial de portadores constante =0
𝑑𝑥

• Sin campo eléctrico aplicado E = 0

• Se aplica un transitorio temporal de energía

3
𝑑𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑑 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝐸 𝑥, 𝑡 𝑑 2 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡
= − 𝜇𝑝 + 𝐷𝑝
𝑑𝑡 𝜏𝑝 𝑑𝑥 𝑑𝑥 2

𝑑𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡
=
𝑑𝑡 𝜏𝑝
SOLUCION
−𝑡 𝜏𝑝
𝑝𝑛 𝑡 = 𝑝𝑛 0 − 𝑝𝑛0 𝑒 + 𝑝𝑛0

Pn(0)
Pn(t)
Δ𝑝𝑛

pn0
t=0 t
4
2 - Supongo una barra de semiconductor tipo N con:
𝑑𝑝𝑛 𝑡
• Densidad temporal de portadores constante =0
𝑑𝑡

• Sin campo eléctrico aplicado E = 0

• Se inyecta una concentración 𝑝𝑛 0 huecos en x = 0
• 𝑝𝑛 0 ≪ 𝑛𝑛0 ≈ 𝑁𝐷
𝐶𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡.

𝑝𝑛 0 𝑁𝐷
𝐽𝑝𝐷
huecos electrones

𝑝𝑛0

0 𝑊𝑁 𝑥
• Como es la distribución espacial 𝑝𝑛 𝑥 de los huecos en la barra
𝑑𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑑 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝐸 𝑥, 𝑡 𝑑 2 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡
= − 𝜇𝑝 + 𝐷𝑝
𝑑𝑡 𝜏𝑝 𝑑𝑥 𝑑𝑥 2
𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥 𝑑2 𝑝𝑛 𝑥
0= + 𝐷𝑝
𝜏𝑝 𝑑𝑥 2
𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥 𝑑2 𝑝𝑛 𝑥
= −𝐷𝑝
𝜏𝑝 𝑑𝑥 2
𝑑 2 𝑝𝑛 𝑥 𝑝𝑛 𝑥 − 𝑝𝑛0
2
=
𝑑𝑥 𝜏𝑝 𝐷𝑝

𝑝′𝑛 𝑥 = 𝑝𝑛 𝑥 − 𝑝𝑛0 ← Cambio de variables → 𝜏𝑝 𝐷𝑝 = 𝐿2𝑝

𝑑 2 𝑝′𝑛 𝑥 𝑝′𝑛 𝑥
=
𝑑𝑥 2 𝐿2𝑝
6
 −𝑥 𝐿 𝑥
𝐿𝑝
Solución de la Ecuación diferencial → 𝑝′𝑛 𝑥 = 𝐾1 𝑒 𝑝 + 𝐾2 𝑒
• Como 𝑝′𝑛 𝑥 no puede ser ∞ para 𝑥 → ∞ 𝐾2 = 0
• Cuando 𝑥 = 0 → 𝑝′𝑛 𝑥 = 𝑝′𝑛 0 ⇒ 𝐾1 = 𝑝′𝑛 0
−𝑥 𝐿
𝑝′𝑛 𝑥 = 𝑝′𝑛 0 𝑒 𝑝

−𝑥 𝐿
𝑝𝑛 𝑥 = 𝑝𝑛 0 − 𝑝𝑛0 𝑒 𝑝 + 𝑝𝑛0

𝐶𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡.

𝑝𝑛 0 𝑁𝐷
𝐽𝑝𝐷
𝑝𝑛 𝑥
huecos 𝑝′𝑛 0 electrones

𝑝𝑛0

0 𝐿𝑝 𝑊𝑁 𝑥 7
 • 𝐿𝑝 = 𝐷𝑝 𝜏𝑝 • 𝐿𝑝 → 𝐿𝑜𝑛𝑔𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑑𝑒 𝐷𝑖𝑓𝑢𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑕𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠

Longitud • Distancia promedio que recorre un hueco

de dentro de la barra semiconductora antes de
difusión recombinarse con un electrón

• Tendremos una corriente por

• La distribución de los huecos que
difusión que se calcula como
ingresan en la barra
semiconductora tipo N tiene un
𝑑𝑝𝑛 𝑥
gradiente de concentración 𝐽𝐷𝑝 = −𝑞 𝐷𝑝
𝑑𝑥

−𝑥 𝐿 𝑑𝑝′𝑛 𝑥 𝑝′𝑛 0 − 𝑥
𝐿𝑝
𝑝′𝑛 𝑥 = 𝑝′𝑛 0 𝑒 𝑝
=− 𝑒
𝑑𝑥 𝐿𝑝

𝑝′𝑛 0 − 𝑥
𝐿𝑝
𝐽𝐷𝑝 𝑥 = 𝑞𝐷𝑝 𝑒
𝐿𝑝
8
 𝑝′𝑛 0 − 𝑥
𝐿𝑝
𝐽𝐷𝑝 𝑥 = 𝑞𝐷𝑝 𝑒
𝐿𝑝
𝑝′𝑛 0 𝐷𝑝
𝐽𝐷𝑝 0 = 𝑞𝐷𝑝 𝐽𝐷𝑝 0 =𝑞 𝑝𝑛 0 − 𝑝𝑛0
𝐿𝑝 𝐿𝑝
𝐽𝐷𝑝 0 = 𝐽𝜇𝑛 𝑊𝑁 𝐽𝜇𝑛 𝑊𝑁 = 𝑞 𝑛𝑛0 𝜇𝑛 𝐸
𝐽𝐷𝑝 0
𝐸 =
𝑞 𝑛𝑛0 𝜇𝑛
𝐽

𝐽𝐷𝑝 0 𝐽𝜇𝑛 𝑊𝑁
𝐽𝐷𝑝 𝐽𝜇𝑛

𝐽𝜇𝑛 𝑥
huecos 𝐽𝐷𝑝 𝑥 electrones

0 𝐿𝑝 𝑊𝑁 𝑥