INSTITUTO TECNOLÓGICO DE AGUSCALIENTES

DEPARTAMENTO INGENERIA ELÉCTRICA ELECTRÓNICA

ING. ELECTRÓNICA
Diodos y Transistores

Docente:Alejandro Sanchez Barroso

Alan David Regalado Zuñiga
Aguascalientes, Ags 22 de octubre del 2018.
Diodo túnel
Incrementando el nivel de dopaje de un diodo opuesto, podemos conseguir que la disrupción se produzca
en 0 V.
Además, el fuerte dopaje distorsiona la curva en la región directa, como se muestra en la Figura 5.38a. Un
diodo que responde a una gráfica como ésta se denomina diodo túnel.

Figura 1 Diodo opuesto. (a) La disrupción tiene lugar a _0,1 V. (b) Circuito para rectificar una señal alterna
débil.

Figura 1

La figura 1.2 b) muestra el símbolo esquemático de un diodo túnel. Este tipo de diodo presenta un fenómeno
conocido como resistencia negativa, lo que quiere decir que un incremento en la tensión directa genera una
disminución en la corriente directa, al menos en la parte de la gráfica comprendida entre VP y V. La resistencia
negativa de los diodos túnel es útil en los circuitos de alta frecuencia conocidos como osciladores. Estos
circuitos son capaces de generar una señal sinusoidal, similar a la que produce un generador de alterna.
Pero, a diferencia del generador de alterna, que convierte energía mecánica en una señal sinusoidal, un
oscilador convierte energía continúa en una señal sinusoidal. En los próximos capítulos veremos cómo
construir osciladores.
Diodo PIN
Un diodo PIN es un dispositivo semiconductor que funciona como una resistencia variable para la frecuencia
de RF y microondas. La Figura 5.39a muestra cómo se construye. Consta de un material semiconductor
intrínseco (puro) colocado entre los materiales de tipo p y de tipo n. La Figura 5.39b muestra el símbolo
esquemático del diodo PIN.
Cuando este diodo está polarizado en directa, actúa como una resistencia controlada por corriente. La Figura
1.3 c) ilustra cómo disminuye la resistencia serie RS del diodo PIN cuando aumenta la corriente directa.
Cuando está polarizado en inversa, el diodo PIN se comporta como un condensador de valor fijo. Este diodo
se usa ampliamente en circuitos moduladores de RF y microondas.
El varactor

Los diodos varicap o varactores son diodos que se utilizan como capacitores variables controlados por tensión.

• Se basan en la capacidad de transición (CT) de una unión PN polarizada inversamente.

• Se utilizan frecuentemente en electrónica de comunicaciones para realizar moduladores de frecuencia, osciladores

controlados por tensión, control automático de sintonía, etc.

El varactor (también denominado condensador controlado por tensión, varicap, epicap y diodo de sintonización) se emplea
ampliamente en receptores de televisón, receptores de FM y otros equipos de comunicaciones, ya que puede utilizarse en
mecanismos de sintonización electrónica.
Idea básica
En la Figura 5.31a, la zona de deplexión se encuentra entre la región p y la región n. Las regiones p y n son como las placas
de un condensador y la zona de deplexión es como el dieléctrico. Cuando un diodo está polarizado en
inversa, la anchura de la zona de deplexión aumenta con la tensión inversa. Dado que la zona de deplexión se hace más
ancha cuanto mayor es la tensión inversa, la capacidad se hace más pequeña. Esto es como alejar las placas del
condensador. La idea básica es que la capacidad está controlada por la tensión inversa.
Circuito equivalente y símbolo
La Figura 5.31b muestra el circuito equivalente de alterna para un diodo polarizado en inversa. En otras palabras, con una
señal alterna, el varactor se comporta igual que un condensador variable. La Figura 5.31c muestra el símbolo esquemático
de un varactor. La inclusión de un condensador en serie con el diodo es simplemente un recordatorio de que un varactor es
un dispositivo que ha sido optimizado en sus propiedades de capacidad variable.
La capacidad disminuye para tensiones inversas altas
La Figura 5.31 d) muestra cómo varía la capacidad con la tensión inversa. Esta gráfica ilustra que la capacidad disminuye
cuando la tensión inversa aumenta. Lo realmente importante es que la tensión continua inversa controla la capacidad.
Características del varactor
Puesto que la capacidad está controlada por tensión, los varactores han reemplazado a los condensadores de sintonización
mecánicos en muchas aplicaciones, como son los receptores de televisión y las radios de automóviles. Las hojas de
características de los varactores especifican un valor de referencia de la capacidad medida para una tensión inversa
específica, normalmente entre _3 V y _4 V. La Figura 5.32 muestra una hoja de características parcial de un diodo varactor
MV209. Especifica una capacidad de referencia Ct de 29 pF para una tensión de –3 V.
Además de proporcionar el valor de referencia de la capacidad, normalmente, las hojas de características especifican una
relación de capacidades, CR, o rango de sintonización asociado con un rango de tensiones. Por ejemplo, junto con el valor
de referencia de 29 pF, la hoja de características de un MV209 muestra una relación de capacidades mínima de 5 :1 para
una rango de tensiones comprendido entre –3 V y –25 V. Esto significa que la capacidad, o rango de sintonización, disminuye
desde 29 a 6 pF cuando la tensión varía entre –3 V y –25 V.
El rango de sintonización de un varactor depende del nivel de dopaje. Por ejemplo, la Figura 5.33a muestra el perfil de
dopaje para un diodo de unión abrupta (el tipo normal de diodo). El perfil muestra que el dopaje es uniforme en ambos lados
de la unión. El rango de sintonización de un diodo de unión abrupta está entre 3:1 y 4:1. Para obtener rangos de sintonización
mayores, algunos varactores tienen una unión hiperabrupta, aquella que tiene un perfil de dopaje como el mostrado en la
Figura 5.33b. Este perfil nos dice que el nivel de dopaje aumenta a medida que nos aproximamos a la unión. Este fuerte
dopaje produce una zona de deplexión más estrecha y una capacidad mayor. Además, las variaciones de la tensión inversa
tienen efectos más pronunciados en la capacidad.
Un varactor con una unión hiperabrupta tiene un rango de sintonización de aproximadamente 10:1, suficiente para sintonizar
una radio AM en su rango de frecuencias de 535 a 1605 kHz. (Nota: se necesita un rango de 10:1, porque la frecuencia de
resonancia es inversamente proporcional a la raíz cuadrada de la capacidad.)

El diodo Schottky
A medida que aumenta la frecuencia, el funcionamiento de los diodos rectificadores de pequeña señal comienza a
deteriorarse. Ya no pueden conmutar tan rápidamente como para generar una señal de media onda bien definida. La
solución para este problema se encuentra en los diodos Schottky. Antes de entrar a describir este diodo de propósito
especial, veamos cuál es el problema que se plantea con los diodos normales de pequeña señal.
INFORMACIÓN ÚTIL
Los diodos Schottky son, relativamente, dispositivos de alta corriente, capaces de conmutar rápidamente a la vez que
proporcionan corrientes en directa en las vecindades de los 50 A. También merece la pena destacar que los diodos Schottky
normalmente presentan tensiones de disrupción bajas comparadas con las de los diodos rectificadores normales de unión
pn.

Almacenamiento de carga
La Figura 5.27a muestra un diodo de pequeña señal y la Figura 5.27 b ilustra sus bandas de energía. Como se puede ver,
los electrones de la banda de conducción se han difundido a través de la unión y se han desplazado hacia la región p antes
de recombinarse (camino A). De forma similar, los huecos han atravesado la unión y se han desplazado a la región n antes
de producirse la recombinación (camino B).
Cuanto mayor es el tiempo de vida, mayor cantidad de cargas pueden desplazarse antes de producirse la recombinación.
Por ejemplo, si el tiempo de vida es igual a 1 _s, los electrones libres y los huecos existen durante un tiempo medio de 1 _s
antes de que la recombinación tenga lugar. Esto permite a los electrones libres penetrar profundamente en la región p,
donde permanecen almacenados temporalmente en la banda de mayor energía. De forma similar, los huecos penetran
profundamente en la región n, donde permanecen almacenados temporalmente en la banda de menor energía.
Cuanto mayor es la corriente directa, mayor es el número de cargas que tienen que atravesar la unión. Cuanto mayor es el
tiempo de vida, más profunda es la penetración de esas cargas y más tiempo permanecen en las bandas de mayor y menor
energía. El almacenamiento temporal de los electrones libres en la banda de mayor energía y de los huecos en la banda de
menor energía es lo que se conoce como almacenamiento de carga.
El almacenamiento de carga produce corriente inversa
Cuando se intenta conmutar de directa a inversa un diodo, el almacenamiento de carga crea un problema.
¿Por qué?
Porque si de repente se polariza el diodo en inversa, las cargas almacenadas fluirán en la dirección inversa
durante un rato. Cuanto mayor sea el tiempo de vida, durante más tiempo esas cargas pueden contribuir a
incrementar la corriente inversa. Por ejemplo, suponga que un diodo que está polarizado en directa de repente
se polariza en inversa, como se muestra en la Figura 5.28a. Entonces, durante unos instantes, puede existir
una corriente inversa grande debida al flujo de las cargas almacenadas, como se ve en la Figura 5.28b. Hasta
que las cargas almacenadas atraviesen la unión o se recombinen, la corriente inversa se mantendrá.

Tiempo de recuperación inverso

El tiempo que tarda en cortarse un diodo polarizado en directa se denomina tiempo de recuperación inverso
trr. Las condiciones para medir trr varían de un fabricante a otro. En la práctica, trr es el tiempo que tarda la
corriente inversa en caer a un 10 por ciento de la corriente directa. Por ejemplo, el 1N4148 tiene un trr de 4
ns. Si este diodo tiene una corriente directa de 10 mA y de repente se polariza en inversa, tardará
aproximadamente 4 ns en que la corriente inversa disminuya a 1 mA. El tiempo de recuperación inverso es
tan pequeño en los diodos de pequeña señal que su efecto no se notará a frecuencias por debajo de 10 MHz.
Sólo cuando se trabaje a frecuencias por encima de 10 MHz habrá que tener en cuenta trr.
Rectificación pobre a altas frecuencias
¿Qué efecto tiene el tiempo de recuperación inverso sobre la rectificación? Fíjese en el rectificador de media
onda de la Figura 5.29a. A frecuencias bajas, la salida es una señal de media onda rectificada. Sin embargo,
cuando la frecuencia entra en el rango de los megahercios, la señal de salida comienza a desviarse de la
forma de media onda,
como se muestra en la Figura 5.29b. En las proximidades del semiciclo inverso se detecta cierta conducción
(aparecen lo que se conoce como colas). El problema es que el tiempo de recuperación de inversa se ha
convertido en una parte significativa del período, permitiendo la conducción durante la primera parte del
semiciclo negativo. Por ejemplo, si trr _ 4 ns y el período es de 50 ns, la primera parte del semiciclo inverso
presentará colas similares a las mostradas en la Figura 5.29b. A medida que la frecuencia sigue aumentando,
el rectificador deja de ser efectivo.

Eliminación de la carga almacenada

La solución a este problema de las colas se encuentra en un dispositivo de propósito especial: el diodo
Schottky. Este tipo de diodo utiliza un metal, como por ejemplo oro, plata o platino en un lado de la unión y
silicio dopado (normalmente de tipo n) en el otro lado. Debido a la existencia de metal en una lado de la unión,
el diodo Schottky no tiene zona de deplexión. La falta de esta zona implica que no habrá cargas almacenadas
en la unión. Cuando un diodo Schottky no está polarizado, los electrones libres del lado n se encuentran en
orbitales más pequeños que los electrones libres del lado del metal. Esta diferencia en el tamaño de los
orbitales se denomina barrera Schottky, de aproximadamente 0,25 V. Cuando el diodo está polarizado en
directa, los electrones libres del lado n pueden ganar la suficiente energía como para pasar a orbitales más
grandes. Por esta razón, los electrones libres pueden atravesar la unión y entrar en el metal, produciendo
una corriente directa grande. Dado que en el metal no hay huecos, no hay almacenamiento de carga y, por
tanto, tampoco tiempo de recuperación inverso.

Diodo de portadores activos

En ocasiones, el diodo Schottky recibe el nombre de diodo de portadores activos. Este nombre se debe a
que la polarización directa aumenta la energía de los electrones del lado n a un nivel mayor que el de los
electrones del lado metálico de la unión. Este incremento de energía es el que inspiró el nombre de portadores
activos para los electrones del lado n. Tan pronto como estos electrones con mayor energía atraviesan la
unión, caen en el metal, que tiene una banda de conducción de menor energía.
Alta velocidad de conmutación
La falta de almacenamiento de carga se traduce en que el diodo Schottky puede conmutar más rápido que lo
que puede un diodo normal. De hecho, un diodo Schottky puede rectificar fácilmente a frecuencias por encima
de

300 MHz. Cuando se utiliza en un circuito como el de la Figura 5.30a, el diodo Schottky genera una señal de
media onda perfecta, como la mostrada en la Figura 5.30b, incluso a frecuencias por encima de 300 MHz.
La Figura 5.30a muestra el símbolo esquemático de un diodo Schottky. Observe el lado del cátodo, las líneas
simulan una S, de Schottky, lo que facilita recordar que se trata del símbolo esquemático de este dispositivo.
Aplicaciones
La aplicación más importante de los diodos Schottky se encuentra en las computadoras digitales. La velocidad
de las computadoras depende de cómo de rápido conmuten sus diodos y transistores, y aquí es donde entra
el diodo Schottky. Puesto que no tiene almacenamiento de carga, el diodo Schottky se ha convertido en la
columna vertebral de la familia TTL Schottky de baja potencia, un grupo de dispositivos digitales ampliamente
utilizado. Por último, comentar que, dado que el diodo Schottky tiene una barrera de potencial de sólo 0,25
V, ocasionalmente se emplea en rectificadores en puente de baja tensión porque sólo resta 0,25 V en lugar
de los habituales 0,7 V por diodo cuando se aplica la segunda aproximación. Para una fuente de alimentación
de baja tensión, esta menor caída de tensión del diodo es una ventaja.
***
Diodo Avalancha

Es un dispositivo semiconductor diseñado especialmente para trabajar en tensión inversa. En estos diodos, poco
dopados, cuando la tensión en polarización inversa alcanza el valor de la tensión de ruptura, los electrones que
han saltado a la banda de conducción por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo eléctrico
incrementando su energía cinética, de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan; éstos a su
vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberándolos también, produciéndose una avalancha
de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensión.
Referencias
Albert malvino. (2007). Principios de electrónica. McGrawHill.