PRÁCTICA: TRANSISTOR BJT

1. Introducción
2. Material de prácticas
3. El transistor BJT en continua. Polarización
3.1. Circuito autopolarizado
3.2. Circuito de polarización con tensión de base
4. El transistor BJT como amplificador
4.1. Circuito amplificador en Emisor Común
4.2. Circuito amplificador en Colector Común Anexo. Hoja de características del transistor P2N2222

1. Introducción
En esta práctica se abordará el montaje y medida de circuitos con transistores BJT. Para ello, se hará uso del siguiente
instrumental, disponible en el laboratorio de electrónica básica:
- Fuentes de tensión.
- Multímetros digitales (voltímetro y amperímetro).
- Generador de señal.
- Osciloscopio
En el primer apartado, se analizarán dos de los circuitos de polarización más utilizados en amplificadores (circuito
autopolarizado y circuito polarizado con tensión de base), evaluando las distintas zonas de funcionamiento de los
transistores en función de las tensiones y resistencias del circuito de polarización.
En el segundo apartado se abordará el montaje y medida de circuitos amplificadores con transistores BJT. En particular
se obtendrán los principales parámetros de un amplificador en emisor común con resistencia de emisor parcialmente
desacoplada y, posteriormente, de un amplificador configurado en colector común.

Antes de empezar la práctica, el alumno debe leerse la hoja de características del transistor que se va a utilizar en la
misma (2N2222), especialmente la asignación de pines del transistor. El datasheet se encuentra en un anexo al final de
la práctica.

2. Material de prácticas
El material necesario para el desarrollo de la práctica es el siguiente:
a. Protoboard.
b. Resistencias: 47Ω (2); 180 Ω; 150 Ω; 330 Ω; 820 Ω (2); 1 kΩ; 2k2 Ω ; 5k6 Ω .
c. Condensadores: 100F (3).
d. Transistor BJT: NPN P2N2222.
e. Conectores

3. El transistor BJT en continua. Polarización

3.1. Circuito autopolarizado
El objetivo de este apartado es el montaje y medida del circuito mostrado en la figura 1. Se trata de un circuito con
transistor BJT autopolarizado.
12V

RC
820
5k6 6

Q1
Q2N2222

RE
180
820

Figura 1. Circuito autopolarizado con transistor BJT NPN

 Monte en la placa de inserción el circuito autopolarizado de la figura 1. Antes de conectar la alimentación del circuito
asegúrese de que el transistor esté bien montado, es decir compruebe la asignación de los pines.

a) Con la ayuda de los amperímetros y los voltímetros de que dispone en su puesto de trabajo rellene la siguiente
tabla. Recuerde que la tensión se mide en paralelo y la corriente en serie.

IB IC IE VCE VBE VBC β Reg. Oper.

b) Cambie la resistencia R2 del circuito por los valores que se detallan en la siguiente tabla y mida el resto de
parámetros que le piden en la misma. Justifique los resultados obtenidos.

R2 IB IC VBE VCE β Reg. Oper.

330 Ω

2k2 Ω

3.2. Circuito de polarización con tensión de base

Monte en la placa de inserción el circuito de polarización de transistor con fuente de tensión en la base que se
muestra en la figura 2.

5V

RC

2K2

RB Q1
Q2N2222

VD
80

0 0

Figura 2. Circuito de polarización con tensión de base

a- Rellene la siguiente tabla, midiendo los distintos parámetros del transistor para cada uno de los valores de tensión VB
que se indican

VB IB IC VCE VBE VBC Reg. Oper.

0.5V

0.7V

1V

Cambie la fuente de continua VB por una tensión senoidal de 1V de amplitud, frecuencia 1kHz y valor medio
no nulo de 0.7V (ajustar el offset del generador de funciones). Compruebe en vacío (conectando directamente
el generador de funciones al osciloscopio) que la salida del generador es la correcta.

b- Conecte la señal senoidal al circuito y mida con el osciloscopio la tensión de entrada (mídala de nuevo, pues será
distinta a la obtenida en vacío) y la tensión de salida (tensión en el colector).
Represente ambas señales en la gráfica adjunta. Justifique las formas de onda obtenidas.
3. El transistor BJT como amplificador
En este apartado analizaremos el funcionamiento el funcionamiento del transistor BJT como componente principal
de un circuito amplificador. Para ello se medirán los principales parámetros del amplificador, como son la ganancia
en tensión, la ganancia en intensidad, la impedancia de entrada y la impedancia de salida.
Este análisis se realizará tanto para un amplificador en configuración de emisor común como para un amplificador
en colector común.

3.1. Circuito amplificador en Emisor Común

Considere el circuito amplificador en emisor común con resistencia parcialmente desacoplada que se muestra en la
figura 3. La tensión de entrada es una señal senoidal con una amplitud de 150mV y una frecuencia de 1kHz (offset
nulo).

12 V

RC
R1
820
5k6 C2
Vo
Q1
Vin C1 100u

Q2N2222 RL
100u 1k

RE1

R2 47

820

RE2 C3

150 100u

Figura 3. Circuito amplificador en emisor común con RE parcialmente desacoplada

Monte el circuito de la figura 3 en la placa de inserción y ajuste la señal de entrada en vacío (conecte directamente
la salida del generador de funciones al osciloscopio) Realice las siguientes medidas, orientadas a la obtención de
los parámetros del amplificador.

a- Ganancia de Tensión.
Conecte la señal de entrada al amplificador. Conecte el canal 1 del osciloscopio a la entrada del amplificador y el
canal 2 a la salida del mismo. Mida la amplitud y fase de ambas tensiones. Obtenga la ganancia de tensión como el
cociente de la tensión de salida entre la tensión de entrada.

vin= v0= Av=

b- Impedancia de entrada.
Para medir la impedancia de entrada necesitamos medir la tensión de entrada y la intensidad de entrada del
amplificador. Esto último supone un problema, ya que el osciloscopio únicamente mide tensión. Para poder
medir esta intensidad, conectaremos una resistencia externa conocida (en este caso de 47 Ω) entre el punto de
entrada del amplificador y la fuente de entrada. Conocida la tensión en ambos bornes de esta nueva resistencia
podemos determinar la intensidad de entrada, que junto con la tensión de entrada (mídala de nuevo, ya que
habrá cambiado respecto al punto anterior) nos proporcionan la impedancia de entrada.
Recuerde que al medir la tensión con el osciloscopio, forzosamente el terminal negro de cada uno de los canales
tiene que estar conectado a la tierra del circuito.

Vin AMPLIFICADOR
VA 47

vg
Zin

Figura 4. Esquema para el cálculo de la impedancia de entrada del amplificador

iin = vin = Zin =

c- Ganancia de corriente
Para obtener este parámetro necesitamos la intensidad de entrada y la de salida. Para poder obtener la intensidad de
entrada, mantenemos el montaje del punto anterior con la resistencia externa de 47 Ω conectada a la entrada del
amplificador. La corriente de salida la podemos obtener a partir de la tensión de la impedancia de carga y teniendo
en cuenta el valor de ésta (1k Ω).

iin = i0 = Ai =

d- Impedancia de salida.
Para obtener este parámetro, seguiremos los mismos pasos que en teoría, es decir, eliminaremos las fuentes
independientes del circuito (fuente de tensión de entrada) y conectaremos una fuente de test a la salida del
amplificador (sin la resistencia de carga). Obteniendo la tensión y la corriente de esta fuente tendremos la
impedancia de salida. Para obtener la intensidad de la fuente de test conectaremos una resistencia externa entre la
fuente y la salida del amplificador (ver circuito de la figura 5).
La fuente de test tendrá las mismas características (amplitud y frecuencia) que la tensión de entrada del
amplificador.
AMPLIFICADOR
Vin Vout 47 Vt

0 0
0

Figura 5. Circuito para la obtención de la impedancia de salida del amplificador

iout = vout = Zout =

Considere de nuevo el circuito amplificador con resistencia de emisor parcialmente desacoplada mostrado en
la figura 3. Sustituya la resistencia R2 del amplificador por una resistencia de 330 Ω. Mida la tensión de entrada
y de salida y represéntelas en la siguiente gráfica. Indique la región de funcionamiento del amplificador y justifique
los resultados obtenidos.
 Región de funcionamiento:

Sustituya la resistencia R2 del amplificador por una resistencia de valor 2.2k Ω. Dibuje de nueva las tensiones de
entrada y salida del circuito. Indique la región de funcionamiento del amplificador y justifique los resultados.

Región de funcionamiento:

3.3. Circuito amplificador en Colector Común

En este último apartado de la práctica mediremos y analizaremos los parámetros de un amplificador basado en
transistor con configuración de colector común. Se trata del circuito que se muestra en la figura 6, donde el
circuito de polarización es el mismo que el utilizado en el apartado anterior.

Monte el circuito en la placa de pruebas y ajuste midiendo en vacío una tensión de entrada senoidal de 150mV de
amplitud, 1kHz de frecuencia y media nula. Siga las instrucciones dadas en el apartado anterior para la medida y
obtención de los parámetros del amplificador y rellene la tabla adjunta.
 12 V

RC
R1
820
5k6

Q1
Vin C1
Q2N2222

100u C2 Vout

RE1
100u
R2 47

820 RL

RE2 C3 1k

150 100u

0
Figura 6. Circuito amplificador en colector común

Ganancia de Tensión
vin= vout= Av=
Impedancia de Entrada
iin= vin= Zin=
Ganancia de Intensidad
iin= Iout= Ai=
Impedancia de Salida
iout= vout= Zout=

Justifique los resultados obtenidos y compárelos de forma razonada con los que ha obtenido previamente para
el amplificador en configuración de emisor común.
P2N2222A

Amplifier Transistors
NPN Silicon

Features http://onsemi.com
 These are Pb Free Devices*

COLLECTOR
1
MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise noted)

2
Characteristic Symbol Value Unit BASE

Collector Emitter Voltage VCEO 40 Vdc

Collector Base Voltage VCBO 75 Vdc
3
Emitter Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
EMITTER
Collector Current Continuous IC 600 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD 625 mW
Derate above 25C 5.0 mW/C
Total Device Dissipation @ TC = 25C PD 1.5 W TO 92
Derate above 25C 12 mW/C CASE 29
STYLE 17
Operating and Storage Junction TJ, Tstg --55 to C
Temperature Range +150
1 1
THERMAL CHARACTERISTICS 3 2 3

STRAIGHT LEAD BENT LEAD

Characteristic Symbol Max Unit
BULK PACK TAPE & REEL
Thermal Resistance, Junction to Ambient R0JA 200 C/W AMMO PACK

Thermal Resistance, Junction to Case R0JC 83.3 C/W

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum MARKING DIAGRAM
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

P2N2
222A

A = Assembly Location
Y = Year
WW = Work Week
G = Pb Free Package
(Note: Microdot may be in either location)

ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping††
P2N2222AG TO 92 5000 Units/Bulk
(Pb Free)

P2N2222ARL1G TO 92 2000/Tape & Ammo

(Pb Free)
 ††For information on tape and reel specifications,
*For additional information on our Pb Free strategy and soldering details, please including part orientation and tape sizes, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques refer to our Tape and Reel Packaging Specification
Reference Manual, SOLDERRM/D. Brochure, BRD8011/D.

 Semiconductor Components Industries, LLC, 2007 1 Publication Order Number:

April, 2007 Rev. 5 P2N2222A/D
 P2N2222A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25C unless otherwise noted)

Characteristic Symbol Min Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO Vdc
(IC = 10 mAdc, IB = 0) 40 --
Collector Base Breakdown Voltage V(BR)CBO 75 Vdc
(IC = 10 mAdc, IE = 0) --
Emitter Base Breakdown Voltage V(BR)EBO Vdc
(IE = 10 mAdc, IC = 0) 6.0 --
Collector Cutoff Current ICEX nAdc
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 3.0 Vdc) -- 10
Collector Cutoff Current ICBO mAdc
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) -- 0.01
(VCB = 60 Vdc, IE = 0, TA = 150C) -- 10
Emitter Cutoff Current IEBO 10 nAdc
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0) --
Collector Cutoff Current ICEO nAdc
(VCE = 10 V) -- 10
Base Cutoff Current IBEX nAdc
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 3.0 Vdc) -- 20
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE --
(IC = 0.1 mAdc, VCE = 10 Vdc) 35 --
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc) 50 --
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc) 75 --
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, TA = --55C) 35 --
(IC = 150 mAdc, VCE = 10 Vdc) (Note 1) 100 300
(IC = 150 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) (Note 1) 50 --
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc) (Note 1) 40 --
Collector Emitter Saturation Voltage (Note 1) VCE(sat) Vdc
(IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc) -- 0.3
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc) -- 1.0
Base Emitter Saturation Voltage (Note 1) VBE(sat) Vdc
(IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc) 0.6 1.2
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc) -- 2.0
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth Product (Note 2) fT MHz
(IC = 20 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 100 MHz)C 300 --
Output Capacitance Cobo pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) -- 8.0
Input Capacitance Cibo pF
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz) -- 25
Input Impedance hie kfi
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 2.0 8.0
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 0.25 1.25
Voltage Feedback Ratio hre X 10--4
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) -- 8.0
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) -- 4.0
Small Signal Current Gain hfe --
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 50 300
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 75 375
Output Admittance hoe mMho
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 5.0 35 s
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 25 200
Collector Base Time Constant rbCc ps
(IE = 20 mAdc, VCB = 20 Vdc, f = 31.8 MHz) -- 150
Noise Figure NF dB
(IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, RS = 1.0 kfi, f = 1.0 kHz) -- 4.0
1. Pulse Test: Pulse Width S 300 ms, Duty Cycle S 2.0%.
2. fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.

http://onsemi.com
2
 P2N2222A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25C unless otherwise noted) (Continued)

Characteristic Symbol Min Max Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS
Delay Time (VCC = 30 Vdc, VBE(off) = --2.0 Vdc, td -- 10 ns
Rise Time IC = 150 mAdc, IB1 = 15 mAdc) (Figure 1) tr -- 25 ns
Storage Time (VCC = 30 Vdc, IC = 150 mAdc, ts -- 225 ns
Fall Time IB1 = IB2 = 15 mAdc) (Figure 2) tf -- 60 ns

SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS

+30 V +30 V

1.0 to 100 ms, 1.0 to 100 ms, 200

200
+16 V DUTY CYCLE  2.0%
+16 V DUTY CYCLE  2.0%

0 0
--2 V 1 kfi C S *< 10 pF --14 V 1k C S *< 10 pF

< 2 ns < 20 ns
1N914

Scope rise time < 4 ns --4 V

*Total shunt capacitance of test jig,
connectors, and oscilloscope.
Figure 1. Turn On Time Figure 2. Turn Off Time

1000
700
500
300
h FE , DC CURRENT GAIN

200

100
70
50
30
20

10
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 700 1.0 k
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. DC Current Gain

http://onsemi.com
3
 P2N2222A

VCE , COLLECTOR EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0
0.005 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 4. Collector Saturation Region

200 500
IC/IB = 10
300
100 TJ = 25C
70 200
tr @ VCC = 30V
50
td @ VEB(off) = 2.0V
100
30 td @ VEB(off) = 0
t, TIME (ns)

t, TIME (ns)

70
20 50
30
10
7.0 20
5.0
10
3.0 7.0
2.0 5.0
5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500

IC, COLLECTOR CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 5. Turn On Time Figure 6. Turn Off Time

10 10

8.0 8.0
NF, NOISE FIGURE (dB)

NF, NOISE FIGURE (dB)

6.0 6.0

4.0 4.0

2.0 2.0

0 0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 50 100 200 500 1.0 k 2.0 k 5.0 k 10 k 20 k 50 k 100 k

f, FREQUENCY (kHz) RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)

Figure 7. Frequency Effects Figure 8. Source Resistance Effects

http://onsemi.com
4
 P2N2222A

f T, CURRENT GAIN BANDWIDTH PRODUCT (MHz)

30 500

20
300
CAPACITANCE (pF)

10 200

7.0

5.0
100

3.0 70

2.0 50
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
REVERSE VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 9. Capacitances Figure 10. Current Gain Bandwidth Product

1.0 +0.5

0.8 0
COEFFICIENT (mV/C)
V, VOLTAGE (VOLTS)

--0.5
0.6
--1.0
0.4
--1.5

0.2
--2.0

0 --2.5
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500

IC, COLLECTOR CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 11. ““On”” Figure 12. Temperature Coefficients

Voltages

http://onsemi.com
5
 P2N2222A

PACKAGE DIMENSIONS

TO 92 (TO 226)
CASE 29 11
ISSUE AM

NOTES:
A B STRAIGHT LEAD 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
BULK PACK 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R
R IS UNCONTROLLED.
4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND
P BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
L
SEATING
PLANE K
INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.175 0.205 4.45 5.20
B 0.170 0.210 4.32 5.33
C 0.125 0.165 3.18 4.19
D 0.016 0.021 0.407 0.533
X X G 0.045 0.055 1.15 1.39
H 0.095 0.105 2.42 2.66
G J 0.015 0.020 0.39 0.50
H K 0.500 ------ 12.70 ------
L 0.250 ------ 6.35 ------
C N 0.080 0.105 2.04 2.66
P ------ 0.100 ------ 2.54
SECTION X X R 0.115 ------ 2.93 ------
V 0.135 ------ 3.43 ------

NOTES:
A B BENT LEAD
R 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
TAPE & REEL ASME Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.
AMMO PACK 3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND
DIMENSION R IS UNCONTROLLED.
4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P
P AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM.

SEATING MILLIMETERS
PLANE K
DIM MIN MAX
A 4.45 5.20
B 4.32 5.33
C 3.18 4.19
D 0.40 0.54
X X G 2.40 2.80
G J 0.39 0.50
K 12.70 ------
N 2.04 2.66
P 1.50 4.00
C
R 2.93 ------
SECTION X X V 3.43 ------

STYLE 17:
PIN 1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER

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P2N2222A