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Curso: Tema:
Número:
14 de noviembre 21 de noviembre
07
Grupo: Profesor:
Número: Horario:
I. OBJETIVOS
1. Un Multímetro.
2. Un miliamperímetro.
3. Un micro amperímetro.
4. Un voltímetro de c.c.
5. Un transistor BF494B
6. Un osciloscopio.
Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor genera que la
corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto
puede ser utilizado para amplificar la tensión o corriente de entrada. Los BJT pueden ser
pensados como fuentes de corriente controladas por tensión, pero son caracterizados más
simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de
corriente, debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayoría de los BJT
modernos están compuestos de silicio. Actualmente, una pequeña parte de éstos (los
transistores bipolares de heterojuntura) están hechos de arseniuro de galio, especialmente
utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
Funcionamiento
La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
re combinan antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base debe ser menor
al ancho de difusión de los electrones.
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor
(control de corriente), o por la tensión base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la
relación tensión-corriente de la unión base-emisor, la cual es la curva tensión-corriente
exponencial usual de una unión PN (es decir, un diodo).
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones capaces
de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la región del emisor y el bajo
dopaje de la región de la base pueden causar que muchos más electrones sean inyectados
desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de
corriente emisor común está representada por o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa
de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la región activa
directa y es típicamente mayor a 100. Otro parámetro importante es la ganancia de
corriente base común, . La ganancia de corriente base común es aproximadamente la
ganancia de corriente desde emisor a colector en la región activa directa. Esta tasa
usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta
están más precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor
NPN):
NPN
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base
en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.
· Región activa:
· Región inversa:
(Ib =0).
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y
de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande
como para inducir una corriente de colector β veces más grande. (Recordar que Ic = β * Ib).
IV. PROCEDIMIENTO:
a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).Obtener
el β (Usar P1=0 Ω).
d) Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b), y anotar los dato en la
tabla 3 (Por ajuste de P1).
2.
a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib). Obtener el β (Usar
P1= 0Ω)
En el análisis con corriente continua, los condensadores se comportan como circuito
abierto. Se tiene el siguiente circuito:
Aplicando Thevenin
Por dato ya que el transistor 2N3904 está hecho de silicio su VBE = 0.6 V
Se tiene β=IC/IB
RBB = 15.794kΩ
VBB = 22kx12/(22+56)k
VBB = 3.384 V
Ahora
IB= 46.56µA
9.312mA = IC
Entonces
VE = 220(9.312mA)
VE = 2.019 V
VCE = 12 – 9.312x10-3x(1000+220)
VCE = 0.639V
Icmax = 9.836mA
b) Medir los voltajes entre colector – emisor (VCE), entre base – emisor (VBE) y entre
emisor – tierra (VE).
VE = 0.010 V
VBE = 0.6 V
VCE = 0.639 V
c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2
d) Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b) y anotar los datos en la tabla 3 (por
ajuste de P1)
Aplicando Thevenin
Ahora
Se tiene
Entonces
Aplicando Thevenin
Entonces
Aplicando Thevenin
Entonces
Para P1 = 500KΩ
Aplicando Thevenin
RBB = (22k)(500 + 56)k/(22 + 500 + 56)k
RBB = 21.162kΩ
VBB = 0.456 V
Aplicando Thevenin
Para ambos casos, la tabla 2 y 3, los puntos de trabajo se ubican en la zona activa,
debido a ello funcionan como amplificadores.
Esto se puede comprobar también si analizamos lo valores. Si estuviera en la zona de
corte, la corriente de colector sería muy pequeña y el voltaje Vce sería igual al valor de
la fuente Vcc.
Si estuviera en la zona de saturación el voltaje Vce sería cero.
Vemos q el valor de las corrientes de colector y de base dependen del valor de R1, si
cambia su valor, el valor de las corrientes también lo hará.
5. Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este experimento con
respecto al anterior.
A pesar de que el resto del circuito era el mismo para ambos experimentos, los puntos
de trabajo son distintos debido a la gran diferencia que ay entre las ganancias.
Internamente está formado por un cristal que contiene una región P entre dos N
(transistor NPN)
La diferencia que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la polaridad
de sus electrodos
Existen 3 zonas en las que un transistor puede operar, las cuales son: Corte,
saturación y activa.
VII. BIBLIOGRAFIA
Guía de laboratorio