eLab, Laboratorio Remoto de Electrónica

ITESM, Depto. de Ingeniería Eléctrica

PRÁCTICA PB1

CARACTERÍSTICAS DE VOLTAJE CONTRA CORRIENTE DE

TRANSISTORES BIPOLARES

OBJETIVOS

Entender el principio de funcionamiento del transistor bipolar mediante análisis teórico y

experimental.

Obtener experimentalmente las curvas características de voltaje contra corriente para diferentes
tipos de transistores bipolares y partir de éstas medir algunos de sus parámetros de
funcionamiento.

Conocer e interpretar los parámetros de funcionamiento que los fabricantes de transistores

bipolares presentan en sus hojas de especificaciones.

1.1 INTRODUCCIÓN

Principio de funcionamiento y estructura de un transistor bipolar

Una limitación importante de los diodos es la incapacidad de amplificar señales de voltaje y

corriente. Sin embargo, el transistor a diferencia del diodo, si posee la capacidad de amplificación de
este tipo de señales. Un transistor es un dispositivo de tres terminales cuyo principio básico de
operación es que el voltaje entre dos de sus terminales controla el flujo de corriente en la tercera
terminal. Uno de los dos tipos importantes de transistores es el transistor de unión bipolar (BJT,
Bipolar Junction Transistor). El transistor bipolar o BJT es un dispositivo de tres capas de material
semiconductor. En la Figura 1 se muestra una representación física de la estructura básica de dos tipos
de transistor bipolar: NPN y PNP, en dicha figura también se ilustran sus respectivos símbolos
eléctricos.

C C

B B

E E

Transistor Bipolar tipo NPN Transistor Bipolar tipo PNP

Figura 1. Representación física de la estructura básica de dos tipos de transistores bipolares:
NPN y PNP, y sus respectivos símbolos eléctricos.

-1-
PB1 – Curvas características de Transistores Bipolares

El transistor bipolar NPN contiene una delgada región p entre dos regiones n. Mientras que el transistor
bipolar PNP contiene una delgada región n entre dos regiones p. La capa intermedia de material
semiconductor se conoce como región de la base, mientras que las capas externas conforman las
regiones de colector y de emisor. Estas están asociadas a las terminales de base, colector y emisor
respectivamente.

Dado que el transistor tiene dos uniones PN, éste posee cuatro combinaciones de polarización
posibles. La que interesa en esta práctica es la configuración llamada operación en modo activo debido
a que es la que permitirá obtener y estudiar las características voltaje contra corriente del transistor.

Corriente en la terminal de Emisor. En el modo de operación activo directo la corriente de emisor

posee un comportamiento exponencial que es función del voltaje presente entre las terminales emisor -
base, esta relación es dada por:

iE I EOevBE / VT ,

donde VT es el voltaje térmico, vBE es el voltaje entre las terminales base-emisor. La corriente IEO
representa a parámetros eléctricos de la unión.

Corriente en la terminal de Colector. La corriente en la terminal de colector es controlada por el

voltaje presente entre las terminales base-emisor (B-E). Este comportamiento se modela por la
siguiente relación:
iC I S evBE / VT ,

donde, IS es una constante llamada corriente de saturación inversa. La relación entre la corriente de
emisor y de colector es dada por: iC I E , donde es la ganancia de corriente en base común. La
corriente IS también se relaciona con IEO por la ecuación: I S I EO .

Ganancia de corriente de emisor común. La corriente de colector y la corriente de base se encuentran

relacionadas linealmente, estas relaciones se puede expresar como:

iC iC I S ev BE / VT
iB = I BOevBE / VT
iB

Donde el parámetro es la ganancia de corriente en emisor común y es uno de los parámetros

importantes del transistor bipolar. Este parámetro depende en gran medida de las técnicas de
fabricación a las que fue sometido el transistor, así como de la temperatura y del valor de la corriente
de colector. Por lo tanto, el valor de varia para cada tipo de transistor.

Relaciones de corriente en el transistor bipolar.

La Figura 2 muestra un circuito básico con transistor bipolar NPN operando en la región activa,
a esta configuración se le conoce como de emisor común. En dicha figura se muestran las direcciones
de corrientes y polaridad de voltajes.

-2-
PB1 – Curvas características de Transistores Bipolares

C iC
-
n + RC
RB vR
B
p vCE +
+
iB vBE +
+ n
- VCC
VBB -
E -
- iE

Figura 2. Circuito con transistor NPN en configuración emisor común. La figura muestra las
direcciones de corrientes y polaridades de voltajes de tal forma que el transistor opere en el modo
activo directo.

La primera relación de corrientes para el transistor bipolar es obtenida aplicando las leyes
básicas de circuitos eléctricos (para ello se considera al transistor como un nodo).

iE iC iB .

Si el transistor se encuentra operando en el modo activo entonces iC iB . Manipulando estas últimas

ecuaciones es posible obtener las siguientes relaciones.

iE (1 )iB iC iE
1 1 1

Bibliografía

Libro de Texto:
Microelectronics; Circuit Analysis and Design (Chapter 5 and 6)
Donal A. Neamen, McGraw Hill, 3rd Edition, 2007

Libros de Consulta:
Electronic Devices (Chapter 4 and 6)
Thomas L. Floyd, Prentice Hall, 6th Edition, 2002

Electronic Devices and Circuits (Chapter 8, 9 and 10)

Robert T. Paynter, Prentice Hall, 7th Edition, 2006

Electronic Circuits; Analysis, Simulation, and Design (Chapter 7)

Norbert R. Malik, Prentice Hall, 1995

-3-
PB1 – Curvas características de Transistores Bipolares

1.2 ACTIVIDAD PREVIA

Instrucciones

Siga detalladamente las instrucciones para cada uno de los puntos que se presentan en la
presente actividad. Conteste y/o resuelva lo que se le pide en los espacios correspondientes para cada
pregunta. Hágalo de manera ordenada y clara, un punto muy importante es el respeto a las reglas de
ortografía. En el reporte agregue en el espacio asignado gráficas comparativas, análisis de circuitos,
simulaciones en computadora, ecuaciones, referencias bibliográficas, ejemplos, aplicaciones, según sea
el caso.

Desarrollo de la actividad previa

I) Lea detenidamente el capitulo 5 de su libro de texto (El transistor de unión bipolar), y en los libros
de consulta, el material relacionado con transistores bipolares, y conteste lo siguiente:

En la teoría previa se menciono el interés en el modo de operación activo. ¿En que consiste este
modo de operación?
________________________________________________________________________________
______________________________________________________________

Dibuje el conjunto de curvas características voltaje (vCE o vEC) contra corriente (iC) para el circuito
en configuración emisor común.

Explique también cada una de las regiones que integran este conjunto de curvas características.
___________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________

II) Lea detenidamente lo que a continuación se presenta y posteriormente conteste lo que se le pida.

Hoja de especificaciones de transistores bipolares. Los datos que los fabricantes proporcionan en sus
hojas de especificaciones acerca de los dispositivos semiconductores son piezas claves para la correcta
utilización del dispositivo. Estas incluyen gráficas, tablas, identificación de terminales, materiales
utilizados en la construcción del dispositivo, temperaturas de operación, corrientes máximas
permitidas, dimensiones, recomendaciones generales, etc.

A continuación se presenta una lista con los datos más importantes que deben conocerse para una
correcta utilización de un transistor bipolar. Se pide que proporcione una breve explicación para cada
uno de ellos.

-4-
PB1 – Curvas características de Transistores Bipolares

1. Tipo de transistor
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________

2. Valores nominales máximos absolutos (Maximum Ratings) (a una temperatura específica)

_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________

3. Características de apagado (Off characteristics)

_________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________

4. Características de encendido (On characteristics)

_________________________________________________________________________________
________________________________________________________________

5. Características de señal pequeña (Small signal characteristics) (a una corriente y frecuencia de

operación especifica)
_________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________

6. Características de conmutación (switching characteristics) (a una corriente y voltaje específicos)

_________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________

III) Tomando en cuenta la información contenida en la hoja de datos de cada modelo de transistor
bipolar conteste lo siguiente:

A que tipo de transistor bipolar corresponde cada modelo. Llene la siguiente tabla comparativa:

Modelo Tipo de Transistor

2N3904
2N2222A
TIP42A

Posteriormente imprima la hoja de datos del fabricante para los modelos de transistores indicados
en la tabla anterior. Estudie la hoja de datos de cada modelo, encuentre y subraye, en color rojo, los
datos que se presentan en la siguiente tabla (Nota, tome en cuenta que algunos fabricantes pueden
omitir algunos parámetros). Una vez encontrado cada uno de los parámetros indicados, llene la tabla
con los parámetros que se especifican en ella. Considere los parámetros a temperatura ambiente (25°C).

Parámetro 2N3904 2N2222A TIP42A

Corriente máxima en forma
continua en el colector, IC
Disipación máxima de
potencia, PD
Voltaje colector-emisor
máximo, VCEO

-5-
PB1 – Curvas características de Transistores Bipolares

Voltaje de ruptura de colector-

emisor, V(BR)CEO
Ganancia de corriente
de CD, hFE Para IC=1 mA Para IC=1 mA Para IC=-0.3 A
Voltaje de saturación de
colector-emisor, VCE(sat)
Voltaje de saturación de base-
emisor, VBE(sat)
Producto ganancia de corriente-
ancho de banda, fT
Impedancia de entrada, hie
Admitancia de salida, hoe
Ganancia de corriente de señal
pequeña, hfe Para IC=1mA Para IC=1mA

Nota.- El subíndice CEO indica que se mide del colector (C) al emisor (E) con la base abierta (O), IB=0.

Busque en la hoja de datos que proporciona el fabricante para el transistor 2N3904 la curva que
indica la variación de la hfe (ganancia de corriente de pequeña señal) con respecto a la IC. De esta curva
indique el valor de la hfe para los valores de corriente de colector indicados en la siguiente tabla.

IC=0.5 ma IC=1 ma IC=5 ma

Valor de hfe

-6-
PB1 – Curvas características de Transistores Bipolares

1.3 PROCEDIMIENTO

En esta sección se construirán, de forma experimental, las curvas características de voltaje

contra corriente para dos diferentes modelos de transistores bipolares. A partir de ellas se obtendrán
varios parámetros de interés, tales como la ganancia de corriente de CD ( o hFE) y la resistencia de
salida del transistor en un punto de operación específico. Una vez recolectados los datos para cada
modelo de transistor, se pide que a partir de esta información sea identifique el modelo específico de
cada uno.
Para cada una de las mediciones y/o cálculos efectuados se deben agregar enseguida las
unidades respectivas, por ejemplo: para mediciones de voltaje utilizar V, mV, Vrms, etc; para las de
corriente A, mA, Arms, etc; para frecuencia utilizar Hz o rad/s, según el caso; etc.

I) Transistor Bipolar 1

A continuación se describe el procedimiento para la construcción de las curvas características

de voltaje contra corriente correspondiente al transistor bipolar 1. Para ello se utiliza la interfase gráfica
del Laboratorio Remoto de Electrónica (eLab). El circuito utilizado para la construcción de esta familia
de curvas puede observarse en la Figura 3.

IC 0.00 mA

IB + VCE
Transistor
Q 0.00 V
IB
-
0.00 A

Figura 3. Circuito implementado para la construcción de las curvas características de voltaje contra
corriente, VCE contra IC para diferentes valores de corriente de base IB.

a) Construcción de las curvas características de voltaje contra corriente del transistor bipolar.
Para iniciar la construcción de las curvas características de voltaje contra corriente del transistor bipolar
seleccione uno de los 3 transistores disponibles y realice el siguiente procedimiento:

1) Ajuste el valor de la fuente de corriente que controla a IB a 10 A.

2) Enseguida realice incrementos en la fuente de voltaje que controla a VCE iniciando en cero y
terminando en 5 volts. Considere las siguientes recomendaciones:
- Para niveles de voltajes entre 0 y 0.3V se recomiendan incrementos de 0.05 Volts
- Para niveles de voltajes entre 0.3 y 1 V incrementos de 0.1 Volts
- Para niveles de voltaje arriba de 1V incrementos de 0.5 V

3) Observe en la Figura 3 como la corriente IB así como el voltaje VCE se aplican directamente a la
base y entre las terminales de colector-emisor del transistor respectivamente. Una vez seleccionados los

-7-
PB1 – Curvas características de Transistores Bipolares

niveles adecuados de corriente y voltaje, presione el botón “Execute”. Esta acción es la encargada de
aplicar la corriente y el voltaje seleccionados físicamente al dispositivo semiconductor. Para cada nivel
de voltaje VCE aplicado, el sistema mide la corriente IC que se establece en el colector y grafica a la vez
cada punto de voltaje VCE contra corriente IC (manteniendo constante la corriente IB). Enseguida debe ir
ajustando el valor de la fuente VCE, tal y como se indica en el procedimiento anterior de manera que se
vaya construyendo la curva característica de voltaje VCE contra corriente IC para el transistor bajo
prueba.
4) Realice el procedimiento indicado en los pasos 1, 2 y 3 anteriores, pero ahora para corrientes de base
IB de 0 A y 20 A. En total deben de obtenerse 3 curvas características, en donde cada curva
corresponde a un solo nivel de corriente de base IB seleccionada. Para cada curva característica (cada
nivel de corriente de base) debe seleccionarse en la interface gráfica un trazo diferente (plot) e iniciar
en 0 volts para VCE de acuerdo al procedimiento del inciso 2.
5) Una vez obtenidas las curvas características respectivas, si lo desea, puede experimentar para otros
valores de IB, por ejemplo cerca de la zona de corte o en otros puntos intermedios. Pueden graficarse
hasta 5 curvas características para 5 valores de IB para cada transistor.

b) En el siguiente recuadro inserte la grafica con las tres curvas características obtenidas para IB= 0, 10
y 20 A indicando en cada una de ellas el correspondiente valor de IB.

c) Medición del voltaje de colector a emisor de saturación VCE(sat). A partir de las curvas
características indique el nivel de voltaje VCE mínimo requerido para que el transistor opere en la zona
activa, este voltaje se conoce como voltaje de colector a emisor de saturación.
Voltaje VCE mínimo requerido para que el V
CE(sat)=
transistor opere en la zona activa

d) Medición de la beta de CD CD=hFE. La ganancia de corriente de directa (CD) de un transistor es el

cociente de la corriente de CD del colector (IC) entre la corriente de CD de la base (IB). A partir de las
curvas características del transistor obtenidas durante el desarrollo de la práctica calcule la beta de CD
en tres puntos distintos de estas curvas. El primer punto debe ser en el inicio de la zona activa, el
segundo punto en el centro de la zona activa y el último punto en el extremo final de la zona activa. Los
resultados de estos cálculos le servirán para llenar la siguiente tabla.

Punto Q1 Punto Q2 Punto Q3

Para IB=0 A
(inicio de la zona activa) (centro de la zona activa) (extremo de la zona activa)
IC
CD hFE CD= CD= CD=
IB

-8-
PB1 – Curvas características de Transistores Bipolares

Punto Q1 Punto Q2 Punto Q3

Para IB=10 A
(inicio de la zona activa) (centro de la zona activa) (extremo de la zona activa)
IC
CD hFE CD= CD= CD=
IB

Punto Q1 Punto Q2 Punto Q3

Para IB=20 A
(inicio de la zona activa) (centro de la zona activa) (extremo de la zona activa)
IC
CD hFE CD= CD= CD=
IB

¿Compare el valor de la beta de CD obtenida en los diferentes puntos? Escriba sus observaciones en
el siguiente espacio.
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________

e) Medición de la beta de CA ( CA=hfe.). La Figura 4 muestra una grafica y las ecuaciones respectivas
para el cálculo de la beta de corriente alterna (CA) de un transistor.
IC

IC
IB2
CA h fe
IC2 IB VCE const.

IB1
IC1

IC 2 I C1
CA h fe
I B2 I B1
VCE
0
VCE1

Figura 4. Grafica que ilustra la manera de calcular la beta de CA.

Basado en la ilustración de la Figura 4, calcule la beta de corriente alterna para tres puntos distintos de
la zona activa. El primer punto debe ser al inicio de la zona activa, el segundo punto en el centro de la
zona activa y el último punto en el extremo final de la zona activa. Utilice dos curvas consecutivas, por
ejemplo la curva para IB1=10 A y la curva para IB2=20 A. Los resultados de estos cálculos le servirán
para llenar la siguiente tabla.

Punto Q1 Punto Q2 Punto Q3

(inicio de la zona activa) (centro de la zona activa) (extremo de la zona activa)
IC 2 I C1
CA h fe CA=hfe= CA=hfe= CA=hfe=
I B2 I B1

-9-
PB1 – Curvas características de Transistores Bipolares

Compare los valores de beta de CA con los obtenidos para la de beta de CD. Escriba sus
conclusiones enseguida.
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________

f) Medición de la resistencia de salida ro. La Figura 5 muestra una grafica y las ecuaciones
respectivas para el cálculo de la resistencia de salida de un transistor.

IC

IB2
IC2
IC1 1 iC
Pendiente
IB1 r0 vCE
VCE 2 VCE1
ro
I C 2 I C1

VCE
0 VCE1 VCE2

Figura 5. Grafica que ilustra la manera de calcular la resistencia de salida

Basado en la ilustración de la Figura 5 obtenga la resistencia de salida del transistor para cada una de
las curvas características obtenidas en este apartado. Realice la medición de este parámetro tomando
dos puntos de voltaje VCE centrados en la zona activa, enseguida llene la siguiente tabla.

Resistencia de salida ro Resistencia de salida ro Resistencia de salida ro

IB=0 IB=10 IB=20
VCE 2 VCE1 ro = ro = ro =
ro
I C 2 I C1

Compare los valores obtenidos para cada línea de carga. Escriba sus conclusiones enseguida.
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________

g) Medición del voltaje Early VA. La figura 6 muestra una grafica en donde se han ampliado las
curvas características de voltaje contra corriente para diferentes niveles de IB. Observe que al extrapolar
estas curvas hasta una corriente cero, estas tocan el eje de voltaje en VCE = –VA. Este voltaje VA es una
cantidad positiva llamada voltaje Early.

- 10 -
PB1 – Curvas características de Transistores Bipolares

IC
IB3

IB2

IB1

VCE
0
-VA
Figura 6. Ilustración de la forma de medir el voltaje Early a partir de las curvas características de
voltaje corriente.

Tomando como ejemplo lo ilustrado en la Figura 6 mida el voltaje Early para este modelo de transistor.

Voltaje Early VA VA=

h) Medición de la resistencia de salida a partir del voltaje Early. Una vez medido el voltaje Early es
posible medir a partir de él la resistencia de salida. Para cada curva característica, mida nuevamente la
resistencia de salida del transistor, pero ahora utilice el voltaje Early. Considere la corriente de colector
IC para un voltaje VCE igual a cero (el punto en el cual la proyección de la línea imaginaria cruza el eje
vertical).

Resistencia de salida ro Resistencia de salida ro Resistencia de salida ro

IB=0 IB=10 IB=20

VA ro ro ro
ro
IC

Compare estos resultados con los obtenidos en el inciso f). Anote sus conclusiones en las siguientes
líneas.
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________

II) Transistor Bipolar 2

A continuación se describe el procedimiento para la construcción de las curvas características

de voltaje contra corriente correspondiente al transistor bipolar 2. El circuito utilizado para la
construcción de esta familia de curvas es el mismo que se ilustra en la Figura 3, la única diferencia es
que el transistor utilizado corresponde a un modelo diferente al utilizado en la sección I.

a) Construcción de las curvas características de voltaje contra corriente del transistor bipolar.
Para iniciar la construcción de las curvas características de voltaje contra corriente del transistor bipolar
seleccione un segundo transistor y realice el siguiente procedimiento:

3) Ajuste el valor de la fuente de corriente que controla a IB a 10 A.

- 11 -
PB1 – Curvas características de Transistores Bipolares

4) Enseguida realice incrementos en la fuente de voltaje que controla a VCE iniciando en cero y
terminando en 5 volts. Considere las siguientes recomendaciones:
- Para niveles de voltajes entre 0 y 0.3V se recomiendan incrementos de 0.05 Volts
- Para niveles de voltajes entre 0.3 y 1 V incrementos de 0.1 Volts
- Para niveles de voltaje arriba de 1V incrementos de 0.5 V

3) Una vez seleccionados los niveles adecuados de corriente y voltaje, presione el botón “Execute”.
Esta acción es la encargada de aplicar la corriente y el voltaje seleccionados físicamente al dispositivo
semiconductor. Para cada nivel de voltaje VCE aplicado, el sistema mide la corriente IC que se establece
en el colector y grafica a la vez cada punto de voltaje VCE contra corriente IC (manteniendo constante la
corriente IB). Enseguida debe ir ajustando el valor de la fuente VCE, tal y como se indica en el
procedimiento anterior de manera que se vaya construyendo la curva característica de voltaje VCE
contra corriente IC para el transistor bajo prueba.
4) Realice el procedimiento indicado en los pasos 1, 2 y 3 anteriores, pero ahora para corrientes de base
IB de 0 A y 20 A. En total deben de obtenerse 3 curvas características, en donde cada curva
corresponde a un solo nivel de corriente de base IB seleccionada. Para cada curva característica (cada
nivel de corriente de base) debe seleccionarse en la interface gráfica un trazo diferente (plot) e iniciar
en 0 volts para VCE de acuerdo al procedimiento del inciso 2.
5) Una vez obtenidas las curvas características respectivas, si lo desea, puede experimentar para otros
valores de IB, por ejemplo cerca de la zona de corte o en otros puntos intermedios. Pueden graficarse
hasta 5 curvas características para 5 valores de IB para cada transistor.

b) En el siguiente recuadro inserte la grafica con las tres curvas características obtenidas para IB= 0, 10
y 20 A indicando en cada una de ellas el correspondiente valor de IB.

c) Medición del voltaje de colector a emisor de saturación VCE(sat). A partir de las curvas
características indique el nivel de voltaje VCE mínimo requerido para que el transistor opere en la zona
activa, este voltaje se conoce como voltaje de colector a emisor de saturación.
Voltaje VCE mínimo requerido para que el V
CE(sat)=
transistor opere en la zona activa

d) Medición de la beta de CD CD=hFE. La ganancia de corriente de directa (CD) de un transistor es el

cociente de la corriente de CD del colector (IC) entre la corriente de CD de la base (IB). A partir de las
curvas características del transistor obtenidas durante el desarrollo de la práctica calcule la beta de CD
en tres puntos distintos de estas curvas. El primer punto debe ser en el inicio de la zona activa, el

- 12 -
PB1 – Curvas características de Transistores Bipolares

segundo punto en el centro de la zona activa y el último punto en el extremo final de la zona activa. Los
resultados de estos cálculos le servirán para llenar la siguiente tabla.

Punto Q1 Punto Q2 Punto Q3

Para IB=0 A
(inicio de la zona activa) (centro de la zona activa) (extremo de la zona activa)
IC
CD hFE CD= CD= CD=
IB

Punto Q1 Punto Q2 Punto Q3

Para IB=10 A
(inicio de la zona activa) (centro de la zona activa) (extremo de la zona activa)
IC
CD hFE CD= CD= CD=
IB

Punto Q1 Punto Q2 Punto Q3

Para IB=20 A
(inicio de la zona activa) (centro de la zona activa) (extremo de la zona activa)
IC
CD hFE CD= CD= CD=
IB

¿Compare el valor de la beta de CD obtenida en los diferentes puntos? Escriba sus observaciones en
el siguiente espacio.
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________

e) Medición de la beta de CA ( CA=hfe.). La Figura 4 mostrada anteriormente muestra una grafica y

las ecuaciones respectivas para el cálculo de la beta de corriente alterna de un transistor. Basado en
dicha ilustración, calcule la beta de corriente alterna para tres puntos distintos de la zona activa. El
primer punto debe ser al inicio de la zona activa, el segundo punto en el centro de la zona activa y el
último punto en el extremo final de la zona activa. Utilice dos curvas consecutivas, por ejemplo la
curva para IB1=10 A y la curva para IB2=20 A. Los resultados de estos cálculos le servirán para llenar
la siguiente tabla.
Punto Q1 Punto Q2 Punto Q3
(inicio de la zona activa) (centro de la zona activa) (extremo de la zona activa)
IC 2 I C1
CA h fe CA=hfe= CA=hfe= CA=hfe=
I B2 I B1

Compare los valores de beta de CA con los obtenidos para la de beta de CD. Escriba sus
conclusiones enseguida.
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________

f) Medición de la resistencia de salida ro. En la Figura 5 mostrada anteriormente se presenta una

grafica y las ecuaciones respectivas para el cálculo de la resistencia de salida de un transistor. Basado
en la ilustración presentada en la Figura 5 obtenga la resistencia de salida del transistor para cada una

- 13 -
PB1 – Curvas características de Transistores Bipolares

de las curvas características obtenidas en este apartado. Realice la medición de este parámetro tomando
dos puntos de voltaje VCE centrados en la zona activa, enseguida llene la siguiente tabla.

Resistencia de salida ro Resistencia de salida ro Resistencia de salida ro

IB=10 IB=30 IB=50
VCE 2 VCE1 ro = ro = ro =
ro
I C 2 I C1

Compare los valores obtenidos para cada línea de carga. Escriba sus conclusiones enseguida.
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________

g) Medición del voltaje Early VA. Tomando como ejemplo lo ilustrado en la Figura 6 mida el voltaje
Early para este modelo de transistor.

Voltaje Early VA VA=

h) Medición de la resistencia de salida a partir del voltaje Early. Una vez medido el voltaje Early es
posible medir a partir de él la resistencia de salida. Para cada curva característica, mida nuevamente la
resistencia de salida del transistor, pero ahora utilice el voltaje Early. Considere la corriente de colector
IC para un voltaje VCE igual a cero (el punto en el cual la proyección de la línea imaginaria cruza el eje
vertical).

Resistencia de salida ro Resistencia de salida ro Resistencia de salida ro

IB=0 IB=10 IB=20

VA ro ro ro
ro
IC

Compare estos resultados con los obtenidos en el inciso f). Anote sus conclusiones en las siguientes
líneas.
___________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________

1.4 ACTIVIDADES Y CONCLUSIONES FINALES

1) Con los resultados obtenidos directamente de las mediciones trate de identificar los tipos de
transistores bipolares utilizados en la presente práctica.

Tipo de transistor BJT Modelo

Transistor Bipolar 1

Transistor bipolar 2

2) Realice una tabla comparativa para las betas de CD y de CA, complete la siguiente tabla con los
datos obtenidos durante la práctica y realice las comparaciones respectivas.

- 14 -
PB1 – Curvas características de Transistores Bipolares

Punto Q1 Punto Q2 Punto Q3

(inicio de la zona activa) (centro de la zona activa) (extremo de la zona activa)
IC
CD hFE CD=hFE CD= hFE CD= hFE
IB
Para IB=0 A
IC
CD hFE CD= hFE CD= hFE CD= hFE
IB
Para IB=10 A
IC
CD hFE CD= hFE CD= hFE CD= hFE
IB
Para IB=20 A
IC 2 I C1
CA h fe CA=hfe= CA=hfe= CA=hfe=
I B2 I B1

¿Que puede concluir en relación a la tabla anterior? ¿Justifican estos valores de que se considere en la
practica que CA= CD (hfe=hFE)?
___________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________

3) Indique ¿en que consiste el voltaje de ruptura? ¿Que cambios deberían realizarse en la presente
practica para poder medir este voltaje?
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________

4) Anote enseguida sus conclusiones generales de la presente práctica:

___________________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________

- 15 -