TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR (BJT)

Los transistores son dispositivos semiconductores de tres terminales que permiten el control y la regulación de
una corriente mediante una señal relativamente pequeña. Está formado por tres capas de material 2P y 1N o 2N y
1P y se pueden clasificar en dos tipos, NPN y PNP, cuya diferencia reside en el sentido de conducción,
simbolizado por la flecha dibujada en el emisor. Ver fig.1

Figura 1: Aspecto físico, disposición de las junturas y representación esquemática de un transistor.

El emisor está más contaminado que el colector, por lo que la tensión de juntura BE es ligeramente superior a la
tensión de juntura BC (vea la tabla 1 para Q de Si).
QNPN QPNP
VBE 0.7 ∞
VEB ∞ 0.7
VBC 0.69 ∞
VCB ∞ 0.69
VCE ∞ ∞
VEC ∞ ∞

El transistor puede analizarse como un cuadripolo, es decir tomar en cuenta las características de entrada y las
características de salida para establecer las ecuaciones del circuito. Desde el punto de vista de su funcionamiento
eléctrico, los terminales base y emisor se asemejan a un diodo, se producirá una corriente, solamente cuando la
polaridad del diodo base-emisor sea directa. O sea que cuando la diferencia de potencial del elemento
representado por un diodo (base-emisor), sea mayor que la tensión de juntura, éste conducirá. La juntura CB o
CE se polarizan en inversa con objeto de atraer toda la corriente emitida desde el emisor. La Base es un terminal
estrecho y poco contaminado.
Corriente de salida:
La corriente de colector IC depende en forma directa de la corriente IB de manera tal que:
Si no circula corriente por el circuito base-emisor, tampoco circula corriente por
colector-emisor (la corriente IC es prácticamente nula).
Todo aumento (o disminución) de la corriente IB se traduce como un aumento (o disminución) de la corriente
IC.
Se puede afirmar que existe una relación proporcional entre la corriente de base y la corriente de colector
(IC/ IB). Donde β o hfe es un parámetro de ganancia de corriente en DC dado por el fabricante del dispositivo.
Por otra parte, también se observa que valores pequeños de corriente en la base producen una circulación de
corriente en el colector apreciablemente mayor.
El transistor puede operar como una llave donde los dos casos posibles de operación serán:
El transistor como llave abierta (OFF): si la corriente de base es nula, la corriente de colector será
prácticamente cero.
El transistor como llave cerrada (ON): A medida que se aumenta la corriente de base, se incrementa
consecuentemente la corriente de colector hasta que se llega a la zona de saturación.
El transistor como una resistencia variable: si la corriente de base NO es nula, y el Voltaje de salida difiere de
cero.
CONFIGURACIONES DEL Q
Si uno de sus terminales es común a la entrada y salida, se obtiene una configuración:
– Base Común.
– Emisor Común.
– Colector Común
• Base común (BC): α=1; Rentrada pequeña; Rsalida muy grande. (Amplifica votaje y permite adaptar una fuente
de baja resistencia a una carga de alta resistencia)
• Colector común (CC): β elevada; Rentrada muy grande; Rsalida muy pequeña. (Amplifica corriente y adapta
una fuente de alta resistencia de salida a una carga de bajo valor)
• Emisor común (EC): β elevada; Rentrada pequeña; Rsalida grande. (Amplifica voltaje y corriente).

ECUACIONES DEL DISPOSITIVO

Corriente de emisor Corriente de colector

Alfa es el parámetro de ganancia de corriente en base común y su valor oscila entre 0.9 y
0.99

β = α/1-α Beta es la amplificación de corriente en DC en emisor común (40 a 300).

Curvas Características de Entrada y Salida del BJT

Modos del Trabajo del Transistor