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CARACTERISTICAS DE UNA ETAPA AMPLIFICADORA

Characteristics of an amplifier stage

RESUMEN ALEJANDRO DUQUE

La sexta práctica de laboratorio de electrónica I consistió en una extensión del Estudiante de Ingeniería Eléctrica.
análisis del circuito amplificador de pequeña señal construido en la práctica Universidad Tecnológica de Pereira
anterior. El análisis se extendió a las implicaciones de la variación de la Aduque55@hotmail.com
resistencia de emisor a través de un trimmer (Ganancia de voltaje y ancho de
banda), y la determinación del hie real del transistor (Para este caso el 2N3904). JOSE AIMER IDARRAGA
Estudiante de Ingeniería Eléctrica.
PALABRAS CLAVES: Amplificador, ancho de banda, BJT, figura de merito, Universidad Tecnológica de Pereira
ganancia de voltaje, parámetros, pequeña señal, transistor, trimmer. Aimer.idarraga@yahoo.es

ABSTRACT SAMUEL MARÍN

The sixth electronic I laboratory experience consisted in an extension of the Estudiante de Ingeniería Eléctrica.
analysis of the small signal amplifier that was built in the previous experience, Universidad Tecnológica de Pereira
the analysis was extended to the implication of the variation of the emisor Timesabing@hotmail.com
resistance’s value(Voltage gain and bandwidth), this was accomplished through
a trimmer. The real hie of the transistor (2N3904) was also determined.

KEYWORDS: Amplifier, bandwidth, BJT, figure of merit, parameters, small

signal, transistor, trimmer, voltage gain.

1. INTRODUCCIÓN

Continuando con el estudio del circuito amplificador de 2. CONTENIDO

señal, se tiene claro que este es caracterizado a través de
4 factores fundamentales (Amplificación de la banda
pasante, ancho de banda, impedancia de entrada y de 2.1. MATERIALES
salida). Estos factores sirven para determinar el uso que
se le puede dar al circuito amplificador de señal. - Transistor 2N3904.
- Fuente de alimentación DC (FA-851).
La modificación de alguno de los componentes resistivos - Condensadores de 22 μF, 15 μF y 33 μF.
del circuito amplificador de señal afecta de alguna forma - 2 condensadores de 0,1 μF.
los factores que lo caracterizan. Este aspecto es de gran - Resistencias de 39 Ω, 150 Ω, 330 Ω, 560 Ω, 1 kΩ,
utilidad a la hora de optimizar el sistema amplificador o 1.5 kΩ, 2.7 kΩ, y 15 kΩ
cuando se desee adaptarlo para condiciones específicas. - Trimmer de 100 Ω.
- Multimetro Fluke.
Durante la práctica a la que hace referencia este informe, - Osciloscopio Digital (OD-581).
se determino la influencia de la variación de la resistencia - Protoboard.
de emisor sobre la figura de merito (Ganancia de voltaje - Generador de Funciones (GF-587).
y ancho de banda) del circuito amplificador de señal.

Además se busco determinar el parámetro de impedancia 2.2. PROCEDIMIENTO

de entrada en configuración de emisor común (hie) del
transistor usado en el circuito amplificador de señal
construido en la práctica anterior para luego comparar
este valor con el que se puede obtener a través de la
teoría de semiconductores.
Se dio inicio a la práctica con la construcción del circuito
amplificador de pequeña señal basado en el transistor de
unión bipolar (BJT) 2N3904. Se comprobó que este
funcionara tanto de forma estática (Punto de operación
del transistor) como dinámica (Función de amplificación
de la señal suministrada por el generador de funciones
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GF-587), de una manera similar a la del circuito obtenido
en la práctica anterior (Teniendo en cuenta que
seguramente no se estaría trabajando con los mismos
elementos ni bajo las mismas condiciones presentadas en
la práctica anterior)
conectada al condensador) y determinar los datos
deseados para construir la figura de merito para el
circuito amplificador para cada valor de resistencia de
emisor utilizado (Se usaron 3 valores).
De manera adicional, se determino experimentalmente el
parámetro de impedancia de entrada del transistor
conectado en configuración de emisor común (hie) para
cada uno de los valores de resistencia de emisor y se
comparo este valor con el que puede ser calculado a
través de la teoría de semiconductores.

2.3. RESULTADOS

Figura 1, correspondiente al circuito amplificador

operacional construido en la práctica anterior.

Se pasó luego a reemplazar la resistencia de emisor

(150Ω) por una conexión en serie entre un trimmer de
100 Ω y una resistencia de 50 Ω, esto con el fin de
permitir la variación de la resistencia para la parte
dinámica del circuito, sin comprometer las condiciones
ya establecidas para la polarización del transistor.
Imagen 1, correspondiente al circuito amplificador de
señal diseñado desde la practica anterior y construido
como parte inicial de la practica.

Imagen 2, correspondiente a las señales de entrada y de

salida del circuito amplificador de señal.

Figura 2, circuito amplificador de señal donde se

reemplaza la resistencia de emisor por una resistencia
variable conectada en serie con una resistencia fija.

El análisis realizado a partir de este circuito consistió en

variar el trimmer (La parte variable del trimmer iba
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- Determinación experimental del parámetro hie:

Imagen 3, correspondiente al circuito amplificador de
señal con la conexión en serie de resistencia y trimmer R 'L = 375W
como reemplazo de la resistencia de emisor.
h fe = 183.33
h fe R 'L
AV =
hie + (h fe + 1) RE1
h fe R 'L
hie = - (h fe + 1) RE1
AV
- Con RE1= 50Ω

(183.33)(375)
hie = - (184.33)(50) = 1.344k W
6.51
- Con RE1= 100Ω
Imagen 2, correspondiente a las señales de entrada y de
salida del circuito amplificador de señal con la conexión (183.33)(375)
en serie de resistencia y trimmer como reemplazo de la hie = - (184.33)(100) = 1.209k W
3.5
resistencia de emisor.
- Valor obtenido a través de la teoría de semiconductores.
- Datos obtenidos para RE1= 0Ω
f = 35kHz � AVmáx = 66 � 0.7 AV = 46.2 VRC 5.89V
f L �2.4kHz � AV = 45.26 I CQ = = = 9.816mA
RC 600W
f H �703.6kHz � AV = 43.90 I CQ
I BQ = = 5.36 x10 -5 A
- Datos obtenidos para RE1= 50Ω 183.33
f = 35kHz � AVmáx = 6.51 � 0.7 AV = 4.56 0.026
hie = = 485.6W
f L �650 Hz � AV = 4.77 I BQ
f H �2.5MHz � AV = 4.6

- Datos obtenidos para RE1= 100Ω

f = 35kHz � AVmáx = 3.5 � 0.7 AV = 2.4
f L �516 Hz � AV = 2.22
f H �3.05MHz � AV = 2.37
- Figura de merito general:
3. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
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- Se comprendió la utilidad que tiene instalar una

resistencia de emisor para la parte dinámica del circuito
amplificador de señal, la cual es obtener la posibilidad de
variar la ganancia y el ancho de banda del circuito
amplificador de señal como se desee.
- Para permitir el óptimo funcionamiento del circuito
amplificador de señal en su totalidad, su funcionamiento
estático (Circuito de polarización) no se debe ver
afectado por la variación de la resistencia de emisor, es
por eso que se hizo uso del trimmer y una resistencia en
serie.
- Se comprobó que disminuir el valor de la resistencia de
emisor que se conectaba en paralelo al condensador de
acople para la parte dinámica del circuito amplificador de
señal trae dos consecuencias: Disminución de la ganancia
de corriente y por lo tanto de voltaje, y aumento en el
ancho de banda del circuito amplificador de señal.
- Fue posible determinar el valor de la impedancia de
entrada en configuración de emisor común (hie) del
transistor mediante el método experimental, este método
arrojo datos consistentes para dos configuraciones
elegidas.
[1] http://www.google.com
Fecha: lunes 4 de Abril de 2011, hora: 10:05 a.m.
[2]_http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/
electronica/9%20Circuitos%20Amplificadores.pdf
Fecha: lunes 4 de Abril de 2011, hora: 10:06 a.m.
[3]_http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSIST
OR-AMPLIFICADOR-EMISOR-COMUN.php
Fecha: lunes 4 de Abril de 2011, hora: 11:15 a.m.
[4]_http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
Fecha: lunes 4 de Abril de 2011, hora: 11:40 a.m
[5] R.L. Boylestad, L. Nashelsky, “Electrónica: Teoría
de ciruitos y dispositivos electrónicos”, 8
ed., Prentice Hall, 2003, pp. 389-426.
[6] A. P. Malvino, “Principios de Electrónica”, 5 ed.,
McGraw-Hill, 1996, pp 309-330.
[7] Apuntes del curso de Electrónica I.

- Al comparar los dos valores de hie determinados de

forma experimental y compararlos con el valor obtenido
a través de la teoría de semiconductores, se encontró una
gran diferencia entre estos.

- Se logro establecer que esta diferencia se debe

principalmente a 3 razones:

- Incertidumbre en la determinación del β del

______transistor.

- Error propio de las medidas (Calibración de los

_____instrumentos de medición).

- El principal motivo de variación entre los valores

_____obtenidos a través de ambos métodos, es que el
_____número 0.026 que hace parte de la expresión de la
_____teoría de semiconductores, es un valor que se
_____determino en condiciones experimentales
_____totalmente contraladas, mientras que en el
_____laboratorio se podría decir que se trabaja a
_____condiciones extremas.

4. BIBLIOGRAFÍA