UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA)

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA
E.A.P DE INGENIERÍA ELECTRICA

INDICE

1. INTRODUCCION……………………………………………………………………………..……2

2. MARCOTEORICO………………………………………………………………………..………..3
2.1. RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE AMPLIFICADOR CON BJT……………….…3
2.2. GRAFICOS REPRESENTATIVOS……………………………………………………….…………4

3. MATERIALES Y EQUPOS UTILIZADOS……………………………………………….……5

4. PROCEDIMIENTO…………………………………………………………………………………5

5. RESULTADO………………………………………………………………………………..………6

6. CUESTIONARIO…………………………………………………………………………..………8

7. CONCLUSIONES…………………………………………………………………………………11

8. BIBLIOGRAFIA……………………………………………………………………………………11

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 1. INTRODUCCION

Los análisis realizados hasta ahora se han limitado a una frecuencia particular. Para el
amplificador, fue una frecuencia que normalmente permitía ignorar los efectos de los
elementos capacitivos, reducir el análisis a uno que incluía sólo elementos resistivos y
diversas fuentes independientes y controladas. A continuación veremos los efectos de la
frecuencia introducidos por los elementos capacitivos más grandes de la red a bajas
frecuencias, dispositivo activo a altas frecuencias, veremos también las frecuencias de
corte en el siguiente esquema.

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 2. Marco teorcio
2.1. RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE AMPLIFICADOR CON
BJT

En la región de alta frecuencia, la red RC de interés tiene la configuración que

aparece en la figura 9.52. A medida que la frecuencia se incrementa, la magnitud
de la reactancia XC se reduce, con el resultado de un efecto de cortocircuito a
través de la salida y una reducción de la ganancia. La derivación que conduce a
la frecuencia de corte de esta configuración RC sigue líneas semejantes a las
encontradas para la región de baja frecuencia. La diferencia más significativa
radica en la siguiente forma general de Av:

En la figura 9.54 se incluyen las diversas capacitancias parásitas (Cbe, Cbc, Cce)
del transistor junto con las capacitancias de alambrado introducidas durante la
construcción. El modelo equivalente de alta frecuencia de la red de la figura 9.54
aparece en la figura 9.55. Observe que faltan los capacitores Cs, CC y CE los
cuales se supone que se encuentran en estado de cortocircuito en estas
frecuencias. La capacitancia Ci incluye la capacitancia de alambrado de entrada,
la capacitancia de transición Cbe y la capacitancia Miller.
La capacitancia Co incluye la capacitancia de alambrado de salida, la capacitancia
parásita Cce y la capacitancia de efecto Miller de salida. En general, la
capacitancia Cbe es la más grande de las capacitancias parásitas, con Cce como
la más pequeña. En realidad, la mayoría de las hojas de especificaciones
simplemente dan los niveles de Cbe y Cbc y no incluyen Cce
a menos que afecte la respuesta de un tipo particular de transistor en un área de
aplicación específica. Al determinar el circuito equivalente de Thévenin de las
redes de entrada y salida de la figura 9.55 obtenemos las configuraciones de la
figura 9.56. Para la red de entrada, la frecuencia de -3 dB se define como:

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2.2. GRAFICOS REPRESENTATIVOS

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 3. MATERIALES Y EQUIPO UTILIZADO
• Multímetro
• Generador de señales
• Osciloscopio
• Fuente de poder DC
• Cable coaxial
• Transistor 2N2222
• Resistores
• Condensadores
• Protoboard
4. PROCEDIMIENTO
1. Realice la simulación del circuito mostrado en la figura y determine el
punto de trabajo asi como la ganancia de tensión;complete los campos
correspondientes a la tabla 1

2. Establesca al circuito una señal de salida de generador una onda sinusoidal

de 10KHz, con el mayor nivel de amplitud posible.
3. Despreciando el efecto de los condensadores (frecuencias medias)
determine experimentalmente la ganancia de tensión y halle el punto de
trabajo. Complete la tabla 1.
4. Con el fin de determinar la frecuencia de corte superior, complete la tabla
2

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 5. RESULTADO
Después de implementar el circuito en protoboard so anotaron los datos
correspondientes al procedimiento se obtuvieron los siguientes datos:

Tabla 1

Vceq(V) Icq(mA) Av
Valor calculado 8.05 1.8 9.2
Valor simulado 7.67 1.98 9.5
Valor medido 7.68 1.95 10

Tabla 2

50 Hz 100Hz

Vi = 0.304 v V0 = 2.96 v Av = 9.736 Vi = 0.304 v V0 = 2.96 v Av = 9.736

500 Hz 1 KHz

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Vi =0.288 v V0 = 2.88 v Av = 10 Vi = 0.296 v V0 = 2.88 v Av = 9.729
10 KHz 100 KHz

Vi = 0.288 v V0 = 2.88 v Av = 10 Vi = 0.280 v V0 = 2.88 v Av = 10.285

200 KHz 500 KHz

Vi = 0.280v V0 = 2.88 v Av = 10.285 Vi = 0.272 v V0 = 2.88 v Av = 10.588

700 KHz 1 MHZ

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Vi = 0.272 v V0 = 2.72 v Av = 10 Vi = 0.272 v V0 = 2.55 v Av = 9.375
2 MHz 5 MHz

Vi = 0.272 v V0 = 1.75 v Av = 6.433 Vi = 0.376 v V0 = 1.03 v Av = 2.739

6. CUESTIONARIO
1.Grafique en papel semilogarítmico (según la tabla) la ganancia de
tensión, expresada en dB, versus la frecuencia. Comente su gráfico

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En la figura tenemos las frecuencias medidas a una ganancia casi constante,
pero cuando llegamos a cierta frecuencia tenemos una caída de ganancia de
0.7 de su valor, esta frecuencia es llamada frecuencia de corte superior que es
producida por las capacitancias parasitas del transistor, y la frecuencia de corte
inferior producida por los capacitores de acoplo y desacoplo.

2.De acuerdo a su gráfico encontrar fH y con este dato calcular

(Cb’e’+Cb’c(1+AvRL)) y verificar la aproximación de la pregunta 3 del
informe previo

De acuerdo al grafico la Frecuencia de corte superior es 750k

Frecuencia de corte superior wh

Si existe un polo dominante en Fh(s)

Si no existe un polo dominante en Fh(s)

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10
 7. CONCLUSIONES

• Las capacitancias parasitas determinan la frecuencia de corte superior

• La mejor manera de poder realizar el análisis en alta frecuencia es
utilizando el modelo de parámetro hibrido (π), puesto que aparecen los
parámetros deseados.
• Cuando la salida del amplificador cae en 0.707 de su valor en frecuencias
medias, observamos que se da a cierta frecuencia y en ese momento
ocurre la caída del ancho de banda hasta un valor casi nulo.
• En esta experiencia se pudo demostrar que cuando el transistor opera
como un amplificador en bajas frecuencias la frecuencia de corte estará
determinada por el valor de las frecuencias de cortes.

8. BIBLIOGRAFIA

CLASES ANALOGA DE ALTA FRECUENCIA. (s.f.). Obtenido de

•http://www.docentes.unal.edu.co/hfvelascop/docs/CLASES/ANALOGA2/Altafrecuenc
ia.pdf

ELECTRONICA:TEORIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS. (2009). En R. BOYLESTAD,

.ELECTRONICA:TEORIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS (págs. 579-582).
MEXICO: PEARSON.

RESPUESTA EN ALTA Y BAJA FRECUENCIA. (s.f.). Obtenido de RESPUESTA EN ALTA Y BAJA

FRECUENCIA: • https://electronicauaa.files.wordpress.com/2014/12/respuesta-en-
baja-y-alta-frecuencia-amplificadores-bjt.pdf

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