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UNIVERSIDAD NACIONAL

“SAN LUIS GONZAGA DE ICA”

“AÑO DEL DIALOGO Y LA RECONCILIACION NACIONAL”

UNIVERSIDAD NACIONAL SAN LUIS GONZAGA


FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA, ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

Transistores: Amplificador emisor común


CURSO : dispositivos electrónicos

DOCENTE : Ing.

integrantes: Lagos Cardenas Harry Michael

Geldres Asto Arnaldo Arnolf


Quispe Carhuas Leoni Edu
Anamaria Yucra Alonso Eduardo
CICLO : IIEE-3

ICA – PERÚ
2018
INFORME DESCRIPTIVO 1
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Introducción

El amplificar emisor común consiste básicamente de una combinación de


tres filtros pasaalta (high pass) que permiten el paso de señales con
frecuencias mayores a la frecuencia del filtro dominante. Las demás señales
son atenuadas. La figura 1 muestra el circuito de un amplificador emisor
común con divisor de voltaje. Esta configuración tiene un divisor de voltaje
en la entrada que controla el voltaje de entrada en la base, VB, un capacitor
"bypass", C2 y dos capacitores de acoplamiento, C1 y C3.

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Objetivos

Comprender el comportamiento de un transistor en un amplificador.


Diseñando y comprobando las diferentes configuraciones de este
para su mejor operación. Además de comprobar el funcionamiento
de un circuito amplificador acoplado con capacitares, aplicándole una
señal de entrada. Introducción Teórica Para poder utilizar un
transistor BJT como un amplificador es necesario primeramente
polarizarlo, de manera que su punto de operación se ubique en la
región activa de sus curvas características. La razón usual de esta
polarización es encender el dispositivo, y en particular, ponerlo a
operar en la región de su característica en la que funciona con mayor
linealidad. El punto en el cual se alcanzan la corriente de colecto (IC)
y el voltaje de colector-emisor (VCE) deseados, se conoce como
punto de operación o punto “Q”. Existen varias configuraciones de
polarización para transistores BJT, siendo las más comunes la
configuración de polarización fija, la de estabilización en el emisor,
con retroalimentación de voltaje colector a base y la independiente
de b. A partir de tener las curvas características del dispositivo se
pueden conocer la corriente de colector máxima (ICmax) y el voltaje
colector-emisor máximo (VCEmax o VCC), estos datos sirven como
punto de partida para encontrar los valores de las resistencias a
utilizar en la Base y en el Colector. Para ello se aplican tres criterios
de diseño: 1º. La corriente de colector ICQ se elige de la mitad del
valor de la ICmax. 2º. El voltaje colector-emisor VCEQ se elige de la
mitad del valor del VCEmax . 3º. El voltaje en el emisor VE, se elige
de un 1/10 del valor del VCC. A partir de estos tres criterios se estará
ubicando al punto de operación “Q” a la mitad aproximadamente, de
la región activa.

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Marco Teórico

TRANSISTOR: El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor


que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer
resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra
práctica-mente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios,
televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de
microondas, lavarropas automáticos, automóviles, equipos de
refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras,
impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos,
ecógrafos, etc. Tipos de Transistor:  Transistor de punta de contacto 
Transistor de unión bipolar: BJT  Fototransistor,  Transistor de unión
unipolar.  Transistor de efecto de campo: FET.

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"Sin embargo, es verdaderamente un hecho afortunado que los


amplificadores de señal pequeña de transistores se puedan considerar
lineales para la mayoría de las aplicaciones , lo que permite la aplicación del
teorema de superposición para separar el análisis de DC y la de AC."¿Que
es un amplificador?-El transistor BJT puede utilizarse como un dispositivo
de amplificación, es decir, que la señal senoidal de Salida sea mayor a la
señal senoidal de entrada o en otras palabras, la potencia AC de salida es
mayor que la potencia AC de la entrada. ¿Como es posible esto, si va en
contra de la ley de la conservación de la materia?-El factor ausente que
permite que la señal de salida sea mayor que la de la salida es la potencia
de DC aplicada que contribuye a la potencia total de salida incluso cuando
parte de ella se disipa gracias al dispositivo y a sus componentes resistivos.
Existen varias configuraciones y existen varias formas de polarizar un
transistor cada uno con sus ventajas y desventajas. Se dice que un
amplificador es aquel que incrementa el nivel de una determinada señal.

Básicamente a un transistor se le puede utilizar en 3 diferentes


configuraciones:*Configuración Emisor Común*Configuración Base
Común*Configuración Colector Común.

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En estos tipos de montajes en los que la entrada de señal a


amplificar y la salida amplificada se toma con respecto a un punto
común, en este caso el negativo, conectado con el emisor del
transistor. Este circuito nos ayudará a comprender el
funcionamiento de un transistor tipo NPN.

Participemos de la base del conocimiento del circuito eléctrico


interior del transistor NPN, y de sus polarizaciones. Se puede decir
que un transistor NPN es basicamente un circuito hecho con dos
diodos conectados en oposición y con una toma intermedia, de la
forma que vemos en la figura.

Su polarización correcta de funcionamiento es la siguiente: V


emisor-base = directa, es decir, el diodo formado por emisor y base
debe estar polarizado directamente. V base-colector = inversa. De
esta forma podemos decir que un transistor está polarizado
correctamente cuando lo hagamos como en el dibujo que sigue.

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El transistor está en condiciones de funcionar. Es preciso aclarar que


estas tensiones de polarización son más fuertes entre base y colector
que entre base y emisor.

En el circuito amplificador, la polarización del transistor se consigue


mediante el dividir la tensión formada por la resistencia R1 y R2
(R1=10K W , R2=3k3). Con el circuito en reposo (sin V e), podemos
saber si el circuito funciona midiendo las tensiones de polarización y
las intensidades de base, de emisor y de colector (Hay que recordar
que I e=I b+I c).

Veamos ahora como se produce la amplificación en este circuito. Al


amplificar una señal alterna en la entrada, estamos modificando la
tensión de base-emisor del circuito, por consiguiente, la I b, depende
de la conducción de transistor.

Supongamos que en la entrada aparece el semiciclo positivo de una


señal alterna. A través del condensador de acople C1, se elevará la
tensión de base, y por tanto, la de base-emisor. Esto hace que
aumente I b y se reduzca la barrera entre base y colector. El
resultado es que el transistor conduzca más, (aumenta la I c),
aumenta la VR c y decrece entre colector y emisor ( por tanto
también decrece entre colector y masa). La tensión de colector que
antes era constante, ha disminuido y el condensador de desacoplo C
2 transmitiendo a la salida el descenso de V e como el semiciclo
negativo, igual que en el de entrada pero amplificado y desfasado
150º. Pasemos ahora al semiciclo negativo en la entrada. A través de
C 1 la tensión de base disminuirá, por tanto, la tensión V b-e , con lo
que también lo hará la I b. De esta forma crece la barrera entre base
y colector y el transistor conducirá menos (baja la I c). Así, aumenta
la V e y al haber menos corriente, baja la tensión en R L. El efecto es
que la tensión de colector sube u el condensador C2 transmite esta
variación a la salida con el desfase de 180º indefinidamente.

El condensador de emisión se utiliza para estabilizar la tensión de


emisor V e. Con las variaciones de corriente de colector se producen
variaciones de tensión en R e, en colector emisor y en R e
(Resistencia de emisor). Esta ultima no interesa mantenerla estable
para que esta polarización continúe como si estuviera en estado de
reposo, en el que la polarización del transistor es estable. El
condensador C e mantiene la polarización de emisor constante y
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evita la distorsión producida por la misma tensión alterna de


entrada.

Polarización en Amplificadores de Emisor


Común:

1) POLARIZACIÓN FIJA
El circuito estará
formado por un
transistor
NPN, dos resistencias
fijas: una en la base
RB (podría ser variable)
y otra en el colector
RC, y una batería o
fuente de alimentación
Vcc. Este circuito recibe el nombre de circuito de polarización
fija y determina el punto Q de reposo del transistor para unos
valores dados de Vcc, RB y RC. Es el circuito más sencillo, pero
también el más inestable con las variaciones de la temperatura.

Recta de carga
Del circuito de arriba es fácil obtener la relación que existe entre la
corriente de colector Ic y la tensión colector-emisor VCE del transistor,
aplicando la ley de Kirchoff resulta:

Vcc = VCE + IC . ecuación


RC 1.1

Esta expresión se conoce como ecuación de la recta de carga. En


ella Vcc y RC son constantes, y VCE e IC son las variables. La
intersección entre esta recta de carga con la curva característica de
salida del transistor determina el punto de reposo Q. Para trazar la
recta en el plano IC = f (VCE) es suficiente con establecer los puntos de
corte con los ejes de coordenadas.

Cuando la corriente de colector es cero IC = 0, la tensión colector-


emisor es igual al potencial del generador VCE = Vcc:
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IC = 0; VCE = Vcc

Por otro lado, cuando la tensión colector-emisor es igual a cero VCE = 0, la


corriente de colector vale el potencial del generador entre la resistencia de
colector IC = Vcc/RC:

VCE = 0; IC = Vcc/RC

En la figura se muestra el circuito de polarización y la recta de carga


estática con el punto de reposo Q que representa la intersección de esta
recta con la curva IB correspondiente. El valor de la corriente de base IB se
puede calcular aplicando la ley de Kirchoff al circuito de entrada o de base,
así tenemos:
Vcc = VBE + IB .
RB ecuación
1.2
Sabemos que el transistor entre base-emisor se comporta como un diodo,
así que la tensión base-emisor para el silicio suele ser de 0,7 V, es decir:

VBE = 0,7 V
Entonces para un dado valor constante de la fuente de alimentación Vcc
tenemos que la corriente de base solo depende de RB y vale:

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IB = (Vcc – 0,7V)/ RB

Sabemos también que existe una relación entre las tres corrientes del
transistor:

ecuación 1.3 De la 2ª ley IC = β.IB de Kirchoff:

IE = IC + IB = (β+1).IB
La ganancia de corriente del transistor para continua se conoce como β o
hFE, y no tiene unidades ya que relaciona IC/IB.

Con todo esto explicado hasta ahora podemos realizar ya un cálculo de


polarización fija.
Buscamos o medimos con el polímetro la ganancia de corriente β que para
el BC547B está en 200 como valor mínimo. Un dato importante de este
transistor es que la corriente de colector máxima es de 100 mA.

Ejemplo:
Los datos del circuito son:
Vcc = 12 V
R
C
=
2
2
0
Ω
R
B
=
6
8
k
β
=
2

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0
0

Hallar los valores de IB, IC y VCE.

IB = (Vcc – 0,7V)/ RB = (12V-0,7V) / 68k = 0,16617 mA = 166,17 μA

IC = β.IB = 200 . 0,16617 mA= 33,235 mA

Vcc = VCE + IC . RC → VCE = Vcc - IC . RC = 12V - 33,235 mA . 220 Ω =12 V –


7,31 V = 4,69 V

Para trazar la recta de carga, utilizaremos la expresión :

Vcc =
VCE + IC . RC Los puntos de corte con los ejes
serán en este caso:
• para IC = 0 → VCE = Vcc = 12 V
• para VCE = 0 → IC = Vcc/RC = 12 V/220 Ω = 54,54 mA

Para el BC547B y sus curvas características de salida tendremos la siguiente


recta de carga y el punto Q de reposo:

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Zona de saturación

33,2 mA Q

Zona de corte

4,69 V

Otro ejemplo:
Un circuito igual al anterior pero esta vez los datos son los siguientes:
Vcc = 30 V
R
C
=
2
,
2
k
Ω
R
B
=
3
6
0
k
Ω

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β
=
8
0
Hallar los valores de IB, IC y VCE, además trazar la recta de carga para los
valores calculados.

IB = (Vcc – 0,7V)/ RB = (30V-0,7V) / 360k = 0,08138 mA = 81,38 μA

IC = β.IB = 80 . 0,08138 mA= 6,51 mA

Vcc = VCE + IC . RC → VCE = Vcc - IC . RC = 30V - 36,51 mA . 2,2 kΩ =30 V –


14,32 V = 15,67 V

De forma análoga al ejemplo anterior, los puntos de cruce con los ejes
serán:
Vcc =
VCE + IC . RC Los puntos de corte con los ejes
serán en este caso:
• para IC = 0 → VCE = Vcc = 30 V
• para VCE = 0 → IC = Vcc/RC = 30 V/2,2 kΩ = 13,64 mA
IC (mA)
13,64
IB : 81,38 (μA)
Q
6,51

15,67 30 VCE (V)

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2) POLARIZACIÓN UNIVERSAL

En la figura se muestra un circuito


con polarización universal
capaz de compensar los
desequilibrios producidos por la
ICB0(1), β y VBE. El circuito está
constituido por un divisor de
tensión, formado por R1 y R2,
conectado a la base del transistor,
y por una resistencia de emisor RE.
Las variaciones de ICB0, β y VBE por
efecto de la temperatura se
traducen en un aumento de la
corriente de colector IC. Cuando IC
tiende a aumentar la caída de
tensión en RE también aumenta,
como la tensión en el divisor de
tensión en el punto A es casi
constante, el aumento de voltaje en
RE provoca que disminuya el voltaje
entre base-emisor y esto a su vez
disminuye la IB lo que provoca una
reducción de IC y esto compensa su
subida, en consecuencia
Fig.1: Circuito de polarización manteniéndola estable
ante variaciones de la universal temperatura.

1
ICB0: corriente inversa de saturación o corriente de fugas. Se duplica cada vez que la temperatura del
transistor sube 10ºC

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Al utilizar el sistema de polarización universal, la ecuación de la recta de


carga viene dada por:
Vcc = VCE + IC . ecuación 2.1
(RC+RE)
El punto de corte con el eje de ordenadas IC, es decir cuando VCE = 0, tendrá
el valor:

IC = Vcc /(RC+RE)
En la figura siguiente se muestra la recta de carga que corresponde a la
ecuación 2.1 (en color verde) junto a la recta de carga de un circuito
equivalente donde la RE = 0 (en color azul).
IC (mA)
VCC/RC

IB (μA)
VCC/(RC+RE)
Q1

Q2

VCC VCE (V)

Estudio simplificado
En este apartado haremos un análisis aproximado del circuito de
polarización universal y de la estabilidad ante variaciones de la
temperatura.
Las resistencias R1 y R2 del circuito de la Figura 1 proporcionan en el punto
A un determinado nivel de tensión y que corresponde a la base del
transistor. Para hallar ese valor de tensión recurrimos a lo visto en el divisor
de voltaje:

De esta manera el circuito simplificado aplicando estos cambios quedará


así:

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VA = Vcc .[R2/(R1+R2]
ecuación 2.2

La resistencia
equivalente que se
observa desde la base
del transistor es:

VA = IB.RB + VBE +
IE.RE
RB = R1.R2/(R1+R2)

ecuación 2.3 IC = (VA -


VBE)/RE
De este circuito podemos obtener la siguiente ecuación: ecuación 2.4

En la cual, si IB.RB << VA e IE ≈ IC, podemos escribir la siguiente expresión:

ecuación 2.5
Que nos indica que la corriente de colector IC es independiente de la
ganancia de corriente en continua β del transistor, y por lo tanto la
sustitución de un transistor por otro de la misma serie, con un valor de β
distinto no perturba el punto de reposo Q.

Criterios para el diseño del circuito

La estabilidad del punto de funcionamiento en continua Q es mayor cuanto


más grande sea la resistencia RE, pero un valor muy elevado de esta
reduciría considerablemente la corriente de colector IC y en consecuencia
la amplitud de una posible señal de salida del amplificador; por esta razón
es necesario encontrar un valor de compromiso para la resistencia de
emisor RE. La RE suele ser menor que la RC, siendo válida la siguiente regle:

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RE ≈ ¼. RC
de la cual deducimos que la resistencia de emisor debe tener un valor de
aproximadamente el 25% del valor de la de colector.
Conocido el valor de RE y de la corriente de colector, podemos calcular la
caída de tensión sobre RE:

VRE = IC. RE
Si despreciamos la caída de tensión en RB, es decir IB. RB, el valor de la
tensión en la base será la misma que en el divisor de tensión, o sea que VA,
por lo tanto tendremos:

VA = VRE + VBE = IC. RE + VBE


La estabilidad del punto de reposo también depende de la relación entre
RB y RE, siendo más estable cuanto menor es dicha relación. Para limitar el
consumo de energía de las resistencias del divisor de tensión R1 y R2 se suele
utilizar una RB de valor comprendido entre u y 10 veces el valor de RE:

10. RE > RB ≥ 5. RE
Una vez determinado el valor de RB, es fácil obtener los valores de R1 y R2
mediante las ecuaciones 2.2 y 2.3.
Veamos un ejemplo de aplicación:
Tenemos un circuito de polarización universal con Vcc = 20V, R1 = 47 k, R2 =
10 k, RC = 3 k y RE = 1 k. El transistor tiene un β = 100, VBE = 0,7 V e ICB0 = 10
nA.

Aplicando el método simplificado calcular el punto de reposo Q (IC y VCE).

Aplicamos la ecuación 2.2 y hallamos:

VA = Vcc .[R2/(R1+R2] → VA = 20 V. 10 k /(47 k+10 k) = 3,5 V

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Ahora mediante la ecuación 2.5

obtenemos la IC : IC = (VA – VBE)/RE

→ IC = (3,5 V– 0,7 V)/ 1k = 2,8 mA

De la ecuación 2.1 obtenemos la VCE:

Vcc = VCE + IC . (RC+RE) → VCE = = Vcc - IC . (RC+RE) = 20 V – 2,8 mA. (3k+ 1k) =
8,8 V

La resistencia equivalente en la base RB resulta de la ecuación 2.3:

RB = R1.R2/(R1+R2) = 47k . 10k/(47k + 10k) = 8,24k

Amplificador:

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Conclusiones

+Podemos variar la ganancia de voltaje en base a cambios en Re y Rc


especialmente.

+El desfase entre los voltajes de entrada y salida debe de ser 180 grados.

+No es posible obtener una amplificación en el dominio de AC sin la


aplicación de un nivel de polarización de DC.

+Ni la impedancia de entrada ni la impedancia de salida se pueden medir


con un óhmetro.

+Para todos los amplificadores a transistor, la ganancia sin carga


siempre es mayor que la ganancia con carga.

+La ganancia de amperaje de un amplificador es muy sensible a la


impedancia de entrada del amplificador y de la carga aplicada.

+Para la configuración de emisor común, la impedancia de entrada , por lo


general se aproxima a unos cuantos kΩ y la impedancia de salida es
relativamente grande. Además la configuración de emisor común puede
tener una ganancia de voltaje y una ganancia de corriente relativamente
alta.

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Bibliografía
Antolín Prieto M. y Vilma Méndez G. / “El amplificador emisor común”/

laboratorio de Electrónica de la Universidad Nacional de Trujillo, 2011,

Trujillo.

R. Boylestad y L. Nashelsky/ “Teoría de Circuitos”/ Ed. Pearson, sexta

edición, México, 199

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