Caractérisation d’un dépot de Diamant

sur un acier obtenu par le procédé CVD

Partie théorique
Procédé C V D (Chemical Vapour Deposition)
1 - Introduction
La phase déposée est produite par une réaction chimique, qui se produit généralement sur le
substrat, entre espèces en phase vapeur. La source de vapeur doit donc être constituée
d'espèces volatiles à des températures modérées mais susceptibles de produire des phases à
haut point de fusion
Ex.: TiB2 qui fond à 3225 °C peut être obtenu à 900 °C à partir de TiCl4 BCl3 et H2
Diverses variantes:
- CVD statique (rare)
- CVD dynamique
- CVD à pression atmosphérique
- CVD basse pression (LPCVD)
- CVD assistée plasma (PACVD) ou laser (LACVD)
- OMCVD (précurseurs organométalliques)
Les principaux matériaux déposés sont: des métaux, des carbures, des nitrures, des borures,
des siliciures, des sulfures.... Les applications principales sont dans les domaines des
semiconducteurs et des outils de haute qualité (céramiques de dureté). Mais ce procédé peut
être utilisé pour préparer des revêtements multiphases - multicouches ou des composites
renforcés par des fibres.

2 – Principe

l'equipement necessaire pour un depot CVD se compose de trois

parties principales(fig1):

Fig1

Le systeme de manipulation des gaz est utilise afin de controler les debits des gaz
(quantites des reactifs) transportes au reacteur et necessaires au depot. Il doit
alimenter le reacteur en precurseurs volatils "purs" et contenant les constituants du
film a deposer seulement.
 Enfin, les produits secondaires des reactions sont degages par le systeme d'echappement
(pompe mecanique,soufflerie,…).

En pratique, la partie la plus importante du depot est effectuee au niveau du

reacteur ou se fait la croissance de la couche suivant plusieurs etapes physico
chimique.

Ces etapes sont illustrees sur la figure 2 : et peuvent etre resumees successivement comme
suit:

1. transport de masse des gaz de l'entree du reacteur jusqu'au voisinage de la zone

de depot
2. reactions des gaz en phase gazeuse donnant lieu a la formation des precurseurs
et produits secondaires
3. transport de masse des precurseurs vers la surface
4. adsorption des precurseurs a la surface du substrat
5. diffusion des especes a la surface vers les sites preferentiels de croissance
6. incorporation des constituants du film dans la couche croissante
7. desorption des produits volatils formes lors de la reaction .

Fig2 : les étapes du procédé CVD conventionnel.

3-Types de réacteurs pour CVD !

4 - Avantages et inconvénients
Avantages
- Grande vitesse de dépôt: peut atteindre 1000 à 10 000 angströms par minute
- Contrôle de la stœchiométrie, de la morphologie, de la structure cristalline et de
l'orientation de croissance qui peuvent être ajustés par contrôle des paramètres de dépôt
- Recouvrement uniforme de formes complexes et creuses
- Obtention à températures relativement basses de composés réfractaires
- Permet des dépôts de haute pureté moyennant une purification poussée des précurseurs
- Possibilité de modification de surface par bombardement par des espèces de haute
énergie (PACVD)

Inconvénients
- Le substrat doit être chauffé, même si la température est généralement modérée (800 à
1000 °C), elle peut excéder les tolérances du substrat (déformation, transition de phase,
décarburation des aciers, diffusion de dopants dans les composants électroniques). Une voie de
recherche active consiste à rechercher des précurseurs qui réagissent à plus basse
température.
- Agressivité toxicité et/ou instabilité à l'air des précurseurs d'où difficulté de manipulation.
Même chose pour les produits de réaction qui peuvent attaquer le substrat, provoquant
porosité, mauvaise adhérence et contamination du dépôt.
- La désorption entraîne une porosité.
Applications
Industrie des outils de coupe - Les outils à pastilles de carbure de tungstène ont une durée
de vie cinq fois plus grande s'ils sont recouverts de TiC, TiN ou TiC xNy. Malheureusement ce
revêtement s'oxyde au-dessus de 800 °C. Pour des outils travaillant à très haute température
on fait des revêtements de Al2O3. On fait aussi des revêtements multicouches: on dépose TiC
entre le substrat et Al2O3 pour accroître l'adhérence.

Protection contre l'érosion - Pales de turbines, nez de fusées, vannes de détentes dans les
systèmes d'exploitation de gaz naturel etc.... sont soumis à la friction de fines poussières. Un
revêtement de TiCxNy multiplie la durée de vie des pales de turbine par un facteur 70.

Aérospatiale - Les composites à base de fibres de carbone utilisés comme boucliers

thermiques et composants de structure ont une mauvaise résistance à l'oxydation à haute
température. Ils sont recouverts par CVD d'un dépôt réfractaire. Les véhicules spatiaux
réutilisables (navettes) subissent des température de ré-entrée dans l'atmosphère de 1300 °C;
un revêtement de SiC sur des composites carbone/carbone forme un verre visqueux à cette
température qui fait barrière à l'oxygène et scelle les dislocations qui pourraient provenir de la
différence de coefficient de dilatation thermique entre SiC et le composite.

Partie pratique
Mon travail pratique a porté sur l’étude métallographique par microscopie optique du
revetement de couches minces de deux échantillons par le procédé CVD.
Un premier échantillon No14 : Revetement de diamant de dureté 7000Kgf/mm² .
L’obsèrvation par le picroscope optique a donné l’image suivante :

GX100
Nous remarquons bien l’aspect brillant et meme luisant du diamant ainsi que
l’homogéneité du revètement en balayant toute la surface de l’échantillon.
Pour le deuxième échantillon No 17 ;Lobsérvation au microscope optique a donné l’image
suivante :

GX100
Nous remarquons la luisance du diamant et l’homogéneité du film de ce diamant ainsi que
la présence de rayures suite aux essais dits de (scratch test) réalisés dans le but de mesurer
l’épaisseur de la couche du dépot.
CONCLUSION :
Ce travail pratique m’a permis de me familiariser avec l’un des moyens de
caractèrisation des matériaux le microscope optique ; la prises de photos ; l’obsèrvation
des dépots de couches minces ;le scratch Or,la mise à ma disposition d’autres moyens
plus avancés tels que le microscope électronique à balayage et la diffractions des rayons
X ou le microscope à force atomique seront d’un interet primordial et majeur pour
observer la morphologie de cette couche et de l’interface ainsi que la qualité de
l’adhérence de cette derniére et meme son épaisseur qui pourrait etre determiné au
moyen du scratch test ou le profilomètre . Tout ceci en plus de la compréhension du
procédé de l’obtention de ces couches minces qui est le procédé de déposition
chimique en phase vapeur(CVD)qui s’élabore généralement de deux manières :

1) Statique dit en caisse : pour lequel il n’y a pas de gas qui entre en jeu ,la pièce à revètir
est en contact direct avec l’agent chimique et l’élément donneur(en poudre) pour former
insitu à la température de traitement le composé du dépot,comme la cémentation , la
chromisation et l’allumination du substrat.

2) Dynamique dit conventionnel :pour lequel il y a nécéssité d’introduire des gaz inertes et
réactifs (des précurseurs)qui entrent en réaction ou se décomposent pour former la couche
de revètement sur le substrat.
Pour ce qui est de notre échantion le DLC (dimond like carbon) càd une forme de diamant
mais pas la version précieuse. Il est élaboré par LE procédé ECRMWPACVD à la préssion de
10-5 m bar. Et comme précurseurs (C6H6) ,(CH4). Il y a formation de l’interface vers350oC
ou 500oC et vers 900oC pour le diamant pur.
Donc en premier lieu il y a eu un prétraitement de la surface (décapage
mécanique+chimique aux ultra-sons (bain d’acétone ou d’éthanol) puis un prétraitement
sous vide 10-3 à10-7 mbar grace à des pompes primaires et pompes
turbomoléculaires.Aprés atteinte de la pression adéquate on envoie l’H2 sous
plasma(ionisé) pendant 20 mn et de l’argon ;par la suite on introduit le précurseur adéquat
qui est un gaz contenant l’élément à déposer comme le C6H6 et il y a alors formation de la
couche DLC qui passe par plusieurs étapes
(atomes>embryons>gèrmes>cristaux>grains).sachant que plusieurs paramètres entrent en
jeu :
*la tension et l’ intensité du courant du plasma.
*la température.
*la préssion sous vide.
*la nature du précurseur.
*la géomètrie et le volume de l’enceinte qui agit sur le flux du gaz(ex :on envoie 10SCCM
dans 1cm3.
Univèrsité Badji Mokhtar Annaba

Département de metallurgie et sciences des matériaux

Module de Traitement des surfaces II.

Assuré par : Mr Touhami

TP No 2 :Caractérisation du dépot d’une couche mince

de Diamant obtenue par procédé CVD.

Travail réalisé par : Mme Lalaoui Khokha

Groupe : M2 Génie des surfaces

Année univèrsitaire :2017/2018