MICROONDAS

DIVISOR DE WILKINSON

Integrantes:
Byron Piedra
Cristian Ortega

Paralelo:
A
1. FUNDAMENTO TEÓRICO

En muchas ocasiones en microondas, radiofrecuencia de ondas milimétricas,

comunicaciones ópticas entre otras aplicaciones de telecomunicaciones, se
necesita combinar o dividir potencia entre varios puertos de salida desde uno o
varios puertos de entrada. Esta necesidad lleva a buscar maneras de realizar esta
tarea. En 1960 Wilkinson diseño y desarrollo el primer divisor de potencia de n
salidas.
“Un divisor de potencia es una red de tres o más puertas que permite repartir la
potencia de la señal incidente por una de las puertas entre las otras dos siguiendo
una determinada proporción”. López P (2012). Entonces, un divisor de potencia,
como su nombre lo indica, es un dispositivo que se encarga de dividir una señal
de entrada (señal de microondas) en dos o más señales.

El divisor de Wilkinson es un dispositivo de tres componentes pasivos de

microondas, que también puede ser usado como combinador de potencia. Su
configuración básica la conforman dos líneas de transmisión de λ/4, con una
impedancia característica 2Zo´ y una resistencia entre los dos puertos de salida
igual a 2Zo. La potencia es repartida por igual en los puertos de salida los cuales
se encuentran aislados para un caso simétrico. El método de aislamiento entre los
dos puertos se lo hace mediante una resistencia común que disipa la energía
cuando una señal entra a la red por alguno de los dos puertos de salida, es decir
evita la reflexión hacia el puerto de entrada. Este resistor provee un aislamiento
perfecto para proteger los puertos de salida a la frecuencia de operación.

La resistencia común puede influir en el momento de la distribución de la potencia

convirtiéndola a la red en un dispositivo con salidas de potencias asimétricas. El
divisor de potencia de Wilkinson consta de elementos resistivos colocados de tal
manera que, cuando los puertos de salida se encuentran adaptados, no presentan
pérdidas y sólo la potencia reflejada se disipa.

FUNDAMENTO MATEMÁTICO

En la figura 1 se puede ver el esquema de un divisor de Wilkinson. Se debe tomar

en cuenta, para encontrar los parámetros de su matriz S, que todos sus puertos
deben estar acoplados.

Figura 1. Esquema de un divisor de Wilkinson.

 Observando desde el puerto 1:

Figura 2. Esquema de un divisor de Wilkinson puerto 1

Z0 2 = Zin ZL
Z11 = Z0
(Z0 ′ )2
Z12 =
Z0
(Z0 ′ )2
Z13 =
Z0

Impedancia equivalente para obtener el valor de Z0 ′ :

(Z0 ′ )2 (Z0 ′ )2
Z13 Z12 Z0 Z0
Z0 = = ′ 2
Z13 + Z12 (Z )
2 Z0
0

(Z0 ′ )2
Z0 =
2Z0

Z0 ′ = √2Z0
Se obtiene el coeficiente de reflexión S22 :

Z0 − √2Z0
S22 =
Z0 + √2Z0

Z0 (1 − √2)
𝑆22 =
Z0 (1 + √2)

1 − √2
𝑆22 =
1 + √2
Se plantea la ecuación de voltaje en función del voltaje incidente y reflejado:

V(z) = V + ⅇ−jβz + V − ⅇjβz

z=0
V2 = V2 + + V2 − = V2 + (1 + 𝑆22 )
λ
Como la línea tiene una longitud de se tiene:
4

2π λ π
βl = =
λ 4 2
λ
V1 = v ( ) = V2 + ⅇ−jβz + V2 − ⅇjβz
4
V1 = jV2 + + V2 − (−j)
V1 = jV2 + (1 − S22 )
Se plantea la ecuación para obtener S21 :
𝑉2−
S21 = | +
𝑉1+ V2 =0
∴ V2 = V2 −

V1 = V1 + (1 + S11 )
S11 = 0
V1 + = V1

Sustituyendo los valores de V2 y V1 tenemos:

V2 + (1 + S22 )
S21 =
jV2 + (1 − S22 )

1 + √2 + 1 − √2
1 + √2
S21 = −j
1 + √2 − 1 − √2
1 + √2
2
S21 = −j
2√2
−j
S21 =
√2
Para calcular los parámetros S restantes, se necesita aplicar la simetría al circuito
entre los puertos 2 y 3, de esta forma, involucra el análisis para excitación par e
impar.
 Figura 3. Esquema del circuito con plano de simetría.

Figura 4. Esquema equivalente aplicando las propiedades

de simetría para resistores.

Excitación par:

Figura 5. Circuito Equivalente excitación par.

(√2Z0 )2
Ze = = Z0
2Z0
Z e − Z0
ρe = =0
Z e + Z0

Excitación impar:
 Figura 6. Circuito Equivalente excitación impar.

Entre el paralelo entre una resistencia de valor ∞ y otra de un valor R cualquiera,

se tiene como resistencia equivalente R.
Z
Zo =
2
Z
− Z0
ρo = 2
Z
2 + Z0
Una vez obtenidos los valores de S o y S e se procede a encontrar los valores de la
matriz:
1 e
S11 ′ = (ρ + ρo ) = S22 ′
2
Z
′ ′ 1 2 − Z0
S11 = S22 =
2Z + Z
2 0

1
S21 ′ = (ρe − ρo ) = S12 ′
2
Z
′ ′ 1 2 − Z0
S21 = S12 =
2Z + Z
2 0

Se procede a encontrar el valor de Z con el cual S21 ′ = S12 ′ = 0

Z
− Z0 = 0
2
Z
= Z0
2
Z = 2Z0
S21 ′ = S22 ′ = 0

Finalmente, la matriz S encontrada:

  0 j j 
 2 2
 
   j 2
S  0 0 
 
 j 
 0 0 
 2 

𝟐𝟒. 𝟔∠𝟏𝟕𝟖. 𝟏° 𝟑. 𝟓𝟖∠𝟓𝟗° 𝟑. 𝟔∠𝟔𝟏. 𝟗°

[𝑺] = [ 𝟐𝟕. 𝟗∠𝟏𝟎𝟖. 𝟔° 𝟏𝟑. 𝟕∠𝟏𝟕𝟖° 𝟒𝟎. 𝟐𝟒∠𝟑𝟔. 𝟏° ]
𝟑. 𝟕𝟑 ∠𝟓𝟖. 𝟗° 𝟒𝟎. 𝟐𝟒∠𝟑𝟒. 𝟑° 𝟏𝟐. 𝟎𝟑∠𝟏𝟕𝟏. 𝟐°
2. SIMULACIÓN

Para la etapa de simulación se utilizó el software AWR, que nos sirve para trabajar
con circuitos de microondas. Es muy importante los parámetros del sustrato a
utilizar, en este caso utilizamos los siguientes:
Tabla 1. Especificaciones del sustrato FR4.

Parámetros Valor
Constante dieléctrica 3.3-4.3
Tangente de pérdidas 0.016
Altura del sustrato 1.56 mm
Conductividad 5.88x107
Espesor del cobre 5x10−5

Los resultados obtenidos fueron los siguientes:

Figura 7. Circuito esquemático del divisor de Wilkinson

 Figura 8. Simulación del divisor de Wilkinson con AWR

3. MEDICIONES REALES

Estos resultados se obtuvieron al medir en el analizador de espectros el divisor ya

implementado. El divisor de Wilkinson se muestra en la figura 9.

Figura 9. Divisor de Wilkinson implementado

S11 S12

S21 S22

Tabla 2. Divisor de Wilkinson con carga en el puerto 3

Coeficientes de reflexión y transmisión con carga en 2

S11 S13

S31 S33

Tabla 3. Divisor de Wilkinson con carga en el puerto 2

Coeficientes de reflexión y transmisión con carga en 1

S22 S23

S32 S33

Tabla 4. Divisor de Wilkinson con carga en el puerto 1

S11 S12

S21 S22

Tabla 5. Divisor de Wilkinson valor de fase con carga en el puerto 3

S11 S13

S31 S33

Tabla 5. Divisor de Wilkinson valor de fase con carga en el puerto 2

S22 S23

S32 S33

Tabla 5. Divisor de Wilkinson valor de fase con carga en el puerto 1

4. ANÁLISIS DE RESULTADOS

Podemos darnos cuenta de que en la simulación claramente se trata de componentes

ideales, por lo tanto, los coeficientes de reflexión trabajan a la frecuencia central a la
que se realizó el diseño, mientras los coeficientes de transmisión se mantienen
constantes a lo largo de todo el rango de frecuencias. Sin embargo, como podemos
apreciar en las gráficas de las mediaciones reales esto no ocurre.

De las gráficas obtenidas en el analizador de redes se puede observar lo siguiente:

- Analizando las gráficas de los parámetros S12, S13 y el S31, S21 se puede observar
que estas son semejantes. Lo que comprueba la simetría del circuito y los cálculos
realizados anteriormente.

- En la teoría los parámetros S12, S13, S21 y S31 que son coeficientes de trasmisión,
no disipan potencia aproximadamente hasta 1.5 GHz. En las gráficas estos
parámetros se ubican alrededor de los -3 dB. Por lo tanto, se corrobora que en el
circuito casi toda la potencia de trasmite.

- Los parámetros S23 y S32 que son coeficientes de trasmisión, son los peores
parámetros que se obtuvieron. En las gráficas del analizador de redes estos
parámetros se ubican alrededor de los -14 a -15 dB, ubicándose en los límites de los
requerimientos planteados. Por lo tanto, estas gráficas difieren mucho con las
obtenidas en la simulación.

- Todos los coeficientes de reflexión S11, S22, y S33, difieren mucho de la

simulación. Sin embargo, El coeficiente de reflexión en el puerto 1, S11, es la que
mejor resultados presenta, ubicándose en la frecuencia central de trabajo requerida
aproximadamente a unos -24 dB.

5. CONCLUSIONES

▪ Existe una diferencia entre las gráficas del simulador y las que nos muestra el
analizador de espectros. Una de las razones por las que ocurre este suceso son los
materiales utilizados. Los materiales utilizados en la simulación son ideales y de
valores exactos a los obtenidos en la parte analítica, mientras que los utilizados en
el proyecto son materiales con rangos de tolerancia y de valores aproximados. El
resistor utilizado, en el circuito, varían en 1 Ω con el circuito simulado. Sin embargo,
como este valor no está alejado del deseado, no influye importantemente en el
resultado obtenido como, en cambio, si lo hace el largo de las líneas de transmisión.

▪ Si el largo de las líneas varía, aunque sea tan solo un poco, el resultado final varía
considerablemente. En nuestra experiencia al variar aproximadamente entre 3mm y
1cm el largo de las líneas, la frecuencia central de operación varió aproximadamente
 85 MHz. Esta frecuencia es muy considerable cuando se requiere trabajar con
circuitos precisos.

▪ Se comprobó que el ancho de banda de estos dispositivos es bajo. En nuestra

experiencia, en los coeficientes de reflexión, el mejor ancho de banda obtenido fue
en el puerto 1, obteniendo un ancho de 147 MHz aproximadamente. En los puertos
2 y 3 el ancho de banda es muy bajo, aproximadamente 85 MHz.

▪ Los coeficientes de reflexión en los puertos 2 y 3 es muy malo. Aquí no se logró la

atenuación requerida, así como tampoco que trabajen a la frecuencia de 915 MHz.
Esto puede ser resultado de que la medida de la longitud de las líneas no sea la
correcta, del sustrato utilizado y del soldado de los conectores.

▪ En S11, es decir el coeficiente de reflexión del puerto 1, es muy bueno. Aquí se

logró que la reflexión sea de -27 dB a la frecuencia deseada, Esto se debe a que la
longitud de la línea implementada fuese la correcta.

▪ Los coeficientes de transmisión, en las gráficas del simulador, se mantiene

relativamente constante, pero no igual, para cualquier frecuencia, por lo tanto, se
demuestra que, aunque se trabaje con componentes ideales, en microondas cualquier
medida, por pequeña que sea, afecta al comportamiento final del dispositivo.

▪ Los valores de transmisión S12, S21, S13, S31, en el circuito implementado difieren
mucho con los obtenidos en la simulación. Mientras que en la simulación se
mantienen en un rango de 3 a 3.6 dB para todo el rango de frecuencias, en la práctica
obtenemos 3.5 dB hasta 1.6 GHz aproximadamente. Después de esta frecuencia
obtenemos pérdidas.

▪ Los coeficientes de aislamiento, o S23 y S32, son muy buenos, logrando que la
potencia que se transmite entre estos dos puertos, comprada con la que se transmite
entre el puerto 1-2 o 1-3 y viceversa, sea de -40 dB en la frecuencia de trabajo
requerida.

▪ Las gráficas del puerto 𝑆22 y el puerto 𝑆33 , así como las gráficas de transmisión 𝑆23
y 𝑆32 son iguales, por lo tanto, el circuito es simétrico entre estos dos puertos en el
divisor de Wilkinson.

6. RECOMENDACIONES

• El uso de resistores de montaje superficial garantiza un mejor desempeño del

circuito siempre y cuando el valor del resistor sea exactamente el valor calculado
o que difiera entre 1 a 5 Ω.
 • Se debe evitar el exceso de estaño al momento de soldar ya que esto provoca
ruido en el circuito.

• Al realizar el circuito en una pcb se recomienda utilizar una que cumpla con los
parámetros utilizados en la simulación.

• Para soldar los componentes se recomienda el uso de una estación de calor, en

caso de no disponer, utilizar un cautín de potencia baja para evitar quemar los
componentes.

7. REFERENCIAS
[1] D. Pozar, “Microwave Engineering 2nd Ed David Pozar,” pp. 1–736, 2008.
[2] F. Di Paolo, Networks and devices Using Planar transmission line. CRC. 2000.
[3] M. S. J Miranda, F Sebastián, Ingeniería de microondas. Prentice Hall, 2001.
[4] Jordi García Rincón. “Divisor de Potencia en Banda dual con estructuras metamateriales
basadas en CSRRs”, Tesis Universidad Autónoma de Barcelona. 2007
[5] Pablo Luis López Espí. (2012). Circuitos pasivos de microondas. Circuitos pasivos de
microondas Sitio web:
http://agamenon.tsc.uah.es/Asignaturas/it/caf/apuntes/Tema2_4p.pdf
[6] Lapo Zhanay, Franklin Antonio. (2016). Diseño, simulación e implementación de
elementos pasivos de microondas a través de microcinta. (Trabajo de Titulación de
Ingeniero en Electrónica y Telecomunicaciones). UTPL, Loja
8. ANEXOS