S. E. P. D.G.E.S.T.

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE ORIZABA

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA
ELÉCTRICA-ELECTRÓNICA (ÁREA
ELECTRÓNICA)

DISEÑO CON TRANSISTORES 6e2C

PRÁCTICA N° 1
AMPLIFICADOR DE 1 ETAPA

Alumno
PASTELIN MORALES ISRAEL

Vo. Bo. Ontiveros Gonzales Miguel

Introducción: En esta práctica el alumno; analizará, diseñará, y comprobará el
funcionamiento de un amplificador diseñado con BJT y determinará la ganancia de
voltaje (Av).

Objetivo(s): Analizar, diseñar circuitos de polarización en la región activa para su

aplicación en redes electrónicas.

I. Desarrollo Teórico.

I.1.MarcoTeórico.

¿Qué es un transistor bipolar?

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de
germanio o silicio. En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y
el colector.

FIGURA 1.1. TIPOS DE TRANSISTOR

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos

una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra (emisor), una
cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación.

Este factor de amplificación se llama ß (beta) y es un dato propio de cada transistor.

Entonces:

Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a ß (factor de amplificación) por Ib
(corriente que pasa por la patilla base).

Ic = ß x Ib

Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (ß+1) x Ib, pero se redondea al
mismo valor que Ic, sólo que la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso de
sale él, o viceversa.

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito
(Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia
Vcc.
Modelo híbrido-pi

El modelo híbrido-pi es un modelo de circuito popular utilizado para analizar

el comportamiento de señal pequeña de la unión bipolar y transistores de efecto de
campo . A veces también se llama modelo de Giacoletto porque fue presentado por LJ
Giacoletto en 1969. [1] El modelo puede ser bastante preciso para circuitos de baja
frecuencia y puede adaptarse fácilmente para circuitos de mayor frecuencia con la adición
de capacitancias entre electrodos adecuadas y otros elementos parásitos.

r = hie
NPN
 = hfe

VT
r 
I EQ

PNP

FIGURA 1.2. MODELO DE SEÑAL PEQUEÑA DEL TRANSISTOR

II. Desarrollo Práctico.

II.1.Material y equipo a utilizar.

Protoboard, resistencias, capacitores electrolíticos, transistores bipolares con hojas de

datos, alambre para interconexiones y puntas de prueba.

EQUIPO DE LABORATORIO:

Multímetro digital y fuente de voltaje regulada, generador de señales, osciloscopio, con

sus puntas correspondientes.
II.2. Procedimiento y resultados.

1.- Calcule R1 y R2, del circuito mostrado, para MES.

15V

1.5 kΩ

0.1kΩ

ß medida= 225

𝑍𝐶𝐶 = 1.5 + 0.1 = 1.6 𝐾Ω

𝑍𝐶𝐴 = 𝑍𝐶𝐶 = 1.6 𝐾Ω

I VCC 15 V
CQ= = =𝟒.𝟔𝟖𝟕 𝐦𝐀
ZCC+ZCA 2(1.6 K)

𝐕𝐁𝐁 = VBE + ICQ = 0.7 + (4.687 ∗ 0.1) = 𝟏. 𝟏𝟔𝟖𝟕 𝑽

(225)(0.1)
R BB = = 𝟐. 𝟐𝟓 𝐊Ω
10
𝑪𝑨𝑳𝑪𝑼𝑳𝑨𝑵𝑫𝑶 𝑹𝟏 𝒀 𝑹𝟐
R BB 2.25
R1 = = = 𝟐. 𝟒𝟒𝐊Ω valor comercial = KΩ
VBB 1.687
1− 1 −
VCC 15
(R BB )(VCC ) (2.25)(15)
R2 = = = 𝟐𝟖. 𝟖𝟕𝟖 𝐊Ω
VBB 1.687
𝑪𝑶𝑵𝑺𝑻𝑨𝑵𝑻𝑬 𝑫𝑬 𝑷𝑹𝑶𝑷𝑶𝑹𝑪𝑰𝑶𝑵𝑨𝑳𝑰𝑫𝑨𝑫
28.878 K
R= = 1.0695 𝐾Ω
27k
2.44 K
R1 = = 2.2814 kΩ
1.0695 K

βVT (225)(25 ∗ 10−3 )

rπ = = = 𝟏. 𝟐𝟎𝟎 𝐊Ω
IEQ 4.687 ∗ 10−3
 225

FIGURA 1.3. MEDICION DE BETA DEL TRANSISTOR 2N2222

FIGURA 1.4. TRANSISTOR 2N2222

FIGURA 1.5. COMPROBACIÓN DE ICQ=4.7 MA
2.- Conecte un capacitor (100 µ, 10 V) a la base del transistor

15V
1.5 kΩ

βVT (225)(25 ∗ 10−3 )

rπ = =
IEQ 4.687 ∗ 10−3
= 𝟏. 𝟐𝟎𝟎 𝐊Ω

𝑺𝑰𝑴𝑷𝑳𝑰𝑭𝑰𝑪𝑨𝑵𝑫𝑶

𝑉𝑂 = −1.5(225 𝐼𝐵 ) = −337.5 𝐼𝐵
𝑉𝐼
𝐼𝐵 = = 0.0420 𝑉𝐼
22.6 + 1.2
𝑉𝑂 = (−337.5)(0.0420𝑉𝐼 )

𝑽𝑶
= −𝟏𝟒. 𝟏𝟕𝟖
𝑽𝑰
Simulación:

Ganancia simulada: 14.199

Practico:

FIGURA1.6. CIRCUITO ARMADO 2

FIGURA 1.7. MEDICION CON OSCILOSCOPIO CIRCUITO 2

Ganancia práctica: -13.94 muy cercana al valor calculado

3.- Dibuje una tabla comparativa de las ganancias en ambos casos (puntos 2 y 3).

GANANCIA 1

TEORICA -14.178

SIMALACIÓN -14.199

PRÁCTICA -13.994

OBSERVACIONES

Cuando hay capacitor en el emisor, la ganancia se hace muy grande, puede ser mayor a
100

III Conclusiones y recomendaciones.

Con esta práctica el alumno refuerza conocimientos de semestres anteriores, al igual que
conoce un tema que son los modelos de señal pequeña para el transistor para obtener
ganancias de voltajes de los diseños presentados. Como se pudo observar en la tabla
comparativa los valores teóricos y simulados son muy parecidos, pero los prácticos hay
variaciones considerables, esto se debe a los materiales ya sean las resistencias o el
valor de un capacitor.

IV Referencias:

https://en.wikipedia.org/wiki/Hybrid-pi_model

https://www.onsemi.com/pub/Collateral/P2N2222A-D.PDF