Informe No. 8: TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.

Carrasco Daniela, Rocha Cristian, Tirira David

Ingeniería Eléctrica y Electrónica-Laboratorio Dispositivos electrónicos –Gr 3
daniela.carrasco@epn.edu.ec- cristian.rocha@epn.edu.ec- david.tirira@epn.edu.ec
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

I. ERRORES
Resumen- El transistor de efecto de campo, es un tipo de
semiconductor el cual basa su funcionamiento en un
estructura de juntura unipolar, es decir a diferencia de un CIRCUITO 1
transistor TBJ, este nuevo tipo de transistores basa su VALORES VALORES
ERROR
estructura en un unión entre dos capas, las cuales pueden ser TEORICOS MEDIDOS
N y P, y el orden de estas para formas el transistor va a crear VG (V) 0,122 V 0,49 75%
el tipo de transistor ya sea del tipo n o del tipo p, por ejemplo VS (V) 2,61 V 2,87 9%
para el tipo N, un material P se enrolla alrededor de un
VD (V) 26,9 V 26,45 2%
material M para crear el material semiconductor, este
material N va a forma un canal, y es cuando entra el concepto IG (A) 0 0 0%
de efecto de campo, donde este campo eléctrico va a controlar IS (A) 1,44 mA 0,87 mA 40%
la conductividad del canal, es por esto que el JFET. ID (A) 1,44 mA 0,87mA 40%
. Tabla 1. Valores reales y teóricos circuito 1.

I. OBJETIVOS CIRCUITO 2
 Analizar e implementar circuitos de polarización VALORES VALORES
ERROR
para JFET. TEORICOS MEDIDOS
VG (V) 0,2 V 0,18 V 10%
II. INTRODUCCIÓN
VS (V) 0 0 0%
El transistor de efecto de campo JFET, está formado por VD (V) 1,52 V 0,557 V 64%
materiales semiconductores. Dependiendo de su diseño, IG (A) 0 0 0%
consta de un canal tipo N por donde circula la corriente y
IS (A) 2,75 mA 3 mA 9%
un anillo tipo P que rodea dicho canal, o viceversa. El
dispositivo electrónico JFET pn tiene una región en donde ID (A) 2,75E mA 3 mA 9%
el control de corriente se da mediante el voltaje, en este Tabla 2. Valores reales y teóricos circuito 2.
momento exacto es cuando comienza a operar y para que
se apague es preciso aplicar un voltaje en el terminal de CIRCUITO 3
compuerta. Al igual que el transistor BJT, necesita ser VALORES VALORES
polarizado previamente antes de cumplir su función de ERROR
TEORICOS MEDIDOS
amplificación, algunas de sus formas de polarización son:
polarización fija o compuesta, autopolarización, VG (V) 0,375 V 0,12 V 68%
polarización por división de voltaje, Polarización por VS (V) 2,7 V 4,6 V 41%
fuente corriente VD (V) 17 V 9V 47%
.
IG (A) 0 0 0%
I. DESARROLLO IS (A) 0,82 mA 0,8 mA 2%
ID (A) 0,82 mA 0, 8 mA 2%
1. Tabular un cuadro en el cual consten los valores Tabla 3. Valores reales y teóricos circuito 3.
medidos, los teóricos del preparatorio. Calcular el error y
justificarlo Se puede notar que existen errores de voltaje
considerablemente bajos cuando los voltajes son más altos,
consiguiéndose así los valores de polarización calculados, sin
embargo, en cuanto a valores de voltaje corriente muy bajos
existen errores más grandes y eso puede deberse a que el
multímetro no tiene una escala adecuada.
 Vgs ID
Gm(medido)= 0.0051 Gm(calculado)= 0.0051
-1
Av(medido)= 2.79 Av(calculado)= 2.79
-0.9
-0.8 Circuito 3
-0.7
-0.6 gmo= 1/200
-0.5 Gm(medido)= 0.0022 Gm(calculado)= 0.0035
-0.4 Av(medido)= 1.20 Av(calculado)= 1.91
-0.3
-0.2
-0.1 Av Medido Calculado Error
0

Circuito 1 1.91 1.86 2.68%

Circuito 2 2.79 2.79 0%

Tabla 4. Valores de voltaje y corriente circuito 3.

Circuito 3 1.20 1.91 37.17%

Tabla 5. Valores de ganancia calculados y medidos con el

2. Realizar los cálculos necesarios para determinar la respectivo error
ganancia de voltaje, compararla con el valor teórico y
calcular los errores.
REFERENCIAS

[1] Llugsi R, Lupera P, Electrónica Básica, Quito-Ecuador

(1) [2]

(2) II. CONCLUSIONES

- Se concluye que el transistor de efecto de campo

𝐴𝑣 = 𝑔𝑚 ∗ 𝑟𝑑 (3) JFET en región de saturación opera como una fuente
de corriente controlada por voltaje, este voltaje
Datos JFET : corresponde a VGS
𝑟𝑑 = 25𝑘 ∥ 560 - .
Iss= 20 mA III. RECOMENDACIONES
VGSoff= - 8 V
- Manejar con cuidado los pines del transistor 2N3819,
puesto que son sensibles a la estática.
Circuito 1
IV. ANEXOS
gmo= 1/200
Gm(medido)= 0.0035 Gm(calculado)= 0.0034
Av(medido)= 1.91 Av(calculado)= 1.86

Circuito 2

gmo= 1/200